JPH01276901A - マイクロ波伝送回路装置 - Google Patents
マイクロ波伝送回路装置Info
- Publication number
- JPH01276901A JPH01276901A JP63106307A JP10630788A JPH01276901A JP H01276901 A JPH01276901 A JP H01276901A JP 63106307 A JP63106307 A JP 63106307A JP 10630788 A JP10630788 A JP 10630788A JP H01276901 A JPH01276901 A JP H01276901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- characteristic impedance
- microstrip line
- line
- 50omega
- coaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波通信機器等に用いられる同軸線路と
マイクロストリップ線路の接続部におけるマイクロ波伝
送回路装置に関するものである。
マイクロストリップ線路の接続部におけるマイクロ波伝
送回路装置に関するものである。
従来の技術
近年マイクロ波通信機器等に用いられるマイクロ波伝送
路の主流はマイクロス） ＩＪツブ線路であ・るが、他
の機器との接続を考えると同軸線路との変換は不可欠で
ある。
路の主流はマイクロス） ＩＪツブ線路であ・るが、他
の機器との接続を考えると同軸線路との変換は不可欠で
ある。
以下、図面を参照しながら上述したような従来の同軸線
路とマイクロストリップ線路の変換部について説明を行
う。
路とマイクロストリップ線路の変換部について説明を行
う。
第４図ム、Ｂは従来の前記同軸線路と前記マイクロスト
リップ線路との接続の一例を示すものである。第４図に
おいて、１は特性インピーダンス６０Ωなる同軸コネク
タで、２は内部からの電磁波漏洩を防止するケースであ
り、同軸コネクタ１の先端部はケース２の中空部も特性
インピーダンス６０Ωの同軸線路３として構成され、ケ
ース２内部に中心導体４のみ突出している。又、誘電体
基板６は金属板よりなるサブ基板６上に半田接続され、
サブ基板６とともにケース２にビス等で固定される。そ
して誘電体基板６上にマイクロストリップ線路により構
成されたマイクロ波集積回路は、入力部まで同軸線路３
と同じ特性インピーダンス５０Ωなるマイクロストリッ
プ線路７で引き延ばされ、前記同軸コネクタ１の中心導
体４と接続される。しかし、熱収縮率が小さいセラミッ
ク材料からなる誘電体基板３と金属よりなるケース′２
及びサブ基板６とでは熱収縮率に差があり、同軸コネク
・夕の中心導体４と特性インピーダンス６０Ωのマイク
ロストリップ線路７の間には大きなストレスを生じるた
め、単純に半田接続しただけでは前記マイクロストリッ
プ線路７と誘電体基板３との間の強度が十分ではない。
リップ線路との接続の一例を示すものである。第４図に
おいて、１は特性インピーダンス６０Ωなる同軸コネク
タで、２は内部からの電磁波漏洩を防止するケースであ
り、同軸コネクタ１の先端部はケース２の中空部も特性
インピーダンス６０Ωの同軸線路３として構成され、ケ
ース２内部に中心導体４のみ突出している。又、誘電体
基板６は金属板よりなるサブ基板６上に半田接続され、
サブ基板６とともにケース２にビス等で固定される。そ
して誘電体基板６上にマイクロストリップ線路により構
成されたマイクロ波集積回路は、入力部まで同軸線路３
と同じ特性インピーダンス５０Ωなるマイクロストリッ
プ線路７で引き延ばされ、前記同軸コネクタ１の中心導
体４と接続される。しかし、熱収縮率が小さいセラミッ
ク材料からなる誘電体基板３と金属よりなるケース′２
及びサブ基板６とでは熱収縮率に差があり、同軸コネク
・夕の中心導体４と特性インピーダンス６０Ωのマイク
ロストリップ線路７の間には大きなストレスを生じるた
め、単純に半田接続しただけでは前記マイクロストリッ
プ線路７と誘電体基板３との間の強度が十分ではない。
たとえば、熱収縮によるストレスを特性インピーダンス
５０Ωのマイクロストリップ線路では吸収できないため
、ストリップ導体９パターン、はく離等を生じていた。
５０Ωのマイクロストリップ線路では吸収できないため
、ストリップ導体９パターン、はく離等を生じていた。
そのため同軸線路の中心導体４とマイクロストリップ線
路７の上部導体の接続部には、ワイヤボンディングや金
リボン１３による接続が不可欠であった。
路７の上部導体の接続部には、ワイヤボンディングや金
リボン１３による接続が不可欠であった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のようにワイヤボンディングや金リ
ボン接続にすることは、マイクロ波伝送回路の一部に直
列にインダクタンスを挿入したことになり、伝送特性の
劣化を生じ、また微細な部品を接続するという作業上の
問題点を有していた。
ボン接続にすることは、マイクロ波伝送回路の一部に直
列にインダクタンスを挿入したことになり、伝送特性の
劣化を生じ、また微細な部品を接続するという作業上の
問題点を有していた。
本発明は上記間頂点に鑑み、同軸線路の中心導体とマイ
クロストリップ線路の上部導体を半田接続できるマイー
クロ波伝送回路装置を提供するものである。
クロストリップ線路の上部導体を半田接続できるマイー
クロ波伝送回路装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のマイクロ波伝送回路
は、同軸線路と誘電体基板上に構成されたマイクロスト
リップ線路の接続部に、前記同軸線路より特性インピー
ダンスの高いマイクロストリップ線路の前後に前記同軸
線路より特性インピーダンスの低いマイクロストリップ
線路を接続したことによりなる整合回路を設け、前記同
軸線路の中心導体に前記整合回路を半田接続したもので
ある。
は、同軸線路と誘電体基板上に構成されたマイクロスト
リップ線路の接続部に、前記同軸線路より特性インピー
ダンスの高いマイクロストリップ線路の前後に前記同軸
線路より特性インピーダンスの低いマイクロストリップ
線路を接続したことによりなる整合回路を設け、前記同
軸線路の中心導体に前記整合回路を半田接続したもので
ある。
作用
本発明は上記した構成により、同軸線路の中心導体とマ
イクロストリップ線路の接続部に低インピーダンスの幅
広いマイクロストリップ線路を用いてマイクロストリッ
プ導体面と誘導体基板の接着強度を向上させ、同軸線路
の中心導体とマイクロストリップ線路の半田接続によっ
ても、熱ストレスによるはく離を減少せしめることとな
る。
イクロストリップ線路の接続部に低インピーダンスの幅
広いマイクロストリップ線路を用いてマイクロストリッ
プ導体面と誘導体基板の接着強度を向上させ、同軸線路
の中心導体とマイクロストリップ線路の半田接続によっ
ても、熱ストレスによるはく離を減少せしめることとな
る。
実施例
以、下水発明の一実施例のマイクロ波伝送回路について
図面を参照にしながら説明する。
図面を参照にしながら説明する。
第１図ム、Ｂは本発明の一実施例におけるマイクロ波伝
送回路の構成を示すものである。まず、特性インピーダ
ンス５０Ωの同軸コネクタ１の先端部は、ケース２の中
空部も特性インピーダンス５０Ωの同軸線路３で構成さ
れ、中心導体４のみケース２の内部に突出している。又
、誘電体基板、６は金属板よりなるサブ基板ｅ上に半田
接続され、サブ基板６とともにケース２にビス等で固定
される。なお同軸コネクタの中心導体４は、誘電体基板
Ｓ上に形成された特性インピーダンスが６０Ωよシ低い
マイクロストリップ線路９と半田接続されている。
送回路の構成を示すものである。まず、特性インピーダ
ンス５０Ωの同軸コネクタ１の先端部は、ケース２の中
空部も特性インピーダンス５０Ωの同軸線路３で構成さ
れ、中心導体４のみケース２の内部に突出している。又
、誘電体基板、６は金属板よりなるサブ基板ｅ上に半田
接続され、サブ基板６とともにケース２にビス等で固定
される。なお同軸コネクタの中心導体４は、誘電体基板
Ｓ上に形成された特性インピーダンスが６０Ωよシ低い
マイクロストリップ線路９と半田接続されている。
さらに、前記特性インピーダンスが６０９より低いマイ
クロストリップ線路９は、特性インビー・ダンスが６０
Ωより高いマイクロストリップ線路８と別の特性インピ
ーダンスが５０Ωより低いマイクロストリップ線路１０
により構成される整合回路１１を介して、特性インピー
ダンスが５ｏΩのマイクロストリップ線路７に接続され
る。
クロストリップ線路９は、特性インビー・ダンスが６０
Ωより高いマイクロストリップ線路８と別の特性インピ
ーダンスが５０Ωより低いマイクロストリップ線路１０
により構成される整合回路１１を介して、特性インピー
ダンスが５ｏΩのマイクロストリップ線路７に接続され
る。
第２図は前記の接続部を構成するマイクロストリップ線
路導体パターンの拡大図である。
路導体パターンの拡大図である。
例えば、誘電率ε＝９．９で厚さｔ ＝ ０．６３５羽
なる誘電体基板６の上で、特性インピーダンス５０Ωの
マイクロストリップ線路７の幅Ｗ。は約０．６順である
。その場合、整合回路１１を介さずに同軸コネクタ１の
中心導体４と半田接続すると、例えば−４０℃〜＋８６
℃のヒートサイクル試験を実施すると確実に導体パター
ンがはく離していた。一方、導体パターン面積が大きい
と導体面と誘電体基板の接着強度が大きくなることは、
実験的にも確かめられていたが、特性インピーダンスが
低くなるという問題があった。しかるにに０バンド帯の
マイ°クロ波機器で本発明の応用を考えた場合、例えば
使用帯域を１２．５ＧＨ２から１３．５ＧＨ２と限定す
ると、整合回路１１の寸法をｗ、＝ １．６Ｍ。
なる誘電体基板６の上で、特性インピーダンス５０Ωの
マイクロストリップ線路７の幅Ｗ。は約０．６順である
。その場合、整合回路１１を介さずに同軸コネクタ１の
中心導体４と半田接続すると、例えば−４０℃〜＋８６
℃のヒートサイクル試験を実施すると確実に導体パター
ンがはく離していた。一方、導体パターン面積が大きい
と導体面と誘電体基板の接着強度が大きくなることは、
実験的にも確かめられていたが、特性インピーダンスが
低くなるという問題があった。しかるにに０バンド帯の
マイ°クロ波機器で本発明の応用を考えた場合、例えば
使用帯域を１２．５ＧＨ２から１３．５ＧＨ２と限定す
ると、整合回路１１の寸法をｗ、＝ １．６Ｍ。
Ｗ２＝＝０．３７１ｆｆ 、 Ｌ、＝ ２ｕ 、 Ｌ２
＝０．２Ｉｎ１とすることにより伝送特性を前記使用帯
域内で劣化させることなく、前記特性インピーダンス６
０Ωのマイクロストリップ線路７０幅Ｗ。より広がりＷ
ｌの寸法で同軸コネクタ１の中心導体４と半田接続する
ことができる。
＝０．２Ｉｎ１とすることにより伝送特性を前記使用帯
域内で劣化させることなく、前記特性インピーダンス６
０Ωのマイクロストリップ線路７０幅Ｗ。より広がりＷ
ｌの寸法で同軸コネクタ１の中心導体４と半田接続する
ことができる。
第３図は、前記寸法からなる接続部の伝送特性を示す。
人は伝送ロスを、Ｂは反射ロスをそれぞれ示し、いずれ
も使用帯域（１２，５Ｇ）ｈ〜１３．６Ｇ）（ｚ）で極
めて小さくなっているものである。
も使用帯域（１２，５Ｇ）ｈ〜１３．６Ｇ）（ｚ）で極
めて小さくなっているものである。
なお整合回路１１は、分布定数型の低域通過フィルタを
構成しており、その寸法決定はフィルタ理論により容易
に設計が可能である。
構成しており、その寸法決定はフィルタ理論により容易
に設計が可能である。
以上のよって本実施例によれば、同軸コネクタ１の中心
導体４との半田接続部面積を大きくし、さらに整合回路
１１を付加してやることによって、伝送特性の劣化なく
ヒートサイクルに強いマイクロストリップ線路と同軸線
路の接続が可能となる。
導体４との半田接続部面積を大きくし、さらに整合回路
１１を付加してやることによって、伝送特性の劣化なく
ヒートサイクルに強いマイクロストリップ線路と同軸線
路の接続が可能となる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、同軸中心導体とマイクロ
ストリップ線路の接続部に、幅の広いマイクロス） Ｉ
Ｊツブ線路及び整合回路を構成することにより、祖送特
性を劣化させる金リボン接続を使用せず、ヒートサイク
ル等によってはく離しない強固なマイクロ波伝送回路の
接続ができ、その実用的効果は大きなものがある。
ストリップ線路の接続部に、幅の広いマイクロス） Ｉ
Ｊツブ線路及び整合回路を構成することにより、祖送特
性を劣化させる金リボン接続を使用せず、ヒートサイク
ル等によってはく離しない強固なマイクロ波伝送回路の
接続ができ、その実用的効果は大きなものがある。
第１図ム、Ｂは、本発明の一実施例におけるマイクロ波
伝送回路装置の平面断面図および側面断面図、第２図は
本発明の一実施例図における接続部を構成するマイクロ
ストリップ線路導体パターンの拡大図、第３図は前記接
続部の伝送特性図、第４図ム、Ｂは従来の同軸線路とマ
イクロストリップ線路の接続部における構成を示す平面
断面図および側面断面図である。 １・・・・・・同軸コネクタ、２・・・・・・ケース、
３・・・・・・特性インピーダンス５０Ωの同軸線路、
４・・・・・・同軸コネクタの中心導体、５・・・・・
・誘電体基板、６・・・・・・サブ基板、７・・・・・
・特性インピーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路
、８・・・・・・特性インピーダンスが６０Ωより高い
マイクロストリップ線路、９゜１０・・・・・・特性イ
ンピーダンスが６ｏΩより低いマイクロストリップ線路
、１１・・・・・・整合回路、１２・・・・・・半田接
続部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｆ−・−周車山コキクタ ２−−一γ−ス ３−Ｗか五件乙°−タ５スタｏＨｙ）周粘禾系路４−・
−２阿身由コネクタの中曵場【外５−４舎４どｌ（蚤仮 ６’−ｍ−“す′）戸【４（ ！２−−−￥田刊１瞬〕ゆ 第２図 第３図 １−一周１１］ネ７り 十−一一周軸コネ７り／）申Ｉ亡婢４狐５・−療Ｉｉ五
艮隈 Ｅ、−一寸プ基版
伝送回路装置の平面断面図および側面断面図、第２図は
本発明の一実施例図における接続部を構成するマイクロ
ストリップ線路導体パターンの拡大図、第３図は前記接
続部の伝送特性図、第４図ム、Ｂは従来の同軸線路とマ
イクロストリップ線路の接続部における構成を示す平面
断面図および側面断面図である。 １・・・・・・同軸コネクタ、２・・・・・・ケース、
３・・・・・・特性インピーダンス５０Ωの同軸線路、
４・・・・・・同軸コネクタの中心導体、５・・・・・
・誘電体基板、６・・・・・・サブ基板、７・・・・・
・特性インピーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路
、８・・・・・・特性インピーダンスが６０Ωより高い
マイクロストリップ線路、９゜１０・・・・・・特性イ
ンピーダンスが６ｏΩより低いマイクロストリップ線路
、１１・・・・・・整合回路、１２・・・・・・半田接
続部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ｆ−・−周車山コキクタ ２−−一γ−ス ３−Ｗか五件乙°−タ５スタｏＨｙ）周粘禾系路４−・
−２阿身由コネクタの中曵場【外５−４舎４どｌ（蚤仮 ６’−ｍ−“す′）戸【４（ ！２−−−￥田刊１瞬〕ゆ 第２図 第３図 １−一周１１］ネ７り 十−一一周軸コネ７り／）申Ｉ亡婢４狐５・−療Ｉｉ五
艮隈 Ｅ、−一寸プ基版
Claims (1)
- 同軸線路と誘電体基板上に構成されたマイクロストリッ
プ線路の接続部において、前記同軸線路より特性インピ
ーダンスの高いマイクロストリップ線路の前後に前記同
軸線路より特性インピーダンスの低いマイクロストリッ
プ線路を接続したことよりなる整合回路を設け、前記同
軸線路の中心導体を前記整合回路を介して前記マイクロ
ストリップ線路に半田接続したことを特徴とするマイク
ロ波伝送回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106307A JPH01276901A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | マイクロ波伝送回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106307A JPH01276901A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | マイクロ波伝送回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276901A true JPH01276901A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14430341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63106307A Pending JPH01276901A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | マイクロ波伝送回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276901A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048617A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-12 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高周波用伝送線路基板 |
| JP2011119634A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-06-16 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 |
| JPWO2015029942A1 (ja) * | 2013-08-26 | 2017-03-02 | 京セラ株式会社 | 高周波回路基板ならびにこれを用いた高周波半導体パッケージおよび高周波半導体装置 |
| WO2018116506A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 三菱電機株式会社 | 導波管マイクロストリップ線路変換器 |
| JP2024018833A (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-08 | 明泰科技股▲分▼有限公司 | マイクロストリップアンテナ |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63106307A patent/JPH01276901A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048617A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-12 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高周波用伝送線路基板 |
| JP2011119634A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-06-16 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 |
| JPWO2015029942A1 (ja) * | 2013-08-26 | 2017-03-02 | 京セラ株式会社 | 高周波回路基板ならびにこれを用いた高周波半導体パッケージおよび高周波半導体装置 |
| WO2018116506A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 三菱電機株式会社 | 導波管マイクロストリップ線路変換器 |
| WO2018116416A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 三菱電機株式会社 | 導波管マイクロストリップ線路変換器およびアンテナ装置 |
| JPWO2018116506A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2019-03-22 | 三菱電機株式会社 | 導波管マイクロストリップ線路変換器 |
| JP2024018833A (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-08 | 明泰科技股▲分▼有限公司 | マイクロストリップアンテナ |
| US12288938B2 (en) | 2022-07-28 | 2025-04-29 | Alpha Networks Inc. | Microstrip antenna |
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