JPH0127404B2 - - Google Patents
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- JPH0127404B2 JPH0127404B2 JP58178479A JP17847983A JPH0127404B2 JP H0127404 B2 JPH0127404 B2 JP H0127404B2 JP 58178479 A JP58178479 A JP 58178479A JP 17847983 A JP17847983 A JP 17847983A JP H0127404 B2 JPH0127404 B2 JP H0127404B2
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- JP
- Japan
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- level
- light
- output
- capacitor
- laser beam
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- Laser Beam Printer (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(A) 発明の技術分野
本発明はレーザ光のレベル制御方式に係り、特
に、レーザ光のレベルをアナログ量の制御信号に
より一定の大きさになるように制御するレーザ光
のレベル制御方式に関するものである。
に、レーザ光のレベルをアナログ量の制御信号に
より一定の大きさになるように制御するレーザ光
のレベル制御方式に関するものである。
(B) 技術の背景
例えばデータ処理装置のプリンタ等に使用され
るレーザ装置では、プリンタにおける印字濃度を
一定にするためにレーザ光のレベルを一定の大き
さに制御する必要がある。
るレーザ装置では、プリンタにおける印字濃度を
一定にするためにレーザ光のレベルを一定の大き
さに制御する必要がある。
(C) 従来技術と問題点
第１図は先に本出願人が特願昭56−18345号に
おいて提案した、レーザ光のレベル制御方式を示
すブロツク構成図である。同図において、１はレ
ーザ発振器、２は光変調素子（AOM）、３は回
転ミラー、４は光検知回路、５は下限コンパレー
タ回路、６は上限コンパレータ回路、７，８はそ
れぞれラツチ・ドライバ回路、９はドライブ回
路、１０はAOMドライバ、QA，QBはトランジス
タ、CAはコンデンサである。
おいて提案した、レーザ光のレベル制御方式を示
すブロツク構成図である。同図において、１はレ
ーザ発振器、２は光変調素子（AOM）、３は回
転ミラー、４は光検知回路、５は下限コンパレー
タ回路、６は上限コンパレータ回路、７，８はそ
れぞれラツチ・ドライバ回路、９はドライブ回
路、１０はAOMドライバ、QA，QBはトランジス
タ、CAはコンデンサである。
レーザ発振器１から発振したレーザ光（強さ
Ｐ）を光変調素子（AOM）２により記録情報に
応じて変調し、これを回転ミラー３により例えば
静電ドラムの如き受光面Ｄに照射する。
Ｐ）を光変調素子（AOM）２により記録情報に
応じて変調し、これを回転ミラー３により例えば
静電ドラムの如き受光面Ｄに照射する。
そして、静電ドラム上に記録情報に応じた静電
潜像を形成し公知の電子写真方式にて印刷を行
う。
潜像を形成し公知の電子写真方式にて印刷を行
う。
第２図に示す如くレーザ光の走査範囲は静電ド
ラム上の受光面Ｄの幅X1〜X2を超えて、X0〜X3
の範囲を走査する。そして例えばX0〜X1の範囲
に光学センサ４′を設け、レーザ光のレベルを印
刷に先立つて検出する。即ち、回転ミラー３から
の反射光の一部を光学センサ４′（光検知回路４）
で受光してレーザ光のレベルに比例したアナログ
信号（電圧値）に変換する。
ラム上の受光面Ｄの幅X1〜X2を超えて、X0〜X3
の範囲を走査する。そして例えばX0〜X1の範囲
に光学センサ４′を設け、レーザ光のレベルを印
刷に先立つて検出する。即ち、回転ミラー３から
の反射光の一部を光学センサ４′（光検知回路４）
で受光してレーザ光のレベルに比例したアナログ
信号（電圧値）に変換する。
下限コンパレータ回路５は光検知回路４で検出
されたレーザ光のレベルが第３図に示す下限値Ll
に達しなかつた場合に出力を発生する回路であ
り、この下限値Llに達したか否かを比較するため
の下限基準電圧E1が印加されている。そしてレ
ーザ光のレベルが下限値Llに達しないとき下限コ
ンパレータ回路５はこれを検出して出力を生じ、
後段のラツチ・ドライバ回路７により次の光レベ
ル信号信号が光検知回路４よりくるまでトランジ
スタQAをオンにする。
されたレーザ光のレベルが第３図に示す下限値Ll
に達しなかつた場合に出力を発生する回路であ
り、この下限値Llに達したか否かを比較するため
の下限基準電圧E1が印加されている。そしてレ
ーザ光のレベルが下限値Llに達しないとき下限コ
ンパレータ回路５はこれを検出して出力を生じ、
後段のラツチ・ドライバ回路７により次の光レベ
ル信号信号が光検知回路４よりくるまでトランジ
スタQAをオンにする。
上限コンパレータ回路６は光検知回路４で検出
したレーザ光のレベルが、第３図に示す上限値
Luを越えたときに出力を発生する回路であり、
この上限値Luに達したか否かを比較するための
上限値基準電圧E2が印加されている。そしてレ
ーザ光のレベルが上限値Luを越えたとき上限コ
ンパレータ回路６はこれを検出して出力を生じ、
後段のラツチ・ドライバ回路８により次の出力レ
ベル信号がくるまでトランジスタQBをオンにす
る。
したレーザ光のレベルが、第３図に示す上限値
Luを越えたときに出力を発生する回路であり、
この上限値Luに達したか否かを比較するための
上限値基準電圧E2が印加されている。そしてレ
ーザ光のレベルが上限値Luを越えたとき上限コ
ンパレータ回路６はこれを検出して出力を生じ、
後段のラツチ・ドライバ回路８により次の出力レ
ベル信号がくるまでトランジスタQBをオンにす
る。
ラツチ・ドライバ回路７，８は下限コンパレー
タ回路５および上限コンパレータ回路６により制
御されるものであつて、それぞれトランジスタ
QA，QBをオン・オフ制御するものであり、ラツ
チとドライバにより構成されている。ドライブ回
路９は、コンデンサCAの端子電圧VAに応じた信
号を発生するものである。
タ回路５および上限コンパレータ回路６により制
御されるものであつて、それぞれトランジスタ
QA，QBをオン・オフ制御するものであり、ラツ
チとドライバにより構成されている。ドライブ回
路９は、コンデンサCAの端子電圧VAに応じた信
号を発生するものである。
AOMドライバ１０は光変調素子２の変調効率
ηを制御する制御信号を発生するものであつて、
印字ドツト信号が印加されているときにドライバ
回路９から伝達されるコンデンサCAの端子電圧
に応じた制御信号を発生するものである。
ηを制御する制御信号を発生するものであつて、
印字ドツト信号が印加されているときにドライバ
回路９から伝達されるコンデンサCAの端子電圧
に応じた制御信号を発生するものである。
コンデンサCAはトランジスタQAがオンのとき
に抵抗RAを介して電圧Vccにより充電されトラ
ンジスタQBがオンのときに抵抗RBを介して放電
するものである。そしてこのコンデンサCAの充
電および放電の時定数を印字ドツト信号の１スキ
ヤン周期より充分大きくなるように抵抗RA，RB
およびコンデンサCAの値を適当に選択する。
に抵抗RAを介して電圧Vccにより充電されトラ
ンジスタQBがオンのときに抵抗RBを介して放電
するものである。そしてこのコンデンサCAの充
電および放電の時定数を印字ドツト信号の１スキ
ヤン周期より充分大きくなるように抵抗RA，RB
およびコンデンサCAの値を適当に選択する。
いま第１図において、光変調素子２により変調
されたレーザ光が回転ミラー３により反射されて
静電ドラムの如き受光面Ｄを走査するに先立ち光
検知回路４に検出される。このとき光検知回路４
はレーザ光を検出している間、第３図のT0〜T1
に示すように、このレーザ光のレベルに応じたレ
ベル信号を出力する。そしてこの光レベル信号を
下限コンパレータ回路５および上限コンパレータ
回路６に出力する。このとき、光検知回路４にて
検出されたレーザ光のレベルがその下限値Llより
も低い場合には、そのレベル信号は下限基準電圧
E1よりも低いので、下限コンパレータ回路５か
ら出力が生じこれにより時刻T1にラツチ・ドラ
イバ回路７は出力「１」を発生する。これにより
トランジスタQAはオンになり、コンデンサCAは
抵抗RAを介して電圧Vccにより充電される。こ
の結果、コンデンサCAの端子電圧VAは、第３図
に示す如く除々に上昇する。この端子電圧VAの
上昇によりドライブ回路９の出力信号も除々に上
昇し、これに応じてAOMドライバ１０の制御信
号も変化してその光変調素子２の変調効率ηを大
きくなるように変化させ、受光面Ｄにおけるレー
ザ光のレベルP0・ηが強くなるような制御を行
なう。かくして受光面Ｄにおけるレーザ光の強度
を大きくすることになる。
されたレーザ光が回転ミラー３により反射されて
静電ドラムの如き受光面Ｄを走査するに先立ち光
検知回路４に検出される。このとき光検知回路４
はレーザ光を検出している間、第３図のT0〜T1
に示すように、このレーザ光のレベルに応じたレ
ベル信号を出力する。そしてこの光レベル信号を
下限コンパレータ回路５および上限コンパレータ
回路６に出力する。このとき、光検知回路４にて
検出されたレーザ光のレベルがその下限値Llより
も低い場合には、そのレベル信号は下限基準電圧
E1よりも低いので、下限コンパレータ回路５か
ら出力が生じこれにより時刻T1にラツチ・ドラ
イバ回路７は出力「１」を発生する。これにより
トランジスタQAはオンになり、コンデンサCAは
抵抗RAを介して電圧Vccにより充電される。こ
の結果、コンデンサCAの端子電圧VAは、第３図
に示す如く除々に上昇する。この端子電圧VAの
上昇によりドライブ回路９の出力信号も除々に上
昇し、これに応じてAOMドライバ１０の制御信
号も変化してその光変調素子２の変調効率ηを大
きくなるように変化させ、受光面Ｄにおけるレー
ザ光のレベルP0・ηが強くなるような制御を行
なう。かくして受光面Ｄにおけるレーザ光の強度
を大きくすることになる。
そして受光面Ｄにおける次の走査に先立ち、時
刻Ｔ〜Ｔに示すように、光検知回路４にて検出さ
れたレーザ光のレベルがいまだその下限値Llより
も低い場合には、下限コンパレータ回路５から再
び出力が生じ、ラツチ・ドライバ回路７は引続い
て出力「１」を発生し、トランジスタQAはオン
状態を持続する。かくしてコンデンサCAの端子
電圧VAは上昇し、これに応じてAOMドライバ１
０の制御信号も変化して光変調素子２の変調効率
ηを更に変化させ、受光面Ｄに照射するレーザ光
のレベルをさらに大きくする。
刻Ｔ〜Ｔに示すように、光検知回路４にて検出さ
れたレーザ光のレベルがいまだその下限値Llより
も低い場合には、下限コンパレータ回路５から再
び出力が生じ、ラツチ・ドライバ回路７は引続い
て出力「１」を発生し、トランジスタQAはオン
状態を持続する。かくしてコンデンサCAの端子
電圧VAは上昇し、これに応じてAOMドライバ１
０の制御信号も変化して光変調素子２の変調効率
ηを更に変化させ、受光面Ｄに照射するレーザ光
のレベルをさらに大きくする。
かくしてさらに次の走査に先立ち、時刻T4〜
T5に示すように、光検知回路４にて検出された
レーザ光のレベルがその上限値Luよりも大の場
合には、今度は上限コンパレータ回路６から出力
が生じてラツチ・ドライバ回路８が「１」を出力
する。勿論このときレーザ光のレベルがその下限
値Llよりも大のために下限コンパレータ回路５か
らの出力は発生しない。したがつて上記の如くラ
ツチ・ドライバ回路８の出力「１」により今度は
トランジスタQBがオンとなり、コンデンサCAは
抵抗RBを介して放電されることになる。その結
果コンデンサCAの端子電圧VAは除々に低下する
ので、これに応じて受光面Ｄに照射されるレーザ
光の強度も除々に低下することになる。
T5に示すように、光検知回路４にて検出された
レーザ光のレベルがその上限値Luよりも大の場
合には、今度は上限コンパレータ回路６から出力
が生じてラツチ・ドライバ回路８が「１」を出力
する。勿論このときレーザ光のレベルがその下限
値Llよりも大のために下限コンパレータ回路５か
らの出力は発生しない。したがつて上記の如くラ
ツチ・ドライバ回路８の出力「１」により今度は
トランジスタQBがオンとなり、コンデンサCAは
抵抗RBを介して放電されることになる。その結
果コンデンサCAの端子電圧VAは除々に低下する
ので、これに応じて受光面Ｄに照射されるレーザ
光の強度も除々に低下することになる。
しかし時刻T6〜T7において光検知回路４がレ
ーザ光のレベルを検出したときそのレーザ光のレ
ベルはその上限値Luよりも大きいので、上限コ
ンパレータ回路６から出力が生じ、ラツチ・ドラ
イバ回路８は継続して「１」を出力する。このた
めトランジスタQBはオン状態を持続し、コンデ
ンサCAは引続き放電され、その端子電圧VAはこ
れまた引続き除々に低下し、これに応じて受光面
Ｄにおけるレーザ光の強度も低下する。そして時
刻T8〜T9にて光検知回路４が検出したレーザ光
のレベルがその下限値Llよりも低ければ、ラツ
チ・ドライバ回路８は「１」を出力せずラツチ・
ドライバ回路７が「１」を出力するので、再びト
ランジスタQAがオンになりコンデンサCAは再び
充電されることになる。以上の如き動作をくり返
し、コンデンサCAの端子電圧VAがある最適値に
達し、時刻T0〜Toのように光検知回路４により
検出されたレーザ光のレベルがその上限値Luと
下限値Llの間に存在する場合には下限コンパレー
タ回路５および上限コンパレータ回路６はいずれ
も出力を生ぜず、ラツチ・ドライバ回路７，８は
いずれも「１」を出力しないので、トランジスタ
QA，QBはそれぞれオフとなる。
ーザ光のレベルを検出したときそのレーザ光のレ
ベルはその上限値Luよりも大きいので、上限コ
ンパレータ回路６から出力が生じ、ラツチ・ドラ
イバ回路８は継続して「１」を出力する。このた
めトランジスタQBはオン状態を持続し、コンデ
ンサCAは引続き放電され、その端子電圧VAはこ
れまた引続き除々に低下し、これに応じて受光面
Ｄにおけるレーザ光の強度も低下する。そして時
刻T8〜T9にて光検知回路４が検出したレーザ光
のレベルがその下限値Llよりも低ければ、ラツ
チ・ドライバ回路８は「１」を出力せずラツチ・
ドライバ回路７が「１」を出力するので、再びト
ランジスタQAがオンになりコンデンサCAは再び
充電されることになる。以上の如き動作をくり返
し、コンデンサCAの端子電圧VAがある最適値に
達し、時刻T0〜Toのように光検知回路４により
検出されたレーザ光のレベルがその上限値Luと
下限値Llの間に存在する場合には下限コンパレー
タ回路５および上限コンパレータ回路６はいずれ
も出力を生ぜず、ラツチ・ドライバ回路７，８は
いずれも「１」を出力しないので、トランジスタ
QA，QBはそれぞれオフとなる。
この結果コンデンサCAは充電されることも放
電されることもないのでコンデンサCAの端子電
圧VAは一定の値に保持され、光変調素子２の変
調効率ηもこれに応じて一定になる。かくして受
光面Ｄにおけるレーザ光の強度P0・ηを一定の
値に保持することができる。
電されることもないのでコンデンサCAの端子電
圧VAは一定の値に保持され、光変調素子２の変
調効率ηもこれに応じて一定になる。かくして受
光面Ｄにおけるレーザ光の強度P0・ηを一定の
値に保持することができる。
しかしながら、上記のようなレーザ光のレベル
制御方式では、光変調素子２の変調効率ηと、光
変調素子２の駆動電力RRF（AOMドライバ１０の
出力電力）との関係を考慮していない。即ち変調
効率ηと駆動電力PRFの関係は、第４図の如く、
特定の駆動電力P′RFにおいて最大の変調効率ηpを
取り、それ以後は変調効率ηは減少する関係にあ
る。従つて単に受光面上でのレーザ光のレベルが
下限値Llより低下したというだけで、AOMドラ
イバ１０の出力電力PRFを増加させて、レーザ光
のレベルを大きくしようとすると、PRF＞P′RFの
状態では変調効率ηは減少傾向にあり、駆動電力
を増加すればするほど変調効率ηが減少して、レ
ーザ光のレベルも減少するため、制御系が発振し
てしまう恐れがある。このような状態は例へばレ
ーザ発振器１が経年変化でその出力レベル自体が
低下した場合に生じると考えられる。
制御方式では、光変調素子２の変調効率ηと、光
変調素子２の駆動電力RRF（AOMドライバ１０の
出力電力）との関係を考慮していない。即ち変調
効率ηと駆動電力PRFの関係は、第４図の如く、
特定の駆動電力P′RFにおいて最大の変調効率ηpを
取り、それ以後は変調効率ηは減少する関係にあ
る。従つて単に受光面上でのレーザ光のレベルが
下限値Llより低下したというだけで、AOMドラ
イバ１０の出力電力PRFを増加させて、レーザ光
のレベルを大きくしようとすると、PRF＞P′RFの
状態では変調効率ηは減少傾向にあり、駆動電力
を増加すればするほど変調効率ηが減少して、レ
ーザ光のレベルも減少するため、制御系が発振し
てしまう恐れがある。このような状態は例へばレ
ーザ発振器１が経年変化でその出力レベル自体が
低下した場合に生じると考えられる。
また、第１図のような回路では、比較器及びラ
ツチドライバがそれぞれ２組必要であり回路構成
としては複雑になるという欠点がある。
ツチドライバがそれぞれ２組必要であり回路構成
としては複雑になるという欠点がある。
(D) 発明の目的
本発明の目的は、光変調素子の変調効率ηとそ
の駆動電力との関係に着目して制御系が発振しな
い安定な動作を行うレーザ光のレベル制御方式を
提供することにある。
の駆動電力との関係に着目して制御系が発振しな
い安定な動作を行うレーザ光のレベル制御方式を
提供することにある。
また本発明の別の目的は、より回路構成を簡略
化できるレーザ光のレベル制御方式を提供するこ
とにある。
化できるレーザ光のレベル制御方式を提供するこ
とにある。
(E) 発明の構成
そして、この発明の目的はレーザ光発生手段
と、レーザ光を記録情報に応じて変調し駆動入力
に応じた変調効率でレーザ光のレベルを変化させ
る光変調手段と、レーザ光を情報を記録するため
の感光体上に所定周期ごとに走査する走査手段と
を備えた電子写真式プリンタ装置において、前記
感光体への走査に先立つて所定周期毎にレーザ光
のレベルを検知する光検知手段と、該光検知手段
の出力と所定のレーザ光のレベルとを比較する比
較手段と、該光検知手段の出力で第１の状態とな
り該比較手段の出力により第２の状態となるフリ
ツプフロツプと、該フリツプフロツプの状態によ
つてコンデンサを充放電する充放電手段と、該コ
ンデンサの端子電圧に応じた駆動入力を該光変調
手段に与えるドライバーとを備え、該光検知手段
の所定周期毎の出力によつて該フリツプフロツプ
を第１の状態にして該コンデンサを充電し、該比
較手段は該光検知手段の出力が該所定レーザ光の
レベルを越えたことにより該フリツプフロツプを
第２の状態にして該コンデンサを放電して、該ド
ライバーの該光変調素子への駆動入力を増減する
ことにより該変調効率を増減してレーザ光のレベ
ルを制御することを特徴とするレーザ光のレベル
制御方式を提供することによつて達成される。
と、レーザ光を記録情報に応じて変調し駆動入力
に応じた変調効率でレーザ光のレベルを変化させ
る光変調手段と、レーザ光を情報を記録するため
の感光体上に所定周期ごとに走査する走査手段と
を備えた電子写真式プリンタ装置において、前記
感光体への走査に先立つて所定周期毎にレーザ光
のレベルを検知する光検知手段と、該光検知手段
の出力と所定のレーザ光のレベルとを比較する比
較手段と、該光検知手段の出力で第１の状態とな
り該比較手段の出力により第２の状態となるフリ
ツプフロツプと、該フリツプフロツプの状態によ
つてコンデンサを充放電する充放電手段と、該コ
ンデンサの端子電圧に応じた駆動入力を該光変調
手段に与えるドライバーとを備え、該光検知手段
の所定周期毎の出力によつて該フリツプフロツプ
を第１の状態にして該コンデンサを充電し、該比
較手段は該光検知手段の出力が該所定レーザ光の
レベルを越えたことにより該フリツプフロツプを
第２の状態にして該コンデンサを放電して、該ド
ライバーの該光変調素子への駆動入力を増減する
ことにより該変調効率を増減してレーザ光のレベ
ルを制御することを特徴とするレーザ光のレベル
制御方式を提供することによつて達成される。
(F) 発明の実施例
以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細に
説明する。第５図は本発明によるレーザ光のレベ
ル制御方式の一実施例を示すブロツク構成図であ
る。同図において第１図と同一部分は同一番号、
記号で表わしている。１１はロジツク信号変換回
路、１２はコンパレータ、１３は立下り検知回
路、１４は立上り検知回路、１５はJKフリツプ
フロツプ、１６，１７はOR回路、１８は高イン
ピーダンス回路、１９は増幅器、２０はコンパレ
ータ、２１はAOMドライバ、２２は増幅器、２
３はミキサ回路、２４は発振器である。
説明する。第５図は本発明によるレーザ光のレベ
ル制御方式の一実施例を示すブロツク構成図であ
る。同図において第１図と同一部分は同一番号、
記号で表わしている。１１はロジツク信号変換回
路、１２はコンパレータ、１３は立下り検知回
路、１４は立上り検知回路、１５はJKフリツプ
フロツプ、１６，１７はOR回路、１８は高イン
ピーダンス回路、１９は増幅器、２０はコンパレ
ータ、２１はAOMドライバ、２２は増幅器、２
３はミキサ回路、２４は発振器である。
まず第６図、第７図を参照して光変調素子２の
変調方法について説明する。光変調素子２の駆動
回路であるAOMドライバ２１は、第６図に示す
ように発振器２４（80MHz、200MHz等の高周波）
の出力を制御部から送られてくる文字パターンに
応じた“１”，“０”信号によりミキサ回路２３に
て重畳し、増幅器２２にて増幅器２２の電源電圧
VRF応じた光変調素子２の駆動電力PRFを出力す
る。即ち、本発明では、第７図に示す如くAOM
ドライバ２１の増幅器２２の電源電圧VRFと光変
調素子２の駆動入力即ちAOMドライバ２１の出
力PRFとが比例関係にあることを利用して、
AOMドライバ２１の増幅器２２の電源電圧VRF
を制御することによつて、変調効率ηがη≦ηと
なりかつ、レーザ光のレベルが一定になるように
AOMドライバ２１の出力PRFを制御している。
変調方法について説明する。光変調素子２の駆動
回路であるAOMドライバ２１は、第６図に示す
ように発振器２４（80MHz、200MHz等の高周波）
の出力を制御部から送られてくる文字パターンに
応じた“１”，“０”信号によりミキサ回路２３に
て重畳し、増幅器２２にて増幅器２２の電源電圧
VRF応じた光変調素子２の駆動電力PRFを出力す
る。即ち、本発明では、第７図に示す如くAOM
ドライバ２１の増幅器２２の電源電圧VRFと光変
調素子２の駆動入力即ちAOMドライバ２１の出
力PRFとが比例関係にあることを利用して、
AOMドライバ２１の増幅器２２の電源電圧VRF
を制御することによつて、変調効率ηがη≦ηと
なりかつ、レーザ光のレベルが一定になるように
AOMドライバ２１の出力PRFを制御している。
次に第８図を参照しつつ第５図のブロツク構成
図の動作について説明する。レーザ発振器１より
出力レベルP0のレーザ光が出力されると光変調
素子２は変調効率η1にてこのレーザ光を変調し、
レベルP0・η1なるレーザ光を透過する。回転ミラ
ー３はレーザ光を受光面Ｄ上に走査する。第２図
に示したように、印刷に先立つて光検知回路４は
回転ミラー３によつて走査されるレーザ光のレベ
ルP0η1を電圧値に変換して、P0η1と対応したVLP1
なる電圧を出力する。VLP1はコンパレータ１２に
おいて、所定のレーザ光のレベルPcに対応した
電圧値Ecと比較される。コンパレータ１２は
VLP1＞Ecの時に信号SBを出力する。この信号SB
は立下り検知回路１３に入力され信号SBのパルス
の立下りを検出して、信号SB′を出力する。また
光検知回路４の出力電圧SB′を出力する。また光
検知回路４の出力電圧VLP1はロジツク信号変換回
路１１により波形整形され、パルス信号SAとな
る。さらに信号SAは立上り検知回路１４に入力
され信号SAのパルスの立上りを検出して信号
SA′を出する。信号SB′，SA′はフリツプフロツプ
１５のＪ，Ｋ端子に入力される。従つてフリツプ
クロツプ１５は信号SA′の入力によりリセツトさ
れ（出力“０”レベル）、信号SB′の入力によりセ
ツト（出力“１”レベル）される。ここで光検知
回路４は回転ミラー３によつてレーザ光が走査開
始位置（第２図参照）に達するたび即ち受光面Ｄ
におけるＩラインの走査周期：Ｔごとに、レーザ
光のレベルを検知するので、信号SA′は走査周期
Ｔに同期して出力されることになる。従つて、フ
リツプフロツプ１５は周期Ｔにてリセツトされ
る。
図の動作について説明する。レーザ発振器１より
出力レベルP0のレーザ光が出力されると光変調
素子２は変調効率η1にてこのレーザ光を変調し、
レベルP0・η1なるレーザ光を透過する。回転ミラ
ー３はレーザ光を受光面Ｄ上に走査する。第２図
に示したように、印刷に先立つて光検知回路４は
回転ミラー３によつて走査されるレーザ光のレベ
ルP0η1を電圧値に変換して、P0η1と対応したVLP1
なる電圧を出力する。VLP1はコンパレータ１２に
おいて、所定のレーザ光のレベルPcに対応した
電圧値Ecと比較される。コンパレータ１２は
VLP1＞Ecの時に信号SBを出力する。この信号SB
は立下り検知回路１３に入力され信号SBのパルス
の立下りを検出して、信号SB′を出力する。また
光検知回路４の出力電圧SB′を出力する。また光
検知回路４の出力電圧VLP1はロジツク信号変換回
路１１により波形整形され、パルス信号SAとな
る。さらに信号SAは立上り検知回路１４に入力
され信号SAのパルスの立上りを検出して信号
SA′を出する。信号SB′，SA′はフリツプフロツプ
１５のＪ，Ｋ端子に入力される。従つてフリツプ
クロツプ１５は信号SA′の入力によりリセツトさ
れ（出力“０”レベル）、信号SB′の入力によりセ
ツト（出力“１”レベル）される。ここで光検知
回路４は回転ミラー３によつてレーザ光が走査開
始位置（第２図参照）に達するたび即ち受光面Ｄ
におけるＩラインの走査周期：Ｔごとに、レーザ
光のレベルを検知するので、信号SA′は走査周期
Ｔに同期して出力されることになる。従つて、フ
リツプフロツプ１５は周期Ｔにてリセツトされ
る。
次にVLP1＞Ecの時信号SB′が出力されフリツプ
フロツプ１５のＱ出力端子は“１”となりOR回
路、OR回路１７がONとなりトランジスタQAの
ベース、エミツタ間に逆電圧が加わりQAはOFF、
トランジスタQBのベース、エミツタ間に順方向
電圧が加わりQBはONとなる。よつてコンデンサ
CAは抵抗RBを介して放電される。また信号SA′の
出力によつてフリツプフロツフ１５はリセツトさ
れるため、VLP1＜Ecの時に次のSA′が検出される
までの間（周期Ｔ）は、フリツプフロツプ１５の
出力は“０”である。よつてOR回路１６，１７
ガOFFとなつてQAがON、QBがOFFとなるため、
コンデンサCAは抵抗RAを介して電圧Vccにて充
電される。即ちコンデンサCAは周期Ｔの間信号
SB′が検出されない限り充電状態にあり、信号
SB′が検出されて始めて、次の信号SA′が検出さ
れるまでの間放電状態になる。コンデンサCAは
時定数RACAに充電、時定数RBCAにて放電を行
う。そしてRA＝RBとして時定数RACA≫Ｔとして
おけば、１走査周期ＴにおけるコンデンサCAの
充放電により端子電圧VAが除々に変化すること
になる。ここで時定数RACAを大きくすることは、
レーザ光のレベルに急激な変化が生じた場合、追
従が遅くなり、レベルを制御することが不可能で
あるが、通常考えられるレーザ光の出力レベルの
変化は時間単位の長いものであるため問題にはな
らない。
フロツプ１５のＱ出力端子は“１”となりOR回
路、OR回路１７がONとなりトランジスタQAの
ベース、エミツタ間に逆電圧が加わりQAはOFF、
トランジスタQBのベース、エミツタ間に順方向
電圧が加わりQBはONとなる。よつてコンデンサ
CAは抵抗RBを介して放電される。また信号SA′の
出力によつてフリツプフロツフ１５はリセツトさ
れるため、VLP1＜Ecの時に次のSA′が検出される
までの間（周期Ｔ）は、フリツプフロツプ１５の
出力は“０”である。よつてOR回路１６，１７
ガOFFとなつてQAがON、QBがOFFとなるため、
コンデンサCAは抵抗RAを介して電圧Vccにて充
電される。即ちコンデンサCAは周期Ｔの間信号
SB′が検出されない限り充電状態にあり、信号
SB′が検出されて始めて、次の信号SA′が検出さ
れるまでの間放電状態になる。コンデンサCAは
時定数RACAに充電、時定数RBCAにて放電を行
う。そしてRA＝RBとして時定数RACA≫Ｔとして
おけば、１走査周期ＴにおけるコンデンサCAの
充放電により端子電圧VAが除々に変化すること
になる。ここで時定数RACAを大きくすることは、
レーザ光のレベルに急激な変化が生じた場合、追
従が遅くなり、レベルを制御することが不可能で
あるが、通常考えられるレーザ光の出力レベルの
変化は時間単位の長いものであるため問題にはな
らない。
コンデンサCAは以上のように制御され、その
端子電圧VAは高インピーダンス回路１３、増幅
器１４を通してAOMドライバ１６の増幅器の電
源電圧VRFに変換される。AOMドライバ１６は
VRFに応じた電力PRFを出力し、光変調素子２の
変調効率ηを制御して一定のレーザ光のレベルが
得られるように制御する。
端子電圧VAは高インピーダンス回路１３、増幅
器１４を通してAOMドライバ１６の増幅器の電
源電圧VRFに変換される。AOMドライバ１６は
VRFに応じた電力PRFを出力し、光変調素子２の
変調効率ηを制御して一定のレーザ光のレベルが
得られるように制御する。
さらに、第４図、第７図からもわかるように変
調効率ηの制御可能範囲は増幅器２２の電源電圧
VRFがVRF＜VRF″においてである。つまり、VRFの
増加により、変調効率ηが増加し、レーザ光のレ
ベルP0・ηが増加するのはVRF＜VRF′の時であ
る。そこでコンパレータ２０により増幅器２２の
電源電圧VRFとηの制御可能限界値VRF′とを比較
する。そしてVRF＝VRF′となつた時はOR回路１
６，１７へ信号を送り、これをONとする。そし
てコンデンサCAを放電させる。
調効率ηの制御可能範囲は増幅器２２の電源電圧
VRFがVRF＜VRF″においてである。つまり、VRFの
増加により、変調効率ηが増加し、レーザ光のレ
ベルP0・ηが増加するのはVRF＜VRF′の時であ
る。そこでコンパレータ２０により増幅器２２の
電源電圧VRFとηの制御可能限界値VRF′とを比較
する。そしてVRF＝VRF′となつた時はOR回路１
６，１７へ信号を送り、これをONとする。そし
てコンデンサCAを放電させる。
(G) 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、レ
ーザ光の走査周期期間中、通常はコンデンサを充
電状態にしておき、レーザ光の力レベルが所定値
以上になつた時のみコンデンサを放電状態にする
ようにして、このコンデンサの端子電圧に応じ
て、レーザ光のレベルを制御している。従つてレ
ーザ光のレベルは上限値のみと比較して制御すれ
ばよいため回路構成が簡単になる。
ーザ光の走査周期期間中、通常はコンデンサを充
電状態にしておき、レーザ光の力レベルが所定値
以上になつた時のみコンデンサを放電状態にする
ようにして、このコンデンサの端子電圧に応じ
て、レーザ光のレベルを制御している。従つてレ
ーザ光のレベルは上限値のみと比較して制御すれ
ばよいため回路構成が簡単になる。
また、光変調素子変調効率が常に増加する状態
にあるように、AOMドライバーの増幅器の電源
電圧を制御しているため、変調効率の増減により
レーザ光のレベルを制御でき、制御系が発振する
ことがない。
にあるように、AOMドライバーの増幅器の電源
電圧を制御しているため、変調効率の増減により
レーザ光のレベルを制御でき、制御系が発振する
ことがない。
第１図は従来のレーザ光のレベル制御方式の構
成図、第２図は光検知回路を説明するための図、
第３図は第１図の動作説明図、第４図は光変調素
子の変調効率を説明するための図、第５図は本発
明の一実施例の構成図、第６図、第７図は光変調
素子のドライバの動作説明図、第８図は第６図の
動作説明図である。 図面において１はレーザ発振器、２は光変調素
子、３は回転ミラー、４は光検知回路、５６，１
２，２０はコンパレータ、７，８，１５はフリツ
プフロツプ、１０，２１はAOMドライバ、QA，
QBはトランジスタ、CAはコンデンサである。
成図、第２図は光検知回路を説明するための図、
第３図は第１図の動作説明図、第４図は光変調素
子の変調効率を説明するための図、第５図は本発
明の一実施例の構成図、第６図、第７図は光変調
素子のドライバの動作説明図、第８図は第６図の
動作説明図である。 図面において１はレーザ発振器、２は光変調素
子、３は回転ミラー、４は光検知回路、５６，１
２，２０はコンパレータ、７，８，１５はフリツ
プフロツプ、１０，２１はAOMドライバ、QA，
QBはトランジスタ、CAはコンデンサである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザー光発生手段と、レーザ光を記録情報
に応じて変調し駆動入力に応じた変調効率でレー
ザ光のレベルを変化させる光変調手段と、レーザ
光を情報を記録するための感光体上に所定周期ご
とに走査する走査手段とを備えた電子写真式プリ
ンタ装置において、前記感光体への走査に先立つ
て所定周期毎にレーザ光のレベルを検知する光検
知手段と、該光検知手段の出力と所定のレーザ光
のレベルとを比較する比較手段と、該光検知手段
の出力で第１の状態となり、該比較手段の出力に
より第２の状態となるフリツプフロツプと、該フ
リツプフロツプの状態によつてコンデンサを充放
電する充放電手段と、該コンデンサの端子電圧に
応じた駆動入力を該光変調手段に与えるドライバ
ーとを備え、該光検知手段の所定周期毎の出力に
よつて該フリツプフロツプを第１の状態にして該
コンデンサを充電し、該比較手段は該光検知手段
の出力が該所定レーザ光のレベルを越えたことに
より該フリツプフロツプを第２の状態にして該コ
ンデンサを放電して、該ドライバーの該光変調素
子への駆動入力を増減することにより該変調効率
を増減してレーザ光のレベルを制御することを特
徴とするレーザ光のレベル制御方式。 ２ 前記充放電手段は、前記コンデンサの端子電
圧と前記光変調素子の最大変調効率を与える駆動
入力に対応した電圧とを比較する比較手段を備
え、該端子電圧と該電圧と等しくなつた際には強
制的に該コンデンサを放電させることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のレーザ光のレベル
制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178479A JPS6069628A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | レ−ザ光のレベル制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178479A JPS6069628A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | レ−ザ光のレベル制御方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6069628A JPS6069628A (ja) | 1985-04-20 |
| JPH0127404B2 true JPH0127404B2 (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=16049199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178479A Granted JPS6069628A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | レ−ザ光のレベル制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6069628A (ja) |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58178479A patent/JPS6069628A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6069628A (ja) | 1985-04-20 |
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