JPH0127015B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0127015B2 JPH0127015B2 JP56067965A JP6796581A JPH0127015B2 JP H0127015 B2 JPH0127015 B2 JP H0127015B2 JP 56067965 A JP56067965 A JP 56067965A JP 6796581 A JP6796581 A JP 6796581A JP H0127015 B2 JPH0127015 B2 JP H0127015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- pbzro
- temperature
- present
- porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 3
- NKTZYSOLHFIEMF-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][W]([O-])(=O)=O NKTZYSOLHFIEMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、磁器組成物、特に高誘電率で焼結温
度の低い磁器組成物に関するものである。 従来高誘電率系誘電体として、チタン酸バリウ
ム〔BaTiO3〕を主成分とするものが広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、BaTiO3を主成分とするものは焼結温度が
通常1300℃〜1400℃の高温であり、特に積層コン
デンサの場合には、この焼結温度に適した内部電
極として、主成分が白金またはパラジウム等の高
価な貴金属を使用しなければならないという欠点
を有していた。 このため銀、ニツケル等を主成分とする安価な
内部電極を使用可能とするためには、焼結温度が
できるだけ低温、特に1000℃以下の温度で焼結で
きる誘電体が強く要望されていた。 本発明の目的は、1000℃以下の温度で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、しかも比
抵抗の高い組成物を提供することにある。 更に本発明の目的は、焼結磁器のの粒径成長を
抑制し、かつ焼結密度を高めて、機械的強度を増
大させ、信頼性の高い積層コンデンサー用組成物
を提供することにある。すなわち、チツプコンデ
ンサの場合は、基板に実装した時の、基板とセラ
ミツクの熱膨張係数の違いにより、チツプコンデ
ンサに機械的な歪がかかり、微少なクラツクの発
生やひどい場合にはチツプコンデンサが破損する
場合が生じる。またエポキシ樹脂等を外装したデ
イツプコンデンサの場合も外装樹脂の応力で磁器
にクラツクを発生させる場合がある。いずれの場
合も磁器の抗折強度が低いほどクラツクが入りや
すく、破損しやすく、信頼性が低くなる。したが
つて、セラミツクの機械的強度をできるだけ増大
させることは実用上、極めて重要なことである。 ところで、1000℃以下の低温で焼結できる磁器
組成物の一つとしてPb(Fe2/3W1/3)O3―
PbZrO3からなる二成分組成物は既に提案されて
いる。しかしながら上記二成分物組成物は誘電損
失が高く、しかも比抵抗が低く、より改善が望ま
れていた。このため第三成分としてPb(Mn2/
3W1/3)O3等を添加し、上記欠点を改善する
提案がなされている(特開昭55−23058)。しかし
ながら上記Pb(Fe2/3W1/3)O3―PbZrO3およ
びこれにPb(Mn2/3W1/3)O3等を添加したも
のはいずれも磁器の抗折強度が低く、積層コンデ
ンサ用組成物としての用途は自ら狭い範囲に限定
せざるを得なかつた。 本発明は、Pb(Fe2/3W1/3)O3、PbZrO3お
よびPb(Zn1/3Nb2/3)O3からなり、上記欠点
をすべて改良したものである。すなわち、本発明
の三成分系を〔Pb(Fe2/3W1/3)O3〕X
〔PbZrO3〕Y(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕Zと表わし
たときに、(ただし、X+Y+Z=1.00)配合比
X、Y、Zがこの三成分組成図において(X=
0.792、Y=0.198、Z=0.01)、(X=0.40、Y=
0.10、Z=0.50)、(X=0.25、Y=0.25、Z=
0.50)及び(X=0.495、Y=0.495、Z=0.01)
の4組成点を結ぶ線上並びにこの線の範囲内にあ
ることを特徴とするものであり、1000℃以下の温
度で焼結でき、機械的強度が高く、しかも誘電率
が高く、誘電率の温度変化率が良好で、誘電損失
が小さく、比抵抗も高いという秀れた特性を保持
し、かつ信頼性の高い、量産性に富む材料を提供
するものである。 以下本発明を実施例にて詳細に説明する。 出発原料として、酸化鉛(PbO)、酸化鉄
(Fe2O3)、酸化タングステン(WO3)、酸化ジル
コニウム(ZrO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)および
酸化亜鉛を使用し、所定の配合比に秤量する。次
にボールシル中で湿式混合した後700℃〜800℃で
予焼し、その後0.7ton/cm2の圧力で、直径16mm、
厚さ約10mmの円柱状に加圧成形し、800℃〜950℃
で焼結した。 得られた焼結体を切断し、1mmの円板4枚と
0.5mmの円板5枚を得た。1mmの円板の両面に銀
電極を焼付け電気的特性を評価した。誘電率およ
び誘電損失は周波数1kHz、温度20℃で測定した。
絶縁抵抗は50Vの電圧を印加し、1分後、温度20
℃で測定した。 温度特性は、室温20℃を基準として+85℃での
容量変化率を求めた。 機械的性質を抗折強度で評価するため、0.5mm
の円板から巾2mm、長さ約13mmの矩形板を切り出
した。支点間距離を9mmにとり三点法で破壊荷重
Pm〔Kg〕を測定し、γ=3Pml/2Wt2〔Kg/cm2〕 なる式により抗折強度を求めた。ただし、lは支
点間距離、tは試料の厚み、Wは試料の巾であ
る。
度の低い磁器組成物に関するものである。 従来高誘電率系誘電体として、チタン酸バリウ
ム〔BaTiO3〕を主成分とするものが広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、BaTiO3を主成分とするものは焼結温度が
通常1300℃〜1400℃の高温であり、特に積層コン
デンサの場合には、この焼結温度に適した内部電
極として、主成分が白金またはパラジウム等の高
価な貴金属を使用しなければならないという欠点
を有していた。 このため銀、ニツケル等を主成分とする安価な
内部電極を使用可能とするためには、焼結温度が
できるだけ低温、特に1000℃以下の温度で焼結で
きる誘電体が強く要望されていた。 本発明の目的は、1000℃以下の温度で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、しかも比
抵抗の高い組成物を提供することにある。 更に本発明の目的は、焼結磁器のの粒径成長を
抑制し、かつ焼結密度を高めて、機械的強度を増
大させ、信頼性の高い積層コンデンサー用組成物
を提供することにある。すなわち、チツプコンデ
ンサの場合は、基板に実装した時の、基板とセラ
ミツクの熱膨張係数の違いにより、チツプコンデ
ンサに機械的な歪がかかり、微少なクラツクの発
生やひどい場合にはチツプコンデンサが破損する
場合が生じる。またエポキシ樹脂等を外装したデ
イツプコンデンサの場合も外装樹脂の応力で磁器
にクラツクを発生させる場合がある。いずれの場
合も磁器の抗折強度が低いほどクラツクが入りや
すく、破損しやすく、信頼性が低くなる。したが
つて、セラミツクの機械的強度をできるだけ増大
させることは実用上、極めて重要なことである。 ところで、1000℃以下の低温で焼結できる磁器
組成物の一つとしてPb(Fe2/3W1/3)O3―
PbZrO3からなる二成分組成物は既に提案されて
いる。しかしながら上記二成分物組成物は誘電損
失が高く、しかも比抵抗が低く、より改善が望ま
れていた。このため第三成分としてPb(Mn2/
3W1/3)O3等を添加し、上記欠点を改善する
提案がなされている(特開昭55−23058)。しかし
ながら上記Pb(Fe2/3W1/3)O3―PbZrO3およ
びこれにPb(Mn2/3W1/3)O3等を添加したも
のはいずれも磁器の抗折強度が低く、積層コンデ
ンサ用組成物としての用途は自ら狭い範囲に限定
せざるを得なかつた。 本発明は、Pb(Fe2/3W1/3)O3、PbZrO3お
よびPb(Zn1/3Nb2/3)O3からなり、上記欠点
をすべて改良したものである。すなわち、本発明
の三成分系を〔Pb(Fe2/3W1/3)O3〕X
〔PbZrO3〕Y(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕Zと表わし
たときに、(ただし、X+Y+Z=1.00)配合比
X、Y、Zがこの三成分組成図において(X=
0.792、Y=0.198、Z=0.01)、(X=0.40、Y=
0.10、Z=0.50)、(X=0.25、Y=0.25、Z=
0.50)及び(X=0.495、Y=0.495、Z=0.01)
の4組成点を結ぶ線上並びにこの線の範囲内にあ
ることを特徴とするものであり、1000℃以下の温
度で焼結でき、機械的強度が高く、しかも誘電率
が高く、誘電率の温度変化率が良好で、誘電損失
が小さく、比抵抗も高いという秀れた特性を保持
し、かつ信頼性の高い、量産性に富む材料を提供
するものである。 以下本発明を実施例にて詳細に説明する。 出発原料として、酸化鉛(PbO)、酸化鉄
(Fe2O3)、酸化タングステン(WO3)、酸化ジル
コニウム(ZrO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)および
酸化亜鉛を使用し、所定の配合比に秤量する。次
にボールシル中で湿式混合した後700℃〜800℃で
予焼し、その後0.7ton/cm2の圧力で、直径16mm、
厚さ約10mmの円柱状に加圧成形し、800℃〜950℃
で焼結した。 得られた焼結体を切断し、1mmの円板4枚と
0.5mmの円板5枚を得た。1mmの円板の両面に銀
電極を焼付け電気的特性を評価した。誘電率およ
び誘電損失は周波数1kHz、温度20℃で測定した。
絶縁抵抗は50Vの電圧を印加し、1分後、温度20
℃で測定した。 温度特性は、室温20℃を基準として+85℃での
容量変化率を求めた。 機械的性質を抗折強度で評価するため、0.5mm
の円板から巾2mm、長さ約13mmの矩形板を切り出
した。支点間距離を9mmにとり三点法で破壊荷重
Pm〔Kg〕を測定し、γ=3Pml/2Wt2〔Kg/cm2〕 なる式により抗折強度を求めた。ただし、lは支
点間距離、tは試料の厚み、Wは試料の巾であ
る。
【表】
【表】
電気的特性は試料4点の平均値、抗折強度は試
料10点の平均値より求めた。このようにして得ら
れた磁器の配合比と諸特性の関係を表及び第1図
〜第6図に示す。図中の横軸はPb(Zn1/3Nb2/
3)O3またはPbZrO3のモル分率を示し、表に示
した組成に該当する部分に表の試料番号を明示し
ている。また図中の曲線aは誘電率、bは誘電損
失、cは比抵抗、dは温度特性、eは抗折強度の
特性を各々示している。 この結果から明らかなように、本発明のPb
(Fe2/3W1/3)O3―PbZrO3―Pb(Zn1/
3Nb2/3)O3からなる三成分系磁器は1000℃以
下の低温で焼結でき、誘電率が高く、その温度特
性が良好で、誘電損失が小さく、比抵抗が高く、
抗折強度が大きい。すなわち優れた特性をもち、
かつ信頼性の高い横層コンデンサ用の高誘電率磁
器組成物が得られることがわかる。 なお本発明の組成物は〔Pb(Fe2/3W1/3)
O3〕X〔PbZrO3〕Y〔Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕Zと
表わした時に、第7図に示した如くX、Y、Zが
それぞれ、この三成分組成図において(X=
0.792、Y=0.198、Z=0.01)、(X=0.40、Y=
0.10、Z=0.50)、(X=0.25、Y=0.25、Z=
0.50)及び(X=0.495、Y=0.495、Z=0.01)
の4組成点を結ぶ線上並びにこの線の範囲内に限
定される。尚、第7図中の数字1〜25は表に示し
た試料番号を示している。 X>0.792の範囲と、Y<0.2で本発明の範囲外
の部分ではキユリー温度が実用温度範囲より低
く、X<0.25の範囲とY>0.25で本発明の範囲外
の部分ではキユリー温度が実用温度範囲より高
く、いづれも室温での誘電率が低下する。一方Z
<0.01では抗折強度が低くなり、比抵抗が低下
し、誘電損失が増大する。Z>0.50では誘電損失
が大きくなる。 以上の理由により上記組成範囲に限定される。
料10点の平均値より求めた。このようにして得ら
れた磁器の配合比と諸特性の関係を表及び第1図
〜第6図に示す。図中の横軸はPb(Zn1/3Nb2/
3)O3またはPbZrO3のモル分率を示し、表に示
した組成に該当する部分に表の試料番号を明示し
ている。また図中の曲線aは誘電率、bは誘電損
失、cは比抵抗、dは温度特性、eは抗折強度の
特性を各々示している。 この結果から明らかなように、本発明のPb
(Fe2/3W1/3)O3―PbZrO3―Pb(Zn1/
3Nb2/3)O3からなる三成分系磁器は1000℃以
下の低温で焼結でき、誘電率が高く、その温度特
性が良好で、誘電損失が小さく、比抵抗が高く、
抗折強度が大きい。すなわち優れた特性をもち、
かつ信頼性の高い横層コンデンサ用の高誘電率磁
器組成物が得られることがわかる。 なお本発明の組成物は〔Pb(Fe2/3W1/3)
O3〕X〔PbZrO3〕Y〔Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕Zと
表わした時に、第7図に示した如くX、Y、Zが
それぞれ、この三成分組成図において(X=
0.792、Y=0.198、Z=0.01)、(X=0.40、Y=
0.10、Z=0.50)、(X=0.25、Y=0.25、Z=
0.50)及び(X=0.495、Y=0.495、Z=0.01)
の4組成点を結ぶ線上並びにこの線の範囲内に限
定される。尚、第7図中の数字1〜25は表に示し
た試料番号を示している。 X>0.792の範囲と、Y<0.2で本発明の範囲外
の部分ではキユリー温度が実用温度範囲より低
く、X<0.25の範囲とY>0.25で本発明の範囲外
の部分ではキユリー温度が実用温度範囲より高
く、いづれも室温での誘電率が低下する。一方Z
<0.01では抗折強度が低くなり、比抵抗が低下
し、誘電損失が増大する。Z>0.50では誘電損失
が大きくなる。 以上の理由により上記組成範囲に限定される。
第1図から第6図までは表の各組成とその特性
の関係を示した図である。図中の曲線のaは誘電
率、bは誘電損失、cは比抵抗、dは温度変化、
eは抗折強度の特性をそれぞれ示している。第7
図は本発明の組成範囲と実施例に示した配合比の
組成点を示す図である。
の関係を示した図である。図中の曲線のaは誘電
率、bは誘電損失、cは比抵抗、dは温度変化、
eは抗折強度の特性をそれぞれ示している。第7
図は本発明の組成範囲と実施例に示した配合比の
組成点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 鉄・タングステン酸鉛〔Pb(Fe2/3W1/3)
O3〕、ジルコン酸鉛〔PbZrO3〕および亜鉛・ニ
オブ酸鉛〔Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕からなる三
成分組成物を(Pb(Fe2/3W1/3)O3〕X
〔PbZrO3〕Y(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕Zと表わし
たときに(ただしX+Y+Z=1.00)、この三成
分組成図において配合比X、Y、Zがそれぞれ
(X=0.792、Y=0.198、Z=0.01)、(X=0.40、
Y=0.10、Z=0.50)、(X=0.25、Y=0.25、Z
=0.50)及び(X=0.495、Y=0.495、Z=0.01)
の4組成点を結ぶ線で囲まれた領域内(線上も含
む)にあることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067965A JPS57183364A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067965A JPS57183364A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Ceramic composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57183364A JPS57183364A (en) | 1982-11-11 |
| JPH0127015B2 true JPH0127015B2 (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=13360185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56067965A Granted JPS57183364A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Ceramic composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57183364A (ja) |
-
1981
- 1981-05-06 JP JP56067965A patent/JPS57183364A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57183364A (en) | 1982-11-11 |