JPH01273690A - ロウ付け用材料 - Google Patents
ロウ付け用材料Info
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- JPH01273690A JPH01273690A JP10498788A JP10498788A JPH01273690A JP H01273690 A JPH01273690 A JP H01273690A JP 10498788 A JP10498788 A JP 10498788A JP 10498788 A JP10498788 A JP 10498788A JP H01273690 A JPH01273690 A JP H01273690A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はロウ付け用材料に関し、より詳細には電子部品
における外部リード端子のロウ付けに使用されるロウ材
の改良に関するものである。
における外部リード端子のロウ付けに使用されるロウ材
の改良に関するものである。
（従来技術及びその課題）
従来、銀７０〜９０重量％、銅１０〜３０重量％の合金
から成る銀ロウは接合部材にあまり制約を受けないこと
及び使用温度範囲（熔融温度範囲）が低いことから電子
部品、例えば半導体素子を収容する半導体素子収納用パ
ッケージや回路配線基板等における外部リード端子のロ
ウ付け用材料として多用されている。
から成る銀ロウは接合部材にあまり制約を受けないこと
及び使用温度範囲（熔融温度範囲）が低いことから電子
部品、例えば半導体素子を収容する半導体素子収納用パ
ッケージや回路配線基板等における外部リード端子のロ
ウ付け用材料として多用されている。
しかしながら、この従来の銀ロウはそのピンカース硬度
（Ｈν）が８２〜９０であり硬いことから熱膨張係数が
大きく相違する２つのもの、例えば半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージにおいてはムライ
ト質焼結体（熱膨張係数＝４．０〜４．５ Ｘｌ０−’
／ ”Ｃ） から成る絶縁容器と、コバール（鉄−ニッ
ケルーコバルト合金）や４２Ａ１１ｏｙ（ｉ−ニッケル
合金）等の鉄合金（熱膨張係数：１１．５〜１３．０Ｘ
１０−’／ ’Ｃ）から成る外部リード端子をロウ付け
する場合、そのロウ付け部に両者の熱膨張係数の相違に
起因する大きな応力が発生、内在しその結果、外部リー
ド端子に小さな外力が印加されても該外力は前記内在応
力と相俊って大となり、外部リード端子を絶縁容器より
剥離させてしまうという欠点を有していた。
（Ｈν）が８２〜９０であり硬いことから熱膨張係数が
大きく相違する２つのもの、例えば半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージにおいてはムライ
ト質焼結体（熱膨張係数＝４．０〜４．５ Ｘｌ０−’
／ ”Ｃ） から成る絶縁容器と、コバール（鉄−ニッ
ケルーコバルト合金）や４２Ａ１１ｏｙ（ｉ−ニッケル
合金）等の鉄合金（熱膨張係数：１１．５〜１３．０Ｘ
１０−’／ ’Ｃ）から成る外部リード端子をロウ付け
する場合、そのロウ付け部に両者の熱膨張係数の相違に
起因する大きな応力が発生、内在しその結果、外部リー
ド端子に小さな外力が印加されても該外力は前記内在応
力と相俊って大となり、外部リード端子を絶縁容器より
剥離させてしまうという欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明者等は上記欠点に迄みて従来のロウ付け用材料で
ある恨ロウの銅（Ｃｕ）に代わる銀（Ａｇ）との合金成
分について種々の実験を行った結果、インジウム（Ｉｎ
）、アンチモン（Ｓｂ）はロウ材の使用温度範囲を低下
させ、かつ接合部材との濡れ性を改良するとともにロウ
材の主成分であるｆｌｕ（Ａｇ）のマイグレーション（
移行）を有効に防止し、更にロウ材の硬度を低いものと
なし、熱膨張係数が大きく異なる２つの部材をロウ付け
する際、その両部材間に発生する応力をロウ材の変形に
より吸収除去させることによって両部材を強固に接合し
得ることを知見した。
ある恨ロウの銅（Ｃｕ）に代わる銀（Ａｇ）との合金成
分について種々の実験を行った結果、インジウム（Ｉｎ
）、アンチモン（Ｓｂ）はロウ材の使用温度範囲を低下
させ、かつ接合部材との濡れ性を改良するとともにロウ
材の主成分であるｆｌｕ（Ａｇ）のマイグレーション（
移行）を有効に防止し、更にロウ材の硬度を低いものと
なし、熱膨張係数が大きく異なる２つの部材をロウ付け
する際、その両部材間に発生する応力をロウ材の変形に
より吸収除去させることによって両部材を強固に接合し
得ることを知見した。
本発明は上記知見に基づき、使用温度範囲が低く、接合
部材に大きな制約を受けないという従来の恨ロウの利点
に加えて、熱膨張係数が大きく異なる２つの部材を強固
にロウ付けすることが可能な新規なロウ付け用材料を提
供することをその目的とするものである。
部材に大きな制約を受けないという従来の恨ロウの利点
に加えて、熱膨張係数が大きく異なる２つの部材を強固
にロウ付けすることが可能な新規なロウ付け用材料を提
供することをその目的とするものである。
本発明は外部リード端子を有する電子部品、具体的には
、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージや
ハイブリッドＩＣ用配線基板、コンデンサ、抵抗、マイ
クロスイッチ等の外部リード端子のロウ付け用材料とし
て好適に使用される。
、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージや
ハイブリッドＩＣ用配線基板、コンデンサ、抵抗、マイ
クロスイッチ等の外部リード端子のロウ付け用材料とし
て好適に使用される。
（課題を解決するための手段）
本発明のロウ付け用材料は銀にインジウム、アンチモン
の少なくとも１種を１．０乃至１５．０重量％含有させ
たことを特徴とするものである。
の少なくとも１種を１．０乃至１５．０重量％含有させ
たことを特徴とするものである。
本発明のロウ付け用材料においては添加されるインジウ
ム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）はロウ材の硬度及び使
用温度範囲を低下させ、かつ接合部材との濡れ性を良好
とするとともにロウ材の主成分であるｉｌｌ（Ａｇ）の
マイグレーション（移行）を防止するための成分であり
、その含有量が１．０重量％未満であると所望の前記性
質は付与されず、また１５．０重量％を越えるとロウ材
の硬度が高くなり、熱膨張係数が大きく相違する２つの
部材をロウ付けする際、両部材間に発生する応力をロウ
材が良好に吸収することができなくなってロウ付け強度
を大幅に低下させてしまうことからインジウム（Ｉｎ）
、アンチモン（Ｓｂ）はその含有量が１．０乃至１５．
０重量％の範囲に特定される。
ム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）はロウ材の硬度及び使
用温度範囲を低下させ、かつ接合部材との濡れ性を良好
とするとともにロウ材の主成分であるｉｌｌ（Ａｇ）の
マイグレーション（移行）を防止するための成分であり
、その含有量が１．０重量％未満であると所望の前記性
質は付与されず、また１５．０重量％を越えるとロウ材
の硬度が高くなり、熱膨張係数が大きく相違する２つの
部材をロウ付けする際、両部材間に発生する応力をロウ
材が良好に吸収することができなくなってロウ付け強度
を大幅に低下させてしまうことからインジウム（Ｉｎ）
、アンチモン（Ｓｂ）はその含有量が１．０乃至１５．
０重量％の範囲に特定される。
（実施例）
次に本発明を実施例に基づいて説明する。
まず出発原料として銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）及
びアンチモン（Ｓｂ）を第１表に示す組成となるように
秤量し、これを加熱溶融してｉｌ （Ａｇ）とインジウ
ム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）を合金化させ、所求の
形状に加工してコラ材試料を得る。
びアンチモン（Ｓｂ）を第１表に示す組成となるように
秤量し、これを加熱溶融してｉｌ （Ａｇ）とインジウ
ム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）を合金化させ、所求の
形状に加工してコラ材試料を得る。
尚、試料番号１４は本発明品と比較するための比較試料
であり、従来一般に使用されている銀ロウ（銀ニア２重
量％、ｆｌ：２８重量％）である。
であり、従来一般に使用されている銀ロウ（銀ニア２重
量％、ｆｌ：２８重量％）である。
次に、得られた各ロウ材試料を使用し、ムライト質焼結
体く熱膨張係数＝４．０〜４．５ ｘｌＯ−’／ ’ｃ
）から成る基板の表面に設けた５ｍｍ ｘ ２ｍｍ（面
積１０ｍｍ”）のタングステンメタライズ金属層２０個
に、幅０．４ｍｍ 、長さ２０ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍ
のコバール（熱膨張係数：１１．５〜１３．ＯＸ １０
−ｈ／ ℃）から成る外部リード端子の一端を約９００
℃の温度でロウ付けし、そのロウ付け状態を顕微鏡によ
り観察するとともに外部リード端子のロウ付け部と反対
の一端にロウ付け面に対し垂直方向の外力を加えて引っ
張り外部リード端子がムライト質焼結体から成る基板よ
り剥がれた個数を調べた。
体く熱膨張係数＝４．０〜４．５ ｘｌＯ−’／ ’ｃ
）から成る基板の表面に設けた５ｍｍ ｘ ２ｍｍ（面
積１０ｍｍ”）のタングステンメタライズ金属層２０個
に、幅０．４ｍｍ 、長さ２０ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍ
のコバール（熱膨張係数：１１．５〜１３．ＯＸ １０
−ｈ／ ℃）から成る外部リード端子の一端を約９００
℃の温度でロウ付けし、そのロウ付け状態を顕微鏡によ
り観察するとともに外部リード端子のロウ付け部と反対
の一端にロウ付け面に対し垂直方向の外力を加えて引っ
張り外部リード端子がムライト質焼結体から成る基板よ
り剥がれた個数を調べた。
なお、前記外部リード端子のロウ付け面積は幅０．４ｍ
ｍ 、長さ２．５ｍｍの１．０ｍｍ”となし、ムライト
質焼結体から成る基板に設けたタングステンメタライズ
金属層及び外部リード端子の外表面にはそれぞれニッケ
ル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）がめっきにより層着させであ
る。
ｍ 、長さ２．５ｍｍの１．０ｍｍ”となし、ムライト
質焼結体から成る基板に設けたタングステンメタライズ
金属層及び外部リード端子の外表面にはそれぞれニッケ
ル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）がめっきにより層着させであ
る。
上記の結果を第１表に示す。
（以下、余白）
上記実験結果より明らかな如く、従来の銀ロウ（試料番
号１４）はその硬度（ビッカース硬度）が８２であり硬
いことから熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロ
ウ付けした場合、ロウ付け後に一方の部材に３Ｋｇの力
が印加されると両部材は全て剥離してしまい、ロウ材の
ロウ付け強度が極めて低いものであるのに対し、本発明
のロウ付け用材料はその硬度（ビッカース硬度）が６７
以下であり軟らかいことからロウ付け後、一方の部材に
４Ｋｇの力の外力が印加されたとしても両部材は剥離す
ることが一切なく、ロウ材のロウ付け強度が極めて高い
ことが判る。
号１４）はその硬度（ビッカース硬度）が８２であり硬
いことから熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロ
ウ付けした場合、ロウ付け後に一方の部材に３Ｋｇの力
が印加されると両部材は全て剥離してしまい、ロウ材の
ロウ付け強度が極めて低いものであるのに対し、本発明
のロウ付け用材料はその硬度（ビッカース硬度）が６７
以下であり軟らかいことからロウ付け後、一方の部材に
４Ｋｇの力の外力が印加されたとしても両部材は剥離す
ることが一切なく、ロウ材のロウ付け強度が極めて高い
ことが判る。
次に前記各ロウ材試料における恨のマイグレーション（
移行）につき以下に示す加速度試験により調べる。
移行）につき以下に示す加速度試験により調べる。
調べる方法としては、まずムライト質焼結体から成る基
板上に幅２．７ｍｍ 、長さ２０ｍｍの矩形状のメタラ
イズ金属層一対をその先端部が０．７ｍｍの間隔をもっ
て対向するよう被着形成するとともに該メタライズ金属
層の外表面全面に第１表に示す各ロウ材試料を約９００
度の温度で加熱熔融させて被着する。
板上に幅２．７ｍｍ 、長さ２０ｍｍの矩形状のメタラ
イズ金属層一対をその先端部が０．７ｍｍの間隔をもっ
て対向するよう被着形成するとともに該メタライズ金属
層の外表面全面に第１表に示す各ロウ材試料を約９００
度の温度で加熱熔融させて被着する。
そして次に前記各ロウ材試料が被着された一対のメタラ
イズ金属層間に５０μβの純水を滴下させるとともに直
流１０ｖの電圧を印加し、各ロウ材試料より銀を加速度
的に移行させ、該恨の移行により両メタライズ金属層が
短絡状態となるまでの時間を求めるとともにその時間の
長さを各ロウ材試料の耐マイグレーションの評価とした
。
イズ金属層間に５０μβの純水を滴下させるとともに直
流１０ｖの電圧を印加し、各ロウ材試料より銀を加速度
的に移行させ、該恨の移行により両メタライズ金属層が
短絡状態となるまでの時間を求めるとともにその時間の
長さを各ロウ材試料の耐マイグレーションの評価とした
。
尚、前記ムライト質焼結体上に設けられたメタライズ金
属層はタングステンにより形成し、かつメタライズ金属
層の表面にはニッケ月べＮｉ）をめっきにより層着させ
ておいた。
属層はタングステンにより形成し、かつメタライズ金属
層の表面にはニッケ月べＮｉ）をめっきにより層着させ
ておいた。
上記の結果を第２表に示す。
（以下、余白）
第２表
＊印を付した試料番号のものは本発明の範囲外のもので
ある 上記実験結果からも明らかな如く、銀（Ａｇ）に含有さ
せるインジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）の量が少
ない場合、ロウ付け用材料中に含まれる銀（Ａｇ）のマ
イグレーション（移行）が早く、短時間でメタライズ金
属層間が短絡してしまうのに対し、インジウム（Ｉｎ）
、アンチモン（Ｓｂ）の含有量を１．０乃至１５．０重
量％とじた本発明のもの（試料番号３乃至１２）は従来
の銀ロウと同様、銀（Ａｇ）のマイグレーション（移行
）が遅く、近接する２つのメタライズ金属層間の絶縁を
長時間に亘り維持することができる。
ある 上記実験結果からも明らかな如く、銀（Ａｇ）に含有さ
せるインジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）の量が少
ない場合、ロウ付け用材料中に含まれる銀（Ａｇ）のマ
イグレーション（移行）が早く、短時間でメタライズ金
属層間が短絡してしまうのに対し、インジウム（Ｉｎ）
、アンチモン（Ｓｂ）の含有量を１．０乃至１５．０重
量％とじた本発明のもの（試料番号３乃至１２）は従来
の銀ロウと同様、銀（Ａｇ）のマイグレーション（移行
）が遅く、近接する２つのメタライズ金属層間の絶縁を
長時間に亘り維持することができる。
（発明の効果）
以上の通り、本発明のロウ付け用材料によれば銀（Ａｇ
）にインジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）のすくな
くとも１種を１．０乃至１５．０重量％含有させたこと
がらロウ付け用材料自身め硬度を低いものとなすことが
でき、該ロウ付け用材料を用いて熱膨張係数が大きく相
違する２つの部材をロウ付けした場合、両部材間に発生
する応力は前記軟質なロウ付け用材料を変形させるごと
によって吸収除去され、その結果、両部材を極めて強固
にロウ付けすることが可能となる。
）にインジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）のすくな
くとも１種を１．０乃至１５．０重量％含有させたこと
がらロウ付け用材料自身め硬度を低いものとなすことが
でき、該ロウ付け用材料を用いて熱膨張係数が大きく相
違する２つの部材をロウ付けした場合、両部材間に発生
する応力は前記軟質なロウ付け用材料を変形させるごと
によって吸収除去され、その結果、両部材を極めて強固
にロウ付けすることが可能となる。
また本発明のロウ付け用材料は接合部材と濡れ性及び耐
マイグレーションも優れており、従来の銀ロウと同様、
外部リード端子が多数近接してロウ付けされてなる電子
部品の外部リード端子ロウ付け用材料として好適に使用
することも可能となる。
マイグレーションも優れており、従来の銀ロウと同様、
外部リード端子が多数近接してロウ付けされてなる電子
部品の外部リード端子ロウ付け用材料として好適に使用
することも可能となる。
Claims (1)
- 銀にインジウム、アンチモンの少なくとも１種を１．０
乃至１５．０重量％含有させたことを特徴とするロウ付
け用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63104987A JP2627532B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | ロウ付け用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63104987A JP2627532B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | ロウ付け用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273690A true JPH01273690A (ja) | 1989-11-01 |
| JP2627532B2 JP2627532B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=14395444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63104987A Expired - Fee Related JP2627532B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | ロウ付け用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2627532B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012176407A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜およびその製造方法並びにこれに用いるスパッタリングターゲット |
| JP2014157821A (ja) * | 2011-06-24 | 2014-08-28 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜およびこれを形成するために用いるスパッタリングターゲット |
| WO2015005455A1 (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 半透明Ａｇ合金膜、および、半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット |
| CN106319276A (zh) * | 2015-06-25 | 2017-01-11 | 王仁宏 | 一种银合金材料及其制备工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4972159A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-07-12 | ||
| JPS595065A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-11 | トヨタ自動車株式会社 | 表皮材と基材の一体成形加工法 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP63104987A patent/JP2627532B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4972159A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-07-12 | ||
| JPS595065A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-11 | トヨタ自動車株式会社 | 表皮材と基材の一体成形加工法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012176407A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜およびその製造方法並びにこれに用いるスパッタリングターゲット |
| CN103548421A (zh) * | 2011-06-24 | 2014-01-29 | 三菱综合材料株式会社 | 导电性膜及其制造方法以及用于该制造方法的溅射靶 |
| JP2014157821A (ja) * | 2011-06-24 | 2014-08-28 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜およびこれを形成するために用いるスパッタリングターゲット |
| KR101453712B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2014-10-22 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 도전성 막, 그의 제조 방법, 및 이것에 사용되는 스퍼터링 타겟 |
| WO2015005455A1 (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 半透明Ａｇ合金膜、および、半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2015035419A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-02-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 半透明Ａｇ合金膜、および、半透明Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット |
| CN106319276A (zh) * | 2015-06-25 | 2017-01-11 | 王仁宏 | 一种银合金材料及其制备工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2627532B2 (ja) | 1997-07-09 |
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