JPH057663B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH057663B2 JPH057663B2 JP1056204A JP5620489A JPH057663B2 JP H057663 B2 JPH057663 B2 JP H057663B2 JP 1056204 A JP1056204 A JP 1056204A JP 5620489 A JP5620489 A JP 5620489A JP H057663 B2 JPH057663 B2 JP H057663B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- metal electrode
- voltage source
- dielectric enclosure
- testing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 46
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置の試験方法に関し、詳し
くは、誘電体包囲容器を有する半導体装置の静電
気破壊現象を正しくモニターするための半導体装
置の静電気破壊試験方法に関するものである。
くは、誘電体包囲容器を有する半導体装置の静電
気破壊現象を正しくモニターするための半導体装
置の静電気破壊試験方法に関するものである。
（従来の技術）
上記試験方法の従来例の一つとして特開昭57−
81577号公報に開示されるものがある。それは、
第３図に示すように、被試験半導体装置１の誘電
体包囲容器２に接する電極３とこれに直結される
直流電源４により前記誘電体包囲容器２の表面に
所定の電荷を帯電させ、それを、スイツチ５の閉
成にともない前記半導体装置１の入出力端子６を
経由して放電させるものであり、その後、その放
電によつて半導体装置１に破壊が生じたか否か適
宜な手段で確認するものである。
81577号公報に開示されるものがある。それは、
第３図に示すように、被試験半導体装置１の誘電
体包囲容器２に接する電極３とこれに直結される
直流電源４により前記誘電体包囲容器２の表面に
所定の電荷を帯電させ、それを、スイツチ５の閉
成にともない前記半導体装置１の入出力端子６を
経由して放電させるものであり、その後、その放
電によつて半導体装置１に破壊が生じたか否か適
宜な手段で確認するものである。
この静電気破壊試験方法によれば、人体放電法
やチヤージデバイス法に比較して実用条件に近い
試験ができる。
やチヤージデバイス法に比較して実用条件に近い
試験ができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、上記試験方法では、半導体装置の近
傍に存在する静電気帯電物体によつて引き起され
る静電気破壊現象については試験することができ
なかつた。すなわち、半導体装置に摩擦帯電が生
じていなくても、該半導体装置の近傍に静電気帯
電物体があると、半導体装置と帯電物体との間の
静電気容量を介して半導体装置の電位を上昇さ
せ、この状態で半導体装置の入出力端子が他の接
地金属などに接触すると、やはり放電現象が起
り、半導体装置内に放電電流が流入し、半導体装
置内部が破壊されるが、このような静電気破壊は
上記従来の方法では試験できない。
傍に存在する静電気帯電物体によつて引き起され
る静電気破壊現象については試験することができ
なかつた。すなわち、半導体装置に摩擦帯電が生
じていなくても、該半導体装置の近傍に静電気帯
電物体があると、半導体装置と帯電物体との間の
静電気容量を介して半導体装置の電位を上昇さ
せ、この状態で半導体装置の入出力端子が他の接
地金属などに接触すると、やはり放電現象が起
り、半導体装置内に放電電流が流入し、半導体装
置内部が破壊されるが、このような静電気破壊は
上記従来の方法では試験できない。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、半
導体装置の近傍に存在する静電気帯電物体によつ
て引き起される静電気破壊現象を正確に試験する
ことができる半導体装置の試験方法を提供するこ
とを目的とする。
導体装置の近傍に存在する静電気帯電物体によつ
て引き起される静電気破壊現象を正確に試験する
ことができる半導体装置の試験方法を提供するこ
とを目的とする。
さらに、この発明は、実際上起り得る半導体装
置の局部的帯電を考慮して上記静電気帯電物体に
よる静電気破壊現象を試験できる半導体装置の試
験方法を提供することを目的とする。
置の局部的帯電を考慮して上記静電気帯電物体に
よる静電気破壊現象を試験できる半導体装置の試
験方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明では、帯電手段を次の通りとする。す
なわち、被試験半導体装置の誘電体包囲容器の一
主表面ほぼ全域と接触する金属電極と、直流電圧
源と、一端が前記金属電極に接続され、他端が前
記直流電圧源の電源電位側に接続されたコンデン
サとからなるものとする。
なわち、被試験半導体装置の誘電体包囲容器の一
主表面ほぼ全域と接触する金属電極と、直流電圧
源と、一端が前記金属電極に接続され、他端が前
記直流電圧源の電源電位側に接続されたコンデン
サとからなるものとする。
また、この発明では帯電手段を次の通りともす
る。すなわち、被試験半導体装置の誘電体包囲容
器の選択された表面と接触する第１金属電極と、
残余の選択された表面と接触し且つ前記第１金属
電極と所定の間隔をもつて配置された第２金属電
極と、この第２金属電極に基準電位側が接続され
た直流電圧源と、一端が前記第１金属電極に他端
が前記直流電圧源の電源電息側に接続されたコン
デンサとからなるものとする。
る。すなわち、被試験半導体装置の誘電体包囲容
器の選択された表面と接触する第１金属電極と、
残余の選択された表面と接触し且つ前記第１金属
電極と所定の間隔をもつて配置された第２金属電
極と、この第２金属電極に基準電位側が接続され
た直流電圧源と、一端が前記第１金属電極に他端
が前記直流電圧源の電源電息側に接続されたコン
デンサとからなるものとする。
（作用）
上記方法では、直流電圧源により、コンデンサ
を通して、金属電極が接する誘電体包囲容器表面
が所定電位に上昇する。これは、半導体装置の近
傍に静電気帯電物体が存在して、この帯電物体に
より、該物体と半導体装置間の静電気容量を介し
て半導体装置の電位を上昇させる場合と等価とな
る。したがつて、その状況下の静電気破壊現象を
試験できる。
を通して、金属電極が接する誘電体包囲容器表面
が所定電位に上昇する。これは、半導体装置の近
傍に静電気帯電物体が存在して、この帯電物体に
より、該物体と半導体装置間の静電気容量を介し
て半導体装置の電位を上昇させる場合と等価とな
る。したがつて、その状況下の静電気破壊現象を
試験できる。
また、金属電極を第１金属電極と第２金属電極
に分割して第１金属電極にのみコンデンサを接続
すれば、第１金属電極が接する誘電体包囲容器表
面のみ局部的に電位を上昇させることができる。
すなわち、誘電体包囲容器は絶縁体であるため、
帯電させた場合、帯電分布をもち、抵抗体あるい
は導体のように均一帯電分布とはならない。上記
のように金属電極を分割した場合は、上記帯電分
布すなわち局部的帯電まで考慮して、半導体装置
近傍の静電気帯電物体により引き起される静電気
破壊現象を試験できる。
に分割して第１金属電極にのみコンデンサを接続
すれば、第１金属電極が接する誘電体包囲容器表
面のみ局部的に電位を上昇させることができる。
すなわち、誘電体包囲容器は絶縁体であるため、
帯電させた場合、帯電分布をもち、抵抗体あるい
は導体のように均一帯電分布とはならない。上記
のように金属電極を分割した場合は、上記帯電分
布すなわち局部的帯電まで考慮して、半導体装置
近傍の静電気帯電物体により引き起される静電気
破壊現象を試験できる。
（実施例）
以下この発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す構成図
である。この図において、１０は帯電手段、１１
は静電気破壊を生じていないことを確認した半導
体装置、１１ａは半導体装置１１のパツケージ
（誘導体包囲容器）表面、１１ｂは半導体装置１
１の入出力端子、１２は電気的短絡か開放かを決
定する手段としてのスイツチ（スイツチ手段）、
１３は被放電物体の等価インピーダンス手段（負
荷手段）をそれぞれ示している。スイツチ１２と
等価インピーダンス手段１３は半導体装置１１の
入出力端子１１ｂとGND電位（後述直流電圧源
の基準電位）間に直列接続される。また、帯電手
段１０は次のように構成される。すなわち、パツ
ケージ表面１１ａのほぼ全域に接する金属電極１
０ａと、直流電圧源（可変電圧源）１０ｂと、一
端が前記金属電極１０ａに接続され他端が前記直
流電圧源１０ｂの電源電位側に接続されたコンデ
ンサCXからなる。
である。この図において、１０は帯電手段、１１
は静電気破壊を生じていないことを確認した半導
体装置、１１ａは半導体装置１１のパツケージ
（誘導体包囲容器）表面、１１ｂは半導体装置１
１の入出力端子、１２は電気的短絡か開放かを決
定する手段としてのスイツチ（スイツチ手段）、
１３は被放電物体の等価インピーダンス手段（負
荷手段）をそれぞれ示している。スイツチ１２と
等価インピーダンス手段１３は半導体装置１１の
入出力端子１１ｂとGND電位（後述直流電圧源
の基準電位）間に直列接続される。また、帯電手
段１０は次のように構成される。すなわち、パツ
ケージ表面１１ａのほぼ全域に接する金属電極１
０ａと、直流電圧源（可変電圧源）１０ｂと、一
端が前記金属電極１０ａに接続され他端が前記直
流電圧源１０ｂの電源電位側に接続されたコンデ
ンサCXからなる。
この第１の実施例では、直流電圧源１０ｂによ
り、コンデンサCXを通して、金属電極１０ａが
接するパツケージ表面１１ａが所定電位に上昇す
る。これは、半導体装置の近傍に静電気帯電物体
が存在して、この帯電物体により、該物体と半導
体装置間の静電気容量を介して半導体装置の電位
を上昇させる場合と等価となる。
り、コンデンサCXを通して、金属電極１０ａが
接するパツケージ表面１１ａが所定電位に上昇す
る。これは、半導体装置の近傍に静電気帯電物体
が存在して、この帯電物体により、該物体と半導
体装置間の静電気容量を介して半導体装置の電位
を上昇させる場合と等価となる。
したがつて、上記のように電位上昇させた状態
で、次にスイツチ１２を閉成して、パツケージ表
面１１ａの電荷を入出力端子１１ｂを通して放電
させ、その後、半導体装置１１が破壊を生じてい
るか例えば入出力リークチエツク法で確認するこ
とにより、前記静電気帯電物体による静電気破壊
現象をモニターできる。
で、次にスイツチ１２を閉成して、パツケージ表
面１１ａの電荷を入出力端子１１ｂを通して放電
させ、その後、半導体装置１１が破壊を生じてい
るか例えば入出力リークチエツク法で確認するこ
とにより、前記静電気帯電物体による静電気破壊
現象をモニターできる。
ところで、半導体装置の誘電体パツケージは絶
縁体であるため、帯電させた場合、帯電分布をも
ち、抵抗体あるいは導体のように均一帯電分布と
はならない。第２図の第２の実施例は、この帯電
分布すなわち局部的帯電まで考慮して前記静電気
帯電物体による静電気破壊現象をモニターしよう
とするものである。
縁体であるため、帯電させた場合、帯電分布をも
ち、抵抗体あるいは導体のように均一帯電分布と
はならない。第２図の第２の実施例は、この帯電
分布すなわち局部的帯電まで考慮して前記静電気
帯電物体による静電気破壊現象をモニターしよう
とするものである。
そこで、この第２の実施例では、金属電極が第
１金属電極１０ｅと第２金属電極１０ｆからな
る。第１金属電極１０ｅは、パツケージ表面１０
ａの選択された部分と接触し、第２金属電極１０
ｆは残余の選択されたパツケージ表面１１ａと接
触する。また、第２金属電極１０ｆはGND電位
（直流電圧源１０ｂの基準電位）に接続されるも
のとする。一方、第１金属電極１０ｅにコンデン
サCXの一端が接続され、このコンデンサCXの他
端が直流電圧源１０ｂの電源側電位に接続される
ものとする。その他は第１の実施例と同一であ
り、同一部分には同一符号を付して説明を省略す
る。
１金属電極１０ｅと第２金属電極１０ｆからな
る。第１金属電極１０ｅは、パツケージ表面１０
ａの選択された部分と接触し、第２金属電極１０
ｆは残余の選択されたパツケージ表面１１ａと接
触する。また、第２金属電極１０ｆはGND電位
（直流電圧源１０ｂの基準電位）に接続されるも
のとする。一方、第１金属電極１０ｅにコンデン
サCXの一端が接続され、このコンデンサCXの他
端が直流電圧源１０ｂの電源側電位に接続される
ものとする。その他は第１の実施例と同一であ
り、同一部分には同一符号を付して説明を省略す
る。
この第２の実施例では、第１金属電極１０ｅが
接するパツケージ表面１１ａのみ局部的に、直流
電圧源１０ｂによりコンデンサCXを通して所定
電位に上昇できる。したがつて、局部的帯電を考
慮して静電気帯電物体による静電気破壊現象をモ
ニターできる。
接するパツケージ表面１１ａのみ局部的に、直流
電圧源１０ｂによりコンデンサCXを通して所定
電位に上昇できる。したがつて、局部的帯電を考
慮して静電気帯電物体による静電気破壊現象をモ
ニターできる。
なお、第２図において、ｔで示される間隔は第
１金属電極１０ｅと第２金属電極１０ｆの距離を
表し、この距離によつて電極間パツケージ表面１
１ａの電位勾配を決定する。ただし、第１金属電
極１０ｅと第２金属電極１０ｆの間で放電が発生
しないように、印加される電圧値に応じてｔの最
小値は設定されるものである。
１金属電極１０ｅと第２金属電極１０ｆの距離を
表し、この距離によつて電極間パツケージ表面１
１ａの電位勾配を決定する。ただし、第１金属電
極１０ｅと第２金属電極１０ｆの間で放電が発生
しないように、印加される電圧値に応じてｔの最
小値は設定されるものである。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明の方法に
よれば、直流電圧源をコンデンサを通して半導体
装置誘電体包囲容器表面の金属電極に接続するこ
とにより、半導体装置の近傍に存在する静電気帯
電物体によつて引き起される静電気破壊現象を正
確に試験することができる。しかも、金属電極を
第１金属電極と第２金属電極に分割して第１金属
電極にコンデンサを接続することにより、局部的
に帯電する場合すなわち帯電分布を有する場合を
も考慮して、前記静電気帯電物体による静電気破
壊現象を試験できる。
よれば、直流電圧源をコンデンサを通して半導体
装置誘電体包囲容器表面の金属電極に接続するこ
とにより、半導体装置の近傍に存在する静電気帯
電物体によつて引き起される静電気破壊現象を正
確に試験することができる。しかも、金属電極を
第１金属電極と第２金属電極に分割して第１金属
電極にコンデンサを接続することにより、局部的
に帯電する場合すなわち帯電分布を有する場合を
も考慮して、前記静電気帯電物体による静電気破
壊現象を試験できる。
第１図はこの発明の半導体装置の試験方法の第
１の実施例を示す構成図、第２図はこの発明の第
２の実施例を示す構成図、第３図は従来の方法を
示す構成図である。 １０……帯電手段、１０ａ……金属電極、１０
ｂ……直流電圧源、１０ｅ……第１金属電極、１
０ｆ……第２金属電極、１１……半導体装置、１
１ａ……パツケージ表面、１１ｂ……入出力端
子、１２……スイツチ、１３……等価インピーダ
ンス手段。
１の実施例を示す構成図、第２図はこの発明の第
２の実施例を示す構成図、第３図は従来の方法を
示す構成図である。 １０……帯電手段、１０ａ……金属電極、１０
ｂ……直流電圧源、１０ｅ……第１金属電極、１
０ｆ……第２金属電極、１１……半導体装置、１
１ａ……パツケージ表面、１１ｂ……入出力端
子、１２……スイツチ、１３……等価インピーダ
ンス手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被試験半導体装置の入力又は出力端子と基準
電位源との間にスイツチ手段と負荷手段を直列に
接続し、前記スイツチ手段を開路にした状態で前
記被試験半導体装置の誘電体包囲容器に所定の電
荷を帯電させた後、この帯電を付勢したまま前記
スイツチ手段を閉路することにより前記誘演体包
囲容器に蓄積された電荷を前記入力又は出力端子
を経由して放電させるようにした半導体装置の試
験方法において、 前記誘電体包囲容器に所定の電荷を帯電させる
手段は、前記誘電体包囲容器の一主表面ほぼ全域
と接触する金属電極と、直流電圧源と、一端が前
記金属電極に接続され、他端が前記直流電圧源の
電源電位側に接続されたコンデンサとからなるこ
とを特徴とする半導体装置の試験方法。 ２ 前記直流電圧源は可変電圧源であるこことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の試験方法。 ３ 被試験半導体装置の入力又は出力端子と基準
電位源との間にスイツチ手段と負荷手段を直列に
接続し、前記スイツチ手段を開路にした状態で前
記被試験半導体装置の誘電体包囲容器に所定の電
荷を帯電させた後、この帯電を付勢したまま前記
スイツチ手段を閉路することにより前記誘電体包
囲容器に蓄積された電荷を前記入力又は出力端子
を経由して放電させるようにした半導体装置の試
験方法において、 前記誘電体包囲容器に所定の電荷を帯電させる
手段は、前記誘電体包囲容器の選択された表面と
接触する第１金属電極と、残余の選択された表面
と接触し且つ前記第１金属電極と所定の間隔をも
つて配置された第２金属電極と、この第２金属電
極に基準電位側が接続された直流電圧源と、一端
が前記第１金属電極に他端が前記直流電圧源の電
源電位側に接続されたコンデンサとからなること
を特徴とする半導体装置の試験方法。 ４ 前記直流電圧源は可変電圧源であることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体装置
の試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056204A JPH01272984A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056204A JPH01272984A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の試験方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180838A Division JPS6073375A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272984A JPH01272984A (ja) | 1989-10-31 |
| JPH057663B2 true JPH057663B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=13020588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1056204A Granted JPH01272984A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 半導体装置の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272984A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096129A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 電位勾配測定装置及び電子デバイスプロセス評価装置 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1056204A patent/JPH01272984A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01272984A (ja) | 1989-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0146833B2 (ja) | ||
| US5523699A (en) | Method and apparatus for testing semiconductor device | |
| KR940002721B1 (ko) | 캐패시터 브레이크다운 전압을 자동적으로 측정하기 위한 장치 | |
| JPS62261974A (ja) | 半導体装置の試験方法及びその装置 | |
| JP2908240B2 (ja) | 電荷量の測定方法、静電エネルギーの測定方法及び電荷量測定装置 | |
| US6512362B1 (en) | Method and device for charging integrated circuits and structures with a pulsed heavy current | |
| US20010056340A1 (en) | CDM simulator for testing electrical devices | |
| JPH057663B2 (ja) | ||
| JP2836676B2 (ja) | 半導体要素の試験方法及び装置 | |
| US12203969B2 (en) | Electrostatic withstand voltage test device and electrostatic withstand voltage test method | |
| JP3892345B2 (ja) | 微小電流測定装置 | |
| JP2000046885A (ja) | 静電気破壊耐量試験装置 | |
| JPH0480349B2 (ja) | ||
| JP2593951Y2 (ja) | 静電気発生装置 | |
| JPH0798355A (ja) | 静電破壊試験方法及びその実施装置 | |
| JPH05668B2 (ja) | ||
| CN220231855U (zh) | 接触电流测试盒 | |
| JP2889264B2 (ja) | 四端子測定装置 | |
| JP2669887B2 (ja) | 静電耐圧試験装置 | |
| JPH0438302Y2 (ja) | ||
| JP2008057984A (ja) | 静電気試験装置及び静電気試験方法 | |
| Greason | Constant charge and constant potential models for electrostatic discharge (ESD) and the human body | |
| JP2023121874A (ja) | 絶縁試験装置 | |
| JPS6316278A (ja) | 半導体装置静電破壊試験回路 | |
| JPH058529Y2 (ja) |