JPH01275407A - 高温超電導体 - Google Patents

高温超電導体

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JPH01275407A
JPH01275407A JP63103593A JP10359388A JPH01275407A JP H01275407 A JPH01275407 A JP H01275407A JP 63103593 A JP63103593 A JP 63103593A JP 10359388 A JP10359388 A JP 10359388A JP H01275407 A JPH01275407 A JP H01275407A
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JP
Japan
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temperature superconductor
superconductor
film
tin
high temperature
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Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は高温超電導体構造に関し、とりわけ半導体装置
における高温超電導体による電極配線構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、Ｙ　＋　Ｂ　ａ　ｚ　Ｃｕ　ｓ　Ｏを等から成る
セラミック系高温超電導体表面にはＡｇ膜が形成されて
成るのが通例であった。
［発明が解決しようとする課題） しかし、上記従来技術によると、高温超電導体の臨界温
度が不安定になると云う課題があった６本発明は、かか
る従来技術の課題を解決し、臨界温度の不安定さの無い
高温超電導体の構造を提供する事を目的とし、とりわけ
、半導体装置における高温超電導体配線の安定化を計る
新しい構造を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段１ 上記課題を解決するために、本発明は、高温超電導体に
関し、 （１）ＹＩ　Ｂａ２ＣｔｚＯ？等から成るセラミック系
高温超電導体表面にＴｉ　Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ、ＭｏＮ、
ＺｒＮ等の電導性窒化膜が形成する手段を取る事、及び
、 （２）半導体装置に於けるＹ　＋　３　ａ　２　Ｃｕ　
ｓ　Ｏ？等から成るセラミック系高温超電導体膜配線の
少くとも一生表面にＴ　ｉ　Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ、Ｍ。
Ｎ、Ｚ二Ｎ等の電導性窒化膜を形成する手段を取る事、
等を基本とする。
［作　用Ｉ Ｙ　＋　Ｂ　ａ　２　Ｃｕ　ｓ　Ｏを等から成るセラミ
ック系高温超電導体表面に、Ｔ　ｉ　Ｎ、ＮｂＮ、ＷＮ
、ＭｏＮ、ＺｒＮ等の電導性窒化膜を形成すると、Ｙ　
ＩＢ　ａ　２Ｃｕ　ｚ　Ｏ？等のセラミック系高温超電
導体からの酸素放出を防止することができ、酸素放出に
よる臨界温度の低下を防止することができるイ乍用があ
る。
［実　施　例］ 以下、実施例により本発明を詳述する６第１図は本発明
の一実施例を示す高温超電導体による線材の断面図であ
る。すなわち、Ｙ。
Ｂ　ａ　２Ｃｕ　ｓ　Ｏ７芯線１の表面にはＴｉＮ被覆
層３がスパック法等により形成され、該ＴｉＮ被覆層３
を通して高エネルギーイオン打込み装置による酸素イオ
ン打込み層２が形成された後、４００℃程度のアニール
処理が施されて成る。尚、ＴｉＮ被覆層３の下にＡｇ層
が形成されても良い事は云うまでもない。
第２図は本発明の他の実施例を示す半導体装置における
高温超電導体配線構造を示す断面図である。すなわち、
Ｓｉ基板１１の表面には、通常の半導体装置の製造方法
により５１０２膜１２及び拡散層１３が形成され、該拡
散層１３の上のＳｉＯ□膜１２にはコンタクト穴が開け
られ、その上にＴｉＮ１ｉ１６、Ｙ＋Ｂａ１ＣｕｓＯ１
膜１５及び主表面へのＴｉＮ１ｉ１６がスパッタ法で形
成された後、ホト・エツチングにより電極配線となされ
た後、５ｉｉＮ４膜１７がプラズマＣＶＤ法により形成
され、その後、必要とあらばＹ、Ｂａ２Ｃｕ３０を膜１
５内に酸素イオン打込みがなされ、アニール処理された
後、Ｓｉ　３Ｎ４膜１７にパッド部コンタクト穴開けさ
れて、該パッド部にＡ℃電極１８が通常の半導体装置の
製造に従って形成される。
［発明の効果１ 本発明により、セラミック系高温超電導体の臨界温度の
不安定さを防止できる効果があり、とりわけ、セラミッ
ク系高温超電導体による電極配線を半導体装置に適用し
た場合及び該電極配線に酸素イオン打込みにより臨界温
度の上昇を計った場合には、酸素の自然放出を導電性窒
化膜で防止する事ができる効果を保ちながら、パッド部
に外部リード線との接続のためのＡＩ２電極を形成する
ことが出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す高温超電導体線材の断
面図であり、第２図は本発明の他の実施例を示す半導体
装置における高温超電導体配線構造を示す断面図である
。 １　”　−’　−・Ｙ＋　ＢａｚＣｕｓＯｔ芯線２・・
・・・・酸素イオン打込み暦 ３・・・・・・ＴｉＮ被覆層 １１・・・・・・３１基板 １２　・　・　・　・　・　・　Ｓ　ｉ　Ｏ２膜１３・
・・・・・拡散層 １４．１６・・・ＴｉＮ膜 １５−　・−”Ｙ、ＢａｚＣｕａｏｙ膜１７・・・・・
・５ｉｉＮ４膜 １８・・・・・・Ａ℃電極 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）Ｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７等から成るセラミ
    ック系高温超電導体表面にはＴｉＮ、ＮｂＮ、ＷＮ、Ｍ
    ｏＮ、ＺｒＮ等の電導性窒化膜が形成されて成る事を特
    徴とする高温超電導体。
  2. （２）半導体装置に於けるＹ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿
    ７等から成るセラミック系高温超電導体膜配線の少くと
    も一主表面にはＴｉＮ、ＮｂＮ、ＷＮ、ＭｏＮ、ＺｒＮ
    等の電導性窒化膜が形成されて成る事を特徴とする半導
    体装置の配線における高温超電導体。
JP10359388A 1988-04-26 1988-04-26 高温超電導体 Expired - Lifetime JP2712272B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5678477A (en) * 1995-11-02 1997-10-21 Satake Corporation Husking apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132008A (ja) * 1987-11-18 1989-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超電導体およびその製造方法
JPH01137685A (ja) * 1987-11-25 1989-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超電導薄膜の形成方法
JPH01140683A (ja) * 1987-11-26 1989-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超電導薄膜の形成方法

Patent Citations (3)

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