JPH01272984A - 半導体装置の試験方法 - Google Patents
半導体装置の試験方法Info
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- JPH01272984A JPH01272984A JP1056204A JP5620489A JPH01272984A JP H01272984 A JPH01272984 A JP H01272984A JP 1056204 A JP1056204 A JP 1056204A JP 5620489 A JP5620489 A JP 5620489A JP H01272984 A JPH01272984 A JP H01272984A
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置の試験方法に関し、詳しくは、誘
電体包囲容器を有する半導体装置の静電気破壊現象を正
しくモニターするための半導体装置の静電気破壊試験方
法に関するものである。
電体包囲容器を有する半導体装置の静電気破壊現象を正
しくモニターするための半導体装置の静電気破壊試験方
法に関するものである。
（従来の技術）
上記試験方法の従来例の一つとして特開昭５７−８０５
７７号公報に開示されるものがある。それは、第３図に
示すように、被試験半導体装置ｌの誘電体包囲容器２に
接する電極３とこれに直結される直流電源４により前記
誘電体包囲容器２の表面に所定の電荷を帯電させ、それ
を、スイッチ５の開成にともない前記半導体装置１の入
出力端子６を経由して放電させるものであり、その後、
その放電によって半導体装置１に破壊が生したか否か適
宜な手段で確認するものである。
７７号公報に開示されるものがある。それは、第３図に
示すように、被試験半導体装置ｌの誘電体包囲容器２に
接する電極３とこれに直結される直流電源４により前記
誘電体包囲容器２の表面に所定の電荷を帯電させ、それ
を、スイッチ５の開成にともない前記半導体装置１の入
出力端子６を経由して放電させるものであり、その後、
その放電によって半導体装置１に破壊が生したか否か適
宜な手段で確認するものである。
この静電気破壊試験方法によれば、人体放電法やチャー
ジデバイス法に比較して実用条件に近い試験ができる。
ジデバイス法に比較して実用条件に近い試験ができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、上記試験方法では、半導体装置の近傍に存在
する静電気帯電物体によって引き起される静電気破壊現
象については試験することができなかった。すなわち、
半導体装置に摩擦帯電が生じていなくても、該半導体装
置の近傍に静電気帯電物体があると、半導体装置と帯電
物体との間の静電気容量を介して半導体装置の電位を上
昇させ、この状態で半導体装置の入出力端子が他の接地
金属などに接触すると、やはり放電現象が起り、半導体
装置内に放電電流が流入し、半導体装置内部が破壊され
るが、このような静電気破壊は上記従来の方法では試験
できない。
する静電気帯電物体によって引き起される静電気破壊現
象については試験することができなかった。すなわち、
半導体装置に摩擦帯電が生じていなくても、該半導体装
置の近傍に静電気帯電物体があると、半導体装置と帯電
物体との間の静電気容量を介して半導体装置の電位を上
昇させ、この状態で半導体装置の入出力端子が他の接地
金属などに接触すると、やはり放電現象が起り、半導体
装置内に放電電流が流入し、半導体装置内部が破壊され
るが、このような静電気破壊は上記従来の方法では試験
できない。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、半導体装置
の近傍に存在する静電気帯電物体によって引き起される
静電気破壊現象を正確に試験することができる半導体装
置の試験方法を提供することを目的とする。
の近傍に存在する静電気帯電物体によって引き起される
静電気破壊現象を正確に試験することができる半導体装
置の試験方法を提供することを目的とする。
さらに、この発明は、実際上越り得る半導体装置の局部
的帯電を考慮して上記静電気帯電物体による静電気破壊
現象を試験できる半導体装置の試験方法を提供すること
を目的とする。
的帯電を考慮して上記静電気帯電物体による静電気破壊
現象を試験できる半導体装置の試験方法を提供すること
を目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明では、帯電手段を次の通りとする。すなわち、
被試験半導体装置の誘電体包囲容器の一主表面ほぼ全域
と接触する金属電極と、直流電圧源と、一端が前記金属
電極に接続され、他端が前記直流電圧源の電源電位側に
接続されたコンデンサとからなるものとする。
被試験半導体装置の誘電体包囲容器の一主表面ほぼ全域
と接触する金属電極と、直流電圧源と、一端が前記金属
電極に接続され、他端が前記直流電圧源の電源電位側に
接続されたコンデンサとからなるものとする。
また、この発明では帯電手段を次の通りともする。すな
わち、被試験半導体装置の誘電体包囲容器の選択された
表面と接触する第１金属電極と、残余の選択された表面
と接触し且つ前記第１金属電極と所定の間隔をもって配
置された第２金属電極と、この第２金属電極に基準電位
側が接続された直流電圧源と、一端が前記第１金属電極
に他端が前記直流電圧源の電源電位側に接続されたコン
デンサとからなるものとする。
わち、被試験半導体装置の誘電体包囲容器の選択された
表面と接触する第１金属電極と、残余の選択された表面
と接触し且つ前記第１金属電極と所定の間隔をもって配
置された第２金属電極と、この第２金属電極に基準電位
側が接続された直流電圧源と、一端が前記第１金属電極
に他端が前記直流電圧源の電源電位側に接続されたコン
デンサとからなるものとする。
（作 用）
Ｅ記方法では、直流電圧源により、コンデンサを通して
、金属電極が接する誘電体包囲容器表面が所定電位に上
昇する。これは、半導体装置の近傍に静電気帯電物体が
存在して、この帯電物体により、該物体と半導体装置間
の静電気容量を介して半導体装置の電位を上昇させる場
合と等価となる。したがって、その状況下の静電気破壊
現象を試験できる。
、金属電極が接する誘電体包囲容器表面が所定電位に上
昇する。これは、半導体装置の近傍に静電気帯電物体が
存在して、この帯電物体により、該物体と半導体装置間
の静電気容量を介して半導体装置の電位を上昇させる場
合と等価となる。したがって、その状況下の静電気破壊
現象を試験できる。
また、金属電極を第１金属電極と第２金属電極に分割し
て第１金属電極にのみコンデンサを接続すれば、第１金
属電極が接する誘電体包囲容器表面のみ局部的に電位を
」二昇させることができる。
て第１金属電極にのみコンデンサを接続すれば、第１金
属電極が接する誘電体包囲容器表面のみ局部的に電位を
」二昇させることができる。
すなわち、誘電体包囲容器は絶縁体であるため、帯電さ
せた場合、帯電分布をもち、抵抗体あるいは導体のよう
に均一帯電分布とはならない。上記のように金属電極を
分割した場合は、上記帯電分布すなわち局部的帯電まで
考慮して、半導体装置近傍の静電気帯電物体により引き
起される静電気破壊現象を試験できる。
せた場合、帯電分布をもち、抵抗体あるいは導体のよう
に均一帯電分布とはならない。上記のように金属電極を
分割した場合は、上記帯電分布すなわち局部的帯電まで
考慮して、半導体装置近傍の静電気帯電物体により引き
起される静電気破壊現象を試験できる。
（実施例）
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す構成図である。
この図において、１０は帯電手段、１１は静電気破壊を
生していないことを確認した半導体装置、ｌｌａは半導
体装置１１のパッケージ（誘電体包囲容器）表面、ｌｌ
ｂは半導体装置１１の入出力端子、１２は電気的短絡か
開放かを決定する手段としてのスイッチ（スイッチ手段
）、１３は被放電物体の等価インピーダンス手段（負荷
手段）をそれぞれ示している。スイッチ１２と等価イン
ピーダンス手段１３は半導体装置１１の入出力端子１１
ｂとＧＮＤ電位（後述直流電圧源の基準電位）間に直列
接続される。また、帯電手段１０ば次のように構成され
る。すなわら、パッケージ表面１１ａのほぼ全域に接す
る金属電極１０ａと、直流電圧源（可変電圧源）１０ｂ
と、一端が前記金属電極１０ａに接続され他端が前記直
流電圧源１０ｂの電源電位側に接続されたコンデンサＣ
Ｘからなる。
生していないことを確認した半導体装置、ｌｌａは半導
体装置１１のパッケージ（誘電体包囲容器）表面、ｌｌ
ｂは半導体装置１１の入出力端子、１２は電気的短絡か
開放かを決定する手段としてのスイッチ（スイッチ手段
）、１３は被放電物体の等価インピーダンス手段（負荷
手段）をそれぞれ示している。スイッチ１２と等価イン
ピーダンス手段１３は半導体装置１１の入出力端子１１
ｂとＧＮＤ電位（後述直流電圧源の基準電位）間に直列
接続される。また、帯電手段１０ば次のように構成され
る。すなわら、パッケージ表面１１ａのほぼ全域に接す
る金属電極１０ａと、直流電圧源（可変電圧源）１０ｂ
と、一端が前記金属電極１０ａに接続され他端が前記直
流電圧源１０ｂの電源電位側に接続されたコンデンサＣ
Ｘからなる。
この第１の実施例では、直流電圧′ｔＡ１０ｂにより、
コンデンサＣ８を通して、金属電極１０ａが接するパッ
ケージ表面１１ａが所定電位に上昇する。これは、半導
体装置の近傍に静電気帯電物体が存在して、この帯電物
体により、該物体と半導体装置間の静電気容量を介して
半導体装置の電位を上昇させる場合と等価となる。
コンデンサＣ８を通して、金属電極１０ａが接するパッ
ケージ表面１１ａが所定電位に上昇する。これは、半導
体装置の近傍に静電気帯電物体が存在して、この帯電物
体により、該物体と半導体装置間の静電気容量を介して
半導体装置の電位を上昇させる場合と等価となる。
したがって、上記のように電位上昇させた状態で、次に
スイッチ１２を閉成して、パッケージ表面１１ａの電荷
を入出力端子１１ｂを通して放電させ、その後、半導体
装置１１が破壊を生じているか例えば入出力リークチェ
ツク法で６Ｉ ＬＷすることにより、前記静電気帯電物
体による静電気破壊現象をモニターできる。
スイッチ１２を閉成して、パッケージ表面１１ａの電荷
を入出力端子１１ｂを通して放電させ、その後、半導体
装置１１が破壊を生じているか例えば入出力リークチェ
ツク法で６Ｉ ＬＷすることにより、前記静電気帯電物
体による静電気破壊現象をモニターできる。
ところで、半導体装置の誘電体パッケージは絶縁体であ
るため、帯電させた場合、帯電分布をもち、抵抗体ある
いは導体のように均一帯電分布とはならない。第２図の
第２の実施例は、この帯電分布すなわち局部的帯電まで
考慮して前記静電気帯電物体による静電気破壊現象をモ
ニターしようとするものである。
るため、帯電させた場合、帯電分布をもち、抵抗体ある
いは導体のように均一帯電分布とはならない。第２図の
第２の実施例は、この帯電分布すなわち局部的帯電まで
考慮して前記静電気帯電物体による静電気破壊現象をモ
ニターしようとするものである。
そこで、この第２の実施例では、金属電極が第１金属電
極１０ｅと第２金属電極１０ｆからなる。
極１０ｅと第２金属電極１０ｆからなる。
第１金属電極１０ｅは、パッケージ表面１０ａの選択さ
れた部分と接触し、第２金属電極１０ｆは残余の選択さ
れたパッケージ表面１１ａと接触する。また、第２金属
電極１０ｆはＧＮＤ電位（直流電圧源１０ｂの基準電位
）に接続されるものとする。一方、第１金属電極１０ｅ
にコンデンサＣｘの一端が接続され、このコンデンサＣ
Ｘの他端が直流電圧源１０ｂの電源側電位に接続される
ものとする。その他は第１の実施例と同一であり、同一
部分には同一符号を付して説明を省略する。
れた部分と接触し、第２金属電極１０ｆは残余の選択さ
れたパッケージ表面１１ａと接触する。また、第２金属
電極１０ｆはＧＮＤ電位（直流電圧源１０ｂの基準電位
）に接続されるものとする。一方、第１金属電極１０ｅ
にコンデンサＣｘの一端が接続され、このコンデンサＣ
Ｘの他端が直流電圧源１０ｂの電源側電位に接続される
ものとする。その他は第１の実施例と同一であり、同一
部分には同一符号を付して説明を省略する。
この第２の実施例では、第１金属電極１０ｅが接するパ
ッケージ表面１１ａのみ局部的に、直流電圧源１０ｂに
よりコンデンサＣＸを通して所定電位に上昇できる。し
たがって、局部的帯電を考慮して静電気帯電物体による
静電気破壊現象をモニターできる。
ッケージ表面１１ａのみ局部的に、直流電圧源１０ｂに
よりコンデンサＣＸを通して所定電位に上昇できる。し
たがって、局部的帯電を考慮して静電気帯電物体による
静電気破壊現象をモニターできる。
なお、第２図において、Ｌで示される間隔は第１金属電
極１０ｅと第２金属電極１０ｆの距離を表し、この距離
によって電極間パッケージ表面１１ａの電位勾配を決定
する。ただし、第１金属電極１０ｅと第２金属電極１０
ｆの間で放電が発生しないように、印加される電圧値に
応じてｔの最小値は設定されるものである。
極１０ｅと第２金属電極１０ｆの距離を表し、この距離
によって電極間パッケージ表面１１ａの電位勾配を決定
する。ただし、第１金属電極１０ｅと第２金属電極１０
ｆの間で放電が発生しないように、印加される電圧値に
応じてｔの最小値は設定されるものである。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明の方法によれば、
直流電圧源をコンデンサを通して半導体装Ｗ誘電体包囲
容器表面の金属電極に接続することにより、半導体装置
の近傍に存在する静電気帯電物体によって引き起される
静電気破壊現象を正確に試験することができる。しかも
、金属電極を第１金属電極と第２金属電極に分割して第
１金属電極にコンデンサを接続することにより、局部的
に帯電する場合すなわち帯電分布を有する場合をも考慮
して、前記静電気帯電物体による静電気破壊現象を試験
できる。
直流電圧源をコンデンサを通して半導体装Ｗ誘電体包囲
容器表面の金属電極に接続することにより、半導体装置
の近傍に存在する静電気帯電物体によって引き起される
静電気破壊現象を正確に試験することができる。しかも
、金属電極を第１金属電極と第２金属電極に分割して第
１金属電極にコンデンサを接続することにより、局部的
に帯電する場合すなわち帯電分布を有する場合をも考慮
して、前記静電気帯電物体による静電気破壊現象を試験
できる。
第１図はこの発明の半導体装置の試験方法の第１の実施
例を示す構成図、第２図はこの発明の第２の実施例を示
す構成図、第３図は従来の方法を示す構成図である。 ＩＯ・・・帯電手段、１０ａ・・・金属電極、１０ｂ・
・・直流電圧源、１０ｅ・・・第１金属電極、１０ｆ・
・・第２金属電極、１１・・・半導体装置、ｌｌａ・・
・パンケージ表面、ｌｌｂ・・・入出力端子、１２・・
・スイッチ、１３・・・等価インピーダンス手段。
例を示す構成図、第２図はこの発明の第２の実施例を示
す構成図、第３図は従来の方法を示す構成図である。 ＩＯ・・・帯電手段、１０ａ・・・金属電極、１０ｂ・
・・直流電圧源、１０ｅ・・・第１金属電極、１０ｆ・
・・第２金属電極、１１・・・半導体装置、ｌｌａ・・
・パンケージ表面、ｌｌｂ・・・入出力端子、１２・・
・スイッチ、１３・・・等価インピーダンス手段。
Claims (3)
- （１）被試験半導体装置の入力又は出力端子と基準電位
源との間にスイッチ手段と負荷手段を直列に接続し、前
記スイッチ手段を開路にした状態で前記被試験半導体装
置の誘電体包囲容器に所定の電荷を帯電させた後、この
帯電を付勢したまま前記スイッチ手段を閉路することに
より前記誘電体包囲容器に蓄積された電荷を前記入力又
は出力端子を経由して放電させるようにした半導体装置
の試験方法において、 前記誘電体包囲容器に所定の電荷を帯電させる手段は、
前記誘電体包囲容器の一主表面ほぼ全域と接触する金属
電極と、直流電圧源と、一端が前記金属電極に接続され
、他端が前記直流電圧源の電源電位側に接続されたコン
デンサとからなることを特徴とする半導体装置の試験方
法。 - （２）被試験半導体装置の入力又は出力端子と基準電位
源との間にスイッチ手段と負荷手段を直列に接続し、前
記スイッチ手段を開路にした状態で前記被試験半導体装
置の誘電体包囲容器に所定の電荷を帯電させた後、この
帯電を付勢したまま前記スイッチ手段を閉路することに
より前記誘電体包囲容器に蓄積された電荷を前記入力又
は出力端子を経由して放電させるようにした半導体装置
の試験方法において、 前記誘電体包囲容器に所定の電荷を帯電させる手段は、
前記誘電体包囲容器の選択された表面と接触する第１金
属電極と、残余の選択された表面と接触し且つ前記第１
金属電極と所定の間隔をもって配置された第２金属電極
と、この第２金属電極に基準電位側が接続された直流電
圧源と、一端が前記第１金属電極に他端が前記直流電圧
源の電源電位側に接続されたコンデンサとからなること
を特徴とする半導体装置の試験方法。 - （３）前記直流電圧源は可変電圧源であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体装
置の試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056204A JPH01272984A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056204A JPH01272984A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の試験方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180838A Division JPS6073375A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272984A true JPH01272984A (ja) | 1989-10-31 |
| JPH057663B2 JPH057663B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=13020588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1056204A Granted JPH01272984A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272984A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096129A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 電位勾配測定装置及び電子デバイスプロセス評価装置 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1056204A patent/JPH01272984A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096129A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 電位勾配測定装置及び電子デバイスプロセス評価装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057663B2 (ja) | 1993-01-29 |
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