JPH01274958A - ウエハ外周部の鏡面研磨方法 - Google Patents
ウエハ外周部の鏡面研磨方法Info
- Publication number
- JPH01274958A JPH01274958A JP10335788A JP10335788A JPH01274958A JP H01274958 A JPH01274958 A JP H01274958A JP 10335788 A JP10335788 A JP 10335788A JP 10335788 A JP10335788 A JP 10335788A JP H01274958 A JPH01274958 A JP H01274958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- polishing drum
- outer periphery
- drum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、外周部に直線部分を備えた円盤形の半導体ウ
ェハの外周部を鏡面研磨するための鏡面研磨方法に関す
るものである。
ェハの外周部を鏡面研磨するための鏡面研磨方法に関す
るものである。
[従来の技術]
例えば、シリコンウェハなどの半導体ウェハは、エツジ
のチッピング防止やエピタキシャル成長時のクラウン防
止などのために、通常その周縁部が面取り加工される。
のチッピング防止やエピタキシャル成長時のクラウン防
止などのために、通常その周縁部が面取り加工される。
この面取り加工は、ダイヤモンド砥石て研削することに
より行われるか、その研削後に加工歪層か残り易く、こ
のような加工歪層が残っていると、デバイスプロセスに
おいて熱処理を繰り返したときに結晶欠陥か発生するこ
とがある。
より行われるか、その研削後に加工歪層か残り易く、こ
のような加工歪層が残っていると、デバイスプロセスに
おいて熱処理を繰り返したときに結晶欠陥か発生するこ
とがある。
そのため、通常は、上記加工歪層をエツチングにより除
去するようにしているが、エッチンク処理した表面は、
波状あるいはうろこ状の凹凸となって汚れが残り易く、
このような汚れか面取部に少しでも残っていると、デバ
イスプロセスにおいてウェハ全体にその汚れか拡散し、
該ウェハの特性を劣化させることになる。
去するようにしているが、エッチンク処理した表面は、
波状あるいはうろこ状の凹凸となって汚れが残り易く、
このような汚れか面取部に少しでも残っていると、デバ
イスプロセスにおいてウェハ全体にその汚れか拡散し、
該ウェハの特性を劣化させることになる。
従って、ウェハの精度を向上させるためには、」−記面
取部や軸線と並行する周側面などのウェハ外周部を鏡面
研磨することによって汚れを完全に除去することか必要
であり、その場合、鏡面状態に部分的な差異か生じない
、太うにウェハの表面研磨をする場合と同様の精密さか
要求される。
取部や軸線と並行する周側面などのウェハ外周部を鏡面
研磨することによって汚れを完全に除去することか必要
であり、その場合、鏡面状態に部分的な差異か生じない
、太うにウェハの表面研磨をする場合と同様の精密さか
要求される。
面Lr従来、ウェハの外周部を加工する方法として、特
公昭57−10568号公報や実開昭62・37925
号公報等に記載された方法か知られている。前者は、マ
スターに倣ってウェハを一定の寸法に仕上ける方式のも
のであり、また、後者は、加工物の形状を予めコンピュ
ーターに記憶させておき、それに倣−ンてウェハを加工
する()のてありて、実質的にマスターを使用する前者
のものと同じ方式のものである。
公昭57−10568号公報や実開昭62・37925
号公報等に記載された方法か知られている。前者は、マ
スターに倣ってウェハを一定の寸法に仕上ける方式のも
のであり、また、後者は、加工物の形状を予めコンピュ
ーターに記憶させておき、それに倣−ンてウェハを加工
する()のてありて、実質的にマスターを使用する前者
のものと同じ方式のものである。
しかしなからこれらの方法は、何れも、マスター形状に
倣ってウェハを加工するものであるため、面取り加工や
仕上げ加工等の比較的研削量の大きい加工には適してい
るか、マスター寸法とウェハ寸法との間に9ミクロンの
違いかあると、ウェハ外周部を所望の鏡面状態に仕上げ
ることか不可能てあり、従って、精密さを要求される上
記鏡面研磨には適さない。
倣ってウェハを加工するものであるため、面取り加工や
仕上げ加工等の比較的研削量の大きい加工には適してい
るか、マスター寸法とウェハ寸法との間に9ミクロンの
違いかあると、ウェハ外周部を所望の鏡面状態に仕上げ
ることか不可能てあり、従って、精密さを要求される上
記鏡面研磨には適さない。
そこ′r、本発明者らは、特願昭62−2:10398
号によ、−)て、ウェハの外周部を精密に鏡面研磨する
ことのできる装置を提案した。この装置によれば。
号によ、−)て、ウェハの外周部を精密に鏡面研磨する
ことのできる装置を提案した。この装置によれば。
円盤形のウェハな軸線の回りに回転させながら、該クエ
への外周部に回転する研磨ドラムを一定の力で押し付り
て研磨することにより、ウェハの形状に応じてその外周
部を精度よく研磨することかできる。
への外周部に回転する研磨ドラムを一定の力で押し付り
て研磨することにより、ウェハの形状に応じてその外周
部を精度よく研磨することかできる。
ところか2第5図に示すように、外周部に直線部分1a
(オリエンテーションフラット)を備えたウェハ1を研
磨する場合、ウェハ1の回転により研磨ドラム2か該ウ
ェハlの円弧状部分1bから直線部分Iaにかかったと
きに、該研磨ドラム2かウェハの形状変化に十分追随し
て変位しきれず、該直線部分1aの端部1cにおいてウ
ェハ】への接触が緩慢となって研磨か不十分になるおそ
れかある。
(オリエンテーションフラット)を備えたウェハ1を研
磨する場合、ウェハ1の回転により研磨ドラム2か該ウ
ェハlの円弧状部分1bから直線部分Iaにかかったと
きに、該研磨ドラム2かウェハの形状変化に十分追随し
て変位しきれず、該直線部分1aの端部1cにおいてウ
ェハ】への接触が緩慢となって研磨か不十分になるおそ
れかある。
[発明か解決しようとする課題]
本発明の課題は、外周部に直線部分を備えた円盤形のウ
ェハを軸線の回りに回転させながら、該ウェハの外周部
に回転する研磨ドラムを押し付けて研磨するに当り、該
ウェハの外周部に形成された直線部分を確実に鏡面研磨
できるようにすることにある。
ェハを軸線の回りに回転させながら、該ウェハの外周部
に回転する研磨ドラムを押し付けて研磨するに当り、該
ウェハの外周部に形成された直線部分を確実に鏡面研磨
できるようにすることにある。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するため、本発明は、ウェハ及び研磨ド
ラムをそれぞれ一方向に回転させて研磨したあと、これ
らのウェハ及び研磨ドラムのうち少なくとも一方を逆方
向に回転させて研磨することを特徴とするものである。
ラムをそれぞれ一方向に回転させて研磨したあと、これ
らのウェハ及び研磨ドラムのうち少なくとも一方を逆方
向に回転させて研磨することを特徴とするものである。
[発明の具体例]
以下2本発明の方法について更に詳細に説明する。
第1図は、本発明の方法の実施に好適に使用し得る鏡面
研磨装置の一例を示すもので、この研磨装置は次のよう
な構成を有している。即ち、機台10上にはテーブル支
持部材】1か設けられ、このテーブル支持部材11上に
は、外周部に一つ又は複数の直線部分12a(第2図参
照)を備えた円盤形のウェハ12を保持するチャックテ
ーブル13か、その軸線の回りに回転自在に支持され、
該チャックテーブル13の駆動軸13aは、タイミンク
プーリ14及びタイミングベルト15を介してモータ等
の正逆回転可能な駆動源16に連結され、コンピュータ
等の制御手段18により、所定のプログラムに従って例
えば1〜10r、p、*、程度の低速度で正方向と逆方
向とに駆動され得るようになっている。そして、該チャ
ックテーブル13の上面には、ウェハ12をハキュウム
チャックするチャック手段か設けられ、このチャック手
段が、駆動軸]、3a中を貫通する吸引vI7を通して
図示しない吸引ポンプに連結されている。
研磨装置の一例を示すもので、この研磨装置は次のよう
な構成を有している。即ち、機台10上にはテーブル支
持部材】1か設けられ、このテーブル支持部材11上に
は、外周部に一つ又は複数の直線部分12a(第2図参
照)を備えた円盤形のウェハ12を保持するチャックテ
ーブル13か、その軸線の回りに回転自在に支持され、
該チャックテーブル13の駆動軸13aは、タイミンク
プーリ14及びタイミングベルト15を介してモータ等
の正逆回転可能な駆動源16に連結され、コンピュータ
等の制御手段18により、所定のプログラムに従って例
えば1〜10r、p、*、程度の低速度で正方向と逆方
向とに駆動され得るようになっている。そして、該チャ
ックテーブル13の上面には、ウェハ12をハキュウム
チャックするチャック手段か設けられ、このチャック手
段が、駆動軸]、3a中を貫通する吸引vI7を通して
図示しない吸引ポンプに連結されている。
また、上記機台10上には、スライドレール21に沿っ
てシリンダ22により摺動されるスライドテーブル20
を有しておつ、このスライドテーブル20には、摺動部
分にエアを介在させることによって摺動抵抗を小さくし
たエアスライド機構23を介して研磨ドラム取付部材2
4かチャラフテーブル1コの方向に移動自在に取り付け
られ、該研磨ドラム取付部材24の先端には、螺子棒2
5を駆動することによって該螺子棒25に螺合されたブ
ラケット26を案内杆27に沿って昇降させる昇降用モ
ーターz8か取り付けられており、該ブラケット26に
は、ウェハ12の外周部を鏡面加工する研磨ドラム29
が軸線の回りに回転自在に支持されると共に、該研磨ド
ラム29を正逆方向に駆動するドラム駆動用モーターコ
0か取゛り付けられ、このドラム駆動用モーター30即
ち研磨ドラム29が、上記制御手段18により、チャッ
クチーフル13の正逆回転に対応して正逆方向に駆動さ
れるようになワている。
てシリンダ22により摺動されるスライドテーブル20
を有しておつ、このスライドテーブル20には、摺動部
分にエアを介在させることによって摺動抵抗を小さくし
たエアスライド機構23を介して研磨ドラム取付部材2
4かチャラフテーブル1コの方向に移動自在に取り付け
られ、該研磨ドラム取付部材24の先端には、螺子棒2
5を駆動することによって該螺子棒25に螺合されたブ
ラケット26を案内杆27に沿って昇降させる昇降用モ
ーターz8か取り付けられており、該ブラケット26に
は、ウェハ12の外周部を鏡面加工する研磨ドラム29
が軸線の回りに回転自在に支持されると共に、該研磨ド
ラム29を正逆方向に駆動するドラム駆動用モーターコ
0か取゛り付けられ、このドラム駆動用モーター30即
ち研磨ドラム29が、上記制御手段18により、チャッ
クチーフル13の正逆回転に対応して正逆方向に駆動さ
れるようになワている。
なお、上記研磨ドラム29は、円筒形のドラム部材の外
面に研磨布を貼着したものである。
面に研磨布を貼着したものである。
そして、加工時に上記研磨ドラム29をウェハ12の外
周部に一定の力で押し付ける付勢手段を構成するため、
上記スライドテーブル2oには2つのプーリ31,32
が取り付けられ、これらのプーリ31.32に、一端を
研磨ドラム取付部材24の突起33に係止されたロープ
34か巻き掛けられると共に、該ローブ34の他端にウ
ェイト35か吊設されておす、これによって、上記スラ
イドテーブル20かシリンダ22の作動によりチャック
テーブル13の方へ前進したときに、それかストローク
エンドに到達する直前に研磨ドラム29がウェハ12に
当接して。
周部に一定の力で押し付ける付勢手段を構成するため、
上記スライドテーブル2oには2つのプーリ31,32
が取り付けられ、これらのプーリ31.32に、一端を
研磨ドラム取付部材24の突起33に係止されたロープ
34か巻き掛けられると共に、該ローブ34の他端にウ
ェイト35か吊設されておす、これによって、上記スラ
イドテーブル20かシリンダ22の作動によりチャック
テーブル13の方へ前進したときに、それかストローク
エンドに到達する直前に研磨ドラム29がウェハ12に
当接して。
研磨ドラム取付部材24がウェイト35を引き上げなが
らスライドテーブル20に対して相対的に後退するよう
に構成され、このとき研磨ドラム取付部材24に作用す
るウェイト35の重力によって上記押付力か発生するよ
うになっている。この押付力の大きさは、加工条件によ
って相違するが、通常は、チャックテーブル13による
ウェハ12の保持力とのバランスや研磨布の強度等を考
慮し、適当な力に設定される。
らスライドテーブル20に対して相対的に後退するよう
に構成され、このとき研磨ドラム取付部材24に作用す
るウェイト35の重力によって上記押付力か発生するよ
うになっている。この押付力の大きさは、加工条件によ
って相違するが、通常は、チャックテーブル13による
ウェハ12の保持力とのバランスや研磨布の強度等を考
慮し、適当な力に設定される。
また、図示はしていないが、上記研磨ドラム29かウェ
ハ12に接触する部分には、化学研磨剤の供給ノズルが
設けられ、加工時に該ノズルから化学研磨剤か供給され
るようになっている。
ハ12に接触する部分には、化学研磨剤の供給ノズルが
設けられ、加工時に該ノズルから化学研磨剤か供給され
るようになっている。
次に、上記構成の鏡面研磨装置によってウェハ外周部を
鏡面研磨する方法について述べる。
鏡面研磨する方法について述べる。
ウェハ12がチャック手段によりチャックテーブル13
上に所定の向きで吸着、保持されると、シリンダ22か
作動してスライドテーブル20か前進し、正方向に回転
を始めた研磨ドラム29かウェハ12の外周部に当接す
る。そして、上記チャックテーブル13か駆動源16に
より低速(1〜10.r、p、m、 )で正方向に1回
転し、ウェハ12の外周部が上記研磨ドラム29により
鏡面研磨される(第2図A〜H参照)。
上に所定の向きで吸着、保持されると、シリンダ22か
作動してスライドテーブル20か前進し、正方向に回転
を始めた研磨ドラム29かウェハ12の外周部に当接す
る。そして、上記チャックテーブル13か駆動源16に
より低速(1〜10.r、p、m、 )で正方向に1回
転し、ウェハ12の外周部が上記研磨ドラム29により
鏡面研磨される(第2図A〜H参照)。
上記正回転での研磨が終了すると、研磨ドラム29がウ
ェハ12から一旦離間し、その回転方向か逆転する。そ
して、該研磨ドラム29が再びウェハ1zに当接すると
、今度はチャックテーブル13か逆方向に低速で1回転
し、上記正回転の場合と同様の研磨が行われる(第3図
A−H参照)。
ェハ12から一旦離間し、その回転方向か逆転する。そ
して、該研磨ドラム29が再びウェハ1zに当接すると
、今度はチャックテーブル13か逆方向に低速で1回転
し、上記正回転の場合と同様の研磨が行われる(第3図
A−H参照)。
かくして、ウェハ12及び研磨ドラム29をそれぞれ正
方向に回転させた場合と逆方向に回転させた場合とにつ
いて研磨を行うことにより、ウェハ12の全周が均等に
鏡面研磨されることになる。
方向に回転させた場合と逆方向に回転させた場合とにつ
いて研磨を行うことにより、ウェハ12の全周が均等に
鏡面研磨されることになる。
即ち、上記研磨時には、研磨ドラム29が、エアスライ
ド機構23の作用により、直線部分12aを備えたウェ
ハ12の外周形状に倣って該ウェハ12の半径方向に適
宜変位しながら、ウェイト35の重量により一定の力て
該ウェハ12に押し付けられているが、該研磨ドラム?
、9かウェハ12の円弧状部分12bから直線部分12
a f%′、かかったとき(第2図C)に、該ウェハ1
2の形状変化に十分追随しきれず、該直線部分123の
端部においてウェハ12への接触か緩慢となって十分な
研磨か行われにくい、そこ。
ド機構23の作用により、直線部分12aを備えたウェ
ハ12の外周形状に倣って該ウェハ12の半径方向に適
宜変位しながら、ウェイト35の重量により一定の力て
該ウェハ12に押し付けられているが、該研磨ドラム?
、9かウェハ12の円弧状部分12bから直線部分12
a f%′、かかったとき(第2図C)に、該ウェハ1
2の形状変化に十分追随しきれず、該直線部分123の
端部においてウェハ12への接触か緩慢となって十分な
研磨か行われにくい、そこ。
て、ウェハ12を逆方向に回転させて同様の研磨を行・
うことにより、正回転では研磨されにくい上記部分が逆
回転によって十分に研磨されることになるのである。
うことにより、正回転では研磨されにくい上記部分が逆
回転によって十分に研磨されることになるのである。
なお、ウェハ1zの回転数に比べて研磨ドラム29の回
転数か十分大きい場合には、ウェハ12及び研磨ドラム
29のうらの少なくとも一方な正逆に回転変更するよう
にしても良く、また、ウェハ12を正逆方向に1回転さ
せるたけでは不十分な場合は、それぞれの方向に複数回
転させることもできる。
転数か十分大きい場合には、ウェハ12及び研磨ドラム
29のうらの少なくとも一方な正逆に回転変更するよう
にしても良く、また、ウェハ12を正逆方向に1回転さ
せるたけでは不十分な場合は、それぞれの方向に複数回
転させることもできる。
さらに、上記例はウェハの軸線と並行な周側面を鏡面研
磨する場合であるか、第4図に示すように、ウェハ38
の外周部に形成された面取部39を鏡面研磨する場合に
は、該ウェハ38即ちチャックテーブル40の軸線か、
又は研磨ドラム41の軸線を面取角θに応して傾斜させ
ればよいゆ [発明の効果] このように1本発明によれは、ウェハ及び研磨ドラムを
一方向に回転させて研磨したあと、それらのうち少なく
とも−・方を逆方向に回転させて再度研磨するようにし
たので、一方向の回転たけては研磨されにくいウェハの
直線部分を、逆回転ての研磨によって確実に鏡面研磨す
ることかできる。
磨する場合であるか、第4図に示すように、ウェハ38
の外周部に形成された面取部39を鏡面研磨する場合に
は、該ウェハ38即ちチャックテーブル40の軸線か、
又は研磨ドラム41の軸線を面取角θに応して傾斜させ
ればよいゆ [発明の効果] このように1本発明によれは、ウェハ及び研磨ドラムを
一方向に回転させて研磨したあと、それらのうち少なく
とも−・方を逆方向に回転させて再度研磨するようにし
たので、一方向の回転たけては研磨されにくいウェハの
直線部分を、逆回転ての研磨によって確実に鏡面研磨す
ることかできる。
第1図は本発明の方法の実施に使用される研磨装τの一
例を示す側面図、第2図A〜H及び第3図A〜Hは本発
明の研磨方法の段階的な説明図、第4図は面取りされた
ウェハの面取部を鏡面研磨する場合の部分側面図、第5
図は直線部分を有するウェハの外周部を鏡面研磨する場
合にフいての説明図である。 12.3g ・・ウェハ12゜ 12a ・・1宜線部
分、29.41 ・・研磨ドラム。 特許出願人 スピードファム株式会社第1図 第2図 第3図 第4図 GH 第5図
例を示す側面図、第2図A〜H及び第3図A〜Hは本発
明の研磨方法の段階的な説明図、第4図は面取りされた
ウェハの面取部を鏡面研磨する場合の部分側面図、第5
図は直線部分を有するウェハの外周部を鏡面研磨する場
合にフいての説明図である。 12.3g ・・ウェハ12゜ 12a ・・1宜線部
分、29.41 ・・研磨ドラム。 特許出願人 スピードファム株式会社第1図 第2図 第3図 第4図 GH 第5図
Claims (1)
- 1、外周部に直線部分を備えた円盤形のウェハを軸線の
回りに回転させながら、該ウェハの外周部に回転する研
磨ドラムを押し付けて研磨する方法において、ウェハ及
び研磨ドラムをそれぞれ一方向に回転させて研磨したあ
と、ウェハ及び研磨ドラムのうち少なくとも一方を逆方
向に回転させて研磨することを特徴とするウェハ外周部
の鏡面研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335788A JP2613081B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | ウエハ外周部の鏡面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335788A JP2613081B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | ウエハ外周部の鏡面研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01274958A true JPH01274958A (ja) | 1989-11-02 |
| JP2613081B2 JP2613081B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=14351882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335788A Expired - Fee Related JP2613081B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | ウエハ外周部の鏡面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613081B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0469150A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Bandou Kiko Kk | ガラス板の数値制御研削機械 |
| JPH04365549A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Nitomatsuku Ii R Kk | ワーク外周面の鏡面仕上げ装置 |
| US6159081A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-12 | Hakomori; Shunji | Method and apparatus for mirror-polishing of workpiece edges |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10335788A patent/JP2613081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0469150A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Bandou Kiko Kk | ガラス板の数値制御研削機械 |
| JPH04365549A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Nitomatsuku Ii R Kk | ワーク外周面の鏡面仕上げ装置 |
| US6159081A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-12 | Hakomori; Shunji | Method and apparatus for mirror-polishing of workpiece edges |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2613081B2 (ja) | 1997-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6093087A (en) | Wafer processing machine and a processing method thereby | |
| US4054010A (en) | Apparatus for grinding edges of planar workpieces | |
| US6261160B1 (en) | Method and apparatus for specular-polishing of work edges | |
| US5016399A (en) | Planetary lap | |
| JP2001315045A5 (ja) | ||
| JP2002144201A (ja) | 円板形ワークの外周研磨装置及び研磨方法 | |
| JPH11245151A (ja) | ワークの外周研磨装置 | |
| US6159081A (en) | Method and apparatus for mirror-polishing of workpiece edges | |
| JP2009297842A (ja) | ワーク外周部の研磨装置および研磨方法 | |
| JP2002217149A (ja) | ウエーハの研磨装置及び研磨方法 | |
| JPH1133888A (ja) | ウェーハの鏡面面取り装置 | |
| JP2004174627A (ja) | 切削研削方法とその装置 | |
| JP2613081B2 (ja) | ウエハ外周部の鏡面研磨方法 | |
| TWI795330B (zh) | 半導體結晶晶圓的製造方法及製造裝置 | |
| JP2916028B2 (ja) | ワークエッジの鏡面研磨方法及び装置 | |
| JP2651479B2 (ja) | ウエハの鏡面加工装置 | |
| JP2001007064A (ja) | 半導体ウエーハの研削方法 | |
| CN1810446B (zh) | 磨削方法及磨削装置 | |
| JPH10328989A5 (ja) | ||
| JPH06262505A (ja) | 面取り砥石車及びそれを用いた面取り加工装置 | |
| JP4122800B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| US20070202777A1 (en) | Linearly Advancing Polishing Method And Apparatus | |
| JPS62213954A (ja) | 硬脆材の外周面研削方法およびその装置 | |
| JP2007290050A (ja) | 研磨方法及び平面研磨装置 | |
| JP2000042883A (ja) | 半導体ウエハの鏡面加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |