JPH01276077A - マイクロ波３端子能動部品の静電特性測定用固定具 - Google Patents
マイクロ波３端子能動部品の静電特性測定用固定具Info
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- JPH01276077A JPH01276077A JP1053979A JP5397989A JPH01276077A JP H01276077 A JPH01276077 A JP H01276077A JP 1053979 A JP1053979 A JP 1053979A JP 5397989 A JP5397989 A JP 5397989A JP H01276077 A JPH01276077 A JP H01276077A
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/045—Sockets or component fixtures for RF or HF testing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波回路用３端子能動部品の電気特性測
定法、より詳細にはその静電特性測定用の固定具に係る
。
定法、より詳細にはその静電特性測定用の固定具に係る
。
測定可能な部品としては、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）ま
たはケイ素（Ｓｉ）から成る小信号または大信号用のＦ
ＥＴまたはバイポーラトランジスタをケースに封入した
もの、またはチップとしたものなどがある。測定は全て
静電条件下、すなわち直流電流において出力、入力また
相互特性曲線（ＦＥＴの場合では、各種ゲート電圧ｖｅ
に関するドレン電流■。対ドレン電圧Ｖｍ、ゲート電流
Ｉｓ対ゲート電圧ｖ６、または各種ドレン電圧Ｖ、に関
するドレン電流１．対ゲート電圧ＶＳ ）を求めること
を目的として実施される。
たはケイ素（Ｓｉ）から成る小信号または大信号用のＦ
ＥＴまたはバイポーラトランジスタをケースに封入した
もの、またはチップとしたものなどがある。測定は全て
静電条件下、すなわち直流電流において出力、入力また
相互特性曲線（ＦＥＴの場合では、各種ゲート電圧ｖｅ
に関するドレン電流■。対ドレン電圧Ｖｍ、ゲート電流
Ｉｓ対ゲート電圧ｖ６、または各種ドレン電圧Ｖ、に関
するドレン電流１．対ゲート電圧ＶＳ ）を求めること
を目的として実施される。
この種の測定法は部品の電気的挙動の測定に有効である
と共に、信頼性の点からみた挙動予測にも有効であるこ
とが証明されている。実際に、この種の測定によって特
定の静止点に関するバイアス電流および電圧測定値およ
び極温条件下でのその変化を得ることができる。
と共に、信頼性の点からみた挙動予測にも有効であるこ
とが証明されている。実際に、この種の測定によって特
定の静止点に関するバイアス電流および電圧測定値およ
び極温条件下でのその変化を得ることができる。
しかし、このような測定法を実施する上でいくつかの問
題点もある。それらは主として試験中に部品に生じるス
プリアス振動が大きくなることによるもので、電圧値、
電流値が変動するだけでなく、部品の破壊の原因となる
場合もある。スプリアス振動が望ましいのは、高電流が
部品を流れる場合である。スプリアス振動があると、相
互導電率が高くなり、従って全体的な測定回路利得も大
きくなるためである０部品の固有キャパシタンスおよび
バイアス回路網への端子と配線間の固有キャパシタンス
が低（でも、確実に所定周波数まで反応を生じさせるこ
とができる。
題点もある。それらは主として試験中に部品に生じるス
プリアス振動が大きくなることによるもので、電圧値、
電流値が変動するだけでなく、部品の破壊の原因となる
場合もある。スプリアス振動が望ましいのは、高電流が
部品を流れる場合である。スプリアス振動があると、相
互導電率が高くなり、従って全体的な測定回路利得も大
きくなるためである０部品の固有キャパシタンスおよび
バイアス回路網への端子と配線間の固有キャパシタンス
が低（でも、確実に所定周波数まで反応を生じさせるこ
とができる。
付言すると、マイクロ波領域で動作することを目的とす
るこれらの部品は非常に高い遮断周波数（３０ＧＨ！に
も及ぶ）を示すため、非常に低い周波数で非常に高い利
得を示し、それに呼応してスプリアス振動が生じる場合
がある。そこで信頼性の高い測定値を獲得し部品破壊の
危険性を回避するためには、測定回路を実際的には直流
電流から始まる広い周波数範囲において安定化させる必
要がある。ＦＥＴの場合、破壊の一般的な原因は大きな
振幅の振動が存在する時にゲート接合、すなわちショッ
トキー接合が直接バイアスされて故障を生じることにあ
る。
るこれらの部品は非常に高い遮断周波数（３０ＧＨ！に
も及ぶ）を示すため、非常に低い周波数で非常に高い利
得を示し、それに呼応してスプリアス振動が生じる場合
がある。そこで信頼性の高い測定値を獲得し部品破壊の
危険性を回避するためには、測定回路を実際的には直流
電流から始まる広い周波数範囲において安定化させる必
要がある。ＦＥＴの場合、破壊の一般的な原因は大きな
振幅の振動が存在する時にゲート接合、すなわちショッ
トキー接合が直接バイアスされて故障を生じることにあ
る。
試験回路におけるスプリアス振動を防止し、上記のよう
な欠点を無くすために、現在いろいろな方法が使用され
ている。第１の方法は共振回路とＲＣ回路を並列に配置
して、スプリアス振動周波数において負荷として作用さ
せる方法である。しかしこの方法は直ちに利用できるも
のとは言えない、これらの回路が周波数選択挙動を有す
る上、集中素子を用いて構成されているため、能動部品
の種類毎に上記回路を同調するためにはスプリアス振動
周波数に関する予備知識が必要になるからである。
な欠点を無くすために、現在いろいろな方法が使用され
ている。第１の方法は共振回路とＲＣ回路を並列に配置
して、スプリアス振動周波数において負荷として作用さ
せる方法である。しかしこの方法は直ちに利用できるも
のとは言えない、これらの回路が周波数選択挙動を有す
る上、集中素子を用いて構成されているため、能動部品
の種類毎に上記回路を同調するためにはスプリアス振動
周波数に関する予備知識が必要になるからである。
別の方法として入力回路と直列に安定抵抗を挿入し、で
きるだけ部品に近接して接続することにより、無効寄生
パラメータをできるだけ小さくする方法がある。この抵
抗が非常に広範囲の周波数帯域でステージ利得を減少さ
せるため、スプリアス振動を無（すことができる、それ
でも相当量の電流が入力ポートを流れる場合は、入力ポ
ートにおいて直接電圧を測定することも、出力ポートを
通る電流を測定することもできない、このような場合、
安定抵抗両端での電圧降下が太き（なり、そのために出
力端子において測定される電圧および対応する出力電流
が大きくなる。
きるだけ部品に近接して接続することにより、無効寄生
パラメータをできるだけ小さくする方法がある。この抵
抗が非常に広範囲の周波数帯域でステージ利得を減少さ
せるため、スプリアス振動を無（すことができる、それ
でも相当量の電流が入力ポートを流れる場合は、入力ポ
ートにおいて直接電圧を測定することも、出力ポートを
通る電流を測定することもできない、このような場合、
安定抵抗両端での電圧降下が太き（なり、そのために出
力端子において測定される電圧および対応する出力電流
が大きくなる。
さらに別の方法として、被験部品をある種の黒鉛入りス
ポンジ材料のような電磁波吸収材料で取囲む方法がある
。この方法では、特に試験器具の数が多い場合には邪魔
になるのは明らかであり、特に能動部品がより不安定に
なる最低周波数での有効性に欠ける。
ポンジ材料のような電磁波吸収材料で取囲む方法がある
。この方法では、特に試験器具の数が多い場合には邪魔
になるのは明らかであり、特に能動部品がより不安定に
なる最低周波数での有効性に欠ける。
本発明によって提供されるマイクロ波能動部品の静電特
性測定用固定具は、上述のような欠点を克服し、正逆の
バイアスによりスプリアス振動を生じることなく許容最
大値までＩ１０ポートにおける電流および電圧を同期的
に測定することができる０本発明の測定用固定具は狭帯
域成分を使用しないため、その有効性は同調の必要なし
に直流電流から部品の最大動作周波数にまで及ぶ、また
、小形化される上、製造も容易である。
性測定用固定具は、上述のような欠点を克服し、正逆の
バイアスによりスプリアス振動を生じることなく許容最
大値までＩ１０ポートにおける電流および電圧を同期的
に測定することができる０本発明の測定用固定具は狭帯
域成分を使用しないため、その有効性は同調の必要なし
に直流電流から部品の最大動作周波数にまで及ぶ、また
、小形化される上、製造も容易である。
本発明は請求項１に記載したような、マイクロ波能動部
品の静電特性測定用固定具を提供する。
品の静電特性測定用固定具を提供する。
次に添付図面を参照しながら非制限的な例として好適実
施層について詳しく説明するが、その中から以上に挙げ
たものも含めて本発明の特徴が明らかとなろう。
施層について詳しく説明するが、その中から以上に挙げ
たものも含めて本発明の特徴が明らかとなろう。
以下に説明する例では、被測定能動部品がゲート端子と
ソース端子とドレン端子を備えるマイクロ波ＦＥＴであ
るとする。
ソース端子とドレン端子を備えるマイクロ波ＦＥＴであ
るとする。
第１図に示すように、機械的支持部が２つの誘電体基板
を支持しており、基板の上に構成された電気回路が被験
ＦＥＴのゲートとドレンに別個に接続されている。支持
部は部品ケースの幾何学的大きさに適合させることによ
り、膨張による過大な応力を生じることなくＦＥＴの加
熱試験を行えるようにすることができる。
を支持しており、基板の上に構成された電気回路が被験
ＦＥＴのゲートとドレンに別個に接続されている。支持
部は部品ケースの幾何学的大きさに適合させることによ
り、膨張による過大な応力を生じることなくＦＥＴの加
熱試験を行えるようにすることができる。
支持部は下記の各部から成る。
■２つの金属製支持ブロックＳＵ１，ＳＵ２．これらは
ＦＥＴにバイアス電圧を印加するための雑音抑制フィル
タを備えた２つの電気コネクタを収容する六Ｆ ０１．
Ｆ ０２を設けた２つのフランジＦＬ１．ＦＬ２とそ
れぞれねじ留めされる。
ＦＥＴにバイアス電圧を印加するための雑音抑制フィル
タを備えた２つの電気コネクタを収容する六Ｆ ０１．
Ｆ ０２を設けた２つのフランジＦＬ１．ＦＬ２とそ
れぞれねじ留めされる。
■金属製中間ブロックＩＮ、前記２つの支持ブロックを
連結すると共に、ＦＥＴのケースを高精度に収納する中
間溝を構成する。この目的のために、中間ブロックはそ
の都度被験ＦＥＴのケースの寸法に幅と高さを合わせて
作成する。すなわち、幅をケースの幅と概ね等しくし、
高さについてはＦＥＴ端子が容易に電気回路線に当接で
きるようにする。ＦＥＴはねじを穴ＦＴ−ＦＴ＃に螺合
して中間ブロックに固定することができる。また六ＦＰ
″、ＦＰ’によって後述する押圧要素ＰＲを固定するこ
とができる。中間ブロックはその他、ＦＥＴのソースへ
の電気的接触および部品全体への熱接触を保証するよう
にも構成される。
連結すると共に、ＦＥＴのケースを高精度に収納する中
間溝を構成する。この目的のために、中間ブロックはそ
の都度被験ＦＥＴのケースの寸法に幅と高さを合わせて
作成する。すなわち、幅をケースの幅と概ね等しくし、
高さについてはＦＥＴ端子が容易に電気回路線に当接で
きるようにする。ＦＥＴはねじを穴ＦＴ−ＦＴ＃に螺合
して中間ブロックに固定することができる。また六ＦＰ
″、ＦＰ’によって後述する押圧要素ＰＲを固定するこ
とができる。中間ブロックはその他、ＦＥＴのソースへ
の電気的接触および部品全体への熱接触を保証するよう
にも構成される。
■２つの小形プラグＳＰ’、ＳＰ’、前記２つの支持ブ
ロックと中間ブロックが、ＳＵ２およびＩＮを貫通して
ＳＵＩの六ＦＦに螺合されるねじＶによって固定される
時に、これらを整合させる働きをする。
ロックと中間ブロックが、ＳＵ２およびＩＮを貫通して
ＳＵＩの六ＦＦに螺合されるねじＶによって固定される
時に、これらを整合させる働きをする。
■２つのプレートＰＯ１，ＰＯ２，支持ブロックＳ Ｕ
１， Ｓ Ｕ２にねし留めされて上述の誘電体基板Ｃ１
１，ＣＩ２を支持する。Ｃ１ｌとＣＩ２を電流を伝導す
る接着剤を用いて固着することにより、接地が有効に行
われるようにする。プレー１−Ｐｏｔ。
１， Ｓ Ｕ２にねし留めされて上述の誘電体基板Ｃ１
１，ＣＩ２を支持する。Ｃ１ｌとＣＩ２を電流を伝導す
る接着剤を用いて固着することにより、接地が有効に行
われるようにする。プレー１−Ｐｏｔ。
ＰＯ２は支持ブロックＳ Ｕ１， Ｓ Ｕ２の熱膨張を
誘電体基板Ｃ１１，ＣＩ２の熱膨張に適応させることに
より、被験ＦＥＴの測定中に生じる加熱周期において過
剰な機械的応力が発生するのを防止する働きをする。そ
のため、プレー）ＰＯ１，ＰＯ２を構成する材料は、支
持ブロックの熱膨張係数と誘電体基板の熱膨張係数の中
間を示すものとする。
誘電体基板Ｃ１１，ＣＩ２の熱膨張に適応させることに
より、被験ＦＥＴの測定中に生じる加熱周期において過
剰な機械的応力が発生するのを防止する働きをする。そ
のため、プレー）ＰＯ１，ＰＯ２を構成する材料は、支
持ブロックの熱膨張係数と誘電体基板の熱膨張係数の中
間を示すものとする。
例えば支持ブロックが黄銅で形成され、基板がアルミナ
の場合ＰＯＩと、ＰＯ２はコバールとも呼ばれる鉄・ニ
ッケル・コバルト合金で形成すると良い。
の場合ＰＯＩと、ＰＯ２はコバールとも呼ばれる鉄・ニ
ッケル・コバルト合金で形成すると良い。
■前出の押圧要素ＰＲ，プレートＰ Ｏｆ、 Ｐ ０２
と同じ材料で形成され、ＦＥＴのゲート端子とドレン端
子を基板Ｃ１１，ＣＩ２に押圧することによりはんだを
用いずに電気的接触を保証できるように構成された２つ
の絶縁バーＳ ＥＬ、 Ｓ Ｅ２を備える。
と同じ材料で形成され、ＦＥＴのゲート端子とドレン端
子を基板Ｃ１１，ＣＩ２に押圧することによりはんだを
用いずに電気的接触を保証できるように構成された２つ
の絶縁バーＳ ＥＬ、 Ｓ Ｅ２を備える。
部品が「チップ」または「キャリヤに載置されたチップ
」の形をとる場合、端子が欠落しているため、基Ｆｉ、
ｃｔｉ、ｃｔ２の配線への接続を「ワイヤボンディング
」によって行う、この場合、押圧要素ＰＲは当然不要に
なる。
」の形をとる場合、端子が欠落しているため、基Ｆｉ、
ｃｔｉ、ｃｔ２の配線への接続を「ワイヤボンディング
」によって行う、この場合、押圧要素ＰＲは当然不要に
なる。
それぞれの基板Ｃ１１，ＣＩ２上に構成した電気回路を
示したのが第２図である０石英、アルミナ、酸化ベリリ
ウム等で構成される誘電体基板の片面に接地導電面が形
成され、他方の面に導電線と抵抗線が形成される。より
詳細には、配線ＰＣが金等の導電性材料で形成され、そ
の一端部に電源コネクタへの接続用のパッドが設けられ
る。その他端部に被試験ＦＥＴのゲートまたはドレンが
接触配置される。
示したのが第２図である０石英、アルミナ、酸化ベリリ
ウム等で構成される誘電体基板の片面に接地導電面が形
成され、他方の面に導電線と抵抗線が形成される。より
詳細には、配線ＰＣが金等の導電性材料で形成され、そ
の一端部に電源コネクタへの接続用のパッドが設けられ
る。その他端部に被試験ＦＥＴのゲートまたはドレンが
接触配置される。
それぞれ２本の分岐線を垂直に設けた２本の抵抗線が配
線ＰＣの両縁に接して配設される。配線ＰＣに対して対
称かつ平行にさらに２本の導電線ＰＬ−ＰＬ’が設けら
れる。これらの導電線も抵抗線Ｒｐ； Ｒｐ’に直交す
る分岐線の端部と接している。また配線ＰＬ−ＰＬ＃は
プレートＰ０１゜Ｐ ０２（第１図）を介して接地され
ているキャパシタ端子（不図示）に接続されている。従
って抵抗線ＲＰ’、ＲＰ’の側方端部は交流電流におい
て接地され、直流電流において絶縁されていることにな
る。このような回路は薄膜技術で構成することができる
。
線ＰＣの両縁に接して配設される。配線ＰＣに対して対
称かつ平行にさらに２本の導電線ＰＬ−ＰＬ’が設けら
れる。これらの導電線も抵抗線Ｒｐ； Ｒｐ’に直交す
る分岐線の端部と接している。また配線ＰＬ−ＰＬ＃は
プレートＰ０１゜Ｐ ０２（第１図）を介して接地され
ているキャパシタ端子（不図示）に接続されている。従
って抵抗線ＲＰ’、ＲＰ’の側方端部は交流電流におい
て接地され、直流電流において絶縁されていることにな
る。このような回路は薄膜技術で構成することができる
。
次に、第３図の等価回路を参照して固定具の電気的動作
について見てみよう、導電線と平行に通る抵抗線は抵抗
Ａ−Ａ″の組と等価であり、導電線に対して垂直の線は
抵抗Ｂ−Ｂ′の組と等価である。また接地キャパシタｃ
−ｃ’の組も存在する。各組のキャパシタは低周波数で
も高周波数でも寄生リアクタンスを低減するために少な
くとも１つの高キャパシタンスのキャパシタと少なくと
も１つの低キャパシタンスのキャパシタから構成される
。ＦＥＴのゲートまたはドレンから大地へ向かう途中に
ある等価高周波数抵抗は、約５０オームに設定すると好
都合である。この値は２本の平行分岐抵抗線から求めた
ものであるが、抵抗線の幅を狭くして３本以上とした場
合でもこの値が求められる。
について見てみよう、導電線と平行に通る抵抗線は抵抗
Ａ−Ａ″の組と等価であり、導電線に対して垂直の線は
抵抗Ｂ−Ｂ′の組と等価である。また接地キャパシタｃ
−ｃ’の組も存在する。各組のキャパシタは低周波数で
も高周波数でも寄生リアクタンスを低減するために少な
くとも１つの高キャパシタンスのキャパシタと少なくと
も１つの低キャパシタンスのキャパシタから構成される
。ＦＥＴのゲートまたはドレンから大地へ向かう途中に
ある等価高周波数抵抗は、約５０オームに設定すると好
都合である。この値は２本の平行分岐抵抗線から求めた
ものであるが、抵抗線の幅を狭くして３本以上とした場
合でもこの値が求められる。
このように導電線と抵抗線を組合せることによって、振
動が減衰されるため測定回路が非常に安定する。実際に
、トランジスタから波動が生じても、抵抗線を通るうち
に次第に減衰され、目立った不連続点が無くなるため反
射波の形成が防止される。ＦＥＴのゲートまたはドレン
に集中抵抗を接続した場合にはこのような不連続点の形
成を免れないため、集中抵抗では回路の安定性を確保す
ることはできない。
動が減衰されるため測定回路が非常に安定する。実際に
、トランジスタから波動が生じても、抵抗線を通るうち
に次第に減衰され、目立った不連続点が無くなるため反
射波の形成が防止される。ＦＥＴのゲートまたはドレン
に集中抵抗を接続した場合にはこのような不連続点の形
成を免れないため、集中抵抗では回路の安定性を確保す
ることはできない。
導電線と被験トランジスタのドレンおよびゲート端子と
の間のインピーダンス整合を評価するために、広範囲の
周波数について測定を行った。より詳細には、最も不利
な条件下、すなわち雑音抑制フィルタ付きコネクタが電
源に接続されないような条件下でトランジスタの端子に
見られる反射係数を測定したところ、反射係数は３〜２
６ＧＨｚの範囲で０．１ （−２０ｄＢ）以下であった
０周知のように、トランジスタの不安定性の原因となる
反射は係数で表され、その値は上記の数値よりはるかに
高くなるのが普通である。
の間のインピーダンス整合を評価するために、広範囲の
周波数について測定を行った。より詳細には、最も不利
な条件下、すなわち雑音抑制フィルタ付きコネクタが電
源に接続されないような条件下でトランジスタの端子に
見られる反射係数を測定したところ、反射係数は３〜２
６ＧＨｚの範囲で０．１ （−２０ｄＢ）以下であった
０周知のように、トランジスタの不安定性の原因となる
反射は係数で表され、その値は上記の数値よりはるかに
高くなるのが普通である。
以上に説明したものは非限定的な例によって記したもの
であることは明らかである。この発明の範囲を逸脱する
ことなく、種々の変形や変更態様が可能である。
であることは明らかである。この発明の範囲を逸脱する
ことなく、種々の変形や変更態様が可能である。
４、図面簡単な説明
第１図は機械的支持部の分解図である。
第２図はその上に電気回路を構成された２つの誘電体基
板の１つを示している。
板の１つを示している。
第３図は測定回路の等価回路図である。
Ｃ１１，ＣＩ２・・・誘電体基板、
ＳＵ１，ＳＵ２・・・支持ブロック、
ＦＬ１，ＰＬ２・・・フランジ、
ＦＯ１，ＰＯ２・・・フランジ穴、
ＩＮ・・・中間ブロック、
ＦＰ’； ＦＰ’・・・中間ブロック穴、ＰＲ・・・押
圧要素、 ＳＰ’； ｓｐｌ・・・小形プラグ、 ＦＦ・・・ねじ穴、 ■・・・ねじ、Ｐｏ１，ＰＯ
２・・・プレート、 ＰＣ・・・中央配線、 ＲＰ−ＲＰｌ・・・抵抗線、
ＰＬ−ＰＬｌ・・・導電線。
圧要素、 ＳＰ’； ｓｐｌ・・・小形プラグ、 ＦＦ・・・ねじ穴、 ■・・・ねじ、Ｐｏ１，ＰＯ
２・・・プレート、 ＰＣ・・・中央配線、 ＲＰ−ＲＰｌ・・・抵抗線、
ＰＬ−ＰＬｌ・・・導電線。
代理人の氏名 川原１）−穂
Claims (4)
- （１）マイクロ波３端子能動部品の静電特性測定用固定
具であって、該被験部品の入出力端子に別個に接続され
た電気回路を載置した２つの誘電体基板（ＣＩ１，ＣＩ
２）を支持する機械的支持装置を含んで成る固定具にお
いて、前記固定具が、被験部品にバイアス電圧を印加す
るための雑音抑制フィルタを備えた２つの電気コネクタ
を収容する穴（ＦＯ１，ＦＯ２）をそれぞれ設けられて
いる２つのフランジ（ＦＬ１，ＦＬ２）にそれぞれねじ
留めされる２つの金属性支持ブロック（ＳＵ１，ＳＵ２
）と、 前記２つの支持ブロックを連結すると共に被験部品を高
精度に収容してねじ留めできるようにする中間溝を形成
し、押圧要素（ＰＲ）を固定させるための２つの穴（Ｆ
Ｐ′，ＦＰ″）を備える金属製中間ブロック（ＩＮ）で
あって、被験部品の共通端子への電気接触および部品全
体への熱接触を確実にする機能も有する中間ブロックと
、 ねじ（Ｖ）を一方の支持ブロック（ＳＵ２）および中間
ブロックに貫通し、他方の支持ブロック（ＳＵ１）のね
じ穴（ＦＦ）に螺合することによって前記２つの支持ブ
ロックと中間ブロックを固定する時にこれらのブロック
を整合する２つの小形プラグ（ＳＰ′，ＳＰ″）と、 支持ブロック（ＳＵ１，ＳＵ２）にねじ留めされて誘電
体基板（ＣＩ１，ＣＩ２）を支持すると共に、支持ブロ
ック（ＳＵ１，ＳＵ２）の熱膨張を誘電体基板（ＣＩ１
，ＣＩ２）の熱膨張に適応させるための２つのプレート
（ＰＯ１，ＰＯ２）と、 被験部品の入出力端子を誘電体基板（ＣＩ１，ＣＩ２）
に押圧してはんだ付けを用いずに電気的接続を行うよう
に構成された２つの絶縁バーを備えている押圧要素（Ｐ
Ｒ）と、 各々が片面に接地導電面を備える２つの誘電体基板（Ｃ
Ｉ１，ＣＩ２）であって、前記基板の他方の面に、 （ａ）導電性材料から成り、一端部に電源コネクタへの
接続用のパッドを設けた中央配線（ＰＣ）と、 （ｂ）前記中央配線（ＰＣ）に隣接して、該配線の両縁
部に沿って電気的に接続されており、抵抗分岐線を垂直
に設けられている２本の抵抗線（ＲＰ′，ＲＰ″）と、 （ｃ）前記中央配線（ＰＣ）に対し対称かつ平行に、ま
た前記抵抗線（ＲＰ′，ＲＰ″）の垂直分岐線の端部と
接続して配設されている２本の導電線（ＰＬ′，ＰＬ″
）とを設けられている誘電体基板とを含んで成ることを
特徴とする固定具。 - （２）前記誘電線（ＰＬ′，ＰＬ″）が前記プレート（
ＰＯ１，ＰＯ２）とを介して接地されているキャパシタ
の端子に接続されていることを特徴とする請求項１に記
載の固定具。 - （３）前記プレート（ＰＯ１，ＰＯ２）を構成する材料
が、支持ブロック（ＳＵ１，ＳＵ２）の熱膨張係数と誘
電体基板（ＣＩ１，ＣＩ２）の熱膨張係数との中間の熱
膨張係数を有する材料であることを特徴とする請求項１
に記載の固定具。 - （４）前記金属製中間ブロック（ＩＮ）が、被験部品の
ケースの幅にほぼ等しい幅と、被験部品の入出力端子を
誘電体基板（ＣＩ１，ＣＩ２）の中央配線（ＰＣ）に容
易に接続できる高さとを有していることを特徴とする請
求項１に記載の固定具。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT67258/88A IT1219140B (it) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Dispositivo per la misura delle caratteristiche statiche di componenti attivi a tre terminali per microonde |
| IT67258-A/88 | 1988-03-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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