JPH01217475A - 画像形成方法 - Google Patents
画像形成方法Info
- Publication number
- JPH01217475A JPH01217475A JP4218488A JP4218488A JPH01217475A JP H01217475 A JPH01217475 A JP H01217475A JP 4218488 A JP4218488 A JP 4218488A JP 4218488 A JP4218488 A JP 4218488A JP H01217475 A JPH01217475 A JP H01217475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- light
- positively charged
- exposure
- image forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は電子写真装置等において有機光導電体を正帯電
し、画像形成を行なう画像形成方法に関する。
し、画像形成を行なう画像形成方法に関する。
(従来の技術)
従来複写機やレーザプリンタ等電子写真装置の感光体材
料としては、セレン(Se)、セレン−テルル[5e−
Te]合金、ヒ素セレン(AS2Se、 ) 、酸化亜
鉛(ZnO)等の無機材料が主として多用されている。
料としては、セレン(Se)、セレン−テルル[5e−
Te]合金、ヒ素セレン(AS2Se、 ) 、酸化亜
鉛(ZnO)等の無機材料が主として多用されている。
しかしながらセレン(Se)系、ヒ素セレン[AS2S
e、 ]は人体に有害である事から、使用後には、使用
済みの感光体を回収しなければならない。又それぞれセ
レン(Se)系にあっては結晶化温度が50〜60(’
C)と低い特性を有するため、結晶化し易く、複写を繰
り返えし行なう間に結晶化された部分に残留電荷を生じ
画質が劣下されると共に、硬度が低い事から長寿命化を
図れないという問題があり、ヒ素セレン(AS2Se3
)にあっては光疲労により帯電能や感度等の感光体特性
が大きく変化すると共に温度特性も悪いという問題があ
る。そして、酸化亜鉛(ZnO)にあっては表面がやわ
らかくけずれ易い事から長寿命化が図れないという問題
を有している。
e、 ]は人体に有害である事から、使用後には、使用
済みの感光体を回収しなければならない。又それぞれセ
レン(Se)系にあっては結晶化温度が50〜60(’
C)と低い特性を有するため、結晶化し易く、複写を繰
り返えし行なう間に結晶化された部分に残留電荷を生じ
画質が劣下されると共に、硬度が低い事から長寿命化を
図れないという問題があり、ヒ素セレン(AS2Se3
)にあっては光疲労により帯電能や感度等の感光体特性
が大きく変化すると共に温度特性も悪いという問題があ
る。そして、酸化亜鉛(ZnO)にあっては表面がやわ
らかくけずれ易い事から長寿命化が図れないという問題
を有している。
このため近年上記問題点を解決するものとして、無公害
であり、回収処理が不要なアモルファスシリコン(以下
a−3iと称す。)や有機光導電体(以下opcと称す
。)等を感光体材料に適用する事が検討されている。そ
してa−3Lにあっては、ビッカース硬度が高く耐刷性
あるいは耐衝撃性に優れ、更に可視光全域から近赤外線
領域までの拡い波長領域で高い分光感度を有するという
優位性を示す反面、帯電能が低い事、画像流れを生じ易
い、更にはビッカース硬度が高いため耐刷性に優れ、主
として高速の装置に利用されるものの、製造コストが高
いので低価格化が要求される中・低速の装置への適用は
不能とされている。一方OPCにあっては、a−5iに
比しコストが安く中・低速の装置への適用が可能であり
、しかも材料の選択によっては、従来に比し耐刷性及び
感度特性が大幅に改善される上に、負帯電OPCに比し
、トナーを得易い事から、特に導電性支持体上に電荷輸
送層(以下CTLと称す。
であり、回収処理が不要なアモルファスシリコン(以下
a−3iと称す。)や有機光導電体(以下opcと称す
。)等を感光体材料に適用する事が検討されている。そ
してa−3Lにあっては、ビッカース硬度が高く耐刷性
あるいは耐衝撃性に優れ、更に可視光全域から近赤外線
領域までの拡い波長領域で高い分光感度を有するという
優位性を示す反面、帯電能が低い事、画像流れを生じ易
い、更にはビッカース硬度が高いため耐刷性に優れ、主
として高速の装置に利用されるものの、製造コストが高
いので低価格化が要求される中・低速の装置への適用は
不能とされている。一方OPCにあっては、a−5iに
比しコストが安く中・低速の装置への適用が可能であり
、しかも材料の選択によっては、従来に比し耐刷性及び
感度特性が大幅に改善される上に、負帯電OPCに比し
、トナーを得易い事から、特に導電性支持体上に電荷輸
送層(以下CTLと称す。
)及び電荷発生層(以下CGLと称す。)が順次積層さ
れる正帯電OPCの開発が進められている。
れる正帯電OPCの開発が進められている。
しかしながらこのような正帯電OPCにあっては、初期
においては良好な画像を得られるものの、コピーを繰り
返えす間に蓄積電荷が第4図[A)に示すように上昇さ
れ、露光時における白地部分にこの蓄積電荷が影響を与
え、画像にかぶりを生じると共に、帯電能も減少され、
画像かうすくなり画質が著しく劣下されるという問題を
生じている。
においては良好な画像を得られるものの、コピーを繰り
返えす間に蓄積電荷が第4図[A)に示すように上昇さ
れ、露光時における白地部分にこの蓄積電荷が影響を与
え、画像にかぶりを生じると共に、帯電能も減少され、
画像かうすくなり画質が著しく劣下されるという問題を
生じている。
更には正IF電opcは長波長領域にも感度を有する事
から原稿のハンコ等の赤色部分の再現性が悪くその適用
が不能とされるという問題も有している。
から原稿のハンコ等の赤色部分の再現性が悪くその適用
が不能とされるという問題も有している。
(発明が解決しようとする課題)
従来は正帯電opcにあっては画像形成工程を繰り返え
す間に蓄積電荷を生じ、これにより残留電位が上昇し帯
電能が劣下され、画像にかぶりや濃度低下を生じ、画質
が著しく劣下され、更には赤色原稿の再現性が悪いとい
う問題を有している。
す間に蓄積電荷を生じ、これにより残留電位が上昇し帯
電能が劣下され、画像にかぶりや濃度低下を生じ、画質
が著しく劣下され、更には赤色原稿の再現性が悪いとい
う問題を有している。
そこで本発明は上記問題を除去するもので、正帯電OP
Cを用い画像形成工程を繰り返えしても、かぶりや濃度
低下のない良好な画像を得られる。
Cを用い画像形成工程を繰り返えしても、かぶりや濃度
低下のない良好な画像を得られる。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記課題を解決するために、620〔nm〕以
下の波長光を主成分とする照射光により露光を行なう事
により1画質向上を図るものである。
下の波長光を主成分とする照射光により露光を行なう事
により1画質向上を図るものである。
(作 用)
本発明は上記手段により露光時の正帯電OPCの疲労を
防止する事により、蓄積電荷の増加や帯電能の低下を防
止し、更には赤色原稿の再現性の向上を図り、画像流れ
やかぶりの無い良好な画質を得る。
防止する事により、蓄積電荷の増加や帯電能の低下を防
止し、更には赤色原稿の再現性の向上を図り、画像流れ
やかぶりの無い良好な画質を得る。
(実施例)
ここで先ず、正帯′?r10 P Cの蓄積電荷の発生
及び帯電能の低減についてその原理を説明する。即ち正
帯電OPCは一般に導電性支持体上にCTL及びCGL
を順次積層した層構造を有し、全波長にわたり分光感度
を有している。そして露光時、光の照射によりCGL内
で正孔/電子対が発生されるが、このうち、電子は表面
に達し、正帯電020表面上の正帯電を中和し、正帯電
OPC上に静電潜像を形成する一方、正孔はCTLを経
て導電性支持体に達する。しかしながらこの時、正孔の
一部はCGL及びCTLの境界においてトラップされて
しまい、コピーを繰り返えす間にこのトラップされた正
孔が順次増大され、これが正帯電opcの蓄積電荷とな
る。一方CGLとCTLは、照射光の中の長波長光が増
大するに従い疲労し易く、帯電能が著しく低減されてし
まう事となる。
及び帯電能の低減についてその原理を説明する。即ち正
帯電OPCは一般に導電性支持体上にCTL及びCGL
を順次積層した層構造を有し、全波長にわたり分光感度
を有している。そして露光時、光の照射によりCGL内
で正孔/電子対が発生されるが、このうち、電子は表面
に達し、正帯電020表面上の正帯電を中和し、正帯電
OPC上に静電潜像を形成する一方、正孔はCTLを経
て導電性支持体に達する。しかしながらこの時、正孔の
一部はCGL及びCTLの境界においてトラップされて
しまい、コピーを繰り返えす間にこのトラップされた正
孔が順次増大され、これが正帯電opcの蓄積電荷とな
る。一方CGLとCTLは、照射光の中の長波長光が増
大するに従い疲労し易く、帯電能が著しく低減されてし
まう事となる。
そこで、正帯電OPCの蓄積電荷の上昇及び、帯電能の
低下を防止するには照射光の中の長波長光を除去する必
要がある。
低下を防止するには照射光の中の長波長光を除去する必
要がある。
次に本発明の一実施例を第1図ないし第4図を参照しな
がら説明する。(16)は正帯電OPCからなるドラム
状の感光体であり、導電性基板であるアルミニウム〔A
1〕の支持体(17)上には以下に述べる製法によりC
TL(18a)及びCGL(18b)が順次積層されて
いる。即ち先ず式 で示されるヒドラゾンに、結着樹脂であり、式・・・(
第2式) で示されるフェノキシを混合し、更にこれ等をシクロヘ
キサンの溶剤で溶かした液体中に支持体(17)を浸し
、これを乾燥しCTL(18a)を形成する。
がら説明する。(16)は正帯電OPCからなるドラム
状の感光体であり、導電性基板であるアルミニウム〔A
1〕の支持体(17)上には以下に述べる製法によりC
TL(18a)及びCGL(18b)が順次積層されて
いる。即ち先ず式 で示されるヒドラゾンに、結着樹脂であり、式・・・(
第2式) で示されるフェノキシを混合し、更にこれ等をシクロヘ
キサンの溶剤で溶かした液体中に支持体(17)を浸し
、これを乾燥しCTL(18a)を形成する。
次いで式
・・・(第3式)
で示されるナフールAS系アゾ顔料と(第1式)で示さ
れるヒドラゾンに(第2式)で示されるフェノキシを混
合し、これ等を1・1・2−トリクロロエタンの溶剤中
で溶かした液体中に、CTL(18a)を有する支持体
(17)を浸し、更にこれを乾燥し、CGL(18b)
を形成する。一方、感光体(16)の周囲には帯電チャ
ージャ(20)、露光装置(21)、現像装置(22)
、転写チャージャ(23)、剥離チャージャ(24)、
クリーニング装置(26)、ハロゲンランプからなる除
電ランプ(27)等の画像形成手段が設けられている。
れるヒドラゾンに(第2式)で示されるフェノキシを混
合し、これ等を1・1・2−トリクロロエタンの溶剤中
で溶かした液体中に、CTL(18a)を有する支持体
(17)を浸し、更にこれを乾燥し、CGL(18b)
を形成する。一方、感光体(16)の周囲には帯電チャ
ージャ(20)、露光装置(21)、現像装置(22)
、転写チャージャ(23)、剥離チャージャ(24)、
クリーニング装置(26)、ハロゲンランプからなる除
電ランプ(27)等の画像形成手段が設けられている。
そして露光装置(21)にあっては、けい光灯からなる
露光ランプが設けられている。
露光ランプが設けられている。
しかしてコピーが開始されると、感光体(16)は、矢
印X方向に回転され、これに従い、帯電チャージャ(2
4)により一様に正帯電され、続いて露光工程が行なわ
れるが、露光光が全て620〔nm〕以下の短波長であ
る事から、感光体(16)は疲労される事無く露光を終
了する。この後現像装置(22)、転写チャージャ(2
3)、剥離チャージャ(24)を経て図示しないシート
紙上にコピー像が形成される一方、感光体(16)は、
更にクリーニング装U (26)を経て除電ランプ(2
7)に達するが、除電ランプ(27)が、620 [n
m〕 より長い長波長光を含有するハロゲンランプから
なっているので、感光体(16)の光減衰特性にすそ引
きがあるものの、感光体(16)表面は電荷が残留され
る事無く、確実に除電が行なわれ、次のコピー可能とさ
れる。
印X方向に回転され、これに従い、帯電チャージャ(2
4)により一様に正帯電され、続いて露光工程が行なわ
れるが、露光光が全て620〔nm〕以下の短波長であ
る事から、感光体(16)は疲労される事無く露光を終
了する。この後現像装置(22)、転写チャージャ(2
3)、剥離チャージャ(24)を経て図示しないシート
紙上にコピー像が形成される一方、感光体(16)は、
更にクリーニング装U (26)を経て除電ランプ(2
7)に達するが、除電ランプ(27)が、620 [n
m〕 より長い長波長光を含有するハロゲンランプから
なっているので、感光体(16)の光減衰特性にすそ引
きがあるものの、感光体(16)表面は電荷が残留され
る事無く、確実に除電が行なわれ、次のコピー可能とさ
れる。
尚、この様にしてコピーを繰り返えしたところ感光体(
16)の蓄積電荷は第3図に示すように低く押えられ、
コピー像にかぶりを生じる事が無く、更には帯電能の低
下による濃度低下も見られなかった・ このように構成すれば、露光工程においては620〔n
m〕より長い長波長光を全てカットする事により、感光
体(16)の疲労を著しく低減出来、繰り返えしコピー
による蓄積電荷の上昇及び帯電能の低下を防止出来、か
ぶりや濃度低下の無い良好な画像を得る事が出来、更に
は赤色原稿の再現性を向上出来る。
16)の蓄積電荷は第3図に示すように低く押えられ、
コピー像にかぶりを生じる事が無く、更には帯電能の低
下による濃度低下も見られなかった・ このように構成すれば、露光工程においては620〔n
m〕より長い長波長光を全てカットする事により、感光
体(16)の疲労を著しく低減出来、繰り返えしコピー
による蓄積電荷の上昇及び帯電能の低下を防止出来、か
ぶりや濃度低下の無い良好な画像を得る事が出来、更に
は赤色原稿の再現性を向上出来る。
尚、本発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり、例えば正帯電OPCの疲労を考慮すれば、露光
光は、長波長光を全てカットする事が望ましいが、正帯
電OPCの疲労に余り影響を与えない範囲である全エネ
ルギーの35〔%〕以下であれば露光光中に多少長波長
光が含有されていても良く、長波長台が全エネルギーの
35〔%〕以下であるけい光灯を露光光源として用いた
場合には、長波長光をカットするためのフィルターを用
いる必要も無く、コストの低減を図る事が出来る。又、
正帯電OPCの疲労の面からは、除電においても露光光
と同様長波長をカットする方が望ましいし、画像形成手
段も実施例のものに限定されず、現像終了後であって転
写前に余分な電荷を消去するための転写前チャージャを
設けたり、あるいは転写後残留トナーの電荷を消去する
ための除電チャージャを設ける等しても良い。
であり、例えば正帯電OPCの疲労を考慮すれば、露光
光は、長波長光を全てカットする事が望ましいが、正帯
電OPCの疲労に余り影響を与えない範囲である全エネ
ルギーの35〔%〕以下であれば露光光中に多少長波長
光が含有されていても良く、長波長台が全エネルギーの
35〔%〕以下であるけい光灯を露光光源として用いた
場合には、長波長光をカットするためのフィルターを用
いる必要も無く、コストの低減を図る事が出来る。又、
正帯電OPCの疲労の面からは、除電においても露光光
と同様長波長をカットする方が望ましいし、画像形成手
段も実施例のものに限定されず、現像終了後であって転
写前に余分な電荷を消去するための転写前チャージャを
設けたり、あるいは転写後残留トナーの電荷を消去する
ための除電チャージャを設ける等しても良い。
以上説明したように本発明によれば、露光時の照射光に
よる正帯電opcの疲労が少なく1画像形成工程の繰り
返えしによっても、蓄積電荷が上昇したり、帯電能が低
減されるおそれが無く、かぶりや画像流れのない良好な
画像を得られると共に。
よる正帯電opcの疲労が少なく1画像形成工程の繰り
返えしによっても、蓄積電荷が上昇したり、帯電能が低
減されるおそれが無く、かぶりや画像流れのない良好な
画像を得られると共に。
正帯電opcの長寿命化が図られる。更には露光光の波
長を少なくとも620〔nm〕以下とすれば、原稿が赤
色であっても画像を良好に再現出来、二色刷り装置への
適用が可能となり、その低価格化も図る事が出来る。又
、実施例に示したような除電光を用いれば除電時残留電
荷を生じる事も無く、次の画像形成に悪影響を与える事
も無い。
長を少なくとも620〔nm〕以下とすれば、原稿が赤
色であっても画像を良好に再現出来、二色刷り装置への
適用が可能となり、その低価格化も図る事が出来る。又
、実施例に示したような除電光を用いれば除電時残留電
荷を生じる事も無く、次の画像形成に悪影響を与える事
も無い。
第1図ないし第4図は本発明の第1の実施例を示し第1
図はその概略断面図、第2図はその感光体を示す一部断
面図、第3図はその繰り返えしコピーによる蓄積電荷を
示すグラフ、第4図は従来の装置における繰り返えしコ
ピーによる蓄積電荷を示すグラフである。 16・・・感光体、 17・・・支持
体、18a−CTL、 18b−CGL
、2111.露光装置、 27・・・除
電ランプ、28・・・露光ランプ。
図はその概略断面図、第2図はその感光体を示す一部断
面図、第3図はその繰り返えしコピーによる蓄積電荷を
示すグラフ、第4図は従来の装置における繰り返えしコ
ピーによる蓄積電荷を示すグラフである。 16・・・感光体、 17・・・支持
体、18a−CTL、 18b−CGL
、2111.露光装置、 27・・・除
電ランプ、28・・・露光ランプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、正帯電有機光導電体上に画像形成工程を行なうもの
において、620〔nm〕以下の波長光を主成分とする
照射光により露光工程を行なう事を特徴とする画像形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218488A JPH01217475A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218488A JPH01217475A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217475A true JPH01217475A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12628915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4218488A Pending JPH01217475A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217475A (ja) |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4218488A patent/JPH01217475A/ja active Pending
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