JPH01217490A - 画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は電子写真装置等において有機光導電体を正帯電
し、画像形成を行なう画像形成方法に関する。

（従来の技術） 従来複写機やレーザプリンタ等電子写真装置の感光体材
料としては、セレン（ＳＣ）、セレン−テルル（Ｓｅ−
Ｔｅ）合金、ヒ素セレン（ＡＳ２Ｓｃ、　）　、　ａ化
亜鉛（ＺｎＯ）等の無機材料が主として多用されている
。

しかしながらセレン（Ｓｅ３系、ヒ素セレン（ＡＳ２Ｓ
ｅＪ）は２人体に有害である事から、使用後には、使用
済みの感光体を回収しなければならない。又それぞれセ
レン（Ｓｅ）系にあっては結晶化温度が５０〜６０（’
Ｃ）と低い特性を有するため、結晶化し易く、複写を繰
り返えし行なう間に結晶化された部分に残留電荷を生じ
１画質が劣下されると共に、硬度が低い事から長寿命化
を図れないという問題があり、ヒ素セレン（ＡＳ２Ｓ８
３）にあっては光疲労により帯電能や感度等の感光体特
性が大きく異なると共に温度特性も悪いという問題があ
る。そして、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にあっては表面がやわ
らかくけずれ易い事から長寿命化が図れないという問題
を有している。

このため近年上記問題点を解決するものとして、無公害
であり回収処理が不要なアモルファスシリコン（以下ａ
−５ｉと称す。）や有機光導電体（以下ｏｐｃと称す。

）等を感光体材料に適用する事が検討されている。そし
てａ−５ｉにあっては、ビッカース硬度が高く耐剛性あ
るいは耐衝撃性に優れ、更に可視光全域から近赤外線領
域までの拡い波長領域で高い分光感度を有するという優
位性を示す反面、帯電能が低い、画像流れを生じ易い欠
点がある。

現在ビッカース硬度が高いため耐刷性に優れ、主として
高速の装置に利用されるものの、製造コストが高いので
、低価格化が要求される中・低速の装置への適用は不能
とされている。一方ＯＰＣにあっては、ａ−３ｉに比し
コストが安く、中・低速の装置への適用が可能であり、
しかも材料の選択によっては、従来に比し耐刷性及び感
度特性が大幅に改善される上に、負帯電ＯＰＣに比し、
トナーを得易い事から、特に導電性支持体上に電荷輸送
層（以下ＣＴＬと称す。）及び電荷発生／！（以下ＣＧ
Ｌと称す。）が順次積層される正帯電ＯＰＣの開発が進
められている。

しかしながらこのような正帯電ＯＰ　Ｃにあっては、初
期においては良好な画像を得られるものの、コピーを繰
り返えす間に蓄積電荷が第５図（Ａ）に示すように上昇
され、露光時における白地部分にこの蓄積電荷が影響を
与え、画像にかぶりを生じると共に、帯電能も減少され
、画像がうすくなり画質が著しく劣下されるという問題
を生じている。

更には正帯電ｏｐｃは長波長領域にも感度を有する事か
ら原稿上のハンコ等の赤色部分の再現性が悪くその適用
が不能とされるという問題も有している。

（発明が解決しようとする課題） 従来は正帯電ｏｐｃにあっては画像形成工程を繰り返え
す間に蓄積電荷を生じ、これにより残留電位が上昇して
、光疲労により帯電能が低下し１画像にかぶりを生じ画
質が著しく劣下され、更には赤色原稿の再現性が悪いと
いう問題を有している。

そこで本発明は上記問題を除去するもので、正帯電ＯＰ
Ｃを用い画像形成工程を繰り返えしても、かぶりや濃度
低下のない良好な画像を得られると共に、正帯電ｏｐｃ
の適用を可能とする画像形成方法を提供する事を目的と
する。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は上記課題を解決するために、露光あるいは除電
、更には露光と除電の両方を６２０（ｎｍ）以下の波長
光を主成分とする照射光により行なう事により、画質向
上を図るものである。

（作　用） 本発明は上記手段により露光時あるいは除電時の正帯電
ｏｐｃの光疲労を防止する事により、蓄積電荷の増加や
帯電能の低下を防止し、更には赤色原稿の再現性の向上
を図り、かぶりの無い良好な画像を得るものである。

（実施例） ここで先ず、正帯電ｏｐｃの蓄積電荷の発生及び帯電能
の低減についてその原理を説明する。即ち正帯電ｏｐｃ
は、一般に導電性支持体上にＣＴＬ及びＣＧＬを順次積
層した層構造を有し、全波長にわたり分光感度を有して
いる。そして露光時、光の照射により、ＣＧＬ内で正孔
／電子対が発生されるが、このうち、電子は表面に達し
、正帯ＭＩ　ＯＰ　Ｃ表面上の正帯電を中和し、正帯電
Ｏ２０上に静電潜像を形成する一方、正孔はＣＴＬを経
て導電性支持体に達する。しかしながらこの時、正孔の
一部はＣＧＬ及ヒＣＴＬの境界においてトラップされて
しまい、コピーを繰り返えす間にこのトラップされた正
孔が順次増大され、これが正帯電ＯＰＣの蓄積電荷とな
る。又ＣＧＬ、ＣＴＬ共に照射光の中の長波長光により
疲労し、帯電能が著しく低減されてしまう事となる。

そこで、正帯電ＯＰＣの蓄積電荷の上昇及び、帯電能の
低下を防止するには照射光の中の長波長光を除去する必
要がある。

次に本発明の第１の実施例を第１図ないし第３図を参照
しながら説明する。（１６）は正帯電ＯＰＣからなるド
ラム状の感光体であり、導電性基板であるアルミニウム
〔ＡＩ〕の支持体（１７）上には以下に述べろ製法によ
りＣＴＬ（１８ａ）及びＣＧＬ（１８ｂ）が順次ＶＣ層
されている。即ち式 で示されるヒドラゾンに、結着樹脂であり、式・・・（
第２式） で示されるフェノキシを混合し、更しここれ等をシクロ
ヘキサンの溶剤で溶かした液体中に支持体（１７）を浸
し、これを乾燥しＣＴＬ（１８ａ）を形成する。

次いで式 ・・・（第３式） で示されるナフトールＡＳ系アゾ顔料と（第１式）で示
されるヒドラゾンに（第２式）で示されるフェノキシを
混合し、これ等を１・ｌ・２−トリクロロエタンの溶剤
中で溶かした液体中に、ＣＴＬ（１８ａ）を有する支持
体（１７）を浸し、更にこれを乾燥し、ＣＧＬ（１８ｂ
）を形成する。一方、感光体（１６）の周囲には帯電チ
ャージャ（２０）、露光装置（２１）、現像装置（２２
）、転写チャージャ（２３）、剥離チャージャ（２４）
、クリーニング装置（２６）　、ハロゲンランプからな
る除電ランプ（２７）等の画像形成手段が設けられてい
る。そして露光装置（２１）にあっては、けい光灯から
なる露光ランプが設けられている。

しかしてコピーが開始されると、感光体（１６）は、矢
印Ｘ方向に回転され、これに従い、帯電チャージャ（２
４）により一様に正帯電され、続いて露光工程が行なわ
れるが、露光光が全て６２０（ｎｍ）以下の短波長であ
る事から、感光体（１６）は疲労される事無く露光を終
了する。この後現像装置（２２）、転写チャージャ（２
３）、剥離チャージャ（２４）を経て図示しないシート
紙上にコピー像が形成される一方、感光体（１６）は、
更にクリーニング装置（２６）を経て除電ランプ（２７
）に達する。

尚、この様にしてコピーを繰り返えしたところ感光体（
１６）の蓄積電荷は第３図に示すように低く押えられ、
コピー像にかぶりを生じる事が無く、更には帯電能の低
下も見られなかった。

このように構成すれば、露光工程においては６２０（ｎ
ｍ）より長い長波長光を全てカットする事により、感光
体（１６）の疲労を著しく低減出来、繰り返えしコピー
による蓄積電荷の上昇及び帯電能の低下を防止出来、か
ぶりや濃度低下のない良好な画像を得る事が出来、更に
は赤色原稿の再現性を向上出来る。

次に本発明の第２の実施例を第４図を参照しながら説明
する。尚第１の実施例と同一の部分については同一の符
号を付しその説明を省略する。本実施例は第１の実施例
の除電ランプ（２７）の前方に波長６２０（ｎｍ）より
長い長波長光をカットするフィルター（３１）を設ける
ものである。

しかしてコピー時、感光体（１６）は矢印Ｘ方向の回転
に従い各画像形成工程を実施され、露光工程及び除電工
程にあっては、波長が全て６２０（ｎｍ）以下の短波長
光からなる照射光により疲労される事無く露光及び除電
を行なわれる。

このように構成すれば、露光のみならず除電工程におい
ても６２０（ｎｍ）より長い長波長光を全てカットした
照射光を用いる事により、感光体（１６）の疲労を第１
の実施例に比してもより著しく低減出来、繰り返えしコ
ピーによる蓄積電荷の上昇及び帯電能の低下をより効果
的に防止出来、良好な画像を得られる。

尚、本発明は上記実施例に限定されず稲光設計変更可能
であり、例えば正帯電ＯＰＣの疲労を考慮すれば、露光
時及び除電時の照射光は、長波長光を全てカットする事
が望ましいが、正帯ｇｏｐｃの疲労に余り影響を与えな
い範囲である全エネルギーの３５〔％〕以下であれば照
射光中に多少長波長光が含有されていても良く、長波要
分が全エネルギーの３５〔％〕以下であるけい光灯を光
源として用いた場合には、長波長光をカットするための
フィルターを用いる必要も無く、コストの低減を図る事
が出来る。又、照射光の長波長側端部の波長は正帯電Ｏ
ＰＣが充分感光し、しかも疲労を生じない範囲であれば
特定されないが、露光時にあってはその照射光の波長を
６２０〔ｎｍ〕以下とすれば、〔赤〕の波長光を含まな
いので、赤色原稿による画像の再現性が向上される。尚
除電時にあっては、第１の実施例において述べたように
、正帯＝ｏｐｃの光減衰特性にすそ引きがあり、短波長
光のみでは完全な除電を行ないにくい事から、正帯電Ｏ
ＰＣの疲労を少なくすると共に、除電効果も上げなけれ
ばならないという両方の兼ね合いから、除電光における
長波長光の含有量は全エネルギーの約４０〔％〕程度で
あっても良い。又、長波長光をカットするためのフィル
ターの取付は位置等任意であるし、画像形成手段も実施
例のものに限定されず、現像終了後であって転写前に余
分な電荷を消去するための転写前チャージャを設けたり
、あるいは転写後残留トナーの電荷を消去するための除
電チャージャを設ける等しても良い。更に第２の実施例
において、感光体の光減衰特性のすそ引きにより除電後
も残留電荷が幾分生じるおそれがある場合には、除電チ
ャージャを除電ランプに隣設する等しても良い。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、露光時および／ま
たは除電時の照射光による正帯電ＯＰＣの疲労が少なく
、画像形成工程の繰り返えしによっても、蓄積電荷が上
昇したり、帯電能が低減されるおそれが無く、かぶりや
画像流れのない良好な画像を得られると共に、正帯電Ｏ
ＰＣの長寿命化が図られる。更には露光光の波長を少な
くとも６２０　（ｎｍ）以下とすれば、原稿が赤色であ
っても、画像を良好に再現出来る。又、第１の実施例に
示したような除電光を用いれば除電時残留電荷を生じる
事も無く、次の画像形成に悪影響を与える事も無い。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の第１の実施例を示し第１
図はその概略断面図、第２図はその感光体を示す一部断
面図、第３図はその繰り返えしコピーによる蓄積電荷を
示すグラフ、第４図は本発明の第２の実施例を示す概略
断面図、第５図は従来の装置における繰り返えしコピー
による蓄積電荷を示すグラフである。 １６・・・感光体、　　　　　　　１７・・・支持体、
１８ａ−ＣＴＬ、　　　　　　　　　　１８ｂ・ＣＧＬ
、２１・・・露光装置、　　　　　　２７・・・除電ラ
ンプ、２８・・・露光ランプ、　　　　　３１・・・フ
ィルタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、正帯電有機光導電体上に画像形成工程を行なうもの
   において、６２０〔ｎｍ〕以下の波長光を主成分とする
   照射光により露光工程および／または除電工程を行なう
   事を特徴とする画像形成方法。