JPH01279751A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、基板上に高品質の薄膜を形成するため、坩
堝に入れられた蒸着物質を基板に蒸着させる薄膜形成装
置に関するものである。

［従来の技術］ 第４図は例えば特公昭５４−９５９２号公報に示された
従来の薄膜形成装置の構成図、第５図は第４図の要部正
面図、第６図は第５図の要部側面図であり、図において
（１）は真空槽、（２）は真空槽（１）内を所定の真空
度にするため真空槽（１）と排気装置（図示せず）との
間に接続された排気管、（３）は真空槽（１）内に置か
れたイオンクラスタビーム発生源容器（以下、容器と略
称する。）であり、この容器（３）は側面部に坩堝取出
口く図示せず）が形成されている。

（４）は容器（３）の底部に設けられ位置決め穴（図示
せず）を有するガイドレール、（５）はガイドレール（
４）に沿って着脱可能に取り付けられた坩堝台であり、
この坩堝台（５）にはガイドレール（４）の位置決め穴
に係合するストッパー（図示せず）が突起して形成され
ている。（６）は坩堝台（５）に一体に取り付けられた
支柱、（７）は支柱（６）に一体に取り付けられ上部に
ノズル（７ａ）を有する坩堝、（８ａ）は坩堝（７）内
に充填された蒸着物質、（８ｂ）は坩堝（７）から噴出
された蒸着物質（８ａ）のクラスタである。

（９）は坩堝（７）の周囲に巻回され坩堝（７）を加熱
する加熱用フィラメント、（１０）は容器（３）内の上
部に設けられクラスタ（８ｂ）をイオン化するイオン化
用フィラメント、（１１）はイオン化用フィラメント（
１０）の内周に設けられイオン化用フィラメント（１０
）から電子を引き出しこの電子を加速するグリッド、（
１２）は容器（３）の上面に設けられイオン化したクラ
スタ（８ｂ）に電界で運動エネルギーを付与しクラスタ
（８ｂ）を加速する加速電極である。

（１３）は容器（３）内の上部に容器〈３）に対向して
設けられ表面に薄膜が形成される基板である。

上記のように構成された従来の薄膜形成装置においては
、基板（１３）上に薄膜を形成する場合、まず坩堝台く
５）および支柱（６）が一体に取り付けられた坩堝（７
）の内部に蒸着物質（８ａ）を充填する。次に、この坩
堝（７）を坩堝取出口から容器（３）内に入れ、坩堝台
（５）をガイドレール（４）に沿うように直線的にスラ
イド移動させる。すると、ストッパーが位置決め穴に係
合して、坩堝台（５）がガイドレール（４）の所定の位
置に取り付けられる。これによって、坩堝（７）も容器
（３）内の所定の位置にセットされる。

坩堝（７）を容器（３）内にセットしたら、排気装置の
駆動によって、真空槽（１）内を適当な真空度になるま
で排気する。その後、加熱用フィラメント（９）に通電
して、坩堝（７）を加熱する。すると、坩堝（７）内の
蒸着物質（８ａ）は蒸発し、ノズル（７ａ）から容器（
３）内に噴射され、断熱膨張によりクラスタ（８ｂ）が
生成される。このクラスタ（８ｂ）は、イオン化用フィ
ラメント（１０）からグリッド（１１）によって引き出
され加速された電子の衝突を受けてイオン化する。その
後、イオン化したクラスタ（８ｂ）は、加速電極（１２
）によって加速され、基板（１３）の表面に衝突して蒸
着膜を形成する。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のように構成された従来の薄膜形成装置においては
、坩堝（７）の容器（３）への着脱は、坩堝台（５）を
ガイドレール（４）に沿って直線的にスライド移動させ
ることによって行っていたので、坩堝（７）の容器〈３
）への出し入れは、容器（３）の側面部の容器取出口か
ら行わなければならず、このため真空槽（１）内に複数
の容器（３）を置く場合には、坩堝（７）の出し入れの
ための間隔をおいて容器（３）を配置しなければならず
、真空槽（１）が大形化してしまい、これにともなって
排気装置も大形のものが必要となり、高価になるなどの
問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、真空槽内に複数のイオンクラスタビーム発
生源容器を置く場合にも、坩堝の出し入れのための間隔
を置く必要がなく、これによって真空槽を小形化するこ
とができ、またこれにともなって排気装置も小形化でき
、低価格化することができる薄膜形成装置を得ることを
目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る薄膜形成装置は、坩堝を上方からイオン
クラスタビーム発生源容器の内部に入れて取り付けるた
めの坩堝取付手段を、坩堝とイオンクラスタビーム発生
源容器とに設けたものである。

［作用コ この発明においては、坩堝取付手段によって、坩堝がイ
オンクラスタビーム発生源容器内に上方から入れられて
取り付けられる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例を示す薄膜形成装置の構成
図、第２図は第１図の坩堝取付手段を示す一部切り欠き
正面図、第３図は第２図の平面図であり、第４図と同−
又は相当部分には同一符号を付し、その説明を省略する
。

図において、（１４）は容器（３）の底部に同心円周上
に２個互いに間隔をおいて突起して設けられた断面「状
のガイド部、（１５）は上端部が坩堝（７）の下部に一
体に取り付けられているとともに下端部に取付板（１５
ａ）が形成された支柱であり、取付板（１５ａ）はガイ
ド部（１４）にき致する形状を有しており回動されてガ
イド部（１４）に弾接係合される。また、この支柱り１
５）とガイド部（１４）とから坩堝取付手段はなってい
る。

上記のように構成された薄膜形成装置においては、基板
（１３）上に薄膜を形成する場合、まず従来例と同様に
坩堝（７）の内部に蒸着物質（８ａ）を充填する。次に
、この坩堝（７）を容器（３）の上部から容器（３）内
に、取付板（１５ａ）が第２図および第３図のような向
きになるように入れる。

その後、坩堝（７）を約９０°回動させる。すると、取
付板（１５ａ）は回動するにしたがってガイド部（１４
）に弾接係合され、これによって坩堝（７）が容器（３
）内の所定の位置にセットされる。坩堝（７）を容器（
３）内にセットしたら、その後の動イヤは従来例と同様
である。

なお、上記実施例では取付板（１５ａ）が形成された支
柱（１５）を坩堝（７）に、ガイド部（１４）を容器（
３）にそれぞれ設けたが、逆にガイド部（１４）を坩堝
（７）に設け、取付板（１５ａ）を容器（３）に設けて
もよい。また、取付板（１５１１）を坩堝く７）に直接
又は支柱（１５）以外の部材を介して設けてもよい。

また、上記実施例では坩堝取付手段としてガイド部（１
４）と取付板（１５ａ）が形成された支柱（１５）とか
らなるものを示したが、例えば容器と坩堝にそれぞれ設
けられたねじとねじ穴とを螺着させて坩堝を容器内に取
り付けるものなど、坩堝を上方からイオンクラスタビー
ム発生源容器の内部に入れて取り付けるものであれば他
の取付機構のものであってもよい。

［発明の効果コ 以上説明したように、この発明の＊Ｗ！形成装置は、イ
オンクラスタビーム発生源容器と坩堝とに坩堝取付手段
を設け、イオンクラスタビーム発生源容器の内部に、上
方から坩堝を入れて取り付けるようにしたので、真空槽
内に複数のイオンクラスタビーム発生源容器を置く場合
にも、坩堝の出し入れのための間隔を置く必要がなく、
これによって真空槽を小形化することができ、またこれ
にともなって排気装置も小形化でき、低価格化すること
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す薄膜形成装置の構成
図、第２図は第１図の坩堝取付手段を示す一部切り欠き
正面図、第３図は第２図の平面図、第４図は従来の薄膜
形成装置の一例を示す構成図、第５図は第４図の要部正
面図、第６図は第５図の要部側面図である。 図において、（１〉は真空槽、（３）はイオンクラスタ
ビーム発生源容器、（７）は坩堝、（８ａ）は蒸着物質
、り１３）は基板、（１４）はガイド部、（１５）は支
柱、（１５ａ）は取付板である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 昂１図 １１！槽　　　　　　　　　　　　１３　　基板３　　
イオーＩ）Ｍ）スタビ−ヘタ（生Ｊ、’伊岱　　　　１
４　　　力゛イド郭７゜ｒｇ堝　　　　　　　　　　　
　　　　］５　夾揉８ａ、ｉ眉物’ｌ［＋５ａ　：　ａ
ＲＫ昂２図 昂３図 Ｗ−）４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　真空槽内のイオンクラスタビーム発生源容器の内部に
   取り付けられた坩堝の内部に入れられた蒸着物質を、前
   記真空槽内に設けられる基板に蒸着させるための薄膜形
   成装置において、前記坩堝と前記イオンクラスタビーム
   発生源容器とに設けられ、前記坩堝を上方から前記イオ
   ンクラスタビーム発生源容器の内部に入れて取り付ける
   ための坩堝取付手段を備えたことを特徴とする薄膜形成
   装置。