JPH01269230A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH01269230A JPH01269230A JP9753688A JP9753688A JPH01269230A JP H01269230 A JPH01269230 A JP H01269230A JP 9753688 A JP9753688 A JP 9753688A JP 9753688 A JP9753688 A JP 9753688A JP H01269230 A JPH01269230 A JP H01269230A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスクの製造方法に関し、特にガラス基
板等の電気絶縁性基板上に欠点の少ない磁性膜を作成す
る方法に関する。
板等の電気絶縁性基板上に欠点の少ない磁性膜を作成す
る方法に関する。
磁気ディスクに使用される基板として、ガラス基板が知
られている。ガラス基板は、従来使用されて来たアルミ
ニウム基板と比べると平坦度が良いため磁気ヘッドとデ
ィスク面との間隔を狭くでき、そのために高密度記録が
行なえる等の利点があり、有望な材料である。
られている。ガラス基板は、従来使用されて来たアルミ
ニウム基板と比べると平坦度が良いため磁気ヘッドとデ
ィスク面との間隔を狭くでき、そのために高密度記録が
行なえる等の利点があり、有望な材料である。
ガラス基板を用いた磁気ディスクとしては、例えばガラ
ス基板１上に３００ｎｍ厚のＣｒ膜２．２００ｎＩＩｌ
厚のＮｌＣｏＰ合金磁性膜３．５０ｎｍ厚のカーボン膜
４を連続スパッタリング装置（インライン型）で順次積
層した物（第２図）等が知られている。
ス基板１上に３００ｎｍ厚のＣｒ膜２．２００ｎＩＩｌ
厚のＮｌＣｏＰ合金磁性膜３．５０ｎｍ厚のカーボン膜
４を連続スパッタリング装置（インライン型）で順次積
層した物（第２図）等が知られている。
上記ガラス基板を用いた磁気ディスクは、前記高密度記
録が実現できる等の利点があるものの、アルミニウム基
板とくらべると、材質的に電気絶縁性基板であるという
性質上静電気をおびやすく、−旦静電気をおびると基板
表面にほこりを吸いつけるという問題点があった。又−
旦吸いつけたほこりはガラス表面から取りのぞきにくい
という問照点もあった。
録が実現できる等の利点があるものの、アルミニウム基
板とくらべると、材質的に電気絶縁性基板であるという
性質上静電気をおびやすく、−旦静電気をおびると基板
表面にほこりを吸いつけるという問題点があった。又−
旦吸いつけたほこりはガラス表面から取りのぞきにくい
という問照点もあった。
そのため、上記ガラス基板を用いた磁気−ディスクの製
造方法においては、ガラス基板の洗浄を厳密に行ない、
静電気等が生じることのない様細心の注意でガラス基板
を取扱い、はこりがたかることのない様に高い清浄度の
雰囲気で取扱う必要があった。
造方法においては、ガラス基板の洗浄を厳密に行ない、
静電気等が生じることのない様細心の注意でガラス基板
を取扱い、はこりがたかることのない様に高い清浄度の
雰囲気で取扱う必要があった。
上記ガラス基板の取扱いは、磁気ディスク製造における
製造の効率化、製造価格の低減等にあたり解決すべき重
要な問題であった。
製造の効率化、製造価格の低減等にあたり解決すべき重
要な問題であった。
本発明は前記従来の問題点を解決するためになされたも
のであって、電気絶縁性基板を蒸着装置内に装入し、下
地層および磁性層を順次積層する磁気ディスクの製造方
法において、蒸着装置内に装入する前の該電気絶縁性基
板の表面にあらかじめ導電性被膜を作成している。
のであって、電気絶縁性基板を蒸着装置内に装入し、下
地層および磁性層を順次積層する磁気ディスクの製造方
法において、蒸着装置内に装入する前の該電気絶縁性基
板の表面にあらかじめ導電性被膜を作成している。
本発明によれば、蒸着装置内に装入する前の電気絶縁性
基板が表面に導電性を有する物となっているので、静電
気等が起こりにく（、はこりを吸いよせる様なことがな
い。又表面に付着したほこりも取り除きやすい。
基板が表面に導電性を有する物となっているので、静電
気等が起こりにく（、はこりを吸いよせる様なことがな
い。又表面に付着したほこりも取り除きやすい。
該導電性被膜の材質および製造方法および膜厚は各々任
意であるが、該導電性被膜上に積層される下地膜および
磁性膜に対して悪影否を与えないもの゛が好ましい。材
質としてはＣｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ、 Ｖ等の金属、Ｎ
ｉＰ等の合金が積層される下地膜に対して好影響を与え
るので望ましい。特にＣｒまたはＣｒを３５ａ ｔ％以
上含んだ合金が通常使用される下地層（Ｃｒ ）との接
合が良く、又ＮｉＰ合金等はメツキ法によっても電気絶
縁性基板上に形成でき、生産性が高い。
意であるが、該導電性被膜上に積層される下地膜および
磁性膜に対して悪影否を与えないもの゛が好ましい。材
質としてはＣｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ、 Ｖ等の金属、Ｎ
ｉＰ等の合金が積層される下地膜に対して好影響を与え
るので望ましい。特にＣｒまたはＣｒを３５ａ ｔ％以
上含んだ合金が通常使用される下地層（Ｃｒ ）との接
合が良く、又ＮｉＰ合金等はメツキ法によっても電気絶
縁性基板上に形成でき、生産性が高い。
電気絶縁性基板上への導電性被膜の形成は、導電性被膜
形成後に基板の洗浄が行なえ、又該洗浄に通常の電気絶
縁性基板の洗浄効果以上の洗浄効果が期待できるため、
かくべつの配慮をすることなく行なうことができる。
形成後に基板の洗浄が行なえ、又該洗浄に通常の電気絶
縁性基板の洗浄効果以上の洗浄効果が期待できるため、
かくべつの配慮をすることなく行なうことができる。
該導電性被膜は任意の厚さでかまわないが、導電性の確
保の面で３ｎｍ以上の厚さが好ましく、１０ｎｍ以上が
望ましい。又生産性の点で３ｎｍ以下の厚さが好ましい
。又特にほこりのついた電気絶縁性基板上に被膜を作成
し、洗浄を行なって該はこりを取り除いた場合であって
も該被膜のギャップ（はこり位置の穴）が小さ（てすみ
、該基板上に形成される下地膜に与える形状変化が少な
くてすむ１１００ｎ以下の厚さが望ましい。
保の面で３ｎｍ以上の厚さが好ましく、１０ｎｍ以上が
望ましい。又生産性の点で３ｎｍ以下の厚さが好ましい
。又特にほこりのついた電気絶縁性基板上に被膜を作成
し、洗浄を行なって該はこりを取り除いた場合であって
も該被膜のギャップ（はこり位置の穴）が小さ（てすみ
、該基板上に形成される下地膜に与える形状変化が少な
くてすむ１１００ｎ以下の厚さが望ましい。
本発明によれば、蒸着装置内に装入される前のディスク
基板に表面導電性があるため、基板に付着したほこりを
取り除きやすく、又基板に新たにほこりが付着すること
を防止できる。又従来電気絶縁性基板について特別に行
なっていた取扱いに対する注意等も必要なくなり、生産
性および歩留を向上させることができる。
基板に表面導電性があるため、基板に付着したほこりを
取り除きやすく、又基板に新たにほこりが付着すること
を防止できる。又従来電気絶縁性基板について特別に行
なっていた取扱いに対する注意等も必要なくなり、生産
性および歩留を向上させることができる。
実施例−１
ディスク状のガラス基板１にスパッタリング法で２μｍ
厚のアルミニウム膜５および３０ｎｍ厚のＣｒ合金膜６
（Ｃｒ９５ａｔ％、Ｍｏ５ａｔ％）を順次ガラス基板１
の両面に作製した。
厚のアルミニウム膜５および３０ｎｍ厚のＣｒ合金膜６
（Ｃｒ９５ａｔ％、Ｍｏ５ａｔ％）を順次ガラス基板１
の両面に作製した。
該導電性被膜つきガラス基板を洗浄した後、アルミニウ
ム基板上に５００ｎｍ厚のＣｒ下地Ｊｉ２．８０ｎｌｌ
＋厚のＣｏＮ１Ｐ磁性層３．５０ｎｍ厚のカーボン保護
Ｎ４を順次積層する通常の磁気ディスク製造装置（イン
ライン型スパッタリング装置）にアルミニウム基板と同
等の取扱いで装入して磁気ディスクを作製した。
ム基板上に５００ｎｍ厚のＣｒ下地Ｊｉ２．８０ｎｌｌ
＋厚のＣｏＮ１Ｐ磁性層３．５０ｎｍ厚のカーボン保護
Ｎ４を順次積層する通常の磁気ディスク製造装置（イン
ライン型スパッタリング装置）にアルミニウム基板と同
等の取扱いで装入して磁気ディスクを作製した。
作成された磁気ディスクは、アルミニウム基板の磁気デ
ィスクと同等程度の欠点を有する磁気ディスクであった
。又該磁気ディスクは、ガラス基板に直接前記と同等の
下地層２、磁性層３、保護Ｎ４を積層した従来のガラス
基Ｆｉ磁気ディスクとくらべると、下地層下に設けられ
たアルミニウム膜５が、磁気ディスクと磁気ヘッドとの
接触時に衝撃を吸収し、従来の磁気ディスクよりも磁気
ヘッドのクラッシュが防止されていた。
ィスクと同等程度の欠点を有する磁気ディスクであった
。又該磁気ディスクは、ガラス基板に直接前記と同等の
下地層２、磁性層３、保護Ｎ４を積層した従来のガラス
基Ｆｉ磁気ディスクとくらべると、下地層下に設けられ
たアルミニウム膜５が、磁気ディスクと磁気ヘッドとの
接触時に衝撃を吸収し、従来の磁気ディスクよりも磁気
ヘッドのクラッシュが防止されていた。
実施例−２
ディスク状のガラス基板に湿式のメツキ法によって約１
μｍ厚のＣｒＮを作製した。
μｍ厚のＣｒＮを作製した。
該Ｃｒ層つきガラス基板を洗浄した後、実施例−１と同
様にアルミニウム基板と同様の取扱いで下地層、磁性層
、保護層を成膜するインライン型スパッタリング装置に
装入した。
様にアルミニウム基板と同様の取扱いで下地層、磁性層
、保護層を成膜するインライン型スパッタリング装置に
装入した。
本実施例のガラス基板の磁気ディスクも実施例−１同様
アルミニウム基板と同等の欠点率であった。
アルミニウム基板と同等の欠点率であった。
比較例
表面に導電性被膜を設ける前のガラス基板を実施例−１
と同様の洗浄条件で洗浄し、実施例−１と同様にアルミ
ニウム製基板と同等の取扱いでインライン型スパッタリ
ング装置に装入した。
と同様の洗浄条件で洗浄し、実施例−１と同様にアルミ
ニウム製基板と同等の取扱いでインライン型スパッタリ
ング装置に装入した。
作成された磁気ディスクの欠点は、アルミニウム基板の
磁気ディスクの欠点の約４倍であり、製造歩留が非常に
悪いものであった。
磁気ディスクの欠点の約４倍であり、製造歩留が非常に
悪いものであった。
上記実施例においては、基板にガラス基板を用いている
が、本発明はガラス基板に限らず電気絶縁性基板に対し
て同様に実施でき、同様の効果を持つ。該電気絶縁性基
板としては、酸化アルミニウム等のセラミック基板やセ
ラミック基板にガラス薄膜を被覆した基板等が例示でき
る。
が、本発明はガラス基板に限らず電気絶縁性基板に対し
て同様に実施でき、同様の効果を持つ。該電気絶縁性基
板としては、酸化アルミニウム等のセラミック基板やセ
ラミック基板にガラス薄膜を被覆した基板等が例示でき
る。
又導電性被膜上に被覆する下地層、磁性層は上記実施例
の材質および膜厚に限定されず、任意の材質、膜厚に対
して同等の効果がある。又保護層については特に任意の
形状で実施でき、磁気的特性、耐久性等の条件によって
は省略されることも考えられる。
の材質および膜厚に限定されず、任意の材質、膜厚に対
して同等の効果がある。又保護層については特に任意の
形状で実施でき、磁気的特性、耐久性等の条件によって
は省略されることも考えられる。
又該導電性被膜を１〜３μｍ等の比較的厚膜とする場合
、該導電性被膜の表面を凹凸形状に形成し、磁気ヘッド
と磁気ディスクとの吸着防止のテクスチュアの形成下地
膜とすることもできる。
、該導電性被膜の表面を凹凸形状に形成し、磁気ヘッド
と磁気ディスクとの吸着防止のテクスチュアの形成下地
膜とすることもできる。
又該導電性被膜は基板面前面に対して設けることが好ま
しいが、少なくとも磁性膜がその上に形製される磁気デ
ィスクの主要部に設けることで本発明の効果が得られる
。又該導電性被膜は基板の両面に対して設けられること
が好ましいが、片面にのみ磁性膜を設ける場合には片面
であっても良い。
しいが、少なくとも磁性膜がその上に形製される磁気デ
ィスクの主要部に設けることで本発明の効果が得られる
。又該導電性被膜は基板の両面に対して設けられること
が好ましいが、片面にのみ磁性膜を設ける場合には片面
であっても良い。
又上記実施例においては、下地膜、磁性膜等の作成にス
パッタリング装置を用いているが、該被膜の作製には、
真空蒸着装置等通常使用される蒸着装置であれば任意の
装置が使用できる。
パッタリング装置を用いているが、該被膜の作製には、
真空蒸着装置等通常使用される蒸着装置であれば任意の
装置が使用できる。
本発明によれば、実施例からもあきらかな通り従来のガ
ラス基板を用いた磁気ディスクの製造工程をアルミニウ
ム基板を用いた磁気ディスクの製造工程なみに簡略化す
ることができる。又本発明によれば、ガラス基板を用い
た磁気ディスクの欠点を減少することもでき、製造歩留
を向上することもできる。
ラス基板を用いた磁気ディスクの製造工程をアルミニウ
ム基板を用いた磁気ディスクの製造工程なみに簡略化す
ることができる。又本発明によれば、ガラス基板を用い
た磁気ディスクの欠点を減少することもでき、製造歩留
を向上することもできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例−１で用いた蒸着装置へ装入する前のガ
ラス基板の概略を示す側面図、第２図は従来のガラス基
板を用いた磁気ディスクの概略を示す側面図である。 特許出願人 日本板硝子株式会社 第１図 第２図
ラス基板の概略を示す側面図、第２図は従来のガラス基
板を用いた磁気ディスクの概略を示す側面図である。 特許出願人 日本板硝子株式会社 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）電気絶縁性基板を蒸着装置内に装入し、下地層お
よび磁性層を該電気絶縁性基板上に順次積層する磁気デ
ィスクの製造方法において、蒸着装置内に装入する前の
該電気絶縁性基板の表面にあらかじめ導電性被膜を作成
しておくことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。 - （２）該蒸着装置内に装入する前の電気絶縁性基板が、
表面に１００ｎｍ厚以下の導電性被膜を設けた後洗浄を
行なった電気絶縁性基板である請求項１記載の磁気ディ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9753688A JPH01269230A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9753688A JPH01269230A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01269230A true JPH01269230A (ja) | 1989-10-26 |
Family
ID=14194971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9753688A Pending JPH01269230A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01269230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009266295A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9753688A patent/JPH01269230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009266295A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
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