JPH0139911B2 - - Google Patents
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- JPH0139911B2 JPH0139911B2 JP56018345A JP1834581A JPH0139911B2 JP H0139911 B2 JPH0139911 B2 JP H0139911B2 JP 56018345 A JP56018345 A JP 56018345A JP 1834581 A JP1834581 A JP 1834581A JP H0139911 B2 JPH0139911 B2 JP H0139911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light beam
- output
- light
- capacitor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光走査装置に関し、特にレーザ光の出
力をアナログ量の制御信号により一定の大きさに
なるように制御した光走査装置に関する。
力をアナログ量の制御信号により一定の大きさに
なるように制御した光走査装置に関する。
例えばデータ処理装置のプリンタ等に使用され
るレーザ装置では、プリンタにおける印字濃度を
一定にするためにレーザ光の出力を一定の大きさ
に制御する必要がある。このために従来では、第
１図に示す如く、レーザ発振器１から発振したレ
ーザ光（強さP0）を光変調素子（AOM）２によ
り変調し、これを回転ミラー３により例えば静電
ドラムの如き受光面Ｄに照射するとき、回転ミラ
ー３からの反射光の一部を光検知回路４で受光し
てレーザ光の強さに比例したアナログ信号に変換
する。このアナログ信号をサンプル・ホールド部
５でサンプル・ホールドし、これをアナログ・デ
イジタル変換回路６にて光変調素子２からの出力
に応じたデイジタル信号化する。このデイジタル
信号は比較回路７に伝達され、基準値Rfと比較
され、その基準値との対比により比較回路７中に
設けられたアツプ／ダウン・カウンタをアツプま
たはダウン・カウントさせる。このようにして出
力されたカウンタ値に応じたデイジタル出力信号
がデイジタル・アナログ変換回路８にてアナログ
信号化される。そしてこのアナログ信号をドライ
バ回路１３、AOMドライバ１４を介して光変調
素子２に入力し、以て光変調素子２を制御してそ
の回析効率ηを変化させ、受光面Ｄにおけるレー
ザ光の強度P0・ηが一定の大きさになるように
制御していた。
るレーザ装置では、プリンタにおける印字濃度を
一定にするためにレーザ光の出力を一定の大きさ
に制御する必要がある。このために従来では、第
１図に示す如く、レーザ発振器１から発振したレ
ーザ光（強さP0）を光変調素子（AOM）２によ
り変調し、これを回転ミラー３により例えば静電
ドラムの如き受光面Ｄに照射するとき、回転ミラ
ー３からの反射光の一部を光検知回路４で受光し
てレーザ光の強さに比例したアナログ信号に変換
する。このアナログ信号をサンプル・ホールド部
５でサンプル・ホールドし、これをアナログ・デ
イジタル変換回路６にて光変調素子２からの出力
に応じたデイジタル信号化する。このデイジタル
信号は比較回路７に伝達され、基準値Rfと比較
され、その基準値との対比により比較回路７中に
設けられたアツプ／ダウン・カウンタをアツプま
たはダウン・カウントさせる。このようにして出
力されたカウンタ値に応じたデイジタル出力信号
がデイジタル・アナログ変換回路８にてアナログ
信号化される。そしてこのアナログ信号をドライ
バ回路１３、AOMドライバ１４を介して光変調
素子２に入力し、以て光変調素子２を制御してそ
の回析効率ηを変化させ、受光面Ｄにおけるレー
ザ光の強度P0・ηが一定の大きさになるように
制御していた。
したがつてこのような制御方式ではデイジタル
的な制御であるために受光面におけるレーザ光の
強さはステツプ状にしか制御できず、このためス
テツプ間の中間の強度が最適状態の場合でもこれ
を得ることができないこと、レーザ光の出力が変
動した場合に直ちにそのデイジタル制御出力が変
動するため、レーザ光の出力に振動を生ずること
がある等の欠点が存在する。
的な制御であるために受光面におけるレーザ光の
強さはステツプ状にしか制御できず、このためス
テツプ間の中間の強度が最適状態の場合でもこれ
を得ることができないこと、レーザ光の出力が変
動した場合に直ちにそのデイジタル制御出力が変
動するため、レーザ光の出力に振動を生ずること
がある等の欠点が存在する。
したがつて本発明は、上記の如き欠点を改善す
るためにレーザ光が印字露光に使用可能な範囲の
上限あるいは下限を越えたかを判別し、これに応
じてコンデンサの端子電圧を制御し、このコンデ
ンサの端子電圧に応じて光変調素子の回析効率を
アナログ的に変化させてレーザ光の出力レベルを
自動的に調整するようにした光走査装置を提供す
ることを目的とするものである。そしてこのため
に本発明の光走査装置では、光ビーム発生手段
と、光ビームを変調するための変調手段と、変調
された光ビームを走査面上で走査させる走査手段
と、光ビームを受光し、電気信号に変換する光ビ
ーム検知手段と、前記光ビーム検知手段の出力を
受け、光ビームが使用可能なレベルを越えたか否
かを判別する判別手段と、充電及び放電の時定数
が前記走査手段による１走査の周期よりも十分に
大きいコンデンサと、前記判別手段の判別結果に
応じて前記コンデンサを充電または放電する充放
電制御回路と、前記コンデンサの電子電圧に応じ
て前記変調手段を制御する手段と、を備え、前記
光ビームの出力レベルを調整するようにしたこ
と、を特徴とする。
るためにレーザ光が印字露光に使用可能な範囲の
上限あるいは下限を越えたかを判別し、これに応
じてコンデンサの端子電圧を制御し、このコンデ
ンサの端子電圧に応じて光変調素子の回析効率を
アナログ的に変化させてレーザ光の出力レベルを
自動的に調整するようにした光走査装置を提供す
ることを目的とするものである。そしてこのため
に本発明の光走査装置では、光ビーム発生手段
と、光ビームを変調するための変調手段と、変調
された光ビームを走査面上で走査させる走査手段
と、光ビームを受光し、電気信号に変換する光ビ
ーム検知手段と、前記光ビーム検知手段の出力を
受け、光ビームが使用可能なレベルを越えたか否
かを判別する判別手段と、充電及び放電の時定数
が前記走査手段による１走査の周期よりも十分に
大きいコンデンサと、前記判別手段の判別結果に
応じて前記コンデンサを充電または放電する充放
電制御回路と、前記コンデンサの電子電圧に応じ
て前記変調手段を制御する手段と、を備え、前記
光ビームの出力レベルを調整するようにしたこ
と、を特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第２図および第３図
にもとづき説明する。
にもとづき説明する。
第２図は本発明の一実施例構成を示し、第３図
はその動作説明図である。
はその動作説明図である。
図中、他図と同符号部は同一部分を示し、９は
下限コンパレータ回路、１０は上限コンパレータ
回路、１１，１２はそれぞれラツチ・ドライバ回
路、１３はドライバ回路、１４はAOMドライ
バ、QA，QBはトランジスタ、CAはコンデンサで
ある。
下限コンパレータ回路、１０は上限コンパレータ
回路、１１，１２はそれぞれラツチ・ドライバ回
路、１３はドライバ回路、１４はAOMドライ
バ、QA，QBはトランジスタ、CAはコンデンサで
ある。
下限コンパレータ回路９は光検知回路４で検出
されたレーザ光の強さが第３図に示す下限値Llに
達しなかつた場合に出力を発生する回路であり、
この下限値Llに達したか否かを比較するための下
限基準電圧E1が印加されている。そしてレーザ
光が下限値Llに達しないとき下限コンパレータ回
路９はこれを検出して出力を生じ、後段のラツ
チ・ドライバ回路１１により次の光レベル信号が
光検知回路４よりくるまでトランジスタQAをオ
ンにする。
されたレーザ光の強さが第３図に示す下限値Llに
達しなかつた場合に出力を発生する回路であり、
この下限値Llに達したか否かを比較するための下
限基準電圧E1が印加されている。そしてレーザ
光が下限値Llに達しないとき下限コンパレータ回
路９はこれを検出して出力を生じ、後段のラツ
チ・ドライバ回路１１により次の光レベル信号が
光検知回路４よりくるまでトランジスタQAをオ
ンにする。
上限コンパレータ回路１０は光検知回路４で検
出したレーザ光の強度が、第３図に示す上限値
LUを越えたときに出力を発生する回路であり、
この上限値LUに達したか否かを比較するための
上限基準電圧E2が印加されている。そしてレー
ザ光の強さが上限値LUを越えたとき上限コンパ
レータ回路１０はこれを検出して出力を生じ、後
段のラツチ・ドライバ回路１２により次の光レベ
ル信号がくるまでトランジスタQBをオンにする。
出したレーザ光の強度が、第３図に示す上限値
LUを越えたときに出力を発生する回路であり、
この上限値LUに達したか否かを比較するための
上限基準電圧E2が印加されている。そしてレー
ザ光の強さが上限値LUを越えたとき上限コンパ
レータ回路１０はこれを検出して出力を生じ、後
段のラツチ・ドライバ回路１２により次の光レベ
ル信号がくるまでトランジスタQBをオンにする。
ラツチ・ドライバ回路１１，１２は下限コンパ
レータ回路９および上限コンパレータ回路１０に
より制御されるものであつて、それぞれトランジ
スタQA，QBをオン・オフ制御するものであり、
ラツチとドライバにより構成されている。ドライ
バ回路１３は、コンデンサCAの端子電圧VAに応
じた信号を発生するものである。
レータ回路９および上限コンパレータ回路１０に
より制御されるものであつて、それぞれトランジ
スタQA，QBをオン・オフ制御するものであり、
ラツチとドライバにより構成されている。ドライ
バ回路１３は、コンデンサCAの端子電圧VAに応
じた信号を発生するものである。
AOMドライバ１４は光変調素子２の回析効率
を制御する制御信号を発生するものであつて、印
字ドツト信号が印加されているときにドライバ回
路１３から伝達されるコンデンサCAの端子電圧
に応じた制御信号を発生するものである。
を制御する制御信号を発生するものであつて、印
字ドツト信号が印加されているときにドライバ回
路１３から伝達されるコンデンサCAの端子電圧
に応じた制御信号を発生するものである。
コンデンサCAはトランジスタQAがオンのとき
に抵抗RAを介して電圧VCCにより充電され、トラ
ンジスタQBがオンのときに抵抗RBを介して放電
するものである。そしてこのコンデンサCAの充
電および放電の時定数を印字ドツト信号の１スキ
ヤン周期より充分大きくなるように抵抗RA，RB
およびコンデンサCAの値を適当に選択する。
に抵抗RAを介して電圧VCCにより充電され、トラ
ンジスタQBがオンのときに抵抗RBを介して放電
するものである。そしてこのコンデンサCAの充
電および放電の時定数を印字ドツト信号の１スキ
ヤン周期より充分大きくなるように抵抗RA，RB
およびコンデンサCAの値を適当に選択する。
いま第２図において、光変調素子２により変調
されたレーザ光が回転ミラー３により反射されて
静電ドラムの如き受光面Ｄを走査するに先立ち光
検知回路４に検出される。このとき光検知回路４
はレーザ光を検出している間、第３図のT0〜T1
に示すように、このレーザ光の強さに応じた光レ
ベル信号を出力する。そしてこの光レベル信号を
下限コンパレータ回路９および上限コンパレータ
回路１０に出力する。このとき、光検知回路４に
て検出されたレーザ光の強さがその下限値Llより
も低い場合には、この光レベル信号は下限基準電
圧E1よりも低いので、下限コンパレータ回路９
から出力が生じこれにより時刻T1にラツチ・ド
ライバ回路１１は出力「１」を発生する。これに
よりトランジスタQAはオンになり、コンデンサ
CAは抵抗RAを介して電圧VCCにより充電される。
この結果、コンデンサCAの端子電圧VAは、第３
図に示す如く徐々に上昇する。この端子電圧VA
の上昇によりドライバ回路１３の出力信号も徐々
に上昇し、これに応じてAOMドライバ１４の制
御信号も変化してその光変調素子２の回析効率η
を大きくなるように変化させ、受光面Ｄにおける
レーザ光の出力P0・ηが強くなるような制御を
行なう。かくして受光面Ｄにおけるレーザ光を強
くすることになる。
されたレーザ光が回転ミラー３により反射されて
静電ドラムの如き受光面Ｄを走査するに先立ち光
検知回路４に検出される。このとき光検知回路４
はレーザ光を検出している間、第３図のT0〜T1
に示すように、このレーザ光の強さに応じた光レ
ベル信号を出力する。そしてこの光レベル信号を
下限コンパレータ回路９および上限コンパレータ
回路１０に出力する。このとき、光検知回路４に
て検出されたレーザ光の強さがその下限値Llより
も低い場合には、この光レベル信号は下限基準電
圧E1よりも低いので、下限コンパレータ回路９
から出力が生じこれにより時刻T1にラツチ・ド
ライバ回路１１は出力「１」を発生する。これに
よりトランジスタQAはオンになり、コンデンサ
CAは抵抗RAを介して電圧VCCにより充電される。
この結果、コンデンサCAの端子電圧VAは、第３
図に示す如く徐々に上昇する。この端子電圧VA
の上昇によりドライバ回路１３の出力信号も徐々
に上昇し、これに応じてAOMドライバ１４の制
御信号も変化してその光変調素子２の回析効率η
を大きくなるように変化させ、受光面Ｄにおける
レーザ光の出力P0・ηが強くなるような制御を
行なう。かくして受光面Ｄにおけるレーザ光を強
くすることになる。
そして受光面Ｄにおける次の走査に先立ち、時
刻T2〜T3に示すように、光検知回路４にて検出
されたレーザ光の強度がいまだその下限値Llより
も低い場合には、下限コンパレータ回路９から再
び出力が生じ、ラツチ・ドライバ回路１１は引続
いて出力「１」を発生し、トランジスタQAはオ
ン状態を持続する。かくしてコンデンサCAの端
子電圧VAは上昇し、これに応じてAOMドライバ
１４の制御信号も変化して光変調素子２の回析効
率ηを更に変化させ、受光面Ｄに照射するレーザ
光の強度をさらに強くする。
刻T2〜T3に示すように、光検知回路４にて検出
されたレーザ光の強度がいまだその下限値Llより
も低い場合には、下限コンパレータ回路９から再
び出力が生じ、ラツチ・ドライバ回路１１は引続
いて出力「１」を発生し、トランジスタQAはオ
ン状態を持続する。かくしてコンデンサCAの端
子電圧VAは上昇し、これに応じてAOMドライバ
１４の制御信号も変化して光変調素子２の回析効
率ηを更に変化させ、受光面Ｄに照射するレーザ
光の強度をさらに強くする。
かくしてさらに次の走査に先立ち、時刻T4〜
T5に示すように、光検知回路４にて検出された
レーザ光の強度がその上限値LUよりも大の場合
には、今度は上限コンパレータ回路１０から出力
が生じてラツチ・ドライバ回路１２が「１」を出
力する。勿論このときレーザ光の強度がその下限
値Llよりも大のために下限コンパレータ回路９か
らの出力は発生しない。したがつて上記の如くラ
ツチ・ドライバ回路１２の出力「１」により今度
はトランジスタQBがオンとなり、コンデンサCA
は抵抗RBを介して放電されることになる。その
結果コンデンサCAの端子電圧VAは徐々に低下す
るので、これに応じて受光面Ｄに照射されるレー
ザ光の強度も徐々に低下することになる。
T5に示すように、光検知回路４にて検出された
レーザ光の強度がその上限値LUよりも大の場合
には、今度は上限コンパレータ回路１０から出力
が生じてラツチ・ドライバ回路１２が「１」を出
力する。勿論このときレーザ光の強度がその下限
値Llよりも大のために下限コンパレータ回路９か
らの出力は発生しない。したがつて上記の如くラ
ツチ・ドライバ回路１２の出力「１」により今度
はトランジスタQBがオンとなり、コンデンサCA
は抵抗RBを介して放電されることになる。その
結果コンデンサCAの端子電圧VAは徐々に低下す
るので、これに応じて受光面Ｄに照射されるレー
ザ光の強度も徐々に低下することになる。
しかし時刻T6〜T7において光検知回路４がレ
ーザ光の強度を検出したときそのレーザ光の強度
はその上限値LUよりも大きいので、上限コンパ
レータ回路１０から出力が生じ、ラツチ・ドライ
バ回路１２は継続して「１」を出力する。このた
めトランジスタQBはオン状態を持続し、コンデ
ンサCAは引続き放電され、その端子電圧VAはこ
れまた引続き徐々に低下し、これに応じて受光面
Ｄにおけるレーザ光の強さも低下する。そして時
刻T8〜T9にて光検知回路４が検出したレーザ光
の強さがその下限値Llよりも低ければ、ラツチ・
ドライバ回路１２は「１」を出力せずラツチ・ド
ライバ回路１１が「１」を出力するので、再びト
ランジスタQAがオンになりコンデンサCAは再び
充電されることになる。以上の如き動作をくり返
し、コンデンサCAの端子電圧VAがある最適値に
達し、時刻T10〜T11のように光検知回路４によ
り検出されたレーザ光の強さがその上限値LUと
下限値Llの間に存在する場合には下限コンパレー
タ回路９および上限コンパレータ回路１０はいず
れも出力を生ぜず、ラツチ・ドライバ回路１１，
１２はいずれも「１」を出力しないので、トラン
ジスタQA，QBはそれぞれオフとなる。
ーザ光の強度を検出したときそのレーザ光の強度
はその上限値LUよりも大きいので、上限コンパ
レータ回路１０から出力が生じ、ラツチ・ドライ
バ回路１２は継続して「１」を出力する。このた
めトランジスタQBはオン状態を持続し、コンデ
ンサCAは引続き放電され、その端子電圧VAはこ
れまた引続き徐々に低下し、これに応じて受光面
Ｄにおけるレーザ光の強さも低下する。そして時
刻T8〜T9にて光検知回路４が検出したレーザ光
の強さがその下限値Llよりも低ければ、ラツチ・
ドライバ回路１２は「１」を出力せずラツチ・ド
ライバ回路１１が「１」を出力するので、再びト
ランジスタQAがオンになりコンデンサCAは再び
充電されることになる。以上の如き動作をくり返
し、コンデンサCAの端子電圧VAがある最適値に
達し、時刻T10〜T11のように光検知回路４によ
り検出されたレーザ光の強さがその上限値LUと
下限値Llの間に存在する場合には下限コンパレー
タ回路９および上限コンパレータ回路１０はいず
れも出力を生ぜず、ラツチ・ドライバ回路１１，
１２はいずれも「１」を出力しないので、トラン
ジスタQA，QBはそれぞれオフとなる。
この結果コンデンサCAは充電されることも放
電されることもないのでコンデンサCAの端子電
圧VAは一定の値に保持され、光変調素子２の回
析効率ηもこれに応じて一定になる。かくして受
光面Ｄにおけるレーザ光の強度P0・ηを一定の
値に保持することができる。
電されることもないのでコンデンサCAの端子電
圧VAは一定の値に保持され、光変調素子２の回
析効率ηもこれに応じて一定になる。かくして受
光面Ｄにおけるレーザ光の強度P0・ηを一定の
値に保持することができる。
したがつて本発明によれば、コンデンサの充放
電によつてその端子電圧を変化させ、これに応じ
て光変調素子の回析効率をアナログ的に変化させ
たので、従来の光レベル制御方式における光のレ
ベルを基準値と比較してその上か下かでアツプ／
ダウン・カウンタをアツプまたはダウン・カウン
トさせそのカウンタ値にもとづき光変調素子をデ
イジタル的に制御するものに比較して、より制御
を安定に、きめこまかく行なうことができる。ま
たレーザ出力の温度変化や経時変化は長時間かけ
て変化するものであるが、デイジタル的に制御す
る場合には１スキヤン毎にレーザ出力を制御して
いた。しかし本発明ではコンデンサの充電および
放電の時定数を１スキヤンの周期よりも充分大き
くとることにより、レーザ出力変動にうまくマツ
チさせた制御を行なうことが可能であり、制御系
としてより安定したものとすることができる。
電によつてその端子電圧を変化させ、これに応じ
て光変調素子の回析効率をアナログ的に変化させ
たので、従来の光レベル制御方式における光のレ
ベルを基準値と比較してその上か下かでアツプ／
ダウン・カウンタをアツプまたはダウン・カウン
トさせそのカウンタ値にもとづき光変調素子をデ
イジタル的に制御するものに比較して、より制御
を安定に、きめこまかく行なうことができる。ま
たレーザ出力の温度変化や経時変化は長時間かけ
て変化するものであるが、デイジタル的に制御す
る場合には１スキヤン毎にレーザ出力を制御して
いた。しかし本発明ではコンデンサの充電および
放電の時定数を１スキヤンの周期よりも充分大き
くとることにより、レーザ出力変動にうまくマツ
チさせた制御を行なうことが可能であり、制御系
としてより安定したものとすることができる。
第１図は従来の光レベル自動制御方式、第２図
は本発明の一変施例構成、第３図はその動作説明
図である。 図中、１はレーザ発振器、２は光変調素子、３
は回転ミラー、４は光検知回路、９は下限コンパ
レータ回路、１０は上限コンパレータ回路、１
１，１２はラツチ・ドライバ回路、１３はドライ
バ回路、１４はAOMドライバをそれぞれ示す。
は本発明の一変施例構成、第３図はその動作説明
図である。 図中、１はレーザ発振器、２は光変調素子、３
は回転ミラー、４は光検知回路、９は下限コンパ
レータ回路、１０は上限コンパレータ回路、１
１，１２はラツチ・ドライバ回路、１３はドライ
バ回路、１４はAOMドライバをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光ビーム発生手段と、 光ビームを変調するための変調手段と、 変調された光ビームを走査面上で走査させる走
査手段と、 光ビームを受光し、電気信号に変換する光ビー
ム検出手段と、 前記光ビーム検知手段の出力を受け、光ビーム
が使用可能なレベルを越えたか否かを判別する判
別手段と、 充電及び放電の時定数が前記走査手段による１
走査の周期よりも十分に大きいコンデンサと、 前記判別手段の判別結果に応じて前記コンデン
サを充電または放電する充放電制御回路と、 前記コンデンサの端子電圧に応じて前記変調手
段を制御する手段と、 を備え、 前記光ビームの出力レベルを調整するようにし
たこと、 を特徴とする光走査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56018345A JPS57131575A (en) | 1981-02-10 | 1981-02-10 | Automatic light level control system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56018345A JPS57131575A (en) | 1981-02-10 | 1981-02-10 | Automatic light level control system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57131575A JPS57131575A (en) | 1982-08-14 |
| JPH0139911B2 true JPH0139911B2 (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=11969064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56018345A Granted JPS57131575A (en) | 1981-02-10 | 1981-02-10 | Automatic light level control system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57131575A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6076872A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-05-01 | Leo Giken:Kk | 画像再生装置におけるレ−ザ−光量の補正方法 |
| JPS60120663A (ja) * | 1983-12-03 | 1985-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ記録装置 |
| JPS61165774A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-26 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの出力レベル制御方式 |
| JP2751157B2 (ja) * | 1987-04-28 | 1998-05-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 光ビーム走査装置 |
| JPH01180516A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Nec Corp | 光変調器 |
-
1981
- 1981-02-10 JP JP56018345A patent/JPS57131575A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57131575A (en) | 1982-08-14 |
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