JPH01268146A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01268146A JPH01268146A JP9858488A JP9858488A JPH01268146A JP H01268146 A JPH01268146 A JP H01268146A JP 9858488 A JP9858488 A JP 9858488A JP 9858488 A JP9858488 A JP 9858488A JP H01268146 A JPH01268146 A JP H01268146A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来、半導体集積回路における拡散領域と分離領域また
は拡散領域と素子形成領域とのマスクアライメントずれ
を測定する場合、走査型電子顕微鏡により行われていた
。
は拡散領域と素子形成領域とのマスクアライメントずれ
を測定する場合、走査型電子顕微鏡により行われていた
。
発明が解決しようとする課題
ところで、走査型電子顕微鏡で観察を行う場合、測定試
料すなわち半導体装置を破壊しなければならず、準備す
るのに時間がかかるとともに大量の試料を短時間で評価
することは困難であり、生産現場で採用することは容易
でないという問題があった。
料すなわち半導体装置を破壊しなければならず、準備す
るのに時間がかかるとともに大量の試料を短時間で評価
することは困難であり、生産現場で採用することは容易
でないという問題があった。
そこで、本発明は上記問題点を解消し得る半導体装置を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の半導体装置は、マ
スク書使用して基板上に、分離領域で分離された素子形
成領域に拡散領域を設けて回路配線層を形成する際に、
これと同一工程により測定用配線層を基板上の所定位置
に形成し、かつこの測定用配線層を、分離領域で分離さ
れた互いに平行な２個の素子形成領域の中央に、これら
両素子形成領域の外側面幅より狭い幅の拡散Ｓｔ域を設
けれた一対の電圧測定用コンタクトホールを形成するこ
とにより構成したものである。
スク書使用して基板上に、分離領域で分離された素子形
成領域に拡散領域を設けて回路配線層を形成する際に、
これと同一工程により測定用配線層を基板上の所定位置
に形成し、かつこの測定用配線層を、分離領域で分離さ
れた互いに平行な２個の素子形成領域の中央に、これら
両素子形成領域の外側面幅より狭い幅の拡散Ｓｔ域を設
けれた一対の電圧測定用コンタクトホールを形成するこ
とにより構成したものである。
作用
上記構成によると、分離領域の両側に形成される２個の
拡散層に印加される電圧を測定して各拡散層の抵抗値を
検出し、この抵抗値の差により各拡散層の幅のずれ、す
なわち拡散領域と分離領域または拡散領域と素子形成ａ
Ｘとのアライメントずれを検出することができる。
拡散層に印加される電圧を測定して各拡散層の抵抗値を
検出し、この抵抗値の差により各拡散層の幅のずれ、す
なわち拡散領域と分離領域または拡散領域と素子形成ａ
Ｘとのアライメントずれを検出することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例における半導体装置を第１図お
よび第２図に基づき説明する。
よび第２図に基づき説明する。
この半導体装置は、マスクを使用して半導体基板上に、
分Ｗ１．領域で分離された素子形成領域に拡散領域を設
けて本来の素子機能を有する回路配線層を形成するとと
もに、これと同一工程により測定用配線層を基板上の所
定位置に形成したものである。
分Ｗ１．領域で分離された素子形成領域に拡散領域を設
けて本来の素子機能を有する回路配線層を形成するとと
もに、これと同一工程により測定用配線層を基板上の所
定位置に形成したものである。
以下、測定用配線層について詳しく説明する。
この測定用配線層】は、分離層（分＃Ｉｌ′頭域）２で
分離された互いに平行な２個の素子形成領域３Ａ。
分離された互いに平行な２個の素子形成領域３Ａ。
３Ｂの中央に、分離層２の幅Ｅより広くがっこれら両素
子形成領域３Ａ、３Ｂの外側面幅Ｆ、！ニジ狭い幅Ｇの
拡散領域４を設けて分ｌｌｋ層２の両側に左右２個の拡
散層５Ａ、５Ｂｋ形成するとともに、これら各拡散層５
Ａ、５Ｂの前後端部に電流印加用コンタクトホール６Ａ
、６Ｂおよびこれらの内側位置で電圧測定用コンタクト
ホール７Ａ、７Ｂをそれぞれ形成することにより、構成
されたものである。また、各拡散層５Ａ、 ５Ｂにおけ
る電圧測定用コンタクトホー／ｌｚ ７Ａ （！ニアＡ
、７Ｂと７Ｂ間の距ＭＵは互いに等（２くされている。
子形成領域３Ａ、３Ｂの外側面幅Ｆ、！ニジ狭い幅Ｇの
拡散領域４を設けて分ｌｌｋ層２の両側に左右２個の拡
散層５Ａ、５Ｂｋ形成するとともに、これら各拡散層５
Ａ、５Ｂの前後端部に電流印加用コンタクトホール６Ａ
、６Ｂおよびこれらの内側位置で電圧測定用コンタクト
ホール７Ａ、７Ｂをそれぞれ形成することにより、構成
されたものである。また、各拡散層５Ａ、 ５Ｂにおけ
る電圧測定用コンタクトホー／ｌｚ ７Ａ （！ニアＡ
、７Ｂと７Ｂ間の距ＭＵは互いに等（２くされている。
この構成によると、各拡散層５Ａ、５Ｂｉ抵抗体として
考えることができ、したがって電圧測定用コン冬 タクトホール７Ａと７Ａ、７Ｂと７Ｂ間で拡散層５Ａ、
５Ｂにハ 印加される電圧を測定して、各拡散層５Ａ、５Ｂの抵抗
値を検出することができる。そして、これら両抵抗値の
差を見ることによって各領域間のマスクアライメントず
れを算出することができる。
考えることができ、したがって電圧測定用コン冬 タクトホール７Ａと７Ａ、７Ｂと７Ｂ間で拡散層５Ａ、
５Ｂにハ 印加される電圧を測定して、各拡散層５Ａ、５Ｂの抵抗
値を検出することができる。そして、これら両抵抗値の
差を見ることによって各領域間のマスクアライメントず
れを算出することができる。
すなわち、各拡散層５Ａ、 ５Ｂの抵抗値ＲＡ、ＲＢは
下記のように表わされる。
下記のように表わされる。
臥＝ Ｒ８Ｘ Ｌ／ＷＡ ・・・・・
・■Ｒ８：各拡散層の層抵抗 Ｌ ：各拡散層における電圧測定用コンタクトホール間
の距離 ＷＡニ一方の拡散、１５Ａの幅 ＲＢ ＝ Ｒ８Ｘ Ｌ／ＷＢ ・−
−−−−■ｗＢ：他方の拡散Ｍ５Ｂの幅 ところで、拡散層と分離層または拡散層と素子形成領域
とのアライメントずれΔは、 Δ＝ （ＷＡ −ＷＢ ）／２ ・・・・
・・■で表わされる、 ■および０式を■式に代入すると、 Δ−（−−−） Ｘ Ｒ５Ｘ、 Ｌ／２ ・川・・■
ＲＡ ＲＢ となり、アライメントずれは、抵抗値ＲＡ 、ＲＢと、
拡散層５Ａ、５Ｂの層抵抗Ｒ５および電圧測定用コンタ
クト示−ル闇の距離りで求めることができる。
・■Ｒ８：各拡散層の層抵抗 Ｌ ：各拡散層における電圧測定用コンタクトホール間
の距離 ＷＡニ一方の拡散、１５Ａの幅 ＲＢ ＝ Ｒ８Ｘ Ｌ／ＷＢ ・−
−−−−■ｗＢ：他方の拡散Ｍ５Ｂの幅 ところで、拡散層と分離層または拡散層と素子形成領域
とのアライメントずれΔは、 Δ＝ （ＷＡ −ＷＢ ）／２ ・・・・
・・■で表わされる、 ■および０式を■式に代入すると、 Δ−（−−−） Ｘ Ｒ５Ｘ、 Ｌ／２ ・川・・■
ＲＡ ＲＢ となり、アライメントずれは、抵抗値ＲＡ 、ＲＢと、
拡散層５Ａ、５Ｂの層抵抗Ｒ５および電圧測定用コンタ
クト示−ル闇の距離りで求めることができる。
したがって、電流印加用コンタクトホー／Ｌ／を介して
電流を流して各拡散層に印加される電圧を測定すること
によって抵抗値ＲＡ 、Ｒ，Ｂを求め、この抵抗１１１
１ＲＡ、ＲＢからアライメントずれを容易に算出するこ
とができる。
電流を流して各拡散層に印加される電圧を測定すること
によって抵抗値ＲＡ 、Ｒ，Ｂを求め、この抵抗１１１
１ＲＡ、ＲＢからアライメントずれを容易に算出するこ
とができる。
発明の効果
上記本発明の構成によると、製造工程における拡散領域
と分離領域または拡散領域と素子形成領域とのアライメ
ントずれを、回路素子を破壊することなく電気的に測定
することができ、製造された大量の半導体装置における
マスクアライメントずれを短時間でしかも自動的に測定
可能になるとともに、その測定値を直ちに製造工程にフ
ィードバックして生産効率の向上を図ることもできる。
と分離領域または拡散領域と素子形成領域とのアライメ
ントずれを、回路素子を破壊することなく電気的に測定
することができ、製造された大量の半導体装置における
マスクアライメントずれを短時間でしかも自動的に測定
可能になるとともに、その測定値を直ちに製造工程にフ
ィードバックして生産効率の向上を図ることもできる。
したがって、回路素子特性のアライメントずれによる変
＠を補正することも可能となる。
＠を補正することも可能となる。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の測定用
配線層の概略構成を示す平面図、第２図は同断面図であ
る。 １・・・測定用配線層、２・・・分離層、３Ａ、３Ｂ・
・・素子形成領域、４・・・拡散領域、５Ａ、５Ｂ・・
・拡散層、６Ａ。 ６Ｂ・・・電流印加用コンタクトホール、７Ａ、７Ｂ・
・・Ｗ圧測定用コンタクトホール。
配線層の概略構成を示す平面図、第２図は同断面図であ
る。 １・・・測定用配線層、２・・・分離層、３Ａ、３Ｂ・
・・素子形成領域、４・・・拡散領域、５Ａ、５Ｂ・・
・拡散層、６Ａ。 ６Ｂ・・・電流印加用コンタクトホール、７Ａ、７Ｂ・
・・Ｗ圧測定用コンタクトホール。
Claims (1)
- １、マスクを使用して基板上に、分離領域で分離された
素子形成領域に拡散領域を設けて回路配線層を形成する
際に、これと同一工程により測定用配線層を基板上の所
定位置に形成し、かつこの測定用配線層を、分離領域で
分離された互いに平行な２個の素子形成領域の中央に、
これら両素子形成領域の外側面幅より狭い幅の拡散領域
を設けて分離領域の両側に拡散層を形成するとともに、
これら各拡散層に、それぞれ同一距離でもって離された
一対の電圧測定用コンタクトホールを形成することによ
り構成した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9858488A JPH01268146A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9858488A JPH01268146A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268146A true JPH01268146A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14223702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9858488A Pending JPH01268146A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268146A (ja) |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9858488A patent/JPH01268146A/ja active Pending
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