JPH01276452A - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
- Publication number
- JPH01276452A JPH01276452A JP10369588A JP10369588A JPH01276452A JP H01276452 A JPH01276452 A JP H01276452A JP 10369588 A JP10369588 A JP 10369588A JP 10369588 A JP10369588 A JP 10369588A JP H01276452 A JPH01276452 A JP H01276452A
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- JP
- Japan
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- magneto
- optical recording
- resin
- recording element
- substrate
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は2種類の基板を備えた光磁気記録素子並びに2
種類の光磁気記録部材を貼り合わせて成る光磁気記録素
子に関するものでる。
種類の光磁気記録部材を貼り合わせて成る光磁気記録素
子に関するものでる。
近時、希土類金属と遷移金属から成る非晶質金属合金を
用いた高密度光磁気記録が盛んに研究されており、その
記録方式は集束レーザー光を記録媒体に投光して局部加
熱し、これによってビットを書き込み、次に磁気光学効
果を利用して読み出しており、更に記録ビットを消去し
、改めてビットを書き込むこともできる。
用いた高密度光磁気記録が盛んに研究されており、その
記録方式は集束レーザー光を記録媒体に投光して局部加
熱し、これによってビットを書き込み、次に磁気光学効
果を利用して読み出しており、更に記録ビットを消去し
、改めてビットを書き込むこともできる。
このような光磁気記録方式においては、第4図に示すよ
うに2種類の光磁気記録部材を接着用樹脂層を介して貼
り合わせ、その光磁気記録の利用度を著しく高めること
ができる。
うに2種類の光磁気記録部材を接着用樹脂層を介して貼
り合わせ、その光磁気記録の利用度を著しく高めること
ができる。
同図において、基板1aの上に磁性体N2a、紫外線硬
化型保護樹脂層3aが順次積層して成る光磁気記録部材
Aがつくられており、一方、基板1bの上に磁性体層2
b、紫外線硬化型保護樹脂層3bが順次積層して成る光
磁気記録部材Bがつくられており、両者の記録部材A、
Bは接着用樹脂層4を介して貼り合わされている。そし
て、このような光磁気記録素子においては、基板1a又
は基板1bより集束レーザー光を投光して記録・再生・
書き換えを行うことができる。
化型保護樹脂層3aが順次積層して成る光磁気記録部材
Aがつくられており、一方、基板1bの上に磁性体層2
b、紫外線硬化型保護樹脂層3bが順次積層して成る光
磁気記録部材Bがつくられており、両者の記録部材A、
Bは接着用樹脂層4を介して貼り合わされている。そし
て、このような光磁気記録素子においては、基板1a又
は基板1bより集束レーザー光を投光して記録・再生・
書き換えを行うことができる。
上記構成の光磁気記録素子に用いられる接着用樹脂層4
には紫外線硬化型樹脂やエポキシ系、アクリル系、ウレ
タン系、シアノアクリレート系などの樹脂接着剤が使用
されている。
には紫外線硬化型樹脂やエポキシ系、アクリル系、ウレ
タン系、シアノアクリレート系などの樹脂接着剤が使用
されている。
しかしながら、これらの樹脂を紫外線硬化型保護樹脂層
3a、3bの上に塗布し、次いで硬化させた場合、その
硬化に伴って樹脂層4が収縮し、この樹脂層4及び保護
樹脂層3a、3bに応力歪みが生じ、これにより、磁性
体層2a 、 2bに応力腐蝕が発生し、その結果、光
磁気記録特性が経時的に劣化する。
3a、3bの上に塗布し、次いで硬化させた場合、その
硬化に伴って樹脂層4が収縮し、この樹脂層4及び保護
樹脂層3a、3bに応力歪みが生じ、これにより、磁性
体層2a 、 2bに応力腐蝕が発生し、その結果、光
磁気記録特性が経時的に劣化する。
また、この光磁気記録素子に複屈折がある基板1a、l
bを用いた場合には上記応力に起因して複屈折が増加し
、その結果、光磁気記録の初期特性が劣化する。
bを用いた場合には上記応力に起因して複屈折が増加し
、その結果、光磁気記録の初期特性が劣化する。
上記樹脂層4に熱可塑性樹脂から成るホントメルト型接
着剤を用いた場合には上記問題点が解決されるが、その
反面、この接着剤は高温環境下で軟化並びに流動し、そ
のために接着性能が著しく劣る。
着剤を用いた場合には上記問題点が解決されるが、その
反面、この接着剤は高温環境下で軟化並びに流動し、そ
のために接着性能が著しく劣る。
また、上記接着用樹脂N4には、磁性体層2a、2bを
腐蝕させず、しかも、基+H1a、lbを化学的に劣化
させない樹脂を用いるのがよく、この場合には光磁気記
録特性が損なわれない。
腐蝕させず、しかも、基+H1a、lbを化学的に劣化
させない樹脂を用いるのがよく、この場合には光磁気記
録特性が損なわれない。
従って本発明は上記事情に濫みて完成されたものであり
、その目的は光磁気記録部材に応力歪みが生じなくなり
、これによって優れた光磁気記録特性が得られると共に
その初期特性が維持された光磁気記録素子を提供するこ
とにある。
、その目的は光磁気記録部材に応力歪みが生じなくなり
、これによって優れた光磁気記録特性が得られると共に
その初期特性が維持された光磁気記録素子を提供するこ
とにある。
また本発明の他の目的は光磁気記録素子に用いられる樹
脂接着剤が磁性体層や基板などを侵さず、これによって
高品質且つ高信頼性の光磁気記録素子を提供することに
ある。
脂接着剤が磁性体層や基板などを侵さず、これによって
高品質且つ高信頼性の光磁気記録素子を提供することに
ある。
本発明によれば、プラスチック製第1基板上に少なくと
も磁性体層、接着用樹脂層及び第2基板が順次形成され
た光磁気記録素子において、前記接着用樹脂層が脱アル
コール型シリコーン系樹脂から成り且つ弾性率が1.5
X 10’dyn/cm”以下に設定されていること
を特徴とする光磁気記録素子が提供される。
も磁性体層、接着用樹脂層及び第2基板が順次形成され
た光磁気記録素子において、前記接着用樹脂層が脱アル
コール型シリコーン系樹脂から成り且つ弾性率が1.5
X 10’dyn/cm”以下に設定されていること
を特徴とする光磁気記録素子が提供される。
また本発明によれば、プラスチック製基板上に少な(と
も磁性体層を形成して成る第1光磁気記録部材、プラス
チック製基板上に少なくとも磁性体層を形成して成る第
2光磁気記録部材、並びに第1光磁気記録部材と第2光
磁気記録部材を貼り合わせるための接着用樹脂層から成
る光磁気記録素子において、前記接着用樹脂層が脱アル
コール型シリコーン系樹脂から成り且つ弾性率が1.5
×10’dyn/cm”以下に設定されていることを特
徴とする光磁気記録素子が提供される。
も磁性体層を形成して成る第1光磁気記録部材、プラス
チック製基板上に少なくとも磁性体層を形成して成る第
2光磁気記録部材、並びに第1光磁気記録部材と第2光
磁気記録部材を貼り合わせるための接着用樹脂層から成
る光磁気記録素子において、前記接着用樹脂層が脱アル
コール型シリコーン系樹脂から成り且つ弾性率が1.5
×10’dyn/cm”以下に設定されていることを特
徴とする光磁気記録素子が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明光磁気記録素子の個々の光磁気記録部材
であり、第2図はその光磁気記録部材を貼り合わせた場
合の基本的な層構成を示す。
であり、第2図はその光磁気記録部材を貼り合わせた場
合の基本的な層構成を示す。
第1図によれば、プラスチック製基板ICの上に磁性体
層2cを形成して成る光磁気記録部材Cが作られており
、一方、プラスチック製基板1dの上に磁性体層2dを
形成して成る光磁気記録部材りも作られている。
層2cを形成して成る光磁気記録部材Cが作られており
、一方、プラスチック製基板1dの上に磁性体層2dを
形成して成る光磁気記録部材りも作られている。
次に磁性体層2c、2dの少なくとも一方の層に接着用
樹脂5を塗布し、室温下における自然硬化あるいは加熱
により硬化させると第2図に示す通りの光磁気記録素子
が得られる。
樹脂5を塗布し、室温下における自然硬化あるいは加熱
により硬化させると第2図に示す通りの光磁気記録素子
が得られる。
本発明においては、上記接着用樹脂層5を脱アルコール
型シリコーン系樹脂により形成し、しかも、弾性率を所
定の範囲内に設定し、これにより、樹脂層5に応力歪み
が生じなくなり、磁性体層2c、2dに応力腐蝕が発生
しな(なる。
型シリコーン系樹脂により形成し、しかも、弾性率を所
定の範囲内に設定し、これにより、樹脂層5に応力歪み
が生じなくなり、磁性体層2c、2dに応力腐蝕が発生
しな(なる。
脱アルコール型シリコーン系樹脂は縮合型シリコーン系
樹脂の一種であり、この縮合型シリコーン系樹脂は主成
分であるシラノールと架橋剤との加水分解縮合反応によ
り硬化され、そして、その架橋剤にアルコキシシラン、
アセトキシシラン、エノキシシランなどを用いることに
よりそれぞれアルコール、酢酸、ケトンなどの縮合副生
物ができる。従って、縮合副生物の種類に対応して脱ア
ルコール型シリコーン系樹脂、脱酢酸型シリコーン系樹
脂、脱アセトン型シリコーン系樹脂などに区別される。
樹脂の一種であり、この縮合型シリコーン系樹脂は主成
分であるシラノールと架橋剤との加水分解縮合反応によ
り硬化され、そして、その架橋剤にアルコキシシラン、
アセトキシシラン、エノキシシランなどを用いることに
よりそれぞれアルコール、酢酸、ケトンなどの縮合副生
物ができる。従って、縮合副生物の種類に対応して脱ア
ルコール型シリコーン系樹脂、脱酢酸型シリコーン系樹
脂、脱アセトン型シリコーン系樹脂などに区別される。
本発明者等は種々の実験を繰り返し行った結果、上記縮
合型シリコーン系樹脂のなかで脱アルコール型シリコー
ン系樹脂を選択し、これを接着用樹脂層5に用いた場合
、磁性体層2c、2dを腐蝕させたり、基板1c、 l
dを侵さないことを見い出した。
合型シリコーン系樹脂のなかで脱アルコール型シリコー
ン系樹脂を選択し、これを接着用樹脂層5に用いた場合
、磁性体層2c、2dを腐蝕させたり、基板1c、 l
dを侵さないことを見い出した。
即ち、脱酢酸型シリコーン系樹脂を用いた場合には磁性
体層2c、2dを腐蝕させ、また、脱アセトン型シリコ
ーン系樹脂については基板1c+1d+特にポリカーボ
ネート樹脂基板やアクリル樹脂基板が侵食されることを
見い出した。
体層2c、2dを腐蝕させ、また、脱アセトン型シリコ
ーン系樹脂については基板1c+1d+特にポリカーボ
ネート樹脂基板やアクリル樹脂基板が侵食されることを
見い出した。
また、上記脱アルコール型シリコーン系樹脂を用いるに
当たって、その分子構造中の有機基Rの種類並びに重合
度及び架橋密度を変えることにより弾性率を所定の範囲
内に設定する。
当たって、その分子構造中の有機基Rの種類並びに重合
度及び架橋密度を変えることにより弾性率を所定の範囲
内に設定する。
この弾性率を1.5 X 10’dyn/cm”以下、
好適には1.0 X 10’dyn/cm”以下に設定
した場合、接着用樹脂層5と磁性体層2c、2dの界面
に生じる応力が小さくなり、しかも、応力腐蝕がなく、
また、プラスチック製基板1c、 ldの複屈折が増加
する等の悪影響を受けなくなる。
好適には1.0 X 10’dyn/cm”以下に設定
した場合、接着用樹脂層5と磁性体層2c、2dの界面
に生じる応力が小さくなり、しかも、応力腐蝕がなく、
また、プラスチック製基板1c、 ldの複屈折が増加
する等の悪影響を受けなくなる。
また、磁性体層2c、2dは膜面に垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質金属垂直磁化膜であり、例えばTb
Fe、 GdCo、 TbFeCo、 GdDyFe、
DyFeCo、 GdTbFeCo、GdDyFeC
oなどの希土類金属−遷移金属の合金から成る薄膜があ
る。
易軸を有する非晶質金属垂直磁化膜であり、例えばTb
Fe、 GdCo、 TbFeCo、 GdDyFe、
DyFeCo、 GdTbFeCo、GdDyFeC
oなどの希土類金属−遷移金属の合金から成る薄膜があ
る。
基板1c、ldにはプラスチック板が用いられ、このプ
ラスチック基板用材料としてポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などがあ
る。
ラスチック基板用材料としてポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などがあ
る。
また本発明の光磁気記録素子においては、基板lc、
tdと磁性体層2c、2dの間に誘電体層を形成しても
よく、これにより、基板側よりレーザー光を投光させる
とエンハンスメント効果によりみかけのカー回転角を増
大させて性能指数を高めることができる。
tdと磁性体層2c、2dの間に誘電体層を形成しても
よく、これにより、基板側よりレーザー光を投光させる
とエンハンスメント効果によりみかけのカー回転角を増
大させて性能指数を高めることができる。
この誘電体層はサイアロン、SiN+AIN、5iCt
CdS、Tic、 TiN、 ZnS+ MgFz+
Al2O3+ CeO,Zr0z + Sin、 5i
Oz+ CdO、BizO+などの材料により形成され
る。
CdS、Tic、 TiN、 ZnS+ MgFz+
Al2O3+ CeO,Zr0z + Sin、 5i
Oz+ CdO、BizO+などの材料により形成され
る。
更に、磁性体層2c、2dと樹脂層5の間に上記誘電体
層用材料又はT i I Cr I Zr + Ta
+ A I等の耐食性金属あるいはそれらの酸化物、窒
化物、炭化物、硫化物などの化合物を単独で又は組合せ
て成る非磁性体層を形成してもよい。
層用材料又はT i I Cr I Zr + Ta
+ A I等の耐食性金属あるいはそれらの酸化物、窒
化物、炭化物、硫化物などの化合物を単独で又は組合せ
て成る非磁性体層を形成してもよい。
更にまた、磁性体層2c、2dと樹脂層5の間、もしく
は磁性体Ji2c、2dに形成された上記非磁性体層と
樹脂層5の間に紫外線硬化型樹脂層を形成してもよく、
これによって光磁気記録素子自体の信転性を更に向上さ
せることができる。
は磁性体Ji2c、2dに形成された上記非磁性体層と
樹脂層5の間に紫外線硬化型樹脂層を形成してもよく、
これによって光磁気記録素子自体の信転性を更に向上さ
せることができる。
かくして上記構成の光磁気記録素子によれば、接着用樹
脂層5に応力歪みが生じなく、また、磁性体層2c、2
dと基板1c、 ldが化学的に侵されなくなり、その
結果、優れた光磁気記録特性が得られ、更に光磁気記録
初期特性が維持される。
脂層5に応力歪みが生じなく、また、磁性体層2c、2
dと基板1c、 ldが化学的に侵されなくなり、その
結果、優れた光磁気記録特性が得られ、更に光磁気記録
初期特性が維持される。
また本発明によれば、第3図に示すように2種類の基板
を備えた光磁気記録素子についても同様な効果を奏する
。
を備えた光磁気記録素子についても同様な効果を奏する
。
同図においては、基板6の上に磁性体層7が形成されて
おり、また、保護基板8を用意し、その基板8の上に接
着用樹脂を塗布し、そして、この基板8を接着用樹脂を
介して貼り合わせ、次いで室温下における自然硬化或い
は加熱により硬化させると接着用樹脂層9が形成され、
かくして第3図に示す通りの光磁気記録素子が得られる
。
おり、また、保護基板8を用意し、その基板8の上に接
着用樹脂を塗布し、そして、この基板8を接着用樹脂を
介して貼り合わせ、次いで室温下における自然硬化或い
は加熱により硬化させると接着用樹脂層9が形成され、
かくして第3図に示す通りの光磁気記録素子が得られる
。
このような保護基板8には前記基板6と同様なプラスチ
ック板又はガラス板を用いることができる。
ック板又はガラス板を用いることができる。
次に本発明の実施例を述べる。
交流三源マグネトロンスパッタリング装置を用いてポリ
カーボネート製ディスク基板に誘電体層(窒化シリコン
を主要成分とし、これにY原子、A1原子及びO原子が
含まれた層であり、これは所謂、YSiA1ON層・・
・イツトリウムサイアロン層と呼ばれる層である)を7
25人の厚みで形成し、この層の上にGdDyFe垂直
磁化膜を300人の厚みで形成し、そして、同装置内で
続けて酸化チタン層(チタン原子に対する酸素原子比率
が0.05〜0.90の範囲内に設定されている)を6
50人の厚みで形成し、然る後、この酸化チタン層の上
に紫外線硬化型樹脂をスピンコードで塗布して樹脂層を
形成し、光磁気記録部材をつくった。
カーボネート製ディスク基板に誘電体層(窒化シリコン
を主要成分とし、これにY原子、A1原子及びO原子が
含まれた層であり、これは所謂、YSiA1ON層・・
・イツトリウムサイアロン層と呼ばれる層である)を7
25人の厚みで形成し、この層の上にGdDyFe垂直
磁化膜を300人の厚みで形成し、そして、同装置内で
続けて酸化チタン層(チタン原子に対する酸素原子比率
が0.05〜0.90の範囲内に設定されている)を6
50人の厚みで形成し、然る後、この酸化チタン層の上
に紫外線硬化型樹脂をスピンコードで塗布して樹脂層を
形成し、光磁気記録部材をつくった。
次いで、このような光磁気記録部材をそれぞれ2個用意
し、その一方の光磁気記録部材の紫外線硬化型樹脂層の
上に第1表に示すような接着用樹脂を塗布し、この接着
用樹脂を介して両部材を接着させた。
し、その一方の光磁気記録部材の紫外線硬化型樹脂層の
上に第1表に示すような接着用樹脂を塗布し、この接着
用樹脂を介して両部材を接着させた。
かくして得られる6種類の光磁気記録素子(隘1〜阻6
)について偏光顕微鏡を用いて基板面全体に亘る複屈折
の分布状態を調べたところ、第1表に示す通りの結果へ
が得られた。
)について偏光顕微鏡を用いて基板面全体に亘る複屈折
の分布状態を調べたところ、第1表に示す通りの結果へ
が得られた。
結果へにおいて、O印は基板面全体に亘って均一な複屈
折が得られた場合であり、X印は基板面の一部に異常な
複屈折が認められた場合であり、Δ印は基板面の一部に
わずかに異常な複屈折が認められた場合を示す。
折が得られた場合であり、X印は基板面の一部に異常な
複屈折が認められた場合であり、Δ印は基板面の一部に
わずかに異常な複屈折が認められた場合を示す。
また、各々の光磁気記録素子を貰温高湿下(75℃、8
5χRH)に500時間放置し、磁性体層の腐食発生状
況を調べたところ、結果Bが得られた。
5χRH)に500時間放置し、磁性体層の腐食発生状
況を調べたところ、結果Bが得られた。
結果Bにおいて、O印は腐食が発生しなかった場合であ
り、X印は腐食の発生が顕著である場合であり、Δ印は
わずかに腐蝕発生が認められた場合である。
り、X印は腐食の発生が顕著である場合であり、Δ印は
わずかに腐蝕発生が認められた場合である。
更に、各々の光磁気記録素子について、基板の変質状況
、即ち、基板の溶解や分解に起因する変色や割れの発生
状況を調べたところ、結果Cが得られた。
、即ち、基板の溶解や分解に起因する変色や割れの発生
状況を調べたところ、結果Cが得られた。
結果Cにおいて、O印は基板に何ら異常が認められなか
った場合であり、X印は変色や割れが認められた場合で
ある。
った場合であり、X印は変色や割れが認められた場合で
ある。
第1表より明らかな通り、素子阻6は基板面全体に亘っ
て均一な複屈折が得られ、しかも、磁性体層に腐蝕が発
生せず、また、ポリカードネート製基板自体に同等異常
が生じなかった。
て均一な複屈折が得られ、しかも、磁性体層に腐蝕が発
生せず、また、ポリカードネート製基板自体に同等異常
が生じなかった。
次に上記光磁気記録素子のなかで、
(i) ・・・素子6
(ii) ・・・素子5
(iii ) ・・・素子3
(iv) ・・・素子1
を高温高湿下(75℃、85χRH)に設置し、そのビ
ット・エラー・レートの経時変化を追ったところ、第5
図に示す通りの結果が得られた。
ット・エラー・レートの経時変化を追ったところ、第5
図に示す通りの結果が得られた。
同図中、横軸は放置時間であり、縦軸は放置開始時のピ
ント・エラー・レー) BER(0)に対する放置後の
ビット・エラー・レートBET(T)の比率であり、ま
た、○印、・印、△印及びム印はそれぞれ上記(i)、
(ii )、(iii )及び(iv)に対応するプロ
ットであり、そして、図中の特性曲線の表示はいずれも
(i ) (ii ) (iii ) (iv
)に対応する。
ント・エラー・レー) BER(0)に対する放置後の
ビット・エラー・レートBET(T)の比率であり、ま
た、○印、・印、△印及びム印はそれぞれ上記(i)、
(ii )、(iii )及び(iv)に対応するプロ
ットであり、そして、図中の特性曲線の表示はいずれも
(i ) (ii ) (iii ) (iv
)に対応する。
第5図より明らかな通り、本発明の素子6は長期間に亘
って優れた光磁気記録特性が得られることが判る。
って優れた光磁気記録特性が得られることが判る。
また、本発明者等は上記接着用樹脂に脱酢酸型シリコー
ン系樹脂を用いた場合、磁性体層に腐蝕が顕著に生じ、
そして、ピットエラーレートが経時的に劣化し、そのた
めに接着用樹脂として不適であることを確認した。
ン系樹脂を用いた場合、磁性体層に腐蝕が顕著に生じ、
そして、ピットエラーレートが経時的に劣化し、そのた
めに接着用樹脂として不適であることを確認した。
更にまた本発明者等は上記実施例以外に第3図に示す光
磁気記録素子についても同様な結果が得られることを確
認した。
磁気記録素子についても同様な結果が得られることを確
認した。
〔発明の効果〕
以上の通り、本発明の光磁気記録素子によれば、脱アル
コール型シリコーン系樹脂を接着用樹脂として用いてお
り、これによって応力腐蝕がなくなり、また、この樹脂
により磁性体層や基板が化学的に侵されず、その結果、
優れた光磁気記録特性が得られると共にその初期特性が
維持された高性能且つ長期信頼性の光磁気記録素子が提
供できた。
コール型シリコーン系樹脂を接着用樹脂として用いてお
り、これによって応力腐蝕がなくなり、また、この樹脂
により磁性体層や基板が化学的に侵されず、その結果、
優れた光磁気記録特性が得られると共にその初期特性が
維持された高性能且つ長期信頼性の光磁気記録素子が提
供できた。
第1図は貼り合わせ前の各々の光磁気記録部材の層構成
を示す断面図、第2図は本発明光磁気記録素子の層構成
を示す断面図、第3図は本発明光磁気記録素子の他の層
構成を示す断面図、第4図は従来の光磁気記録素子の層
構成を示す断面図、第5図はビット・エラー・レートの
経時変化を示す線図である。 la、lb、lc、ld、6 ・・・基板2a、2b
、2c、2d、7 ・・・磁性体層4.5.9 ・
・・・・・・接着用樹脂層A、B、C,D ・・・・
・・光磁気記録部材特許出願人(663)京セラ株式会
社 代表者安城欽寿
を示す断面図、第2図は本発明光磁気記録素子の層構成
を示す断面図、第3図は本発明光磁気記録素子の他の層
構成を示す断面図、第4図は従来の光磁気記録素子の層
構成を示す断面図、第5図はビット・エラー・レートの
経時変化を示す線図である。 la、lb、lc、ld、6 ・・・基板2a、2b
、2c、2d、7 ・・・磁性体層4.5.9 ・
・・・・・・接着用樹脂層A、B、C,D ・・・・
・・光磁気記録部材特許出願人(663)京セラ株式会
社 代表者安城欽寿
Claims (2)
- (1)プラスチック製第1基板上に少なくとも磁性体層
、接着用樹脂層及び第2基板が順次形成された光磁気記
録素子において、前記接着用樹脂層が脱アルコール型シ
リコーン系樹脂から成り且つ弾性率が1.5×10^7
dyn/cm^2以下に設定されていることを特徴とす
る光磁気記録素子。 - (2)プラスチック製基板上に少なくとも磁性体層を形
成して成る第1光磁気記録部材、プラスチック製基板上
に少なくとも磁性体層を形成して成る第2光磁気記録部
材、並びに第1光磁気記録部材と第2光磁気記録部材を
貼り合わせるための接着用樹脂層から成る光磁気記録素
子において、前記接着用樹脂層が脱アルコール型シリコ
ーン系樹脂から成り且つ弾性率が1.5×10^7dy
n/cm^2以下に設定されていることを特徴とする光
磁気記録素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369588A JP2613082B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光磁気記録素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10369588A JP2613082B2 (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 光磁気記録素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276452A true JPH01276452A (ja) | 1989-11-07 |
| JP2613082B2 JP2613082B2 (ja) | 1997-05-21 |
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ID=14360914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2613082B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981682A (en) * | 1996-06-25 | 1999-11-09 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silicon bonding agent for optical memory element, optical memory element, and method for manufacturing optical memory element |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10369588A patent/JP2613082B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981682A (en) * | 1996-06-25 | 1999-11-09 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silicon bonding agent for optical memory element, optical memory element, and method for manufacturing optical memory element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2613082B2 (ja) | 1997-05-21 |
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