JPH01272946A - プリント基板上の配線パターン検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線パターンの欠陥の有無を検出する装Ｎしこ
係り、特にプリント基板の光沢のある半田パターンやレ
ジスＩ−パターンの配線パターンの欠陥を検出するため
の検査装置の検出部として好適な配線パターン検出装置
に関するものである。

〔従来の技術〕

例えばプリン１〜基板などの表面に形成された配線パタ
ーンの欠陥の有無を検出するには、従来−・般に第１図
に示すような検出装置が用いられている。

本従来例の配線パターン検出装置は、プリン１へ基板（
若しくはセラミック基板）１の配線面２に光３１を照射
するための高輝度光源１１と、コンデンサレンズ２１と
、ハーフミラ−２３および、前記配線面２からの反射光
４５を検出するための検出器１３および、該検出器］３
に配線パターン像を結像させるための結像レンズ２５か
ら構成され、プリンＩ・基板１の配線面２の配線パター
ン３からの反射光４５に比し、暴利４の表面からの反射
光が暗レベルに近いため、これを利用して、２値化を行
ない、配線パターンを検出する。

〔発明が解決しようとする課題〕

第２図は検出対象物であるプリン１〜基板の一例を示す
。基材４の配線面２に配線パターン３が形成されている
。

本例のプリン１一基板１は、配線パターン３の−１４に
傷５．変色部７を生しており、また配線パターンに誇っ
て残＠１ｉ１６が存在している５、−１−記の傷５を通
るＡ−Ａ断面を第３図（ａ）に、残銅６を通るＢ−Ｂ断
面を第３図（ｂ）に、変色部７を通るＣ−Ｃ断面を第３
図（ｃ）に、それぞれ示す。

第１図に示した従来の配線パターン検出器によって第２
図のような欠陥を有するプリン１一基板１を検査した場
合、傷５や変色部７には配線パターンが存在していて機
能的には正常であるにも拘らずこれを断線と誤検出する
。また、残銅６はパターン間をショー１−せしめている
欠陥であるにも拘らず、この残銅の表面か暗く見えるの
で欠陥として検出できないという不具合か有る。

」二に述へた従来装置（第１図）による誤検出の状態を
、第４図について次に説明する。本図の横軸は位置を示
し、縦軸は検出器１３て光電変換された電圧を示す。電
圧■。はスルーホール８のレヘル即ち暗レベルを示し、
電圧■□は基材４のレベルを示し、電圧ｖ２　は配線パ
ターン３のレベルを示し、電圧■、は検出器１３の飽和
レベルを示し、電圧ＶＴはシュレソショルドレヘルを示
す。傷５については第４図（３１）に示すことく、傷５
からの異常に強い正反射光が検出器１３に入り、検出器
１３は飽和′１′ヒ圧■１　に達し、フルーミンク現象
を起こしてＡ′の位置はシュレッショルトレベルＶＴに
対して−Ｆ下を往復する電圧と成り、異常として検出さ
れる。変色部７については第４図（ｃ）に示すごとく、
該変色部７の光の反射率が低いため、本来の配線パター
ン３に相当した電圧Ｖ２　に比し、シュレッシールドレ
ヘルＶＴ　りも低い電圧Ｖ、しか得られずＣ′の位置は
あたかも配線パターン３が存在しないものと、即ち断線
していると誤検出される。残銅６については第３図（ｂ
）に示すごとく、肉厚が通常の配線パターン３に比へ薄
く、かつ表面反射率が低いため本来の配線パターン３に
相当した電圧ｖ２に比して低く、シュレッショルドレベ
ルＶＴよりも低い電圧Ｖ４　Ｌが得られずＢ′の位置は
あたかも残銅６が存在しないごとく検出される。

また、配線パターン３の表面が、光Ｊく半１ｒｌめっき
でてきているいわゆる半田パターンにおいては光沢のた
めピカット光る異常に強い正反射光が検出器１３に入る
ため、配線パターン３上に傷５が存在する場合と同様の
現象が発生し、プリンｌ−ｊｌｉ板］としては正常であ
るにもかかわらず、異１１（゛として検出されるため第
１図に示すごとき従来のパターン検出装置では正確にパ
ターンを検出できないという問題があった。

本発明はト述の事情に鑑みて為され、その目的とすると
ころは、配線パターン上の傷や変色を異常として検出す
ることなく、かつプリンｌ−基板として欠陥となる残銅
等は見逃すことなく検出し、更に半田パターンやレンズ
Ｉ・パターンの様な表面が光沢のある配線面を有する配
線パターンであっても正確に欠陥の有無を検知すること
のできるパターン検出装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、配線パターン上の傷や変色あるいは光沢
に影響されず、かつ表面反射率の小さい残銅等の検出も
可能な配線パターンの影を得る方法を研究した結果、プ
リント基板やレジストパターンあるいはセラミック基板
の配線面に紫系の強い光を照射すると、基材やレンズ１
〜から螢光が発生することが判り、これを検出すること
により、検出対象である配線パターンのネガチブ像が得
られることを発見した。

この原理に基づいて配線パターンの欠陥の有無を正確に
検出するため、本発明のパターン検出装置は、レーザ光
源と、該レーザ光源から発した光の中から螢光励起能力
の大きい波長の光を選別して被検物表面にほぼ垂直に照
射する選別・照射手段と、該選別・照射手段により選別
照射された蛍光励起光を被検物と相対的に走査する走査
手段と、被検物表面からの反射光を含めて被検物から発
生した蛍光を導くための複数の光ファイバと、該複数の
光ファイバによって導かれた光像から上記反射光を除去
して蛍光の像を分離する分離手段と、該分離手段により
分離された螢光の像を検出して信号に変換する検出器と
を備え、該検出器から被検物表面の配線パターン以外の
部分から発生する螢光の像の信号を検出して配線パター
ンのネガチッパターンを検知し得べくなしたることを特
徴とする配線パターン検出装置である。

〔作用］ ＪＺ記構成により、被検物表面の配線パターン以外の部
分から発生する微弱な螢光の像の信号を検出して配線パ
ターンのネガチッパターンを検知し、配線パターン上の
反射率の状態に影響することなく、正確に欠陥を検出す
ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明に係わる一実施例を第５図乃至第７図につ
いて詳細に説明する。

第５図において、プリント基板１．高輝度光源１１、コ
ンデンサレンズ２１．ハーフミラ−ｚ３．結像レンズ２
５．検出器］３の構成は第１図に示した従来のパターン
検出装置と同しであるが、新たにフィルタ２２およびフ
ィルタ２４を設けである。第５図において、高輝度光源
１１から発した光３１はコンデンサレンズ２１を通りフ
ィルタ２２へ入る。フィルタＺ２はプリン１〜基板１や
レジストパターンあるいはセラミック基板の基材あるい
はレジストから螢光が発生しやすいように、高輝度光′
ｇ１１から発した光３１の波長を限定するためのフィル
タで、例えば第６図に示すごとき一般にブルーフィルタ
Ｂ５７０　と呼称されているもので透過率の最大か波長
３７０　ｎ　ｍにあり、波長３００ｎｍから４６０ｎｍ
までの波長の光のみを透過させるものである。限定され
た波長の光はハーフミラ−２３て光路を９０度変更され
てプリンＩ〜基板１の配線面２を照射し、基材あるいは
レジストから螢光を発生させるための励起光として働く
。

基材あるいはレジス１〜から発生した螢光と配線面２で
の反射光の合わさった光４■は、再度ハーフミラ−２３
を通過してフィルタ２４に入る。フィルタ２４はプリン
ト基板１の配線面２の表面で反射した反射光と螢光とを
分離するため前記励起光３２の限定された波長域以外の
螢光４２のみを透過させるもので、例えば第７図しこ示
すごとき一般し３イエローフイルタＹ５０と呼称されて
いるもので、波長５００　ｎ　ｎｔ以下の光を反射し、
波長５００　ｎ　ｍ以上の光を透過させるものである。

フィルタ２４で配線面２からの反射光と分離された螢光
４２は、結像レンズ２５で検出器１３の光電変換面に結
像されるため、プリンＩ・基板１の配線パターンのネガ
チブなパターン像が得られる。第５図に示した本発明の
一実施例ではプリント基板やレジストパターンあるいは
セラミック基板の基材やレジス１〜から発生する螢光を
検出するパターン検出装置として作用するので、第２図
に示した配線パターン３上に存在する傷５や変色部７の
影響はなく、また、配線パターンに光沢があっても問題
なく配線パターンのネガチッパターンの検出が可能であ
る。更に、第２図に示した様な基材４の表面上に反射率
の小さい残銅６が存在すると基材４から発する螢光が遮
断されるため、その部分の螢光は検出されず、従って欠
陥ありとして検出される。これらの状態を、検出結果を
示す第８図を用いて次に説明する。第８図は第４図と同
様、横軸は位置を示し、縦軸は検出器１３で光電変換さ
れた電圧を示す。電圧■。はスルーホール８のレベル即
ち暗レベルを示し、電圧ＶＩｉ　は配線パターン３のレ
ベルを示し、電圧■７は基材４のレベルを示し、電圧Ｖ
Ｔはシュレノショルトレベルを示す。また第８図（ｉｌ
）、　（ｂ）、　（Ｃ）の各図は第４図（ａ）、（ｂ）
、（ｃ）と同様、それぞれ第２図および第３図に示した
傷５．残銅６．変色部７の各部を検出器１３がとらえた
検出結果を示すものである。錫５については、第８図（
ａ）に示すごとく、螢光が検出されないのでＡ′の位置
は電圧ｖ６　のレベルとなり、シュレッショルトレベル
ＶＴよりも低くなって配線パターンとして正常に検出さ
れる。また変色部７については、第８図（ｃ）に示すご
とく、螢光が検出されないのでＣ′の位置は電圧ｖ６の
レベルとなり、シュレノショルトレベルＶＴよりも低く
なって配線パターンとして正常と検出される。更に残銅
６については、第８図（ｂ）に示すごとく、螢光が検出
されないのでＢ′の位置は電圧Ｖ、のレベルとなり、シ
ュレソショル１へレベルＶＴよりも低くなった異常とし
て検出され、残銅６の存在が認識されることになる。

また、配線パターン３の表面が、光沢半田めっきででき
ているいオ〕ゆる半１月パターンにおいても第２図にお
ける基材４の部分の螢光を検出ずろことについては詳細
に説明した前記例と変わることがないため、正確に配線
パターンを検出することができる。

第５図の実施例においては、＋ｉ’ｌｉ　ｊｉ１１度光
源１１として超高圧水銀灯、又はクセノンランプ或いは
レーザーを用いると、これらの光源が螢光励起能力の大
きい波長の光を含んでいるので好適である。また、本例
における検出器１３として高感度リニヤセンサを用いる
と欠配のようにして静止画像を得るのに好都合である。

この場合プリン１〜基板１は高感度リニアセンサの光電
素子の並ぶ方向と直角な方向に連続送りを行ない、かつ
平行な方向にステップ送りする手段を設けて平行方向に
ステップ送りすると、配線パターンのネカチブパターン
の静止画像を検出できる。

第９図は」１記と異なる実施例である。第９図において
、プリンＩ・基板１．高輝度光ｒＡ１１．コンデンサレ
ンズ２１．フィルタ２２．ハーフミラ−２３，フィルタ
２４．及び結像レンズ２５の構成は第５図に示した実施
例と同じであるが、検出器として高感度テレビカメラ１
４を用いた点のみが異なり、プリン１〜基板］の走査を
除きその動作は第５図の実施例と同しであるため説明を
省略する。高感度テレビカメラ１４は面として配線パタ
ーン情報を得るため、プリン１〜基板１を縦横方向にス
テップ送りすることによって、配線パターン３のネガパ
ターン像検出できる。

第１０図は更に異なる実施例を示す。本図において、プ
リント基板１．高輝度光源１１．コンデンサレンズ２１
．結像レンズ２５．リニアランサ１３の構成は第５図に
示した実施例と同じであるが、第５図におけるフィルタ
２２．ハーフミラ−２３，フィルタ２４がダイクロイン
クミラー２６に代わっている点が異なる。従って、第１
図に示した従来の配線パターン検出器と比較して見ると
、主たる相異点は第１図のハーフミラ−２３をダイクロ
イックミラー２６に変えたことである。第１０図におい
て、高輝度光ｇ１１から発した光３１はコンデンサレン
ズ２】を通り、ダイクロイックミラー２６へ入る。ダイ
クロインクミラー２６は、４５度方向からの入射光に対
して、前糸の光を反射し、赤系の光を透過する性質を有
し、例えば、第１１図に示すごとく、４５度方向の入射
光に対して、波長４６０ｎ＋ｎ以下の光の透過率は０％
て、波長５１０　ｎ　ｍ以」二の光の透過率は９０％以
上である。

従ってダイクロイックミラ−２６に／１５度方向から入
射した光３１は波長４６０ｎｍ以下の光に限定されて光
路を９０度変更され、プリント基板Ｊの配線面２を照射
し、第５図の実施例におけるフィルタ２２と、ハーフミ
ラ−２３とを兼ね備えた機能を果たし、照射光は基材あ
るいはレンズ１〜からの螢光を発生させるための励起光
３３として働く。基材あるいはレジストから発生した螢
光と配線面２での反射光の合わさった光４１は再度ダイ
クロインクミラー２６に入るが、今度は赤系の光が透過
するため、ダイクロインクミラー２６を透過した光４３
はプリント基板１の配線面２での反射光がカットされた
螢光のみとなる。従ってダイクロイックミラー２６は第
５図におけるフィルタ２４の機能も併せ兼ね備えた機能
を持つ。螢光４３は結像レンズ２５でリニアセンサ１３
の光電変換面に結像されるため、第５図と同様プリント
基板１の配線パターンのネガパターン像が得られる。な
おダイクロイックミラー２６を使用することによって、
フィルタ２２．ハーフミラ−２３゜フィルタ２４を用い
た実施例に比して光の透過率の減少を大巾に改善できる
ため、光量の小さい螢光の検出にとっては有利なパター
ン検出装置を構成できる利点がある。

第１２図は本発明の他の実施例を示す。第１２図におい
て、プリン１一基板１．高輝度光源１１．コンデンサレ
ンズ２１．フィルタ２２．フィルタ２４．結像レンズ２
５．及びリニアセンサ１３の構成は第５図に示した実施
例と同じであるが、第５図におけるハーフミラ−２３の
代わりに凹面ｆｉ２７を設けた点で異なる。」二記の凹
面鏡２７の代りに平面鏡（図示せず）を用いることもで
きる。本例の作用は第５図の実施例と同しであるため説
明を省略する。なお凹面鏡（あるいは平面鏡）２７を使
用した場合、第５図に示すハーフミラ−２３を使用する
場合に比べ、ハーフミラ−２３で反射あるいは透過する
ことによる光量の損失がなくなり、光量の小さい螢光の
検出にとっては有利なパターン検出装置を構成できる利
点がある。

第１３図に、本発明の他の一実施例を示す。第１３図に
おいて、プリント基板１．コンデンサレンズ２１、フィ
ルタ２２．ハーフミラ−２３，フィルタ２４゜結、像レ
ンズ２５．及び高感度テレビカメラ１４の構成は第９図
に示した実施例と同しであるが、第９図における高輝度
光源１１の代わりにストロボスコープ１２を設置した点
が異なり、プリント基板１の走査を除きその動作は第９
図と同しである。

プリント基板１の縦方向、あるいは横方向のどちらか一
方は連続送りし、ストロボスコープ１２をプリンＩ・基
板１の送り速度と同期をとって発光させることによって
、配線パターンの面としての情報を静止画像としてとら
え、配線パターン３のネガパターンを検出できる。本実
施例によれば、プリント基板１を連続送りしながら、配
線パターンの静止画像を検出できるため、高輝度光源１
１を使用する場合のようにプリント基板１をステップ送
りする必要かないため、配線パターンの検出に要する時
間を大＋１］に縮減できる利点がある。

第１４図は更に異なる実施例を示す。本図において、プ
リント基板１．高輝度光源１１．コンデンサレンス２１
．フィルタ２２．ハーフミラ−２３，フィルタ２４．結
像レンズ２５．及び高感度テレビカメラ１４の構成は第
９図に示した実施例と同しであるが、＝１５− シャッタ２８を新たに設けである点が異なり、プリン１
〜基板］の走査を除きその動作は第９図と同しであるた
め説明は省略する。第１４図における動作は第１３図に
おけるストロボスコープ１２の発光のタイミングをシャ
ッタ２８の開閉動作によって行なうもので、配線パター
ン３のネガチブパターンの静止画像の検出については第
１３図と同じであるので説明は省略する。

第１５図は更に異なる実施例を示す。本実施例において
は、プリン１〜基板］やセラミック基板の配線面２に光
３４を照射するレーザー１６と、レーザー光ビームを拡
大するビーム拡大器１７と、配線面２にレーザービーム
を走査するための回転ミラー１８と、レーザー光をスポ
ッＩ−光に絞るためのスキャニングレンズ１９と、プリ
ント基板１やレジストパターンあるいはセラミック基板
の基材４あるいはレジス１〜から発生する螢光を効率良
く集光し、かつ検出器に導く光ファイバー２０と、配線
面２から発生する反射光をカッ１〜し、前記の螢光のみ
を透過するフィルタ２４と、前記の螢光を検出するため
のフォトマルチプライヤ１５を設置しである。前記の螢
光が発生しやすいように波長が限定されたレーザー１６
から発したビーム光３４をビーム拡大器１７で拡大し、
回転ミラー１８によってプリン１〜基板１の配線面２の
所定の位置を走査しながらスキャンニングレンズ１９で
スポット光にして配線面２を照射する。基材４あるいは
レジスＩ・に照射された場合には螢光が発生し、配線パ
ターン３に照射された場合には螢光は発生しない。螢光
は光ファイバー２０で集光し、レーザー光の波長域の光
の透過率を０％にして螢光のみ透過するようにしたフィ
ルタ２４を通してフォトマルチプライヤ１５で検出する
。

従って、本発明の他の実施例と同様、プリント基板１の
配線パターンのネカチブパターン像が得られる。

第１６図乃至第１８図は、前述した各実施例の装置を用
いてレジストパターンを検出する方法の説明図である。

これらの図について次に述へる検出方法は、既述の第５
図の実施例装置をはじめ、第９図、第１０図、第１２図
、第１４図、第１５図にそれぞれ示した各実施例装置に
よって行なうことができる。

第１６図はレジストパターン９が形成された状態のプリ
ント基板半製品１′の配線面２′を示すものでレジスト
配線パターン９以外は銅箔１０であり、第１６図のＤ−
Ｄ断面図を第１７図に示す。このプリント基板１′は銅
箔１０の」二にレジストパターン９が形成されている。

第１８図は第１６図のＤ−Ｄ線上を前記の本発明の実施
例のパターン検出装置で走査して欠陥を検出した結果を
示すもので、横軸は位置を示し、縦軸は検出器で光電変
換された電圧を示す。電圧Ｖ９は銅箔ＩＯのレベルを示
し、電圧Ｖ、はレンズ１〜配線パターン９のレベルを示
し、電圧ＶＴはシュレッショルドレベルを示す。この第
１８図から明らかなようにレジスト配線パターン９の検
出が可能である。

次に、本発明の他の実施例を第１９図を用いて詳細に説
明する。第１９図において、プリント基板１゜フィルタ
２４．結像レンズ２５．検出器１３の構成は第５図に示
した実施例と同じであるが、高輝度光源１１、コンデン
サレンズ２１を、プリント基板１の配線面２の裏面に相
当する配線面２″側に配設し、高輝度光源１１から発し
た光が配線面２“を斜め下方から照射するように構成し
である。即ち、第５図の実施例に比べて見ると、第５図
におけるハーフミラ−２３に代わって１対のミラー２９
と１対の凹面鏡（あるいは平面鏡）３０とを新たに追加
した構成となっている。従って、配線面２″を照射する
光３２はプリント基板１の基材４を透過し、あるいはス
ルーホールを通過して、配線面２から上方へ出ていく。

その後の作用は第５図の実施例とほぼ同様であるが、次
記の長所が有る。

第５図の実施例においては、フィルタ２２の光特性が不
完全て波長５００ｎｍ以−１−の光が若干漏れた場合、
この漏洩光が検出器１３に入射してノイズを発生させる
という不具合を生じる。しかし、第１９図に示した実施
例においては、配線パターン３の表面（図において上面
）で反射光が発生しないので、フィルタ２２赤−特性が
完全でなくとも、漏洩した光が反射光として検出器１３
に達してノイズ源となる虞れが無い。なお、本例におい
て発生面２“に対して斜め方向から光を照射する目的は
配線面２“の配線パターンによって基材４に入射する光
の影ができることを防止するためである。

〔発明の効果〕

以上詳述したように、本発明の配線パターン検出装置に
よれば、特にレーザ光源と被検物表面からの反射光を含
めて被検物から発生した蛍光を導くための複数の光ファ
イバと備えて、配線パターン上の傷や変色を異常として
検出することなく。

正確に残銅などの欠陥を検出することができ、更に、半
［［１パターンやレジストパターンのような表面に光沢
のある配線面を有する配線パターンであっても正確に欠
陥の有無を検知することができるという優れた実用的効
果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の配線パターン検出装置の側面図、第２図
はプリント基板の平面図、第３図は（ａ）は第２図のＡ
−Ａ断面図、第３図（ｂ）は第２図のＢ−Ｂ断面図、第
３図（ｃ）は第２図のＣ−Ｃ断面図、−２０＝ 第４図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ従来の配線パ
ターン検出装置における検出結果を示す図表である。第
５図は本発明の配線パターン検出装置の１実施例の側面
図、第６図及び第７図はそれぞれ上記実施例に用いたフ
ィルタの特性を示す図表、第８図（ａ）、（ｂ）、（ｃ
）はそれぞれ」二記の実施例装置における検出結果を示
す図表である。第９図及び第１０図はそれぞれ上記と異
なる実施例の側面図、第１１図は第１０図の実施例に用
いたダイクロイックミラーの特性を示す図表である。第
１２図、第１３図。 第１４図、第】５図はそれぞれ更に異なる実施例の側面
図である。第１６図はレジスト配線パターンを備えたプ
リント基板半製品の平面図、第１７図は第１６図のＤ−
Ｄ断面図、第１８図は第１６図のプリン１〜基板手製品
の検出結果を示す図表である。第１９図は前記と更に異
なる実施例の側面図である。 １　プリント基板、１′　プリン１〜基板手製品。 ２．２’　、２“　・配線面、３・配線パターン、４・
・基材、５　傷、６・・残銅、７・・変色部、８　スル
ーホール、９　レンズ１〜配線パターン、　＋０　　銅
箔、１１−・高輝度光源、　１２・ス１−口ボスコープ
、１３・リニアセンサ、１４・高感度カメラ、１５・フ
第１〜マルチプライヤ、１６　　レーザー、　１７−　
ビーム拡大器、１８　　回転ミラー、１９　　スキャン
ニングレンズ。 ２０　　光ファイバー、２］　　コンデンサレンズ、２
２フイルタ、２３　　ハーフミラ−９２４・・フィルタ
、２５結像レンズ、２６　　ダイクロインクミラー、２
７凹面鏡、２８　　シャッター、２９・ミラー、　３０
・凹面鏡、３１・光源の光、３２・・励起光、３３　　
励起光、３４・レーザー光、　４１．４４　　反射光と
螢光の合わさった光、　４２．４３　　励起光の波長域
をカットされた螢光、４５　　反射光。 ＝２３− 拓４目（ｂ） 莞７７０ 捲／Ｂ圀

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. １．レーザ光源と、該レーザ光源から発した光の中から
   螢光励起能力の大きい波長の光を選別して被検物表面に
   ほぼ垂直に照射する選別・照射手段と、該選別・照射手
   段により選別照射された蛍光励起光を被検物と相対的に
   走査する走査手段と、被検物表面からの反射光を含めて
   被検物から発生した蛍光を導くための複数の光ファイバ
   と、該複数の光ファイバによって導かれた光像から上記
   反射光を除去して蛍光の像を分離する分離手段と、該分
   離手段により分離された螢光の像を検出して信号に変換
   する検出器とを備え、該検出器から被検物表面の配線パ
   ターン以外の部分から発生する螢光の像の信号を検出し
   て配線パターンのネガチブパターンを検知し得べくなし
   たることを特徴とする配線パターン検出装置。
2. ２．上記検出器をフォトマルチプライヤで形成したこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項の配線パターン検出
   装置。