JPH01278405A - 針状晶窒化ケイ素の製造方法 - Google Patents

針状晶窒化ケイ素の製造方法

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JPH01278405A
JPH01278405A JP10768488A JP10768488A JPH01278405A JP H01278405 A JPH01278405 A JP H01278405A JP 10768488 A JP10768488 A JP 10768488A JP 10768488 A JP10768488 A JP 10768488A JP H01278405 A JPH01278405 A JP H01278405A
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JP
Japan
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silicon nitride
silica powder
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acicular silicon
gas
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Isao Imai
功 今井
Toshiji Ishii
敏次 石井
Kouichi Sueyoshi
耕一 末芳
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Coorstek KK
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 −Qの この発明は、針状晶窒化ケイ素のWA造六方法関するも
のである。
IL悲炎! 例えば、特許第838421号は、弗化物、酸性弗化物
または珪弗化物を付着した非晶質シリカ粉末に炭素質物
質の粉末を混合し、窒素雰囲気中で1300〜1600
℃に焼成することを特徴とする針状晶窒化ケイ素の製造
方法について開示している。
nが )しよ−と る  、 前述の方法を含め従来の針状晶窒化ケイ素の製造方法は
、シリカ粉末と炭素粉末の混合物を反応させる固相−固
相反応である。このため、シリカとカーボンの混合が不
十分になり易い。混合が不十分な場合、反応が不均一に
なる。反応が不均一になると、生成するウィスカーの径
が不揃いになったり、粒子状の窒化ケイ素が生成し易く
なる。
ル1へ1江 前述の問題点に鑑み本発明は、収率がよく、粒状の窒化
ケイ素を含まず、しかも径のそろった針状晶窒化ケイ素
を得ることのできる針状晶窒化ケイ素の製造方法を提供
することを目的としている。
1      るた の 本発明の針状晶窒化ケイ素の製造方法においては、シリ
カ粉末あるいは、シリカ粉末に遷移金属、アルカリ金属
、アルカリ土類金属、遷移金属のハロゲン化物、アルカ
リ金属のハロゲン化物、または遷移金属のハロゲン化物
の6種のうちから選んだ少なくとも1種を加え1ζ混合
物を出発物質とする。前記混合物の混合比は、シリカ粉
末1モル部に対して前述の6種のうちから選んだ少なく
とも1種は0゜001〜1.0モル部である。シリカ粉
末あるいは前記混合物をアンモニア(NH3)ガスと炭
化水素(C1ll−1n)ガスとの混合ガス中において
、800℃〜1650℃の温度で加熱することによって
針状晶窒化ケイ素を製造する。6種のうちから選んだ少
なくとも1種とは、6種の中から1種以上を任意に選ぶ
ことを意味する。もちろん、6種全部を選んでもよい。
前述の混合ガスの混合比を、Cl1l )lnをCH4
に換算してNH3/CH4−0,5〜2000 (体積
比)にすると右利である。
針状晶窒化ケイ素は基本的には■の反応で作られる。
3Si 02 +4NH3 →Si 3 H4+6H20・・・■ SiO2にFe、Ni、co等ノ遷移金属、アルカリ金
属、アルカリ土類金属あるいはこれらのハロゲン化物を
添加することにより、添加しない場合に比べ、より速く
反応を進行させ、かつ生成するSi 3N、sの形態を
針状晶(ライスh−>とすることができる。これらの添
加物の添加市が、S’1021モル部に対し、0.00
1モル部より少ないと、触媒としての効果が得られない
1また、1モル部を超えると、原料シリカと化合し、ガ
ラス相を生成し、反応速度を著しく低下させる。
■の反応により生成するH20の分圧を下げ、■の反応
をよりすみやかに進行させるために炭化水素(Cm H
n )ガスを用いる(第0式参照)。
If−1204−〇+++  )−In→■ co+ 
 (m  +’iM  H2=■このように、反応ガス
としては、N H3とCl1l 1−(nの混合ガスを
用いる。NH3とCIrIHnの混合割合について述べ
ると、CmHnをCH4に換算して、NH3/CH4が
0゜5(vol比)より小さい場合には、NH3の分圧
が低くなりすぎて反応の進行が著しく遅くなる。NH3
/CH4>2000の場合には、C11−Inを添加す
る効果がほとんどなくなる。
次に反応温度について)ホベる。反応温度が800℃よ
り低温では実質的に反応が進行しない。1650℃より
高湿ではSiCが生成し、得られる針状晶窒化ケイ素の
純度が低下する。
火IL 実施例1 平均粒径0.02μmのシリカ粉末3gを窒化ケイ素製
ルツボに入れ、さらにそのルツボを黒鉛製ルツボに入れ
て、画周波誘導炉中にセットした。このルツボをNH3
と03H8との混合気体からなる雰囲気中において、1
400℃で4時間保持し、針状晶窒化ケイ素を得た。得
られた生成物についてX線回折およびSEMによる形状
観察を行った。その結果を表1に示す。
平均粒径0.02μmのシリカ粉末3gにNa CQを
対シリカモル比で0.05加えた。
これにアセトンを加えてメノウ乳バチで混合し、その後
、乾燥した。得られた混合物を実施例1と同様の方法で
針状晶窒化ケイ素を製造した。ただし、加熱温度は14
50℃である(実施例2)。
実施例3では、NaFを対シリカモル比で0.5加え、
実施例1と同様の方法で針状晶窒化ケイ素を製造した。
同様に表1に示す条件で実施例4〜6において針状晶窒
化ケイ素を製造し、形状観察を行った。
また、表1に示す条件で比較例1〜4において針状晶窒
化ケイ素の製造を試み、形状観察を行った。
この結果、実施例1〜5によれば、長さ及び径の比較的
そろった針状晶窒化ケイ素が収率よく得られることが明
らかになった。
11匹11 本発明の針状晶窒化ケイ素の製造方法によれば、収率よ
く短時間で、粒状の窒化ケイ素を含まず、比較的径のそ
ろった針状晶窒化ケイ素を得ることができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、シリカ粉末をアンモニア(NH_3)ガスと炭化水
    素(CmHn)ガスとの混合ガス中において、800℃
    〜1650℃の温度で加熱することを特徴とする針状晶
    窒化ケイ素の製造方法。 2、前記混合ガスの混合比が、炭化水素 (CmHn)をCH_4に換算して、NH_3とCH_
    4の体積比が0.5〜2000であることを特徴とする
    請求項1記載の針状晶窒化ケイ素の製造方法。 3、シリカ粉末がさらにシリカ粉末1モル 部に対し、触媒として遷移金属、アルカリ金属、アルカ
    リ土類金属、遷移金属のハロゲン化物、アルカリ金属の
    ハロゲン化物またはアルカリ土類金属のハロゲン化物の
    6種の中から選んだ少なくとも1種0.001〜1.0
    モル部を含む、第1項または第2項に記載の針状晶窒化
    ケイ素の製造方法。
JP10768488A 1988-05-02 1988-05-02 針状晶窒化ケイ素の製造方法 Granted JPH01278405A (ja)

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JPH0511047B2 JPH0511047B2 (ja) 1993-02-12

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5814290A (en) * 1995-07-24 1998-09-29 Hyperion Catalysis International Silicon nitride nanowhiskers and method of making same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5673603A (en) * 1979-11-14 1981-06-18 Toshiba Corp Manufacture of silicon nitride
JPS63162516A (ja) * 1986-12-26 1988-07-06 Toshiba Ceramics Co Ltd 窒化ケイ素の製造方法

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