JPH01276184A - 画像形成方法 - Google Patents
画像形成方法Info
- Publication number
- JPH01276184A JPH01276184A JP10401088A JP10401088A JPH01276184A JP H01276184 A JPH01276184 A JP H01276184A JP 10401088 A JP10401088 A JP 10401088A JP 10401088 A JP10401088 A JP 10401088A JP H01276184 A JPH01276184 A JP H01276184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charger
- image
- photosensitive body
- positively
- positively charged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は電子写真装置等において、正帯電有機光導電体
を用い画像形成を行なうものにおいて、その繰り返えし
使用による特性の劣下防止を行なう画像形成方法に関す
る。
を用い画像形成を行なうものにおいて、その繰り返えし
使用による特性の劣下防止を行なう画像形成方法に関す
る。
（従来の技術）
従来の複写機やレーザプリンタ等電子写真装置の感光体
材料としては、 セレン［Ｓｅ］、セレン−テルル（Ｓ
ｅ−Ｔｅ）合金、 ヒ素セレン［Ａｓ２Ｓｅ３〕。
材料としては、 セレン［Ｓｅ］、セレン−テルル（Ｓ
ｅ−Ｔｅ）合金、 ヒ素セレン［Ａｓ２Ｓｅ３〕。
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等の無機材料が主として多用され
ている。しかしながらセレン（Ｓｅ）系やヒ素セレン〔
Ａｓ２Ｓｅ３〕にあっては、人体に有害である事から使
用後には使用済みの感光体を回収しなければならない。
ている。しかしながらセレン（Ｓｅ）系やヒ素セレン〔
Ａｓ２Ｓｅ３〕にあっては、人体に有害である事から使
用後には使用済みの感光体を回収しなければならない。
又、セレン［Ｓｅ］系にあっては結晶化温度が５０〜６
０（’Ｃ）と低い特性を有するため、結晶化し易く、複
写を繰り返えし行なう間に結晶化された部分に残留電荷
を生じ画質が劣下されると共に、硬度が低い事から長寿
命化を図れないという問題がある一方、ヒ素セレン（Ａ
ｓ２Ｓｅ３）にあっては光疲労により帯電能や感度等の
感光体特性が大きくかわると共に、温度特性も悪いとい
う問題がある。そして酸化亜鉛（ＺｎＯ）にあっては、
表面がやわらかくけずれ易い事から長寿命化を図れない
という問題を有している。
０（’Ｃ）と低い特性を有するため、結晶化し易く、複
写を繰り返えし行なう間に結晶化された部分に残留電荷
を生じ画質が劣下されると共に、硬度が低い事から長寿
命化を図れないという問題がある一方、ヒ素セレン（Ａ
ｓ２Ｓｅ３）にあっては光疲労により帯電能や感度等の
感光体特性が大きくかわると共に、温度特性も悪いとい
う問題がある。そして酸化亜鉛（ＺｎＯ）にあっては、
表面がやわらかくけずれ易い事から長寿命化を図れない
という問題を有している。
このため近年上記問題点を解決するものとして、無公害
であり、回収処理が不要なアモルファスシリコン（以下
ａ−５ｉと称す。）や有機光導電体（以下ＯＰＣと称す
。）等を感光体材料に適用する事が検討されている。そ
してａ−５ｉにあっては耐刷性あるいは耐衝撃性に優れ
、更に可視光全域から近赤外線領域までの拡い波長領域
で高い分光感度を有するという優位性を示す反面、帯電
能が低く画像流れを生じ易い欠点がある。更にａ −５
ｉにあってはビッカース硬度が高いため耐刷性に優れ、
主として高速の装置に利用されるものの、製造コストが
高いので、低価格化が要求される中・低速の装置への適
用は不能とされている。一方ＯＰＣにあっては、ａ−８
ｉに比しコストが安く、中・低速の装置への適用が可能
であり、しかも材料の選択によっては、従来に比し耐刷
性及び感度特性が大幅に改善される上に、負帯電ＯＰＣ
に比し、トナーを得易い事から、特に導電性支持体上に
電荷輸送層（以下ＣＴＬと称す。）及び電荷発生層（以
下ＣＧＬと称す。）が順次積層される正帯電ＯＰＣの開
発が進められている。しかしながらこのような正帯電Ｏ
ＰＣにあっては、露光あるいは除電による光疲労により
、コピーを繰り返えす間に蓄積電荷の上昇帯電能の低下
あるいはピンホールの発生、露光感度の上昇を生じ、こ
のため、画像に、かぶりを生じたり、画像濃度が低下さ
れ、更には画像中に白斑を生じたり、ハーフトーン部の
濃度低下を生じ画質が劣下されるという問題を有してい
る。
であり、回収処理が不要なアモルファスシリコン（以下
ａ−５ｉと称す。）や有機光導電体（以下ＯＰＣと称す
。）等を感光体材料に適用する事が検討されている。そ
してａ−５ｉにあっては耐刷性あるいは耐衝撃性に優れ
、更に可視光全域から近赤外線領域までの拡い波長領域
で高い分光感度を有するという優位性を示す反面、帯電
能が低く画像流れを生じ易い欠点がある。更にａ −５
ｉにあってはビッカース硬度が高いため耐刷性に優れ、
主として高速の装置に利用されるものの、製造コストが
高いので、低価格化が要求される中・低速の装置への適
用は不能とされている。一方ＯＰＣにあっては、ａ−８
ｉに比しコストが安く、中・低速の装置への適用が可能
であり、しかも材料の選択によっては、従来に比し耐刷
性及び感度特性が大幅に改善される上に、負帯電ＯＰＣ
に比し、トナーを得易い事から、特に導電性支持体上に
電荷輸送層（以下ＣＴＬと称す。）及び電荷発生層（以
下ＣＧＬと称す。）が順次積層される正帯電ＯＰＣの開
発が進められている。しかしながらこのような正帯電Ｏ
ＰＣにあっては、露光あるいは除電による光疲労により
、コピーを繰り返えす間に蓄積電荷の上昇帯電能の低下
あるいはピンホールの発生、露光感度の上昇を生じ、こ
のため、画像に、かぶりを生じたり、画像濃度が低下さ
れ、更には画像中に白斑を生じたり、ハーフトーン部の
濃度低下を生じ画質が劣下されるという問題を有してい
る。
（発明が解決しようとする課題）
従来正帯電ＯＰＣにあっては、画像形成工程を繰り返え
す間の光疲労により、残留電位が上昇し、帯電能が低下
して画像にかぶりを生じたり、濃度低下を生じる等し、
画質が著しく劣下されるという問題を有している。
す間の光疲労により、残留電位が上昇し、帯電能が低下
して画像にかぶりを生じたり、濃度低下を生じる等し、
画質が著しく劣下されるという問題を有している。
そこで本発明は上記問題を除去するもので、正帯電ＯＰ
Ｃを用い画像形成工程を繰り返えしても、かぶりや濃度
低下の無い良好な画像を得る事が出来る画像形成方法を
提供する事を目的とする。
Ｃを用い画像形成工程を繰り返えしても、かぶりや濃度
低下の無い良好な画像を得る事が出来る画像形成方法を
提供する事を目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記課題を解決するために、除電工程を露光に
よる事無く、正帯′１１ｔＯＰＣに、帯電時と逆極性で
ある負極性の直流電圧を印加する事により行ない、従来
に比し露光回数を減らす事により画質の向上を図るもの
である。
よる事無く、正帯′１１ｔＯＰＣに、帯電時と逆極性で
ある負極性の直流電圧を印加する事により行ない、従来
に比し露光回数を減らす事により画質の向上を図るもの
である。
（作 用）
本発明は上記手段により、従来除電工程時、正帯電ＯＰ
Ｃに生じていた光疲労を防止し、蓄積電荷の増加や帯電
能の低下を防止し、かぶりや濃度低下の無い良好な画像
を得るものである。
Ｃに生じていた光疲労を防止し、蓄積電荷の増加や帯電
能の低下を防止し、かぶりや濃度低下の無い良好な画像
を得るものである。
（実施例）
ここで先ず正帯電ＯＰＣの蓄積電荷の発生及び帯電能の
低減についてその原理を説明する。即ち正帯電ＯＰＣは
、一般に導電性支持体上にＣＴＬ及びＣＧＬを順次積層
した層構造を有している。そして画像露光時、光の照射
によりＣＧＬ内で正孔／′市子対が発生されるが、この
うち電子は表面に達し正帯電０２０表面上の正電荷を中
和し、正帯電Ｏ２０上に静電潜像を形成する一方、正孔
はＣＴＬを経て導電性支持体に達する。しかしながらこ
の時、正孔の一部はＣＧＬ及びＣＴＬの境界においてト
ラップされてしまう。そしてこの様な正孔のトラップは
、除電露光時においても発生され、コピーを繰り返えす
間に、このトラップされた正孔が順次増大され、これが
正帯電ＯＰＣの蓄積電荷となる。更には、ＣＧＬ、 Ｃ
ＴＩ、は共に光疲労により帯電能が著しく低減されてし
まう事となる。
低減についてその原理を説明する。即ち正帯電ＯＰＣは
、一般に導電性支持体上にＣＴＬ及びＣＧＬを順次積層
した層構造を有している。そして画像露光時、光の照射
によりＣＧＬ内で正孔／′市子対が発生されるが、この
うち電子は表面に達し正帯電０２０表面上の正電荷を中
和し、正帯電Ｏ２０上に静電潜像を形成する一方、正孔
はＣＴＬを経て導電性支持体に達する。しかしながらこ
の時、正孔の一部はＣＧＬ及びＣＴＬの境界においてト
ラップされてしまう。そしてこの様な正孔のトラップは
、除電露光時においても発生され、コピーを繰り返えす
間に、このトラップされた正孔が順次増大され、これが
正帯電ＯＰＣの蓄積電荷となる。更には、ＣＧＬ、 Ｃ
ＴＩ、は共に光疲労により帯電能が著しく低減されてし
まう事となる。
次に本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照しなが
ら説明する。（１０）は正帯電ＯＰＣからなるドラム状
の感光体であり、導電性基板であるアルミニウム〔Ａ２
〕の支持体（１１）上には以下に述べる製法によりＣＴ
Ｌ（１２ａ）及びＣＧＬ（１２ｂ）が順次積層されてい
る。即ち、先ず式 で示されるヒドラゾンに、結着樹脂であり、式で示され
るフェノキシを混合し、更にこれ等をシクロヘキサンの
溶剤で溶かした液体中に支持体（１１）を浸し、これを
乾燥しＣＴＬ（１２ａ）を形成する。
ら説明する。（１０）は正帯電ＯＰＣからなるドラム状
の感光体であり、導電性基板であるアルミニウム〔Ａ２
〕の支持体（１１）上には以下に述べる製法によりＣＴ
Ｌ（１２ａ）及びＣＧＬ（１２ｂ）が順次積層されてい
る。即ち、先ず式 で示されるヒドラゾンに、結着樹脂であり、式で示され
るフェノキシを混合し、更にこれ等をシクロヘキサンの
溶剤で溶かした液体中に支持体（１１）を浸し、これを
乾燥しＣＴＬ（１２ａ）を形成する。
次いで式
で示されるアゾ顔料と、（第１式）で示されるヒドラゾ
ンに、（第３式）で示されるフェノキシを混合し、これ
等を１・１・２−トリクロロエタンの溶剤中で溶かした
液体中に、ＣＴＬ（１２ａ）を有する支持体（１１）を
浸し、更にこれを乾燥し、ＣＧＬ（１２ｂ）を形成する
。
ンに、（第３式）で示されるフェノキシを混合し、これ
等を１・１・２−トリクロロエタンの溶剤中で溶かした
液体中に、ＣＴＬ（１２ａ）を有する支持体（１１）を
浸し、更にこれを乾燥し、ＣＧＬ（１２ｂ）を形成する
。
更に感光体（１０）の周囲には、感光体（１０）を約７
００ （Ｖ）に帯電する帯電チャージャ（１３） 、露
光装置（１，４）、現像装置（１６） 、転写チャージ
ャ（１７） 、剥離チャージャ（１８）、クリーニング
装置（２０） 、除電装置（２１）等の画像形成装置が
設けられている。そして除電袋［（２１）は電源（２１
ａ）により−５（ＫＶ）の直流電圧が印加されるチャー
ジャからなっている。
００ （Ｖ）に帯電する帯電チャージャ（１３） 、露
光装置（１，４）、現像装置（１６） 、転写チャージ
ャ（１７） 、剥離チャージャ（１８）、クリーニング
装置（２０） 、除電装置（２１）等の画像形成装置が
設けられている。そして除電袋［（２１）は電源（２１
ａ）により−５（ＫＶ）の直流電圧が印加されるチャー
ジャからなっている。
しかしてコピーが開始されると、感光体（１０）は矢印
工方向に回転され、これに従い、帯電チャージャ（１３
）により一様に正帯電され、続いて露光工程が行なわれ
る。この後感光体（１０）は現像装置１（１６）、転写
チャージャ（１７）、剥離チャージャ（１８）を経て図
示しないシート紙上にコピー像を形成し、次いでクリー
ニング装置（２０）を経て、除電装置（２１）に達し、
ここで光疲労を受ける事無く、負電荷を付与され除電が
行なわれ、次のコピー可能とされる。
工方向に回転され、これに従い、帯電チャージャ（１３
）により一様に正帯電され、続いて露光工程が行なわれ
る。この後感光体（１０）は現像装置１（１６）、転写
チャージャ（１７）、剥離チャージャ（１８）を経て図
示しないシート紙上にコピー像を形成し、次いでクリー
ニング装置（２０）を経て、除電装置（２１）に達し、
ここで光疲労を受ける事無く、負電荷を付与され除電が
行なわれ、次のコピー可能とされる。
尚この様にして繰り返えしコピーを行なったところ、従
来５ｏｏｏ ｃ枚〕程度の連続使用で、光疲労のための
かぶりや濃度低下が現われたのに対して、１５０００
（枚〕以上の連続使用においても良好なコピー画像を得
る事が出来た。
来５ｏｏｏ ｃ枚〕程度の連続使用で、光疲労のための
かぶりや濃度低下が現われたのに対して、１５０００
（枚〕以上の連続使用においても良好なコピー画像を得
る事が出来た。
この様に構成すれば、感光体（１０）は除電工程時、露
光を受ける事が無く、従来に比しコピーサイクル中での
光疲労が少ない事から、繰り返えしコピーによる蓄積電
荷が低減されると共に帯電能の低下を防止出来、かぶり
や、濃度低下の無い良好な画像を得る事が出来る。
光を受ける事が無く、従来に比しコピーサイクル中での
光疲労が少ない事から、繰り返えしコピーによる蓄積電
荷が低減されると共に帯電能の低下を防止出来、かぶり
や、濃度低下の無い良好な画像を得る事が出来る。
尚、本発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり、例えば直流電圧印加装置は正帯電ＯＰＣに摺接
され負極性の直流電圧が印加される導電性ブラシ等であ
っても良いし、その印加電圧の大きさも正帯電ＯＰＣの
帯電４位に応じ−１［ＫＶ）ないし−７（ＫＶ）程度で
あれば良く、より好ましくは−２（ＫＶ）ないし−５（
ＫＶ）程度とされる。又、正帯電ＯＰＣに実施される画
像形成工程も限定されず、現像工程終了後、余分な電荷
を消去するために転写工程前に除電工程を行なったり、
あるいはクリーニング工程前に残留トナーの除電を行な
う除電工程を行なう等しても良い。更に画像露光時 ４
に用いる光源の種類等も任意であるが、〔赤〕の波長光
近傍の長波長光を含まない光源を用いれば、正帯ｆｆｉ
ＯＰＣが長波長領域にも分光感度を有するにもかかわ
らず、ハンコ等の赤色部分の画像の再現性も向上される
。尚露先によらない除電方法として交流電圧印加装置も
考えられるが、除電時プラス電荷を付与しない分、直流
電圧印加装置の方が除電効率が良く、従って印加電圧も
小さく出来る事から電源の小型化により装置全体の小型
軽量化が可能となる。
であり、例えば直流電圧印加装置は正帯電ＯＰＣに摺接
され負極性の直流電圧が印加される導電性ブラシ等であ
っても良いし、その印加電圧の大きさも正帯電ＯＰＣの
帯電４位に応じ−１［ＫＶ）ないし−７（ＫＶ）程度で
あれば良く、より好ましくは−２（ＫＶ）ないし−５（
ＫＶ）程度とされる。又、正帯電ＯＰＣに実施される画
像形成工程も限定されず、現像工程終了後、余分な電荷
を消去するために転写工程前に除電工程を行なったり、
あるいはクリーニング工程前に残留トナーの除電を行な
う除電工程を行なう等しても良い。更に画像露光時 ４
に用いる光源の種類等も任意であるが、〔赤〕の波長光
近傍の長波長光を含まない光源を用いれば、正帯ｆｆｉ
ＯＰＣが長波長領域にも分光感度を有するにもかかわ
らず、ハンコ等の赤色部分の画像の再現性も向上される
。尚露先によらない除電方法として交流電圧印加装置も
考えられるが、除電時プラス電荷を付与しない分、直流
電圧印加装置の方が除電効率が良く、従って印加電圧も
小さく出来る事から電源の小型化により装置全体の小型
軽量化が可能となる。
以上説明したように本発明によれば、光照射をする事無
く、負極性の電荷を付与する事により除電工程を行なえ
、従来に比し正帯電ｏＰｃの光疲労を減少出来、画像形
成工程の繰り返えしによっても蓄Ｖｔ電荷が上昇したり
、帯電能が低減される等のおそれが無く、かぶりゃ濃度
低下等の無い良好な画像を得られると共に、正帯電ＯＰ
Ｃの長力命化が図れる。
く、負極性の電荷を付与する事により除電工程を行なえ
、従来に比し正帯電ｏＰｃの光疲労を減少出来、画像形
成工程の繰り返えしによっても蓄Ｖｔ電荷が上昇したり
、帯電能が低減される等のおそれが無く、かぶりゃ濃度
低下等の無い良好な画像を得られると共に、正帯電ＯＰ
Ｃの長力命化が図れる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示し第１図はそ
の概略断面図、第２図はその感光体を示す一部断面図で
ある。 １０・・・感光体、 １１・・・支持体、１２
ａ −ＣＴＬ、 １２ｂ・・・ｃＧＬ、１３
・・・帯電チャージャ、 ２１・・・除な装置、代理人
弁理士 大 胡 典 夫 ７３６一
の概略断面図、第２図はその感光体を示す一部断面図で
ある。 １０・・・感光体、 １１・・・支持体、１２
ａ −ＣＴＬ、 １２ｂ・・・ｃＧＬ、１３
・・・帯電チャージャ、 ２１・・・除な装置、代理人
弁理士 大 胡 典 夫 ７３６一
Claims (1)
- 正帯電有機光導電体上に画像形成工程を行なうものに
おいて、負極性の直流電圧印加装置により除電工程を行
なう事を特徴とする画像形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10401088A JPH01276184A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10401088A JPH01276184A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276184A true JPH01276184A (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=14369295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10401088A Pending JPH01276184A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276184A (ja) |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10401088A patent/JPH01276184A/ja active Pending
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