JPS6149268B2 - - Google Patents

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JPS6149268B2
JPS6149268B2 JP57011381A JP1138182A JPS6149268B2 JP S6149268 B2 JPS6149268 B2 JP S6149268B2 JP 57011381 A JP57011381 A JP 57011381A JP 1138182 A JP1138182 A JP 1138182A JP S6149268 B2 JPS6149268 B2 JP S6149268B2
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JP
Japan
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composition
temperature
main component
porcelain
pbtio
Prior art date
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Expired
Application number
JP57011381A
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English (en)
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JPS58130161A (ja
Inventor
Haruhiko Myamoto
Masatomo Yonezawa
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS58130161A publication Critical patent/JPS58130161A/ja
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1000℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貴
金属を使用しなければならず、製造コストが高く
つくという欠点がある。積層形コンデンサを安く
作るためには、銀、ニツケルなどを主成分とする
安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が
必要である。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率
が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いこと
が基本的に要求される。さらに、磁器コンデンサ
の寿命特性を考えると、一般に絶縁抵抗の値が小
さいと寿命が短くなる傾向があり、またこのよう
な磁器組成物は温度が高くなると絶縁抵抗は小さ
くなるため、室温における値のみならず、最高使
用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが必
要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪が
加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生した
り、破損したりすることがある。またエポキシ系
樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合も外
装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラツクが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、ク
ラツクが入りやすく容易に破損するため、信頼性
が低くなる。したがつて、磁器の機械的強度をで
きるだけ増大させることは実用上極めて重要なこ
とである。 ところでPb(Mg〓W〓)O3−PbHiO3系磁器
組成物については既にエヌ.エヌ.クライニクと
エイ.アイ.アグラノフスカヤ(フイジイコ.ト
ベルドゴ.テラVol.2、No.1、70p 1960)N.N.
Krainik and A.I.Adranovskaya(Fiziko
Tverdogo.Tela、Vo.2、No1、pp70〜72、
Januara 1960)より提案があり、また
(SrxPb1-xTiO3)a(PbMg0.5W0.5O3)b〔ただ
し、x=0〜0.10、aは0.35〜0.5、nは0.5〜
0.65であり、そしてa+b=1〕について、モノ
リシツクコンデンサおよびその製造方法として特
開昭52−21662号公報に開示され、また誘電体粉
末組成物として特開昭52−21699号公報に開示さ
れている。しかしながらいずれも比抵抗に関する
開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の
実用性は明らかではなかつた。また、本発明者達
は既に910℃〜950℃の温度で焼結でき、Pb(Mg
〓W〓O3とPbTiO3系二成分からなり、これを
〔Pb(Mg〓W〓)O3〕x〔PbTiO31-xと表わし
た時にxが0.65<x≦1.00の範囲にある組成物を
提案している。この組成物は、誘電率と比抵抗の
積が高く誘電損失の小さい優れた電気的特性を有
している。しかしながら上記組成物は、いずれも
機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲
に限定せざるを得なかつた。 またPb(Mg〓W〓)O3−PbTiO3系を含む、
三成分系については、特開昭55−111011において
Pb(Mg〓W〓)O3−PbTiO3−Pb・(Mg〓Nb〓
O3系が、特開昭55−117809においてPb(Mg〓W
〓)O3−PbTiO3−Pb(Mg〓Ta〓)O3系が、そ
れぞれ開示されている。しかしながらいずれも比
抵抗に関する開示は全くされておらず、これらの
磁器組成物の実用性は明らかでなく、またPb
(Mg〓W〓)O3−PbTiO3−Pb(Mg〓Ta〓)O3
系(特開昭55−117809)の焼結温度は、1000〜
1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等を主成
分とする安価な金属を内部電極として使用するの
は困難であつた。さらに特開昭56−48004におい
て、PbZrO3−Pb(Mg〓Nb〓)O3−Pb(Mg〓W
〓)O3系が開示されているが、焼結温度が1000
〜1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等を主
成分とする安価な金属を内部電極として使用する
のは困難であつた。 また、本発明者達は既にPb(Mg〓W〓)
O3PbTiO3−PbZrO3三成分組成物を既に提案して
いる。この組成物は、900〜1000℃の低温領域で
焼結でき、誘電率が高く、誘電率と比抵抗の積が
高く、誘電損失の小さい優れた特性を有してい
る。しかしながら、この組成物は、機械的強度が
低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざる
を得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が
小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が
高い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も
大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようとす
るものであり、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb(Mg〓W〓O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およ
びジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からなる3成分組成物
を〔Pb(Mg〓W〓)O3〕x〔PbTiO3〕y
〔PbZrO3〕zと表わしたときに(ただし、x+y
+z=1.00)、この3成分組成図において (x=0.72、y=0.08、z=0.20) (x=0.792、y=0.198、z=0.01) (x=0.396、y=0.594、z=0.01) (x=0.15、y=0.35、z=0.50) (x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲にある主成分組成物に副成分としてニオブ
(Nb)、タンタル(Ta)およびアンチモン(Sb)
の中から少なくとも1種以上を選び、その元素を
主成分に対して0.02〜1原子%添加含有せしめて
なることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジル
コニウム(ZrO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タ
ンタル(Ta2O5)および酸化アンチモン(Sb2O3
を使用し、表に示した配合比となるように各々秤
量する。 次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボ
ールミルで粉砕し、ロ別、乾燥後、有機バインダ
ーを入れ、整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約2
mmの円板4枚と、直径16mm、厚さ約10mmの円柱を
作製した。次に空気中900〜1000℃の温度で1時
間焼結した。焼結した円板4枚の上下面に600℃
で銀電極を焼付け、デジタルLCRメータで周波
数1KHz、電圧1Vr.m.s、温度20℃で容量と誘電
損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵
抗計で50Vの電圧を1分間印加して絶縁抵抗を温
度20℃と125℃で測定し、比抵抗を算出した。 機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結し
た円柱から厚さ0.5mm、幅2mm、長さ約13mmの矩
形板を10枚切り出した。支点間距離を9mmによ
り、三点法で破壊荷重Pm〔Kg〕を測定し、τ=3/2 Pml/wt〔Kg/cm2〕なる式に従い、抗折強度τ
〔Kg/ cm2〕を求めた。ただしlは支点間距離、tは試料
の厚み、wは試料の幅である。電気的特性は円板
試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試料10点の
平均値より求めた。このようにして得られた磁器
の主成分〔Pb(Mg〓W〓〕O3〕x〔PbTiO3
y(PbZrO3)zの配合比x、y、zおよび副成
分添加量と誘電率、誘電損失、20℃および125℃
における比抵抗および抗折強度の関係を次表に示
す。
【表】
【表】
【表】 表に示した結果から明らかなように、Pb(Mg
〓W〓)O3−PbTiO3−PbZrO3三成分組成物に副
成分としてNb、Ta、Sbの中から少なくとも1種
以上を添加含有せしめた本発明の範囲内のもの
は、誘電率が1210〜4120と高く、誘電損失が0.1
%〜5.0%と小さく、比抵抗が20℃において、3.7
×1012〜6.8×1013Ω・cmと高く、しかも125℃に
おいても4.2×1011〜2.4×1013Ω・cmという高い
値を示し、さらに、抗折強度も980〜1370Kg/cm2
実用上十分高い値を示す信頼性の高い実用性の極
めて高い磁器組成物であることがわかる。こうし
た優れた特性を示す本発明の磁器は焼結温度が
1000℃以下の低温であるため積層コンデンサの内
部電極の低価格化を実現できると共に、省エネル
ギーや炉材の節約にもなるという極めて優れた効
果も生じる。 なお、本発明の主成分組成物を、〔Pb(Mg〓
W〓O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表わし
たときに(ただし、x+y+z=1.00)その組成
は、3成分組成図においてNo.3、6、16、18、
5で表示される。 3:(x=0.72、y=0.08、z=0.20) 6:(x=0.792、y=0.198、z=0.01) 16:(x=0.396、y=0.594、z=0.01) 18:(x=0.15、y=0.35、z=0.50) 5:(x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲に限定され、副成分の添加含有量は主成分に
対して0.02〜1原子%に限定される。主成分組成
範囲を表わす3成分組成図において、点6、3、
5、18、16を結ぶ線の外側では誘電率が小さくな
り実用的でない。点6、16を結ぶ線の外側では、
高温における比抵抗が小さくなり実用的でない。 また副成分であるNb、Ta、Sbはそのうち1種
以上の元素の添加量が0.02原子%未満では抗折強
度の改善効果が小さく、1原子%を超えると逆に
抗折強度が小さくなるため実用的でない。 なお図に本発明の主成分組成範囲を示す。図に
示した番号は、表に示した主成分配合比の番号に
対応する。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示し
た組成点を示す図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb(Mg
    〓W〓)O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およびジル
    コン酸鉛〔PbZrO3〕からなる3成分組成物を 〔Pb(Mg〓W〓)O3〕x〔PbTiO3〕y
    〔PbZrO3〕zと表わしたときに、(ただし、x+
    y+z=1.00)、この3成分組成図において (x=0.72、y=0.08、z=0.20) (x=0.792、y=0.198、z=0.01) (x=0.396、y=0.594、z=0.01) (x=0.15、y=0.35、z=0.50) (x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
    範囲にある主成分組成物に副成分としてニオブ
    (Nb)、タンタル(Ta)およびアンチモン(Sb)
    の中から少なくとも1種以上を選び、その元素を
    主成分に対して0.02〜1原子%添加含有せしめて
    なることを特徴とする磁器組成物。
JP57011381A 1982-01-27 1982-01-27 磁器組成物 Granted JPS58130161A (ja)

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JP57011381A JPS58130161A (ja) 1982-01-27 1982-01-27 磁器組成物

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JP57011381A JPS58130161A (ja) 1982-01-27 1982-01-27 磁器組成物

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JPS58130161A JPS58130161A (ja) 1983-08-03
JPS6149268B2 true JPS6149268B2 (ja) 1986-10-28

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ID=11776429

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9710047B2 (en) 2014-02-05 2017-07-18 Fujitsu Limited Apparatus, system, and method for varying a clock frequency or voltage during a memory page transfer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9710047B2 (en) 2014-02-05 2017-07-18 Fujitsu Limited Apparatus, system, and method for varying a clock frequency or voltage during a memory page transfer

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JPS58130161A (ja) 1983-08-03

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