JPH0629861B2 - プリント基板上の配線パターン検出装置 - Google Patents
プリント基板上の配線パターン検出装置Info
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- JPH0629861B2 JPH0629861B2 JP5641289A JP5641289A JPH0629861B2 JP H0629861 B2 JPH0629861 B2 JP H0629861B2 JP 5641289 A JP5641289 A JP 5641289A JP 5641289 A JP5641289 A JP 5641289A JP H0629861 B2 JPH0629861 B2 JP H0629861B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95638—Inspecting patterns on the surface of objects for PCB's
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基材上に配線パターンを形成したプリント基
板において、少なくとも配線パターン上の傷および変色
並びに配線パターン間の薄膜残留欠陥を誤検出すること
なく配線パターンの欠陥を高信頼度で検出するプリント
基板上の配線パターン検出装置に関するものである。
板において、少なくとも配線パターン上の傷および変色
並びに配線パターン間の薄膜残留欠陥を誤検出すること
なく配線パターンの欠陥を高信頼度で検出するプリント
基板上の配線パターン検出装置に関するものである。
例えばプリント基板などの表面に形成された配線パター
ンの欠陥の有無を検出するには、従来一般に第１図に示
すような反射方式の検出装置が用いられている。
ンの欠陥の有無を検出するには、従来一般に第１図に示
すような反射方式の検出装置が用いられている。
本従来例の配線パターン検出装置は、プリント基板（若
しくはセラミック基板）１の配線面２に光31を照射する
ための高輝度光源11と、コンデンサレンズ21と、ハーフ
ミラー23および、前記配線面２からの反射光45を検出す
るための検出器13および、該検出器13に配線パターン像
を結像させるための結像レンズ25から構成され、プリン
ト基板１の配線面２の配線パターン３からの反射光45に
比し、基材４の表面からの反射光が暗レベルに近いた
め、これを利用して、２値化を行ない、配線パターンを
検出する。
しくはセラミック基板）１の配線面２に光31を照射する
ための高輝度光源11と、コンデンサレンズ21と、ハーフ
ミラー23および、前記配線面２からの反射光45を検出す
るための検出器13および、該検出器13に配線パターン像
を結像させるための結像レンズ25から構成され、プリン
ト基板１の配線面２の配線パターン３からの反射光45に
比し、基材４の表面からの反射光が暗レベルに近いた
め、これを利用して、２値化を行ない、配線パターンを
検出する。
第２図は検出対称物であるプリント基板の一例を示す。
基材４の配線面２に配線パターン３が形成されている。
基材４の配線面２に配線パターン３が形成されている。
本例のプリント基板１は、配線パターン３の上に配線パ
ターンとして正常な傷５，変色部７を生じており、また
配線パターンに誇って残銅６が存在している。
ターンとして正常な傷５，変色部７を生じており、また
配線パターンに誇って残銅６が存在している。
上記の傷５を通るＡ−Ａ断面を第３図(a)に、残銅６を
通るＢ−Ｂ断面を第３図(b)に、変色部７を通るＣ−Ｃ
断面を第３図(c)に、それぞれ示す。
通るＢ−Ｂ断面を第３図(b)に、変色部７を通るＣ−Ｃ
断面を第３図(c)に、それぞれ示す。
第１図に示した従来の配線パターン検出器によって第２
図のような欠陥を有するプリント基板１を検査した場
合、傷５や変色部７には配線パターンが存在していて機
能的には正常であるにも拘らずこれを断線と誤検出す
る。また、残銅６はパターン間をショートせしめている
欠陥であるにも拘らず、この残銅の表面か暗く見えるの
で欠陥として検出できないという不具合が有る。
図のような欠陥を有するプリント基板１を検査した場
合、傷５や変色部７には配線パターンが存在していて機
能的には正常であるにも拘らずこれを断線と誤検出す
る。また、残銅６はパターン間をショートせしめている
欠陥であるにも拘らず、この残銅の表面か暗く見えるの
で欠陥として検出できないという不具合が有る。
上に述べた従来装置（第１図）による誤検出の状態を、
第４図について次に説明する。本図の横軸は位置を示
し、縦軸は検出器13で光電変換された電圧を示す。電圧
Ｖ０はスルーホール８のレベル即ち暗レベルを示し、電
圧Ｖ１は基材４のレベルを示し、電圧Ｖ２は配線パター
ン３のレベルを示し、電圧Ｖ３は検出器13の飽和レベル
を示し、電圧ＶＴはシュレッショルドレベルを示す。傷
５については第４図(a)に示すごとく、傷５からの異常
に強い正反射光が検出器13に入り、検出器13は飽和電圧
Ｖ３に達し、ブルーミング現象を起こしてＡ′の位置は
シュレッショルドレベルＶＴに対して上下を往復する電
圧と成り、異常として検出される。変色部７については
第４図(c)に示すごとく、該変色部７の光の反射率が低
いため、本来の配線パターン３に相当した電圧Ｖ２に比
し、シュレッショルドレベルＶＴりも低い電圧Ｖ５しか
得られずＣ′の位置はあたかも配線パターン３が存在し
ないものと、即ち断線していると誤検出される。残銅６
については第３図(b)に示すごとく、肉厚が通常の配線
パターン３に比べ薄く、かつ表面反射率が低いため本来
の配線パターン３に相当した電圧Ｖ２に比して低く、シ
ュレッショルドレベルＶＴよりも低い電圧Ｖ４しか得ら
れずＢ′の位置はあたかも残銅６が存在しないごとく検
出される。
第４図について次に説明する。本図の横軸は位置を示
し、縦軸は検出器13で光電変換された電圧を示す。電圧
Ｖ０はスルーホール８のレベル即ち暗レベルを示し、電
圧Ｖ１は基材４のレベルを示し、電圧Ｖ２は配線パター
ン３のレベルを示し、電圧Ｖ３は検出器13の飽和レベル
を示し、電圧ＶＴはシュレッショルドレベルを示す。傷
５については第４図(a)に示すごとく、傷５からの異常
に強い正反射光が検出器13に入り、検出器13は飽和電圧
Ｖ３に達し、ブルーミング現象を起こしてＡ′の位置は
シュレッショルドレベルＶＴに対して上下を往復する電
圧と成り、異常として検出される。変色部７については
第４図(c)に示すごとく、該変色部７の光の反射率が低
いため、本来の配線パターン３に相当した電圧Ｖ２に比
し、シュレッショルドレベルＶＴりも低い電圧Ｖ５しか
得られずＣ′の位置はあたかも配線パターン３が存在し
ないものと、即ち断線していると誤検出される。残銅６
については第３図(b)に示すごとく、肉厚が通常の配線
パターン３に比べ薄く、かつ表面反射率が低いため本来
の配線パターン３に相当した電圧Ｖ２に比して低く、シ
ュレッショルドレベルＶＴよりも低い電圧Ｖ４しか得ら
れずＢ′の位置はあたかも残銅６が存在しないごとく検
出される。
また、配線パターン３の表面が、光沢半田めっきででき
ているいわゆる半田パターンにおいては光沢のためピカ
ット光る異常に強い正反射光が検出器13に入るため、配
線パターン３上に傷５が存在する場合と同様の現象が発
生し、プリント基板１としては正常であるにもかかわら
ず、異常として検出されるため第１図に示すごとき従来
のパターン検出装置では正確にパターンを検出できない
という問題があった。
ているいわゆる半田パターンにおいては光沢のためピカ
ット光る異常に強い正反射光が検出器13に入るため、配
線パターン３上に傷５が存在する場合と同様の現象が発
生し、プリント基板１としては正常であるにもかかわら
ず、異常として検出されるため第１図に示すごとき従来
のパターン検出装置では正確にパターンを検出できない
という問題があった。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく、基
材上に配線パターンを形成したプリント基板において、
配線パターン上の傷や変色を異常として検出することな
く、且つプリント基板として欠陥となる薄膜残留欠陥を
見逃しすることなく２値化画像信号により配線パターン
のネガチブパターンを検知して配線パターンの欠陥を高
信頼度で検出できるようにしたプリント基板上の配線パ
ターン検出装置を提供することにある。
材上に配線パターンを形成したプリント基板において、
配線パターン上の傷や変色を異常として検出することな
く、且つプリント基板として欠陥となる薄膜残留欠陥を
見逃しすることなく２値化画像信号により配線パターン
のネガチブパターンを検知して配線パターンの欠陥を高
信頼度で検出できるようにしたプリント基板上の配線パ
ターン検出装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、レーザ光源と、
該レーザ光源から発した光の中から蛍光励起能力の大き
い波長の蛍光励起光を選別して、基材上に配線パターン
を形成したプリント基板表面にほぼ垂直に照射する蛍光
励起光選別・照射手段と、上記蛍光励起光と上記プリン
ト基板とを相対的に２次元に走査する走査手段と、上記
蛍光励起光選別・照射手段により選別照射された蛍光励
起光により励起されて上記プリント基板の基材から発生
した蛍光を受光して導き、且つ上記プリント基板の表面
からの励起光の正反射光が入射しないように上記垂直照
射光軸に対して傾斜させ、且つ該垂直照射光軸に対して
対称に複数方向に配置された蛍光集光光学系と、該蛍光
集光光学系によって導かれた光から上記プリント基板の
表面からの励起光による反射光を遮光して上記プリント
基板の基材から発する蛍光を分離する分離手段と、該分
離手段により分離された蛍光を検出して信号に変換する
検出器と、上記走査手段によって２次元に走査されるこ
とによって、上記検出器から検出されるプリント基板の
基材から発生する蛍光の画像信号を所望の閾値で２値化
して少なくとも配線パターン上の傷および変色並びに配
線パターン間の薄膜残留欠陥を配線パターンと同じ暗レ
ベルにして検出する２値化回路とを備え、該２値化回路
から得られる２値化画像信号により少なくとも配線パタ
ーン上の傷および変色並びに配線パターン間の薄膜残留
欠陥を誤検出することなく、配線パターンのネガチブパ
ターンを検知し得べく構成したことを特徴とするプリン
ト基板上の配線パターン検出装置である。また、本発明
は、上記プリント基板上の配線パターン検出装置におい
て、上記蛍光集光光学系として、光ファイバー束で構成
したことを特徴とするものである。
該レーザ光源から発した光の中から蛍光励起能力の大き
い波長の蛍光励起光を選別して、基材上に配線パターン
を形成したプリント基板表面にほぼ垂直に照射する蛍光
励起光選別・照射手段と、上記蛍光励起光と上記プリン
ト基板とを相対的に２次元に走査する走査手段と、上記
蛍光励起光選別・照射手段により選別照射された蛍光励
起光により励起されて上記プリント基板の基材から発生
した蛍光を受光して導き、且つ上記プリント基板の表面
からの励起光の正反射光が入射しないように上記垂直照
射光軸に対して傾斜させ、且つ該垂直照射光軸に対して
対称に複数方向に配置された蛍光集光光学系と、該蛍光
集光光学系によって導かれた光から上記プリント基板の
表面からの励起光による反射光を遮光して上記プリント
基板の基材から発する蛍光を分離する分離手段と、該分
離手段により分離された蛍光を検出して信号に変換する
検出器と、上記走査手段によって２次元に走査されるこ
とによって、上記検出器から検出されるプリント基板の
基材から発生する蛍光の画像信号を所望の閾値で２値化
して少なくとも配線パターン上の傷および変色並びに配
線パターン間の薄膜残留欠陥を配線パターンと同じ暗レ
ベルにして検出する２値化回路とを備え、該２値化回路
から得られる２値化画像信号により少なくとも配線パタ
ーン上の傷および変色並びに配線パターン間の薄膜残留
欠陥を誤検出することなく、配線パターンのネガチブパ
ターンを検知し得べく構成したことを特徴とするプリン
ト基板上の配線パターン検出装置である。また、本発明
は、上記プリント基板上の配線パターン検出装置におい
て、上記蛍光集光光学系として、光ファイバー束で構成
したことを特徴とするものである。
上記構成により、基材上に配線パターンを形成したプリ
ント基板に対してレーザ光をほぼ垂直に照射して、基材
から励起されて発生する微弱な蛍光を強めることがで
き、更にプリント基板の表面から反射する正反射光が入
射しないように蛍光集光光学系を垂直照射光軸に対して
傾斜させ、且つ該垂直照射光軸に対して対称に複数方向
に配置して構成して蛍光集光光学系自体で蛍光を発生す
るのをなくす共に分離手段により微弱な蛍光像のみを分
離できるようにして少なくとも配線パターン上の傷およ
び変色並びに配線パターン間の薄膜残留欠陥を配線パタ
ーンと同じ暗レベルにし、その結果検出器から検出され
るプリント基板の基材から発生する蛍光の画像の信号を
所望の閾値で２値化して配線パターンのネガチブパター
ンを検知することにより配線パターン上の傷および変色
並びに配線パターン間の薄膜残留欠陥を誤検出すること
なく、配線パターンの欠陥を高信頼度で検出することが
できる。
ント基板に対してレーザ光をほぼ垂直に照射して、基材
から励起されて発生する微弱な蛍光を強めることがで
き、更にプリント基板の表面から反射する正反射光が入
射しないように蛍光集光光学系を垂直照射光軸に対して
傾斜させ、且つ該垂直照射光軸に対して対称に複数方向
に配置して構成して蛍光集光光学系自体で蛍光を発生す
るのをなくす共に分離手段により微弱な蛍光像のみを分
離できるようにして少なくとも配線パターン上の傷およ
び変色並びに配線パターン間の薄膜残留欠陥を配線パタ
ーンと同じ暗レベルにし、その結果検出器から検出され
るプリント基板の基材から発生する蛍光の画像の信号を
所望の閾値で２値化して配線パターンのネガチブパター
ンを検知することにより配線パターン上の傷および変色
並びに配線パターン間の薄膜残留欠陥を誤検出すること
なく、配線パターンの欠陥を高信頼度で検出することが
できる。
以下、本発明に係わる一実施例を第５図乃至第８図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第７図に示すように、基材４上に配線パターン３を形成
したプリント基板１において、有機物質を含む基材４か
ら発生する蛍光の画像を検出して配線パターンのネガチ
ブパターンを得るプリント基板上の配線パターン検出装
置は、例えば第５図に示すように、波長が３００ｎｍか
ら４６０ｎｍまでの波長を有する蛍光励起レーザ光３４
を照射するレーザ光源１６と、該レーザ光源１６より照
射された蛍光励起レーザ光３４を拡大するビーム拡大器
１７と、該ビーム拡大器１７によって拡大された蛍光励
起レーザビームを偏向走査する回転ミラー１８と、該回
転ミラー１８で反射して走査される蛍光励起レーザビー
ムを、基材４上に配線パターン３を形成したプリント基
板１の表面にスポット光に絞ってほぼ垂直に照射するた
めのスキャンニングレンズ１９と、図示するごとく、蛍
光励起レーザスポット光によりプリント基板１の有機物
を含む基材４から励起されて発生した蛍光を効率良く集
光して検出器に導くように、プリント基板１の表面から
の励起光の正反射光が入射しないように上記スキャンニ
ングレンズ１９による垂直照射光軸に対して傾斜させ、
且つ該垂直照射光軸に対して対称に複数方向に配置され
た多数の光ファイバーを束ねた形の光ファイバー束２０
と、プリント基板１の配線パターンの表面２および基材
４の表面で主として乱反射して光ファイバー束２０に入
射する励起光をカット（遮光）し、前記基材４から発生
する蛍光のみを透過するフィルタ２４と、該フィルタ２
４を透過した蛍光を受光して信号に変換する検出器であ
るフォトマルチプライヤー１５とを備えている。
したプリント基板１において、有機物質を含む基材４か
ら発生する蛍光の画像を検出して配線パターンのネガチ
ブパターンを得るプリント基板上の配線パターン検出装
置は、例えば第５図に示すように、波長が３００ｎｍか
ら４６０ｎｍまでの波長を有する蛍光励起レーザ光３４
を照射するレーザ光源１６と、該レーザ光源１６より照
射された蛍光励起レーザ光３４を拡大するビーム拡大器
１７と、該ビーム拡大器１７によって拡大された蛍光励
起レーザビームを偏向走査する回転ミラー１８と、該回
転ミラー１８で反射して走査される蛍光励起レーザビー
ムを、基材４上に配線パターン３を形成したプリント基
板１の表面にスポット光に絞ってほぼ垂直に照射するた
めのスキャンニングレンズ１９と、図示するごとく、蛍
光励起レーザスポット光によりプリント基板１の有機物
を含む基材４から励起されて発生した蛍光を効率良く集
光して検出器に導くように、プリント基板１の表面から
の励起光の正反射光が入射しないように上記スキャンニ
ングレンズ１９による垂直照射光軸に対して傾斜させ、
且つ該垂直照射光軸に対して対称に複数方向に配置され
た多数の光ファイバーを束ねた形の光ファイバー束２０
と、プリント基板１の配線パターンの表面２および基材
４の表面で主として乱反射して光ファイバー束２０に入
射する励起光をカット（遮光）し、前記基材４から発生
する蛍光のみを透過するフィルタ２４と、該フィルタ２
４を透過した蛍光を受光して信号に変換する検出器であ
るフォトマルチプライヤー１５とを備えている。
上記フィルタ２４は、プリント基板１の配線パターン３
の表面２で主として乱反射する励起レーザ光３２の波長
域の反射光を遮光して基材４で励起された蛍光のみを透
過して分離するための分離手段であり、例えば、第６図
に示すように一般にイエローフィルタＹ５０と呼称され
ているもので、波長５００ｎｍ以下の光を反射し、波長
５００ｎｍ以上の蛍光を透過させるものである。
の表面２で主として乱反射する励起レーザ光３２の波長
域の反射光を遮光して基材４で励起された蛍光のみを透
過して分離するための分離手段であり、例えば、第６図
に示すように一般にイエローフィルタＹ５０と呼称され
ているもので、波長５００ｎｍ以下の光を反射し、波長
５００ｎｍ以上の蛍光を透過させるものである。
また、光ファイバー束２４によって導かれ、フィルタ２
４を透過した基材４から発生する蛍光がフォトマルチプ
ライヤー１５の受光面に結像される状態になり、上記回
転ミラー１８による蛍光励起レーザスポット光の走査と
プリント基板１の走行による走査とにより２次元的走査
されてフォトマルチプライヤー１５からプリント基板１
の配線パターン３のネガチブパターンの画像信号が得ら
れる。
４を透過した基材４から発生する蛍光がフォトマルチプ
ライヤー１５の受光面に結像される状態になり、上記回
転ミラー１８による蛍光励起レーザスポット光の走査と
プリント基板１の走行による走査とにより２次元的走査
されてフォトマルチプライヤー１５からプリント基板１
の配線パターン３のネガチブパターンの画像信号が得ら
れる。
即ち、前記基材４から蛍光が発生しやすい波長が限定さ
れた蛍光励起レーザ光３４をレーザ光源１６から照射
し、ビーム拡大器１７で拡大し、ビーム拡大器１７によ
って拡大された蛍光励起レーザビームを回転ミラー１８
でプリント基板１の表面を所定方向に偏向走査しなが
ら、スキャンニングレンズ１９でスポット光にしてプリ
ント基板１の表面を照射する。すると、蛍光励起レーザ
スポット光により、有機物質を含有する基材４から励起
されて蛍光が発生し、基材上の配線パターン３からは蛍
光を発生しない。プリント基板１の表面で正反射した励
起光がほぼ垂直に戻ることになり、光ファイバー束２０
に入射されない状態になる。一方基材４から発生した蛍
光とプリント基板１の表面で乱反射した光とは、合わさ
った光４４として、光ファイバー束２０で集光され、蛍
光励起レーザ光の波長域の光の透過率を０％にして蛍光
のみを透過するフィルタ２４を通して検出器であるフォ
トマルチプライヤー１５で検出する。
れた蛍光励起レーザ光３４をレーザ光源１６から照射
し、ビーム拡大器１７で拡大し、ビーム拡大器１７によ
って拡大された蛍光励起レーザビームを回転ミラー１８
でプリント基板１の表面を所定方向に偏向走査しなが
ら、スキャンニングレンズ１９でスポット光にしてプリ
ント基板１の表面を照射する。すると、蛍光励起レーザ
スポット光により、有機物質を含有する基材４から励起
されて蛍光が発生し、基材上の配線パターン３からは蛍
光を発生しない。プリント基板１の表面で正反射した励
起光がほぼ垂直に戻ることになり、光ファイバー束２０
に入射されない状態になる。一方基材４から発生した蛍
光とプリント基板１の表面で乱反射した光とは、合わさ
った光４４として、光ファイバー束２０で集光され、蛍
光励起レーザ光の波長域の光の透過率を０％にして蛍光
のみを透過するフィルタ２４を通して検出器であるフォ
トマルチプライヤー１５で検出する。
従って、上記回転ミラー１８による蛍光励起レーザスポ
ット光の走査とプリント基板１の走行による走査とによ
り２次元的走査されてフォトマルチプライヤー１５から
プリント基板１の配線パターン３のネガチブパターンの
画像信号が得られる。
ット光の走査とプリント基板１の走行による走査とによ
り２次元的走査されてフォトマルチプライヤー１５から
プリント基板１の配線パターン３のネガチブパターンの
画像信号が得られる。
以上説明したように、基材４から発生する蛍光を検出す
るプリント基板上の配線パターン検出装置として作用す
るので、第２図に示した配線パターン３上に存在する配
線パターンとして正常な傷５や変色部７の影響はなく、
また配線パターンに光沢があっても問題なく配線パター
ンのネガチブパターンの検出が可能である。更に第２図
に示したような基材４の表面上に反射率の小さい残銅
（薄膜残留欠陥）６が存在すると基材４から発する蛍光
が遮断されるため、その部分の蛍光は検出されず、配線
パターンの部分とほぼ同じ暗レベルとなり、基準の配線
パターンと相違することにより、欠陥ありとして検出さ
れる。これらの状態を、検出結果に示す第８図を用いて
次に説明する。即ち、第８図は、第４図と同様、横軸は
位置を示し、縦軸は検出器であるフォトマルチプライヤ
ー１５で光電変換された電圧を示す。電圧Ｖ０はスルー
ホール８のレベル、即ち暗レベルを示し、電圧Ｖ６は配
線パターンの暗レベルを示し、電圧Ｖ７は基材４の明レ
ベルを示し、電圧ＶＴは所望の閾値であるスレッショル
ドレベルを示す。また第８図(a),(b),(c)の各図は第４
図(a),(b),(c)と同様、それぞれ第２図および第３図に
示した傷５、残銅６、変色部７の各部を検出器であるフ
ォトマルチプライヤー１５が捕えた検出結果を示すもの
である。傷５については、第８図(a)に示すごとく、蛍
光が検出されないので、Ａ′の位置は電圧Ｖ６の暗レベ
ルとなり、スレッショルドレベルＶＴよりも低くなって
配線パターンとして正常に検出される。また変色部７に
ついては、第８図(c)に示すごとく、蛍光が検出されな
いのでＣ′の位置は電圧Ｖ６の暗レベルとなり、スレッ
ショルドレベルＶＴよりも低くなって配線パターンとし
て正常に検出される。更に残銅６については、第８図
(b)に示すごとく、蛍光が検出されないのでＢ′の位置
は、電圧Ｖ６の暗レベルとなり、スレッショルドレベル
ＶＴよりも低くなり、基準の配線パターンと相違するこ
とにより異常として検出され、残銅６の存在が認識され
ることになる。
るプリント基板上の配線パターン検出装置として作用す
るので、第２図に示した配線パターン３上に存在する配
線パターンとして正常な傷５や変色部７の影響はなく、
また配線パターンに光沢があっても問題なく配線パター
ンのネガチブパターンの検出が可能である。更に第２図
に示したような基材４の表面上に反射率の小さい残銅
（薄膜残留欠陥）６が存在すると基材４から発する蛍光
が遮断されるため、その部分の蛍光は検出されず、配線
パターンの部分とほぼ同じ暗レベルとなり、基準の配線
パターンと相違することにより、欠陥ありとして検出さ
れる。これらの状態を、検出結果に示す第８図を用いて
次に説明する。即ち、第８図は、第４図と同様、横軸は
位置を示し、縦軸は検出器であるフォトマルチプライヤ
ー１５で光電変換された電圧を示す。電圧Ｖ０はスルー
ホール８のレベル、即ち暗レベルを示し、電圧Ｖ６は配
線パターンの暗レベルを示し、電圧Ｖ７は基材４の明レ
ベルを示し、電圧ＶＴは所望の閾値であるスレッショル
ドレベルを示す。また第８図(a),(b),(c)の各図は第４
図(a),(b),(c)と同様、それぞれ第２図および第３図に
示した傷５、残銅６、変色部７の各部を検出器であるフ
ォトマルチプライヤー１５が捕えた検出結果を示すもの
である。傷５については、第８図(a)に示すごとく、蛍
光が検出されないので、Ａ′の位置は電圧Ｖ６の暗レベ
ルとなり、スレッショルドレベルＶＴよりも低くなって
配線パターンとして正常に検出される。また変色部７に
ついては、第８図(c)に示すごとく、蛍光が検出されな
いのでＣ′の位置は電圧Ｖ６の暗レベルとなり、スレッ
ショルドレベルＶＴよりも低くなって配線パターンとし
て正常に検出される。更に残銅６については、第８図
(b)に示すごとく、蛍光が検出されないのでＢ′の位置
は、電圧Ｖ６の暗レベルとなり、スレッショルドレベル
ＶＴよりも低くなり、基準の配線パターンと相違するこ
とにより異常として検出され、残銅６の存在が認識され
ることになる。
また、プリント基板１において、配線パターン３の表面
２が、光沢はんだめっきでできているいわゆるはんだパ
ターンにおいても、第２図における基材４の部分の蛍光
を検出することについては詳細に説明した前記実施例と
変わることがないため、正確に配線パターンを検出する
ことができる。
２が、光沢はんだめっきでできているいわゆるはんだパ
ターンにおいても、第２図における基材４の部分の蛍光
を検出することについては詳細に説明した前記実施例と
変わることがないため、正確に配線パターンを検出する
ことができる。
〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明によれば、基材上に配線パ
ターンを形成したプリント基板に対してレーザ光をほぼ
垂直に照射して、基材から励起されて発生する微弱な蛍
光を強めることができ、更にプリント基板の表面から反
射する正反射光が入射しないように蛍光集光光学系を垂
直照射光軸に対して傾斜させ、且つ該垂直照射光軸に対
して対称に複数方向に配置して構成して蛍光集光光学系
自体で蛍光を発生するのをなくす共に分離手段により微
弱な蛍光像のみを分離できるようにして少なくとも配線
パターン上の傷および変色並びに配線パターン間の薄膜
残留欠陥を配線パターンと同じ暗レベルにし、その結果
検出器から検出されるプリント基板の基材から発生する
蛍光の画像の信号を所望の閾値で２値化して配線パター
ンのネガチブパターンを検知することにより配線パター
ン上の傷および変色並びに配線パターン間の薄膜残留欠
陥を誤検出することなく、配線パターンの欠陥を高信頼
度で検出することができる優れた実用的な効果を奏す
る。
ターンを形成したプリント基板に対してレーザ光をほぼ
垂直に照射して、基材から励起されて発生する微弱な蛍
光を強めることができ、更にプリント基板の表面から反
射する正反射光が入射しないように蛍光集光光学系を垂
直照射光軸に対して傾斜させ、且つ該垂直照射光軸に対
して対称に複数方向に配置して構成して蛍光集光光学系
自体で蛍光を発生するのをなくす共に分離手段により微
弱な蛍光像のみを分離できるようにして少なくとも配線
パターン上の傷および変色並びに配線パターン間の薄膜
残留欠陥を配線パターンと同じ暗レベルにし、その結果
検出器から検出されるプリント基板の基材から発生する
蛍光の画像の信号を所望の閾値で２値化して配線パター
ンのネガチブパターンを検知することにより配線パター
ン上の傷および変色並びに配線パターン間の薄膜残留欠
陥を誤検出することなく、配線パターンの欠陥を高信頼
度で検出することができる優れた実用的な効果を奏す
る。
第１図は従来の配線パターン検出装置の側面図、第２図
はプリント基板の平面図、第３図は(a)は第２図のＡ−
Ａ断面図、第３図(b)は第２図のＢ−Ｂ断面図、第３図
(c)は第２図のＣ−Ｃ断面図、第４図(a),(b),(c)はそれ
ぞれ従来の配線パターン検出装置における検出結果を示
す図、第５図及び第６図は本発明の実施例で用いるフィ
ルタ等の特性を示す図、第７図は本発明のプリント基板
上の配線パターン検出装置の一実施例を示す側面図、第
８図(a),(b),(c)はそれぞれ第７図に示す実施例におけ
る検出結果を示す図である。 １…プリント基板、３…配線パターン、４…基材、５…
傷、６…残銅（薄膜残留欠陥）、７…変色部、８…スル
ーホール、15…フォトマルチプライヤー、16…レーザ光
源、17…ビーム拡大器、18…回転ミラー、19…スキャン
ニングレンズ、20…光ファイバー束、24…フィルタ。
はプリント基板の平面図、第３図は(a)は第２図のＡ−
Ａ断面図、第３図(b)は第２図のＢ−Ｂ断面図、第３図
(c)は第２図のＣ−Ｃ断面図、第４図(a),(b),(c)はそれ
ぞれ従来の配線パターン検出装置における検出結果を示
す図、第５図及び第６図は本発明の実施例で用いるフィ
ルタ等の特性を示す図、第７図は本発明のプリント基板
上の配線パターン検出装置の一実施例を示す側面図、第
８図(a),(b),(c)はそれぞれ第７図に示す実施例におけ
る検出結果を示す図である。 １…プリント基板、３…配線パターン、４…基材、５…
傷、６…残銅（薄膜残留欠陥）、７…変色部、８…スル
ーホール、15…フォトマルチプライヤー、16…レーザ光
源、17…ビーム拡大器、18…回転ミラー、19…スキャン
ニングレンズ、20…光ファイバー束、24…フィルタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−82544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−45180（ＪＰ，Ａ) 「顕微鏡の使い方」第５版，石澤政男・ 田中克巳、裳革房Ｐ165〜169
Claims (2)
- 【請求項１】レーザ光源と、該レーザ光源から発した光
の中から蛍光励起能力の大きい波長の蛍光励起光を選別
して、基材上に配線パターンを形成したプリント基板表
面にほぼ垂直に照射する蛍光励起光選別・照射手段と、
上記蛍光励起光と上記プリント基板とを相対的に２次元
に走査する走査手段と、上記蛍光励起光選別・照射手段
により選別照射された蛍光励起光により励起されて上記
プリント基板の基材から発生した蛍光を受光して導き、
且つ上記プリント基板の表面からの励起光の正反射光が
入射しないように上記垂直照射光軸に対して傾斜させ、
且つ該垂直照射光軸に対して対称に複数方向に配置され
た蛍光集光光学系と、該蛍光集光光学系によって導かれ
た光から上記プリント基板の表面からの励起光による反
射光を遮光して上記プリント基板の基材から発する蛍光
を分離する分離手段と、該分離手段により分離された蛍
光を検出して信号に変換する検出器と、上記走査手段に
よって２次元に走査されることによって、上記検出器か
ら検出されるプリント基板の基材から発生する蛍光の画
像信号を所望の閾値で２値化して少なくとも配線パター
ン上の傷および変色並びに配線パターン間の薄膜残留欠
陥を配線パターンと同じ暗レベルにして検出する２値化
回路とを備え、該２値化回路から得られる２値化画像信
号により少なくとも配線パターン上の傷および変色並び
に配線パターン間の薄膜残留欠陥を誤検出することな
く、配線パターンのネガチブパターンを検知し得べく構
成したことを特徴とするプリント基板上の配線パターン
検出装置。 - 【請求項２】上記蛍光集光光学系として、光ファイバー
束で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のプリント基板上の配線パターン検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5641289A JPH0629861B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | プリント基板上の配線パターン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5641289A JPH0629861B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | プリント基板上の配線パターン検出装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58106750A Division JPS59232344A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 配線パタ−ン検出装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3338155A Division JPH0723873B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | プリント基板における配線パターンの欠陥検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272946A JPH01272946A (ja) | 1989-10-31 |
| JPH0629861B2 true JPH0629861B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=13026434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5641289A Expired - Lifetime JPH0629861B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | プリント基板上の配線パターン検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629861B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209152A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electron Corp | 電子部品の検査装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5345180A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Hitachi Ltd | Photoetching method |
| JPS5682544A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-06 | Fujitsu Ltd | Residual resist inspecting method |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP5641289A patent/JPH0629861B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「顕微鏡の使い方」第５版，石澤政男・田中克巳、裳革房Ｐ１６５〜１６９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01272946A (ja) | 1989-10-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19941011 |