JPH01280366A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPH01280366A JPH01280366A JP63109079A JP10907988A JPH01280366A JP H01280366 A JPH01280366 A JP H01280366A JP 63109079 A JP63109079 A JP 63109079A JP 10907988 A JP10907988 A JP 10907988A JP H01280366 A JPH01280366 A JP H01280366A
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- Japan
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- thin film
- semiconductor thin
- carbon
- type semiconductor
- silicon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、非晶質シリコンの光起電力素子の製造方法に
関し、特にその高性能化に関する。
関し、特にその高性能化に関する。
［背景技術］
非晶質シリコン光起電力素子は、製造コストが安く製造
に必要なエネルギーが少な（てすみ、さらに大面積が容
易なため、クリーンな光エネルギー変換素子として注目
を集めている。
に必要なエネルギーが少な（てすみ、さらに大面積が容
易なため、クリーンな光エネルギー変換素子として注目
を集めている。
［従来技術とその問題点］
従来技術におけるこの非晶質シリコン光起電力素子とし
て主に、ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真性な半導体
薄膜、第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ型半導体薄
膜の順序に積層したものが我々等により提案されている
。
て主に、ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真性な半導体
薄膜、第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ型半導体薄
膜の順序に積層したものが我々等により提案されている
。
従来技術の問題点として、ｐ型の半導体薄膜の膜特性を
より向上する必要がある。
より向上する必要がある。
しかして、このため、ｐ型半導体薄膜として、シリコン
カーバイド半導体薄膜が用いられているが、シリコンに
含まれるカーボンの量を増加して、半導体薄膜の光学的
禁制帯幅を大きくすると、この薄膜での導電率が低下し
、膜特性を低下させると云う問題点があった。
カーバイド半導体薄膜が用いられているが、シリコンに
含まれるカーボンの量を増加して、半導体薄膜の光学的
禁制帯幅を大きくすると、この薄膜での導電率が低下し
、膜特性を低下させると云う問題点があった。
本発明者等は、かかる点に着目して鋭意検討した結果、
Ｐ型半導体薄膜の膜特性を改善することにより、光起電
力素子の光電変換効率を飛躍的に向上せしむることを発
見したので、ここに該新技術を公開するとともに、その
代償として、特許法の趣旨に従い、独占排他権たる特許
権の付与（特許法第１条）を請求するものである。
Ｐ型半導体薄膜の膜特性を改善することにより、光起電
力素子の光電変換効率を飛躍的に向上せしむることを発
見したので、ここに該新技術を公開するとともに、その
代償として、特許法の趣旨に従い、独占排他権たる特許
権の付与（特許法第１条）を請求するものである。
［発明の開示］
本発明は、透光性且つ絶縁性の基板上に、透光性導電酸
化物からなる電極、Ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真
性な半導体薄膜、第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ
型半導体薄膜、背面金属電極の順に形成せしめられた光
起電力素子において、ＨＡ Ｐ型半導体薄膜は、水素化
されたシリコンとカーボンよりなる半導体薄膜であり、
且つシリコンとカーボンの組成の異なる二つの層が、交
互に積層されていることを特徴とする光起電力素子であ
り、より好ましくは、シリコンとカーボンの組成比の異
なる二つの層の膜厚が、１０Å以上５０人未満である光
起電力素子、である。
化物からなる電極、Ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真
性な半導体薄膜、第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ
型半導体薄膜、背面金属電極の順に形成せしめられた光
起電力素子において、ＨＡ Ｐ型半導体薄膜は、水素化
されたシリコンとカーボンよりなる半導体薄膜であり、
且つシリコンとカーボンの組成の異なる二つの層が、交
互に積層されていることを特徴とする光起電力素子であ
り、より好ましくは、シリコンとカーボンの組成比の異
なる二つの層の膜厚が、１０Å以上５０人未満である光
起電力素子、である。
すなわち、本発明は、透光性且つ絶縁性の基板上に、透
光性導電酸化物からなる電極、Ｐ型半導体薄膜、第一の
実質的に真性な半導体薄膜、第二の実質的に真性な半導
体薄膜、ｎ型半導体薄膜、背面金属電極の順に形成せし
められた光起電力素子を基本的な構成とするが、本発明
の特徴とするところは、ここにおけるＰ型半導体薄膜（
以下略して２層とも呼ぶ）の構成にある。
光性導電酸化物からなる電極、Ｐ型半導体薄膜、第一の
実質的に真性な半導体薄膜、第二の実質的に真性な半導
体薄膜、ｎ型半導体薄膜、背面金属電極の順に形成せし
められた光起電力素子を基本的な構成とするが、本発明
の特徴とするところは、ここにおけるＰ型半導体薄膜（
以下略して２層とも呼ぶ）の構成にある。
かかる構成を有する２層の製造方法は、好ましくは、放
電エネルギーまたは光エネルギーを利用した気相化学分
解法（以下略してＣＶＤ法とも呼ぶ）で行い、より好ま
しくは、光エネルギーを利用した気相化学分解法（以下
略して光ＣＶＤ法とも呼ぶ）で行う。
電エネルギーまたは光エネルギーを利用した気相化学分
解法（以下略してＣＶＤ法とも呼ぶ）で行い、より好ま
しくは、光エネルギーを利用した気相化学分解法（以下
略して光ＣＶＤ法とも呼ぶ）で行う。
かかるｐＮ製造用の原料は、基本的にシラン化合物ガス
、ｐ型の導電性あたえるドーピングガス、稀釈ガスおよ
び炭素含有化合物ガスの混合ガスである。
、ｐ型の導電性あたえるドーピングガス、稀釈ガスおよ
び炭素含有化合物ガスの混合ガスである。
かかるシラン化合物としては、シラン、ジシラン、トリ
シランなどが用いられる。
シランなどが用いられる。
ｐ型の導電性を付与するドーパントガスとじては、ジボ
ラン、トリノチルボロン、トリメチルインジュウムが用
いられる。
ラン、トリノチルボロン、トリメチルインジュウムが用
いられる。
稀釈ガスとしては、水素、ヘリウム、アルゴン、ふオン
等が用いられる。
等が用いられる。
また炭素含有化合物としては、アセチレン、モノメチル
シラン、ジメチルシラン、などが用いられる。
シラン、ジメチルシラン、などが用いられる。
本発明の最も特徴とするところは、本発明におけるＰ型
半導体薄膜が、シリコンとカーボンの組成の異なる二つ
の半導体薄膜（以下略してバリア層、ウェル層とも呼ぶ
）のくり返し積み重ねられた薄膜（以下略して積層膜と
も呼ぶ）であることであり、かかるシリコンとカーボン
の組成の異なる二つの半導体薄膜は、好ましくは、１０
Å以上５０人未満の非常に薄い半導体薄膜であることで
ある。
半導体薄膜が、シリコンとカーボンの組成の異なる二つ
の半導体薄膜（以下略してバリア層、ウェル層とも呼ぶ
）のくり返し積み重ねられた薄膜（以下略して積層膜と
も呼ぶ）であることであり、かかるシリコンとカーボン
の組成の異なる二つの半導体薄膜は、好ましくは、１０
Å以上５０人未満の非常に薄い半導体薄膜であることで
ある。
本発明におけるバリア層およびウェル層は、共に水素化
された非晶質半導体薄膜であり、且っバリア層はウェル
層に比ベシリコンに対してカーボンの量は多い。
された非晶質半導体薄膜であり、且っバリア層はウェル
層に比ベシリコンに対してカーボンの量は多い。
かかる積Ｎ膜の製造方法は、ＣＶＤ法において、シラン
化合物と炭素含有化合物の混合の割合を時間的に変える
ことにより行うことが出来る。
化合物と炭素含有化合物の混合の割合を時間的に変える
ことにより行うことが出来る。
混合の割合を変えるためには、シラン化合物と炭素含有
化合物ガスの流量を制御することにより行う。
化合物ガスの流量を制御することにより行う。
ｐＮの膜厚は通常約１０〜１０００堆積度である。バリ
ア層およびウェル層ともに膜厚は、１０Å以上５０人未
満とする。
ア層およびウェル層ともに膜厚は、１０Å以上５０人未
満とする。
２層の流量以外の製造条件は、基板温度１００〜４００
°Ｃ１圧力０．００１〜１０Ｔｏ ｒ ｒ程度である。
°Ｃ１圧力０．００１〜１０Ｔｏ ｒ ｒ程度である。
第一の実質的に真性な半導体薄膜（以下略してバッファ
層とも呼ぶ）は、シラン化合物ガスおよび、稀釈ガス、
炭素含有化合物ガス等の混合ガスの°ＣＶＤにより形成
される。これらのガスとしては、好ましくは前記Ｐ型半
導体薄膜の製造ガスと同じものが用いられる。
層とも呼ぶ）は、シラン化合物ガスおよび、稀釈ガス、
炭素含有化合物ガス等の混合ガスの°ＣＶＤにより形成
される。これらのガスとしては、好ましくは前記Ｐ型半
導体薄膜の製造ガスと同じものが用いられる。
シラン化合物ガス、炭素含有化合物ガスおよび稀釈ガス
としては、ジシラン、アセチレン、水素が好ましい。
としては、ジシラン、アセチレン、水素が好ましい。
バッファ層の製造方法は、ｐ型の半導体薄膜をＣＶＤ法
で形成した後、ドーピングガスの供給を停止し、炭素含
存化合物ガスを漸減していき、その他の条件は同一とし
て薄膜を製造する方がより好ましい。
で形成した後、ドーピングガスの供給を停止し、炭素含
存化合物ガスを漸減していき、その他の条件は同一とし
て薄膜を製造する方がより好ましい。
バッファ層は、水素化されたシリコンとカーボンよりな
る非晶質半導体薄膜である。バッファ層の膜厚は２５Å
以上であり、その上限は数千人以内であれば、とくに臨
界的に限定されるものではないが、高々５００堆積度で
十分である０本発明では、光ＣＶＤで形成された５０乃
至３００人の範囲の厚みを有する非晶質薄膜が特に好ま
しい。
る非晶質半導体薄膜である。バッファ層の膜厚は２５Å
以上であり、その上限は数千人以内であれば、とくに臨
界的に限定されるものではないが、高々５００堆積度で
十分である０本発明では、光ＣＶＤで形成された５０乃
至３００人の範囲の厚みを有する非晶質薄膜が特に好ま
しい。
第二の実質的に真性な半導体薄膜（以下略してｉ層とも
呼ぶ）の製造方法は、シラン化合物ガスの放電を利用し
たＣＶＤ法（以下略してプラズマＣＶＤ法とも呼ぶ）に
より形成される。シラン化合物としては、シラン、ジシ
ランが用いられる。
呼ぶ）の製造方法は、シラン化合物ガスの放電を利用し
たＣＶＤ法（以下略してプラズマＣＶＤ法とも呼ぶ）に
より形成される。シラン化合物としては、シラン、ジシ
ランが用いられる。
ｉ層は、水素化されたシリコンの非晶質半導体薄膜であ
る １Ｊｉｊｉの膜厚は、１０００人〜１００ＯＯ人程
度である。
る １Ｊｉｊｉの膜厚は、１０００人〜１００ＯＯ人程
度である。
ｉ層の製造条件として、シラン化合物ガスの流ｆｆ１ｌ
−１００ｓ ｅ ｃｍ、基板温度２００〜４ｏ。
−１００ｓ ｅ ｃｍ、基板温度２００〜４ｏ。
゛Ｃ１圧力０．ＯＩＴｏ ｒ ｒ〜１０Ｔｏ ｒ ｒ、
放電電力０．００１〜ＩＷ／ｃｍｚ程度である。
放電電力０．００１〜ＩＷ／ｃｍｚ程度である。
シラン化合物ガスの稀釈ガスとして、水素やヘリウムを
使用してもよい。
使用してもよい。
ｎ型半導体薄膜は、水素化されたシリコンの非晶質と結
晶の混在した半導体薄膜（以下略してｎ層とも呼ぶ）で
あり、シラン化合物ガス、ドーパントガス、稀釈ガスの
混合ガスのプラズマＣＶＤ室により製造する。
晶の混在した半導体薄膜（以下略してｎ層とも呼ぶ）で
あり、シラン化合物ガス、ドーパントガス、稀釈ガスの
混合ガスのプラズマＣＶＤ室により製造する。
ｎ層の膜厚は、１００から１０００人程度大島る。
シラン化合物として、シラン、ジシランが用いられ、稀
釈ガスとして、水素が用いられる。
釈ガスとして、水素が用いられる。
ドーパントガスとして、ホスフィンを用いる。
ｎＮの製造条件は、シラン化合物ガスの流ｔ。
、１〜１０１００５ｅ、 ドーパントガスの流量０．
００１〜１０１０５ｅ、水素流ｉ１１〜１０１００５ｃ
、 圧力０．０１〜１０ｔｏｒｒ、放を電力０．０１
〜１０Ｗ／ｃｍ” 、５板温度１００〜４００℃程度で
ある。
００１〜１０１０５ｅ、水素流ｉ１１〜１０１００５ｃ
、 圧力０．０１〜１０ｔｏｒｒ、放を電力０．０１
〜１０Ｗ／ｃｍ” 、５板温度１００〜４００℃程度で
ある。
以下実施例により本発明の具体的な実施の態様の一例を
説明する。
説明する。
［実施例］
製造装置は、仕込室、取り出し室、Ｐ型半導体１１１９
形成と第一の実質的に真性な半導体薄膜形成用の光ＣＶ
Ｄ室、第二の実質的に真性な半導体薄膜形成用の第一の
プラズマＣＶＤ室、ｎ型の半導体薄膜形成用の第二のプ
ラズマＣＶＤ室の合計５室よりなり、それぞれゲート弁
により、真空的に分離されている。プラズマＣＶＤでは
、平行平板容量結合型の方式のものを用いた。
形成と第一の実質的に真性な半導体薄膜形成用の光ＣＶ
Ｄ室、第二の実質的に真性な半導体薄膜形成用の第一の
プラズマＣＶＤ室、ｎ型の半導体薄膜形成用の第二のプ
ラズマＣＶＤ室の合計５室よりなり、それぞれゲート弁
により、真空的に分離されている。プラズマＣＶＤでは
、平行平板容量結合型の方式のものを用いた。
まずはじめに、２層を形成した。
ＰＭとして、水素化された非晶質のシリコンカーバイド
半導体薄膜を作成した。透明な絶縁基板として、ガラス
板を用いた。透明な導電性薄膜として、酸化されたイン
ジュウムと錫を含む薄膜と、酸化された錫をふくむ薄膜
の二つ層からなるものをもちいた。２層の製造方法は、
直接分解光ＣＶＤ法を用いた。
半導体薄膜を作成した。透明な絶縁基板として、ガラス
板を用いた。透明な導電性薄膜として、酸化されたイン
ジュウムと錫を含む薄膜と、酸化された錫をふくむ薄膜
の二つ層からなるものをもちいた。２層の製造方法は、
直接分解光ＣＶＤ法を用いた。
光ＣＶＤ室での到達真空度は、１０−’Ｔｏ ｒ ｒ以
下であった。
下であった。
ｐＮの製造条件は、基板温度２５０ ’Ｃ、ジシラン、
ジボラン、水素の各ガスの流量を、それぞれ、５ｓｃｃ
ｍ、０．３ｓｃｃｍ、１０１０５ｃ。
ジボラン、水素の各ガスの流量を、それぞれ、５ｓｃｃ
ｍ、０．３ｓｃｃｍ、１０１０５ｃ。
とし、アセチレン流量は以下で説明するが、反応室内の
圧力を、０．ＩＴｏｒｒとした。光ＣＶＤ法での、紫外
光として、低圧水銀ランプから発生した１８５ｎｍと２
４５ｎｍの光を用いた。
圧力を、０．ＩＴｏｒｒとした。光ＣＶＤ法での、紫外
光として、低圧水銀ランプから発生した１８５ｎｍと２
４５ｎｍの光を用いた。
２層の堆積方法として、上記紫外光を石英製の窓を通し
て光’ＣＶ Ｄ室に導入し、あらかしめ光ＣＶＤ室に導
入されているジシラン、アセチレン、ジポラン、水素の
混合ガスを分解することに行った。このとき、アセチレ
ン流量を、流量制御器で２つの値、ｌｓｅｃｍと５ｓｃ
ｃｍで交互に変えることにより、ｐＮ薄膜含まれるカー
ボンとシリコンの比率を交互変えて積層状の半導体薄膜
を形成した。
て光’ＣＶ Ｄ室に導入し、あらかしめ光ＣＶＤ室に導
入されているジシラン、アセチレン、ジポラン、水素の
混合ガスを分解することに行った。このとき、アセチレ
ン流量を、流量制御器で２つの値、ｌｓｅｃｍと５ｓｃ
ｃｍで交互に変えることにより、ｐＮ薄膜含まれるカー
ボンとシリコンの比率を交互変えて積層状の半導体薄膜
を形成した。
繰り返しの時間間隔は、４０ｓｅｃ、１００ｓｅｃとし
、二つのサンプルを試作した。
、二つのサンプルを試作した。
この条件での薄膜の成膜速度は、０．５／ｓｅＣである
ため、積層膜でのバリア層またはウェル層の膜厚として
、２０人と５０人の二つのサンフ。
ため、積層膜でのバリア層またはウェル層の膜厚として
、２０人と５０人の二つのサンフ。
ルを試作したことに対応する。
光ＣＶＤ室内での混合ガスの滞留時間は、単原子層の堆
積時間よりも短くした。
積時間よりも短くした。
２層の膜厚は、１００〜１５０人であった。
つぎに、バッファ層を形成した。
バッファ層として、水素化されたノンドープのシリコン
カーバイドの非晶質半導体薄膜とした。とくに、シリコ
ンに対してカーボンが徐々に少なくなるように形成した
。
カーバイドの非晶質半導体薄膜とした。とくに、シリコ
ンに対してカーボンが徐々に少なくなるように形成した
。
その製造方法として、ジシラン、アセチレンを光ＣＶＤ
室に導入し、圧力を一定の値にしたあと、低圧水銀ラン
プから発生した紫外光を石英製の窓を通して導入し、非
晶質の半導体薄膜を、ｐ型半導体薄膜上に堆積した。こ
のとき、アセチレン流量を、ジシラン流量に対して徐々
に少なくなるような流ｆｆ１４１１節を行うようにして
導入した。
室に導入し、圧力を一定の値にしたあと、低圧水銀ラン
プから発生した紫外光を石英製の窓を通して導入し、非
晶質の半導体薄膜を、ｐ型半導体薄膜上に堆積した。こ
のとき、アセチレン流量を、ジシラン流量に対して徐々
に少なくなるような流ｆｆ１４１１節を行うようにして
導入した。
次に、ｉ層を形成した。
ｉ層は、水素化シリコンの非晶質半導体薄膜である。
その製造方法として、モノシランを第一のプラズマＣＶ
Ｄ室導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平
板電極の高周波電力を印加し、放電を発生させることに
より堆積した６ １層の製造条件は、モノシラン１０１
０５ｅ、ｉ板温度２５０°Ｃ１圧力５０ｍＴｏｒｒであ
る。放電電力０゜０１ Ｗ ／ Ｃｍ ｚであった。ｉ
層の膜厚は、６０００人であった。
Ｄ室導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平
板電極の高周波電力を印加し、放電を発生させることに
より堆積した６ １層の製造条件は、モノシラン１０１
０５ｅ、ｉ板温度２５０°Ｃ１圧力５０ｍＴｏｒｒであ
る。放電電力０゜０１ Ｗ ／ Ｃｍ ｚであった。ｉ
層の膜厚は、６０００人であった。
次にｎ層を形成した。
その製造方法として、モノシランを第二プラズマＣＶＤ
室に導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平
板電極の高周波電力を印加し、放電を発生させることに
より堆積した。ｎＮの製造条件は、モノシランｔｃ量１
ｓｅｃｍ、ホスフィン流量０．２ｓｅｃｍ、水素流３１
１０ ｓ ｅ ｃ ｍ、基板温度２５０°Ｃ１圧力Ｑ、
Ｔｏｒｒ、放電電力０゜２ Ｗ／ Ｃｍ”である、ｎＮ
の膜厚は、４００人であった。
室に導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平
板電極の高周波電力を印加し、放電を発生させることに
より堆積した。ｎＮの製造条件は、モノシランｔｃ量１
ｓｅｃｍ、ホスフィン流量０．２ｓｅｃｍ、水素流３１
１０ ｓ ｅ ｃ ｍ、基板温度２５０°Ｃ１圧力Ｑ、
Ｔｏｒｒ、放電電力０゜２ Ｗ／ Ｃｍ”である、ｎＮ
の膜厚は、４００人であった。
最後に、背面の金属電極を形成した。
背面電極の形成方法として、抵抗加熱方式の真空蒸着装
置にて、アルミニウム金属を蒸着した。
置にて、アルミニウム金属を蒸着した。
本発明の光起電力素子を、ソーラーシェミレータ−（Ａ
ＭＬ、１００ｍＷ／ｃｍ”）からの擬似太陽光下で、電
圧電流特性を測定した。表１に測定結果を示す。測定し
たサンプル１は、積層膜を用いなかったもの、サンプル
２は、５０人の繰り返し周期を持つ積層膜を用いたもの
、サンプル３は、２０人の繰り返し周期を持つ積層膜を
用いたものである。５０人の繰り返し周期を持つ積層膜
を用いたもので多少の光電変換効率の向上がみられ、２
０人の繰り返し周期を持つ積層膜を用いたもので顕著な
光電変換効率の向上がみられることが明らかである。
ＭＬ、１００ｍＷ／ｃｍ”）からの擬似太陽光下で、電
圧電流特性を測定した。表１に測定結果を示す。測定し
たサンプル１は、積層膜を用いなかったもの、サンプル
２は、５０人の繰り返し周期を持つ積層膜を用いたもの
、サンプル３は、２０人の繰り返し周期を持つ積層膜を
用いたものである。５０人の繰り返し周期を持つ積層膜
を用いたもので多少の光電変換効率の向上がみられ、２
０人の繰り返し周期を持つ積層膜を用いたもので顕著な
光電変換効率の向上がみられることが明らかである。
以上、示したように、本発明は、透光性且つ絶縁性の基
板上に、透光性導電酸化物からなる電極、ｐ型半導体薄
膜、第一の実質的に真性な半導体薄膜、第二の実質的に
真性な半導体薄膜、ｎ型半導体薄膜、背面金属電極の順
に形成せしめられた光起電力素子において、該ｐ型半導
体薄膜は、水素化されたシリコンとカーボンよりなる半
導体薄膜であり、且つシリコンとカーボンの組成の異な
る二つの層が、交互に積層されていることを特徴とする
光起電力素子、であり、時にシリコンとカーボンの組成
比の異なるニフの層の膜厚が、１０Å以上５０人未満で
ある光起電力素子、であってかかる構成を採用すること
大幅に光電変換機能が高性能化された光起電力素子であ
る。
板上に、透光性導電酸化物からなる電極、ｐ型半導体薄
膜、第一の実質的に真性な半導体薄膜、第二の実質的に
真性な半導体薄膜、ｎ型半導体薄膜、背面金属電極の順
に形成せしめられた光起電力素子において、該ｐ型半導
体薄膜は、水素化されたシリコンとカーボンよりなる半
導体薄膜であり、且つシリコンとカーボンの組成の異な
る二つの層が、交互に積層されていることを特徴とする
光起電力素子、であり、時にシリコンとカーボンの組成
比の異なるニフの層の膜厚が、１０Å以上５０人未満で
ある光起電力素子、であってかかる構成を採用すること
大幅に光電変換機能が高性能化された光起電力素子であ
る。
したがって、本発明は、太陽電池や光センサーなどの光
起電力素子として工業的に有用である。
起電力素子として工業的に有用である。
１ ０．８７ １６．０ ０．７１０ ９
．８０２ ０．８７ １６．０ ０．７２０
９．９０３ ０．８７ １？、０ ０．
７２０ １０．７特許出願人 三井東圧化学株式会
社
．８０２ ０．８７ １６．０ ０．７２０
９．９０３ ０．８７ １？、０ ０．
７２０ １０．７特許出願人 三井東圧化学株式会
社
Claims (2)
- （１）透光性且つ絶縁性の基板上に、透光性導電酸化物
からなる電極、ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真性な
半導体薄膜、第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ型半
導体薄膜、背面金属電極の順に形成せしめられた光起電
力素子において、該ｐ型半導体薄膜は、水素化されたシ
リコンとカーボンよりなる半導体薄膜であり、且つシリ
コンとカーボンの組成の異なる二つの層が、交互に積層
されていることを特徴とする光起電力素子。 - （２）シリコンとカーボンの組成比の異なる二つの層の
膜厚が、１０Å以上５０Å未満である特許請求の範囲第
１項記載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109079A JPH01280366A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109079A JPH01280366A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280366A true JPH01280366A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14501070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63109079A Pending JPH01280366A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01280366A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864070A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 |
| JPS627119A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | 多層構造アモルフアスシリコンカ−バイド膜 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63109079A patent/JPH01280366A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864070A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 |
| JPS627119A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | 多層構造アモルフアスシリコンカ−バイド膜 |
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