JPH01273340A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01273340A JPH01273340A JP63103275A JP10327588A JPH01273340A JP H01273340 A JPH01273340 A JP H01273340A JP 63103275 A JP63103275 A JP 63103275A JP 10327588 A JP10327588 A JP 10327588A JP H01273340 A JPH01273340 A JP H01273340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- resin body
- sealed semiconductor
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in printed circuit boards [PCB], e.g. insert-mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第4図の一部
切欠断面図に示すように、素子載置部を有する内部リー
ド1の前記素子載置部に半導体チ%yプ2をマウント剤
3により搭載し、半導体チップ2の電極を内部リード1
以外の内部リード(図示せず)に金属線4で電気的に接
続し、内部り−ド1及び半導体チップ2を含んで樹脂体
5で成形封止と共に、樹脂体5及び内部リード1を貫通
して取付孔7を設けている。なお、樹脂封止型半導体装
置においては内部リード1の裏面の樹脂体5を0.5m
m以下に形成し、放熱板取付時の放熱効果を向上させて
いる。
切欠断面図に示すように、素子載置部を有する内部リー
ド1の前記素子載置部に半導体チ%yプ2をマウント剤
3により搭載し、半導体チップ2の電極を内部リード1
以外の内部リード(図示せず)に金属線4で電気的に接
続し、内部り−ド1及び半導体チップ2を含んで樹脂体
5で成形封止と共に、樹脂体5及び内部リード1を貫通
して取付孔7を設けている。なお、樹脂封止型半導体装
置においては内部リード1の裏面の樹脂体5を0.5m
m以下に形成し、放熱板取付時の放熱効果を向上させて
いる。
上述した樹脂封止型半導体装置は、使用時に半導体チッ
プの発熱が大きいため第5図に示すように内部リードの
裏面の樹脂体を放熱冷却板にねじ止めして圧着させるこ
とにより放熱効果を高め、半導体チップの温度上昇が樹
脂封止型半導体装置の保証温度を越えない様にしている
。
プの発熱が大きいため第5図に示すように内部リードの
裏面の樹脂体を放熱冷却板にねじ止めして圧着させるこ
とにより放熱効果を高め、半導体チップの温度上昇が樹
脂封止型半導体装置の保証温度を越えない様にしている
。
近年電子機器の軽薄短小化に伴ない、配線基板への電子
部品の高密度実装や、実装基板の薄形化が急速に進んで
おり、パワートランジスタ等の樹脂封止型半導体装置は
、実装部品の中でも、高さが一番高く、垂直に実装する
ことは好ましくない。そこで、印刷配線板基板に放熱冷
却板を直付けした上に半導体装置を寝かせ、ねじ止めす
るという方法が取られている。
部品の高密度実装や、実装基板の薄形化が急速に進んで
おり、パワートランジスタ等の樹脂封止型半導体装置は
、実装部品の中でも、高さが一番高く、垂直に実装する
ことは好ましくない。そこで、印刷配線板基板に放熱冷
却板を直付けした上に半導体装置を寝かせ、ねじ止めす
るという方法が取られている。
上述した、従来の樹脂封止型半導体装置は、上述の印刷
配線基板に寝かせる実装方法を実施しても、放熱冷却板
厚さの約2mmと樹脂封止型半導体装置の厚さの約5m
mを積重ねる結果基板上から約7mmが限界となり、今
後の実装基板の薄形化の要求に対応できないという欠点
がある。
配線基板に寝かせる実装方法を実施しても、放熱冷却板
厚さの約2mmと樹脂封止型半導体装置の厚さの約5m
mを積重ねる結果基板上から約7mmが限界となり、今
後の実装基板の薄形化の要求に対応できないという欠点
がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、素子載置部を有する
内部リードと、前記素子載置部上に搭載した半導体チッ
プと、前記半導体チップを含む前記内部リードを成形封
止した樹脂体と、前記樹脂体および前記内部リードを貫
通して設けた取付孔とを有する樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記取付孔を含む前記樹脂体底部に設けた段差
部を備えている。
内部リードと、前記素子載置部上に搭載した半導体チッ
プと、前記半導体チップを含む前記内部リードを成形封
止した樹脂体と、前記樹脂体および前記内部リードを貫
通して設けた取付孔とを有する樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記取付孔を含む前記樹脂体底部に設けた段差
部を備えている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を説明するための一部切
欠断面図である。
欠断面図である。
第1図に示すように、素子載置部を有する内部リード1
の前記素子載置部に半導体チップ2をマウント剤3を使
用して載置し、外部リード6に接続された内部リード1
以外の内部リード(図示せず)に半導体チップ2の電極
のそれぞれを金属線4で電気的に接続する。内部リード
1及び半導体チップ2を含んで樹脂体5により成形封止
し、且つ、樹脂封止体5と内部リード1を貫通した取付
孔7と取付孔7を含む樹脂体5の底部に印刷配線基板へ
の実装用の段差8を設ける。
の前記素子載置部に半導体チップ2をマウント剤3を使
用して載置し、外部リード6に接続された内部リード1
以外の内部リード(図示せず)に半導体チップ2の電極
のそれぞれを金属線4で電気的に接続する。内部リード
1及び半導体チップ2を含んで樹脂体5により成形封止
し、且つ、樹脂封止体5と内部リード1を貫通した取付
孔7と取付孔7を含む樹脂体5の底部に印刷配線基板へ
の実装用の段差8を設ける。
第2図は本発明の第1の実施例の樹脂封止型半導体装置
の実装状態を示す一部切欠断面図である。
の実装状態を示す一部切欠断面図である。
第2図に示すように、印刷配線基板9に設けた開孔部に
樹脂体5の底部を挿入して裏側から放熱板10をあてが
い印刷配線基板に設けたビス孔を通してビス11及びナ
ツト12により樹脂体5と印刷配線基板9と放熱板を締
め付け、前記開口部の樹脂体5の底面と放熱板10を圧
着させる。また、外部リード6は印刷配線基板9の配線
とはんだ13で電気的に接続する。
樹脂体5の底部を挿入して裏側から放熱板10をあてが
い印刷配線基板に設けたビス孔を通してビス11及びナ
ツト12により樹脂体5と印刷配線基板9と放熱板を締
め付け、前記開口部の樹脂体5の底面と放熱板10を圧
着させる。また、外部リード6は印刷配線基板9の配線
とはんだ13で電気的に接続する。
第3図は本発明の第2の実施例を説明するための一部切
欠断面図である。
欠断面図である。
第3図に示すように、樹脂体5の外部リード6の側の底
面に段差部14を設けた以外は第1の実施例と全く同じ
構成からなり、印刷配線基板に設けた開孔部に樹脂体5
の底部を挿入して放熱体と圧着させる際に、より確実に
保持されるという効果を有する。
面に段差部14を設けた以外は第1の実施例と全く同じ
構成からなり、印刷配線基板に設けた開孔部に樹脂体5
の底部を挿入して放熱体と圧着させる際に、より確実に
保持されるという効果を有する。
以上説明したように、本発明は、樹脂体裏面に印刷配線
基板の厚さと同等の段差を設けることにより、印刷配線
基板に設けた開孔部に樹脂体の底部を挿入して、放熱板
と圧着させることにより、実装高さを従来より3mm〜
4mm低くすることが可能となり、実装高さ4mm程度
にて樹脂封止型半導体装置の実装が実現できるという効
果がある。
基板の厚さと同等の段差を設けることにより、印刷配線
基板に設けた開孔部に樹脂体の底部を挿入して、放熱板
と圧着させることにより、実装高さを従来より3mm〜
4mm低くすることが可能となり、実装高さ4mm程度
にて樹脂封止型半導体装置の実装が実現できるという効
果がある。
第1図は本発明の第1の実施例を説明するための一部切
欠断面図、第2図は本発明の第1の実施例の樹脂封止型
半導体装置の実装状態を示す一部切欠断面図、第3図は
本発明の第2の実施例を説明するための一部切欠断面図
、第4図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を説明す
るための一部切欠断面図、第5図は従来の樹脂封止型半
導体装置の実装状態を示す一部切欠断面図である。 1・・・内部リード、2・・・半導体チップ、3・・・
マウント剤、4・・・金属線、5・・・樹脂体、6・・
・外部リード、7・・・取付孔、8・・・段差部、9・
・・印刷配線基板、10・・・放熱板、11・・・ビス
、12・・・ナツト、13・・・はんだ、14・・・段
差部。 県で冒−士内原 晋 第 1 7 カ 、3 図 第 4 図 1ン 第 5 図
欠断面図、第2図は本発明の第1の実施例の樹脂封止型
半導体装置の実装状態を示す一部切欠断面図、第3図は
本発明の第2の実施例を説明するための一部切欠断面図
、第4図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を説明す
るための一部切欠断面図、第5図は従来の樹脂封止型半
導体装置の実装状態を示す一部切欠断面図である。 1・・・内部リード、2・・・半導体チップ、3・・・
マウント剤、4・・・金属線、5・・・樹脂体、6・・
・外部リード、7・・・取付孔、8・・・段差部、9・
・・印刷配線基板、10・・・放熱板、11・・・ビス
、12・・・ナツト、13・・・はんだ、14・・・段
差部。 県で冒−士内原 晋 第 1 7 カ 、3 図 第 4 図 1ン 第 5 図
Claims (1)
- 素子載置部を有する内部リードと、前記素子載置部上
に搭載した半導体チップと、前記半導体チップを含む前
記内部リードを成形封止した樹脂体と、前記樹脂体およ
び前記内部リードを貫通して設けた取付孔とを有する樹
脂封止型半導体装置において、前記取付孔を含む前記樹
脂体底部に設けた段差部を備えたことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103275A JPH01273340A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103275A JPH01273340A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273340A true JPH01273340A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14349821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63103275A Pending JPH01273340A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009514A1 (en) * | 1992-10-19 | 1994-04-28 | International Rectifier Company (Great Britain) Ltd. | Electronics module |
| JP2007067021A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Asmo Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63103275A patent/JPH01273340A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009514A1 (en) * | 1992-10-19 | 1994-04-28 | International Rectifier Company (Great Britain) Ltd. | Electronics module |
| JP2007067021A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Asmo Co Ltd | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6869827B2 (en) | Semiconductor/printed circuit board assembly, and computer system | |
| KR100307465B1 (ko) | 파워모듈 | |
| US5384689A (en) | Integrated circuit chip including superimposed upper and lower printed circuit boards | |
| JP3432982B2 (ja) | 表面実装型半導体装置の製造方法 | |
| KR0135585B1 (ko) | 반도체 장치용 패키지 및 반도체 장치 | |
| US20020127771A1 (en) | Multiple die package | |
| KR20010034526A (ko) | 측면 높이가 낮은 볼 격자 배열 반도체 패키지 | |
| US20070284715A1 (en) | System-in-package device | |
| US4949220A (en) | Hybrid IC with heat sink | |
| EP0587294B1 (en) | Semiconductor package | |
| JPH11243175A (ja) | 複合半導体装置 | |
| JP2801810B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH01273340A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11220055A (ja) | Bga型半導体装置及び該装置に用いるスティフナー | |
| JP2612455B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板 | |
| JP2906673B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2663986B2 (ja) | 高集積度半導体装置 | |
| KR950014124B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2745940B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05267561A (ja) | 高速処理用電子部品搭載用基板 | |
| JPS62169450A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0476211B2 (ja) | ||
| JPS61177763A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2963548B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02164055A (ja) | 半導体装置 |