JPH0745746A - 高周波ハイブリッドアッテネータ回路 - Google Patents
高周波ハイブリッドアッテネータ回路Info
- Publication number
- JPH0745746A JPH0745746A JP19036993A JP19036993A JPH0745746A JP H0745746 A JPH0745746 A JP H0745746A JP 19036993 A JP19036993 A JP 19036993A JP 19036993 A JP19036993 A JP 19036993A JP H0745746 A JPH0745746 A JP H0745746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- terminal
- ceramic substrate
- attenuator circuit
- output terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アッテネータの減衰量を大きくとれるように
する。 【構成】 この発明の高周波ハイブリッドアッテネータ
回路は、セラミック基板の裏面側に設けられた入力端
子、出力端子、電源端子の部分を除いたほぼ全面にグラ
ンドパターンを形成することにより、各端子間のアイソ
レーションをいっそう大きくとるようにし、これによっ
て端子間での高周波信号の混入や発振を防止し、結果と
して回路の減衰量をいちだんと大きくとることができる
ようにする。
する。 【構成】 この発明の高周波ハイブリッドアッテネータ
回路は、セラミック基板の裏面側に設けられた入力端
子、出力端子、電源端子の部分を除いたほぼ全面にグラ
ンドパターンを形成することにより、各端子間のアイソ
レーションをいっそう大きくとるようにし、これによっ
て端子間での高周波信号の混入や発振を防止し、結果と
して回路の減衰量をいちだんと大きくとることができる
ようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック基板の上
に多数のチップ部品を搭載した高周波ハイブリッドアッ
テネータ回路に関する。
に多数のチップ部品を搭載した高周波ハイブリッドアッ
テネータ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来一般に、セラミック基板の上に多数
のチップ部品を搭載し、集積化した高周波ハイブリッド
アッテネータ回路では、その裏面側にチップ部品に電源
を供給する電源端子、信号を入力する入力端子、また信
号を取出す出力端子を形成する場合、図３に示すよう
に、セラミック基板１自体が５ｍｍ×６．５ｍｍ程度と
非常に小さいために、入力端子２、出力端子３、電源端
子４およびグランド端子５を基板１の裏面周囲に単に配
列しただけのものであった。
のチップ部品を搭載し、集積化した高周波ハイブリッド
アッテネータ回路では、その裏面側にチップ部品に電源
を供給する電源端子、信号を入力する入力端子、また信
号を取出す出力端子を形成する場合、図３に示すよう
に、セラミック基板１自体が５ｍｍ×６．５ｍｍ程度と
非常に小さいために、入力端子２、出力端子３、電源端
子４およびグランド端子５を基板１の裏面周囲に単に配
列しただけのものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の高周波ハイブリッドアッテネータ回路では、セラ
ミック基板１が小さいものでありながら扱う信号が約１
０ｋＨｚ以上の高周波であるために、入力端子２、出力
端子３間のアイソレーションが十分にとれなくて信号に
ノイズが乗りやすく、また発振現象が起きやすく、大き
な減衰量がとれない問題点があった。
従来の高周波ハイブリッドアッテネータ回路では、セラ
ミック基板１が小さいものでありながら扱う信号が約１
０ｋＨｚ以上の高周波であるために、入力端子２、出力
端子３間のアイソレーションが十分にとれなくて信号に
ノイズが乗りやすく、また発振現象が起きやすく、大き
な減衰量がとれない問題点があった。
【０００４】この発明はこのような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、入力端子、出力端子間に十分なアイ
ソレーションをとることができ、それだけ減衰量を大き
くとることができる高周波ハイブリッドアッテネータ回
路を提供することを目的とする。
てなされたもので、入力端子、出力端子間に十分なアイ
ソレーションをとることができ、それだけ減衰量を大き
くとることができる高周波ハイブリッドアッテネータ回
路を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、セラ
ミック基板上にチップ部品が実装された高周波ハイブリ
ッドアッテネータ回路において、セラミック基板の裏面
側に設けられた信号の入力端子と出力端子との間にグラ
ンドパターンを形成したものである。
ミック基板上にチップ部品が実装された高周波ハイブリ
ッドアッテネータ回路において、セラミック基板の裏面
側に設けられた信号の入力端子と出力端子との間にグラ
ンドパターンを形成したものである。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１の高周波ハイ
ブリッドアッテネータ回路において、セラミック基板の
裏面側の電源端子、入力端子および出力端子の部分を除
いたほぼ全面にグランドパターンを形成したものであ
る。
ブリッドアッテネータ回路において、セラミック基板の
裏面側の電源端子、入力端子および出力端子の部分を除
いたほぼ全面にグランドパターンを形成したものであ
る。
【０００７】
【作用】請求項１の発明の高周波ハイブリッドアッテネ
ータ回路では、セラミック基板の裏面側に設けられた入
力端子と出力端子との間にグランドパターンを形成する
ことにより、入力端子と出力端子との間のアイソレーシ
ョンをとることができて両端子間での高周波信号の混入
や発振を防止し、結果として回路の減衰量を大きくとる
ことができるようにする。
ータ回路では、セラミック基板の裏面側に設けられた入
力端子と出力端子との間にグランドパターンを形成する
ことにより、入力端子と出力端子との間のアイソレーシ
ョンをとることができて両端子間での高周波信号の混入
や発振を防止し、結果として回路の減衰量を大きくとる
ことができるようにする。
【０００８】請求項２の発明の高周波ハイブリッドアッ
テネータ回路では、セラミック基板の裏面側に設けられ
た入力端子、出力端子、電源端子の部分を除いたほぼ全
面にグランドパターンを形成することにより、各端子間
のアイソレーションをいっそう大きくとるようにし、こ
れによって端子間での高周波信号の混入や発振を防止
し、結果として回路の減衰量をいちだんと大きくとるこ
とができるようにする。
テネータ回路では、セラミック基板の裏面側に設けられ
た入力端子、出力端子、電源端子の部分を除いたほぼ全
面にグランドパターンを形成することにより、各端子間
のアイソレーションをいっそう大きくとるようにし、こ
れによって端子間での高周波信号の混入や発振を防止
し、結果として回路の減衰量をいちだんと大きくとるこ
とができるようにする。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１は請求項１の発明の一実施例を示しており、
通常、５ｍｍ×６．５ｍｍ程度の大きさのセラミック基
板１の表面側に多数のチップ回路部品が高密度に搭載さ
れ、裏面側の互いに反対側の端縁部に入力端子２、出力
端子３が形成され、またそれらと９０°回転した位置の
端縁部に電源端子４、グランド端子５が形成されてい
る。
する。図１は請求項１の発明の一実施例を示しており、
通常、５ｍｍ×６．５ｍｍ程度の大きさのセラミック基
板１の表面側に多数のチップ回路部品が高密度に搭載さ
れ、裏面側の互いに反対側の端縁部に入力端子２、出力
端子３が形成され、またそれらと９０°回転した位置の
端縁部に電源端子４、グランド端子５が形成されてい
る。
【００１０】そして、図１において斜線で示したように
入力端子２と出力端子３の間を横切るようにしてグラン
ドパターン６が形成され、このグランドパターン６の両
端部がそれぞれグランド端子５に接続されている。
入力端子２と出力端子３の間を横切るようにしてグラン
ドパターン６が形成され、このグランドパターン６の両
端部がそれぞれグランド端子５に接続されている。
【００１１】以上の構成の高周波ハイブリッドアッテネ
ータ回路は、例えば１０ＭＨｚ以上の高周波帯のアッテ
ネータとして用いられるもので、入力端子２から入力さ
れる高周波信号と出力端子３から出力される高周波信号
との間の相互干渉が起きないように、それらの中間位置
のグランドパターン６によってアイソレーションをとる
ことができる。したがって、両端子２，３間での高周波
信号の重畳や相互の発振現象を防止することができ、そ
の結果として、アッテネータとして回路の減衰量を大き
くとることができる。
ータ回路は、例えば１０ＭＨｚ以上の高周波帯のアッテ
ネータとして用いられるもので、入力端子２から入力さ
れる高周波信号と出力端子３から出力される高周波信号
との間の相互干渉が起きないように、それらの中間位置
のグランドパターン６によってアイソレーションをとる
ことができる。したがって、両端子２，３間での高周波
信号の重畳や相互の発振現象を防止することができ、そ
の結果として、アッテネータとして回路の減衰量を大き
くとることができる。
【００１２】次に、請求項１、請求項２の発明の共通す
る実施例を図２に基づいて説明する。この図２に示す実
施例の高周波ハイブリッドアッテネータ回路は、第１実
施例と同じようなセラミック基板１の表面側に多数のチ
ップ回路部品が搭載され、裏面側の互いに反対側の端縁
部に入力端子２、出力端子３が形成され、またそれらと
９０°回転した位置の端縁部に電源端子４、グランド端
子５が形成されている。
る実施例を図２に基づいて説明する。この図２に示す実
施例の高周波ハイブリッドアッテネータ回路は、第１実
施例と同じようなセラミック基板１の表面側に多数のチ
ップ回路部品が搭載され、裏面側の互いに反対側の端縁
部に入力端子２、出力端子３が形成され、またそれらと
９０°回転した位置の端縁部に電源端子４、グランド端
子５が形成されている。
【００１３】そして、図２において斜線で示したように
入力端子２、出力端子３、電源端子４を除いた基板１の
裏面側ほぼ全面にグランドパターン６が形成され、この
グランドパターン６の一部がグランド端子５とされてい
る。なお、この場合、グランドパターン６の表面に絶縁
のためにレジストをかけることによって、端部のグラン
ド端子５の部分だけを露出させてある。
入力端子２、出力端子３、電源端子４を除いた基板１の
裏面側ほぼ全面にグランドパターン６が形成され、この
グランドパターン６の一部がグランド端子５とされてい
る。なお、この場合、グランドパターン６の表面に絶縁
のためにレジストをかけることによって、端部のグラン
ド端子５の部分だけを露出させてある。
【００１４】以上の構成の高周波ハイブリッドアッテネ
ータ回路でも第１実施例と同じように、入力端子２から
入力される高周波信号、また出力端子３から出力される
高周波信号間の相互干渉が起きないように、基板１の裏
面全面に形成されたグランドパターン６によって十分な
アイソレーションをとることができる。したがって、両
端子２，３間での高周波信号の重畳や相互の発振現象を
効果的に防止することができ、その結果として、アッテ
ネータとして回路の減衰量を第１実施例よりもさらに大
きくとることができる。
ータ回路でも第１実施例と同じように、入力端子２から
入力される高周波信号、また出力端子３から出力される
高周波信号間の相互干渉が起きないように、基板１の裏
面全面に形成されたグランドパターン６によって十分な
アイソレーションをとることができる。したがって、両
端子２，３間での高周波信号の重畳や相互の発振現象を
効果的に防止することができ、その結果として、アッテ
ネータとして回路の減衰量を第１実施例よりもさらに大
きくとることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
セラミック基板の裏面側に設けられた入力端子と出力端
子との間にグランドパターンを形成しているので、入力
端子と出力端子との間のアイソレーションをとることが
できて両端子間での高周波信号の混入や発振を防止し、
結果として回路の減衰量を大きくとることができる。
セラミック基板の裏面側に設けられた入力端子と出力端
子との間にグランドパターンを形成しているので、入力
端子と出力端子との間のアイソレーションをとることが
できて両端子間での高周波信号の混入や発振を防止し、
結果として回路の減衰量を大きくとることができる。
【００１６】請求項２の発明によれば、セラミック基板
の裏面側に設けられた入力端子、出力端子、電源端子の
部分を除いたほぼ全面にグランドパターンを形成してい
るので、各端子間のアイソレーションをいっそう大きく
とることができ、これによって端子間での高周波信号の
混入や発振を防止し、結果として回路の減衰量をいっそ
う大きくとることができる。
の裏面側に設けられた入力端子、出力端子、電源端子の
部分を除いたほぼ全面にグランドパターンを形成してい
るので、各端子間のアイソレーションをいっそう大きく
とることができ、これによって端子間での高周波信号の
混入や発振を防止し、結果として回路の減衰量をいっそ
う大きくとることができる。
【図１】請求項１の発明の一実施例の下面図。
【図２】請求項１および請求項２の発明の共通する実施
例の下面図。
例の下面図。
【図３】従来例の下面図。
１ 基板 ２ 入力端子 ３ 出力端子 ４ 電源端子 ５ グランド端子 ６ グランドパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板上にチップ部品が実装さ
れた高周波ハイブリッドアッテネータ回路において、 前記セラミック基板の裏面側に設けられた信号の入力端
子と出力端子との間にグランドパターンを形成して成る
高周波ハイブリッドアッテネータ回路。 - 【請求項２】 前記セラミック基板の裏面側の電源端
子、入力端子および出力端子の部分を除いたほぼ全面に
グランドパターンを形成して成る請求項１に記載の高周
波ハイブリッドアッテネータ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19036993A JPH0745746A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波ハイブリッドアッテネータ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19036993A JPH0745746A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波ハイブリッドアッテネータ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745746A true JPH0745746A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16257037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19036993A Pending JPH0745746A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 高周波ハイブリッドアッテネータ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745746A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116091A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Hitachi Ltd | 混成集積回路装置 |
| US6977428B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-12-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device adapted to remove noise from a signal |
| US9252476B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module including a splitter and a mounting substrate |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP19036993A patent/JPH0745746A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116091A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Hitachi Ltd | 混成集積回路装置 |
| US6977428B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-12-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device adapted to remove noise from a signal |
| US7268422B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-09-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of making a semiconductor device adapted to remove noise from a signal |
| US9252476B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module including a splitter and a mounting substrate |
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