JPH01274050A - Ｘ線光電子分析装置 - Google Patents
Ｘ線光電子分析装置Info
- Publication number
- JPH01274050A JPH01274050A JP63103166A JP10316688A JPH01274050A JP H01274050 A JPH01274050 A JP H01274050A JP 63103166 A JP63103166 A JP 63103166A JP 10316688 A JP10316688 A JP 10316688A JP H01274050 A JPH01274050 A JP H01274050A
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- JP
- Japan
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- energy
- deflection
- analyzer
- sample
- slit
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- Granted
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線光電子分光法によって試料面の組成分布或
は状態分布を測定するいわゆるマツピング装置に関する
。
は状態分布を測定するいわゆるマツピング装置に関する
。
（従来の技術）
試料面の成る領域において組成の平均ではな（、組成分
布を調べようとするときは試料面を２次元的に走査する
必要があり、通常走査型電子顕微鏡とか電子線マイクロ
アナライザを用い、電子ビームで試料面を走査し、試料
から放射される二次電子１反射電子、吸収電流、特性Ｘ
線等を検出すると云う方法が用いられている。
布を調べようとするときは試料面を２次元的に走査する
必要があり、通常走査型電子顕微鏡とか電子線マイクロ
アナライザを用い、電子ビームで試料面を走査し、試料
から放射される二次電子１反射電子、吸収電流、特性Ｘ
線等を検出すると云う方法が用いられている。
Ｘ線光電子分光法は試料表面のきわめて浅い贋（数１０
）の分析に適し、元素組成および元素の結合状態を調べ
ることができるので、試料の表面分析法としてきわめて
優れているが、試料を励起するのにＸ線をもちいるので
、励起範囲を電子ビームのように小さく紋ることができ
ず、励起線による試料面走査方式では充分な位置分解能
が得られない。
）の分析に適し、元素組成および元素の結合状態を調べ
ることができるので、試料の表面分析法としてきわめて
優れているが、試料を励起するのにＸ線をもちいるので
、励起範囲を電子ビームのように小さく紋ることができ
ず、励起線による試料面走査方式では充分な位置分解能
が得られない。
このためＸ線光電子分析法による試料面のマッピングで
は励起Ｘ線で試料面の測定領域を照射し、試料面から放
射されるＸ線光電子を電子レンズによって結像させて試
料面の光電子による像を形成し、この像面を電子光学的
手段で走査してＸ線光電子のエネルギー分析を行うと云
う方法が採られている。第２図にそのような従来装置の
一例を示す。ＸはＸ線源でＳは試料、ｅが試料から放射
された電子である。Ｌは電子レンズ系で、試料から放射
された電子による試料面の像をエネルギー分析器Ｅの入
射スリットＩＳ設置面に形成する。試料Ｓと電子レンズ
Ｌとの間にｘ、ｙ偏向電極Ｐｘ、Ｐｙが配置され、これ
らの偏向電極に電圧を印加すると、エネルギー分析器Ｅ
の入射スリット面上で試料面の電子像が移動し、この移
動によって電子像面の走査が行われる。
は励起Ｘ線で試料面の測定領域を照射し、試料面から放
射されるＸ線光電子を電子レンズによって結像させて試
料面の光電子による像を形成し、この像面を電子光学的
手段で走査してＸ線光電子のエネルギー分析を行うと云
う方法が採られている。第２図にそのような従来装置の
一例を示す。ＸはＸ線源でＳは試料、ｅが試料から放射
された電子である。Ｌは電子レンズ系で、試料から放射
された電子による試料面の像をエネルギー分析器Ｅの入
射スリットＩＳ設置面に形成する。試料Ｓと電子レンズ
Ｌとの間にｘ、ｙ偏向電極Ｐｘ、Ｐｙが配置され、これ
らの偏向電極に電圧を印加すると、エネルギー分析器Ｅ
の入射スリット面上で試料面の電子像が移動し、この移
動によって電子像面の走査が行われる。
（発明が解決しようとする課題）
上述した装置でエネルギー分析器で選別されるエネルギ
ーを変えて試料面の電子像を走査するとき次のような問
題がある。第２図において、偏向電極Ｐｘ、Ｐｙに印加
する電圧が同じであるときは偏向電極間を通る電子の振
れ角はエネルギーが小さい程大きい。従って選択したエ
ネルギーの大小によって電子像面における走査範囲が小
さくなったり大きくなりして、種々のエネルギーの電子
による試料面の像を映像化した場合、エネルギーによっ
て像の倍率が異る。このため種々のエネルギーの電子に
よる試料面の像を比較検討するときは単純に比較ができ
す像倍率を補正する必要があって、二次元的な画像デー
タに対してこのような倍率補正を行うことは大へん面倒
なことである。
ーを変えて試料面の電子像を走査するとき次のような問
題がある。第２図において、偏向電極Ｐｘ、Ｐｙに印加
する電圧が同じであるときは偏向電極間を通る電子の振
れ角はエネルギーが小さい程大きい。従って選択したエ
ネルギーの大小によって電子像面における走査範囲が小
さくなったり大きくなりして、種々のエネルギーの電子
による試料面の像を映像化した場合、エネルギーによっ
て像の倍率が異る。このため種々のエネルギーの電子に
よる試料面の像を比較検討するときは単純に比較ができ
す像倍率を補正する必要があって、二次元的な画像デー
タに対してこのような倍率補正を行うことは大へん面倒
なことである。
このため本発明は面倒な倍率補正の演算等なしで種々な
エネルギーの電子像のデータを直接比較できるようにし
ようとするものである。
エネルギーの電子像のデータを直接比較できるようにし
ようとするものである。
（課題を解決するための手段）
偏向電極に印加する走査信号の振幅をエネルギー分析器
における選別エネルギーの設定と連動させて変化させる
ようにした。
における選別エネルギーの設定と連動させて変化させる
ようにした。
（作用）
電子が偏向電極間を通過することによって生ずる振れ角
は電子が偏向電極間を通過するのに要する時間に関係し
、通過に要する時間は電子のエネルギーに関係して、偏
向角は電極間電圧に比例し、電子のエネルギーに反比例
している。従って選別エネルギーの如何に関せず振れ角
取を一定にするには電極間に印加する電圧Ｖを選択した
電子のエネルギーＥに比例させるように設定すればよい
。撮れ角が同じであれば像倍率も同じになる。
は電子が偏向電極間を通過するのに要する時間に関係し
、通過に要する時間は電子のエネルギーに関係して、偏
向角は電極間電圧に比例し、電子のエネルギーに反比例
している。従って選別エネルギーの如何に関せず振れ角
取を一定にするには電極間に印加する電圧Ｖを選択した
電子のエネルギーＥに比例させるように設定すればよい
。撮れ角が同じであれば像倍率も同じになる。
（実施例）
第１図に本発明の一実施例を示す。図でＸは励起用Ｘ線
源、Ｓは試料、Ｌは電子レンズ系でＥはエネルギー分析
器である。
源、Ｓは試料、Ｌは電子レンズ系でＥはエネルギー分析
器である。
電子レンズ系りは試料面から放射された電子をエネルギ
ー分析器Ｅの入射スリットＩｓの配置面上に収束させて
試料面の電子像を形成する。この像は種々なエネルギー
の電子による像が重なったものである。試料Ｓと電子レ
ンズ系Ｉ４との間にＸ方向偏向電極Ｐｘ、ｙ方向偏向電
極ＰＶが配置されている。エネルギー分析器は二重球面
型エネルギー分析器で、入射スリットＩｓから入射した
電子のうち二重球面電極間に印加されている電圧によっ
て決まる特定エネルギーの電子が出射スリブ）１ｏに収
束せしめられ、ＩＯを通過して電子検出器りによって検
出される。Ｕはエネルギー分析器Ｅに印加する電圧を出
力する電圧発生回路、ＶＸはＸ方向偏向電極Ｐｘに印加
するＸ方向偏向電圧発生回路、ｖｙは同じくｙ方向偏向
電圧発生回路である。これらの電圧発生回路は制御装ｅ
Ｃから出力されるディジタル信号をアナログ電圧信号に
変換する回路である。電子検出器りの出力はＡＤ変換さ
れてメモリＭに取込まれる。Ｂは測定結果を画像表示す
るＣＲＴ、Ｒはｘｙ記録計で、Ｉくは制御装置Ｃに種々
の指示やデータを入力するキーボードである。
ー分析器Ｅの入射スリットＩｓの配置面上に収束させて
試料面の電子像を形成する。この像は種々なエネルギー
の電子による像が重なったものである。試料Ｓと電子レ
ンズ系Ｉ４との間にＸ方向偏向電極Ｐｘ、ｙ方向偏向電
極ＰＶが配置されている。エネルギー分析器は二重球面
型エネルギー分析器で、入射スリットＩｓから入射した
電子のうち二重球面電極間に印加されている電圧によっ
て決まる特定エネルギーの電子が出射スリブ）１ｏに収
束せしめられ、ＩＯを通過して電子検出器りによって検
出される。Ｕはエネルギー分析器Ｅに印加する電圧を出
力する電圧発生回路、ＶＸはＸ方向偏向電極Ｐｘに印加
するＸ方向偏向電圧発生回路、ｖｙは同じくｙ方向偏向
電圧発生回路である。これらの電圧発生回路は制御装ｅ
Ｃから出力されるディジタル信号をアナログ電圧信号に
変換する回路である。電子検出器りの出力はＡＤ変換さ
れてメモリＭに取込まれる。Ｂは測定結果を画像表示す
るＣＲＴ、Ｒはｘｙ記録計で、Ｉくは制御装置Ｃに種々
の指示やデータを入力するキーボードである。
今キーボードＫによって選択するＸ＆！＋光電子のエネ
ルギーを指定すると制御装ｆｆ１ｃはそのエネルギー値
に応じたディジタル信号を電圧発生回路Ｕに出力し、エ
ネルギー分析器１ｚに所定の電圧を印加する。エネルギ
ー走査の指示を入力すると制り（１装置Ｃは時間的に変
化するディジタル信号を電圧発生回路に送り、通常のエ
ネルギー走査が行われる。走査面積を指定してマツピン
グ動作を制御装置Ｃに指示すると、制御装置Ｃは走査範
囲に従ってＸ偏向信号、ｙ偏向信号の鋸歯状波の基本値
を決め、他方エネルギー分析ｉ３Ｅに印加している電圧
つまり選択エネルギー値に比例した係数を上記基本値に
掛算して、Ｘ方向及びｙ方向のディジタル偏向信号をＸ
方向偏向電圧発生回路Ｖｘおよびｙ方向偏向電圧発生回
路ｖｙに出力して試料面の走査を行う。・ 上述実施例ではＸ線光電子の偏向手段として偏向電極を
用いているが、偏向コイルを用いてもよい。この場合偏
向角はエネルギーの平方根に反比例するから、偏向コイ
ルに流す電流は選択したエネルギーの平方根に比例させ
ればよい。
ルギーを指定すると制御装ｆｆ１ｃはそのエネルギー値
に応じたディジタル信号を電圧発生回路Ｕに出力し、エ
ネルギー分析器１ｚに所定の電圧を印加する。エネルギ
ー走査の指示を入力すると制り（１装置Ｃは時間的に変
化するディジタル信号を電圧発生回路に送り、通常のエ
ネルギー走査が行われる。走査面積を指定してマツピン
グ動作を制御装置Ｃに指示すると、制御装置Ｃは走査範
囲に従ってＸ偏向信号、ｙ偏向信号の鋸歯状波の基本値
を決め、他方エネルギー分析ｉ３Ｅに印加している電圧
つまり選択エネルギー値に比例した係数を上記基本値に
掛算して、Ｘ方向及びｙ方向のディジタル偏向信号をＸ
方向偏向電圧発生回路Ｖｘおよびｙ方向偏向電圧発生回
路ｖｙに出力して試料面の走査を行う。・ 上述実施例ではＸ線光電子の偏向手段として偏向電極を
用いているが、偏向コイルを用いてもよい。この場合偏
向角はエネルギーの平方根に反比例するから、偏向コイ
ルに流す電流は選択したエネルギーの平方根に比例させ
ればよい。
（発明の効果）
本発明によれば、Ｘ線光電子のエネルギーを任意に設定
してマツピングを行う場合、エネルギーの如何にか＼わ
らず、測定データは同じ倍率で表示されることになり、
種々なエネルギーのＸ線光電子像の相互比較が直接的に
行え、分析結果の検討が大へんやり易（なる。
してマツピングを行う場合、エネルギーの如何にか＼わ
らず、測定データは同じ倍率で表示されることになり、
種々なエネルギーのＸ線光電子像の相互比較が直接的に
行え、分析結果の検討が大へんやり易（なる。
第１図は本発明の一実施例装置の構成を示す図、第２図
は従来例の構成を示す図である。 Ｘ・・・Ｘ線源、Ｓ・・・試料、Ｉ’ｘ、Ｐｙ・・・Ｘ
方向およびｙ方向偏向電極、Ｌ・・・電子レンズ、Ｅ・
・・エネルギー分析器、Ｉｓ・・・入射スリット、ＩＯ
・・・出射スリット、Ｄ・・・電子検出器、Ｕ・・・エ
ネルギー分析器Ｅに印加する電圧を発生ずる電圧発生回
路、ｖｘ・・・Ｘ方向偏向電圧発生回路、ｖｙ・・・ｙ
方向偏向電圧発生回路、Ｃ・・・制御装置、Ｍ・・・メ
モリ、Ｂ・・・ＣＲＴ、Ｋ・・・キーボード。 代理人 弁理士 縣 浩 介
は従来例の構成を示す図である。 Ｘ・・・Ｘ線源、Ｓ・・・試料、Ｉ’ｘ、Ｐｙ・・・Ｘ
方向およびｙ方向偏向電極、Ｌ・・・電子レンズ、Ｅ・
・・エネルギー分析器、Ｉｓ・・・入射スリット、ＩＯ
・・・出射スリット、Ｄ・・・電子検出器、Ｕ・・・エ
ネルギー分析器Ｅに印加する電圧を発生ずる電圧発生回
路、ｖｘ・・・Ｘ方向偏向電圧発生回路、ｖｙ・・・ｙ
方向偏向電圧発生回路、Ｃ・・・制御装置、Ｍ・・・メ
モリ、Ｂ・・・ＣＲＴ、Ｋ・・・キーボード。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 試料面から放射されるＸ線光電子をエネルギー分析する
エネルギー分析器と、試料から放射される電子をエネル
ギー分析器の入射スリット配置面に収束させて試料面の
Ｘ線光電子像を形成する電子レンズを備えたＸ線光電子
分析装置において、試料面から放射される電子をｘ、ｙ
方向に偏光させる偏向手段を設け、この偏向手段に印加
する偏向信号の振幅を上記エネルギー分析器に設定した
選択エネルギーの値に応じて選択されたエネルギーが大
なるときは上記振幅を大ならしめ、エネルギーが小なる
ときは上記振幅を小ならしめるよう偏向信号の振幅をエ
ネルギー分析器の選択エネルギー設定と連動させて変え
るようにしたことを特徴とするＸ線光電子分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103166A JPH0797092B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | Ｘ線光電子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103166A JPH0797092B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | Ｘ線光電子分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01274050A true JPH01274050A (ja) | 1989-11-01 |
| JPH0797092B2 JPH0797092B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=14346924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63103166A Expired - Fee Related JPH0797092B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | Ｘ線光電子分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797092B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015045653A (ja) * | 2014-10-07 | 2015-03-12 | ヴィゲー・シエンタ・アーベー | 粒子分光計のための分析装置 |
| US9437408B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-09-06 | Scienta Omicron Ab | Analyser arrangement for particle spectrometer |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63103166A patent/JPH0797092B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9437408B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-09-06 | Scienta Omicron Ab | Analyser arrangement for particle spectrometer |
| US9978579B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-05-22 | Scienta Omicron Ab | Analyser arrangement for particle spectrometer |
| JP2015045653A (ja) * | 2014-10-07 | 2015-03-12 | ヴィゲー・シエンタ・アーベー | 粒子分光計のための分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797092B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |