JPH01278782A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPH01278782A JPH01278782A JP63107673A JP10767388A JPH01278782A JP H01278782 A JPH01278782 A JP H01278782A JP 63107673 A JP63107673 A JP 63107673A JP 10767388 A JP10767388 A JP 10767388A JP H01278782 A JPH01278782 A JP H01278782A
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- film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、非晶質シリコンの光起電力素子の製造方法に
関し、より詳しくは、その高性能化に関する。
関し、より詳しくは、その高性能化に関する。
［従来技術とその問題点］
非晶質シリコン光起電力素子は、製造コストが安く製造
に必要なエネルギーが少なくてすみ、さらに大面積が容
易なため、クリーンな光エネルギー変換素子として注目
を集めている。
に必要なエネルギーが少なくてすみ、さらに大面積が容
易なため、クリーンな光エネルギー変換素子として注目
を集めている。
従来技術におけるこの非晶質シリコン光起電力素子とし
て主に、ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真性な半導体
薄膜、第二の実質的に真性な半導体Ｙ：ｖ膜、ｎ型゛１
色導体）１す膜の順序に積層したものが用いられている
。
て主に、ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真性な半導体
薄膜、第二の実質的に真性な半導体Ｙ：ｖ膜、ｎ型゛１
色導体）１す膜の順序に積層したものが用いられている
。
従来技術の問題点として、ｐ型の半導体ｈす膜形成後に
作成される第一の実質的に真性の半導体）１１１１１り
の製造方法の改善が必要であった。
作成される第一の実質的に真性の半導体）１１１１１り
の製造方法の改善が必要であった。
ｐ型半導体薄膜りとして、シリコンカーバイド半導体ｆ
ｉｌＪ膜が用いられるが、本発明者らは、第一の実質的
に真性の半導体ｎｌＪ膜はシリコンに対してカーボンの
傾斜した半導体薄膜を用いた高性能化技術はすでに提案
しく特開昭６２−０７４２９） 、また、第一の実質的
に真性の半導体の製造方法において、形成温度を高める
ことにより改善できることもすでに提案した（特開昭６
２’−０５３０５７）。
ｉｌＪ膜が用いられるが、本発明者らは、第一の実質的
に真性の半導体ｎｌＪ膜はシリコンに対してカーボンの
傾斜した半導体薄膜を用いた高性能化技術はすでに提案
しく特開昭６２−０７４２９） 、また、第一の実質的
に真性の半導体の製造方法において、形成温度を高める
ことにより改善できることもすでに提案した（特開昭６
２’−０５３０５７）。
しかして、本発明者等は、さらにお１意検討の結果、第
一の実質的に真性の半導体ｉ１Ｊ膜の製造方法改善する
ことにより、光起電力素子の光電変換効率を飛曜的に向
上せしむることを発見したので、ここに該新技（（・ｊ
を公開するとともに、特許法第１条の趣旨に従い、その
代償として、独占排他権たる特許権の付与を請求するも
のである。
一の実質的に真性の半導体ｉ１Ｊ膜の製造方法改善する
ことにより、光起電力素子の光電変換効率を飛曜的に向
上せしむることを発見したので、ここに該新技（（・ｊ
を公開するとともに、特許法第１条の趣旨に従い、その
代償として、独占排他権たる特許権の付与を請求するも
のである。
［発明の開示］
本発明は、透光性且つ絶縁性の基板上に、透光性導電酸
化物からなる電極、Ｐ型半導体７ｉｖ膜、第一の実質的
に真性な半導体’ｉｒ’Ｊ膜、第二の実質的に真性な半
導体ＲＶ ＩＩ父、ｎ型半導体薄膜、背面金属電極の順
に形成せしめられた光起電力素子において、上記ｐ型半
導体Ｙ；１１膜と第一の実質的に真性の半導体薄１りの
順に形成後、該薄膜を水素の放電雰囲気に曝すことを特
徴とする光起電力素子の製造方法、である。
化物からなる電極、Ｐ型半導体７ｉｖ膜、第一の実質的
に真性な半導体’ｉｒ’Ｊ膜、第二の実質的に真性な半
導体ＲＶ ＩＩ父、ｎ型半導体薄膜、背面金属電極の順
に形成せしめられた光起電力素子において、上記ｐ型半
導体Ｙ；１１膜と第一の実質的に真性の半導体薄１りの
順に形成後、該薄膜を水素の放電雰囲気に曝すことを特
徴とする光起電力素子の製造方法、である。
本発明において、Ｐ型半導体Ｙ；す膜（以下略してｐ層
とも呼ぶ）の製造方法は、放電エネルギーまたは光エネ
ルギーを利用した気相化学分解法（以下略してＣＶＤ法
とも呼ぶ）で製造する。その原ｔ１は、シラン化合物ガ
ス、Ｐ型の導電性与えるドーピングガス、稀釈ガスおよ
び炭素含有化合物ガスの汀り合ガスである。
とも呼ぶ）の製造方法は、放電エネルギーまたは光エネ
ルギーを利用した気相化学分解法（以下略してＣＶＤ法
とも呼ぶ）で製造する。その原ｔ１は、シラン化合物ガ
ス、Ｐ型の導電性与えるドーピングガス、稀釈ガスおよ
び炭素含有化合物ガスの汀り合ガスである。
該シラン化合物としては、シラン、ジシラン、Ｉ・ジシ
ランなどが用いられる。
ランなどが用いられる。
また炭素含有化合物としては、アセチレン、モノメチル
シラン、ジメチルンラン、などが用いられる。
シラン、ジメチルンラン、などが用いられる。
またｐ型の導電性を付与するドーパントガスとしては、
ジボラン、トリメチルボロン、トリメチルインシュウ１
、が用いられる。
ジボラン、トリメチルボロン、トリメチルインシュウ１
、が用いられる。
稀釈ガスとしては、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン
等が用いられる。
等が用いられる。
本発明において、ｐ層は、水素化された非晶質のシリコ
ンカーバイド半導体）１月１父である。２層の膜ｊゾは
通常約ｌＯ〜１０００Δ程度である。
ンカーバイド半導体）１月１父である。２層の膜ｊゾは
通常約ｌＯ〜１０００Δ程度である。
２層の製造条件は、基板温度１００〜４００°Ｃ１混合
ガスの全流星１〜１０１００５ｅ、圧力０．００１〜１
０Ｔｏｒｒ程度である。
ガスの全流星１〜１０１００５ｅ、圧力０．００１〜１
０Ｔｏｒｒ程度である。
本発明において、第一の実質的に真性な半導体１１月１
り（以下略してバッファ層とも呼ぶ）は、シラン化合物
ガスおよび、稀釈ガス、炭素含有化合物ガス等の混合ガ
スのＣＶＤにより形成される。これらのガスとしては、
好ましくは前記Ｐ型半導体薄膜の製造ガスと同じものが
用いられる。
り（以下略してバッファ層とも呼ぶ）は、シラン化合物
ガスおよび、稀釈ガス、炭素含有化合物ガス等の混合ガ
スのＣＶＤにより形成される。これらのガスとしては、
好ましくは前記Ｐ型半導体薄膜の製造ガスと同じものが
用いられる。
シラン化合物ガス、炭素含有化合物ガスおよび稀釈ガス
としては、それぞれ、ジシラン、アセチレン、水素が好
ましい。
としては、それぞれ、ジシラン、アセチレン、水素が好
ましい。
バッファ層の製造方法は、ｐ型の半導体）°：Ｖ膜をＣ
ＶＤ法で形成した後、ドーピングガスの供給を停止し、
炭素含有化合物ガスを漸減していき、その他の条件は同
一としてＲ１７膜を製造する方がより好ましい。
ＶＤ法で形成した後、ドーピングガスの供給を停止し、
炭素含有化合物ガスを漸減していき、その他の条件は同
一としてＲ１７膜を製造する方がより好ましい。
本発明においてバッファ層は、水素化されたシリコンと
カーボンよりなる非晶質半導体薄膜である。バッファ層
の膜厚は２５Å以上であり、その上限は数千人以内であ
れば、とくに臨界的に限定されるものではないが、高々
５００人程度で十分である。本発明においては、光エネ
ルギーを利用したＣＶＤ （以下略して光ＣＶＤと呼ぶ
）で形成された５０乃至３００人の範囲の厚みを有する
非晶ｎ ’ｒ’＋’月漠が特にｋＹましい。
カーボンよりなる非晶質半導体薄膜である。バッファ層
の膜厚は２５Å以上であり、その上限は数千人以内であ
れば、とくに臨界的に限定されるものではないが、高々
５００人程度で十分である。本発明においては、光エネ
ルギーを利用したＣＶＤ （以下略して光ＣＶＤと呼ぶ
）で形成された５０乃至３００人の範囲の厚みを有する
非晶ｎ ’ｒ’＋’月漠が特にｋＹましい。
本発明の最も特徴とするところは、上記Ｐ型半導体）１
す股と、第一の実質的に真性な半導体薄）１りを、ＣＶ
Ｄ法で堆積した後特別の処理を施す点にあるのである。
す股と、第一の実質的に真性な半導体薄）１りを、ＣＶ
Ｄ法で堆積した後特別の処理を施す点にあるのである。
ずなわら、その処理は、ρ型半導体Ｆ、月１りと第一の
実質的に真性な半導体薄膜の順で堆積したのち、すぐに
第二の実質的に２°（性な半導体薄膜を堆積するのでは
なく、第一の真性な半導体）；す膜を形成後、−旦、該
薄膜を水素の放電雰囲気に曝すことにある。
実質的に真性な半導体薄膜の順で堆積したのち、すぐに
第二の実質的に２°（性な半導体薄膜を堆積するのでは
なく、第一の真性な半導体）；す膜を形成後、−旦、該
薄膜を水素の放電雰囲気に曝すことにある。
水素の放電雰囲気の発生装置は、通常の容量結合型平行
平板の放電装′１１（以下略してプラズマＣＶＤ装置と
もよぶ）を用いる。
平板の放電装′１１（以下略してプラズマＣＶＤ装置と
もよぶ）を用いる。
水素放電の処理条件は、基板温度１００〜５００°Ｃ１
水素流！１１１１−１Ｏ０ｓｅ、圧力０．００１〜１０
Ｔｏｒｒ、放電電力０．００１〜ＩＯＷ／ａｍ”である
、より好ましくは、基板温度１００〜３００°Ｃ１水素
流！１５〜２０ ｓ ｅ ｃ ｍ、圧力０．０１〜ＩＴ
ｏ ｒ ｒ、放電電力０．０１〜ＩＷ／ ｃ ｒｎ ”
程度である。
水素流！１１１１−１Ｏ０ｓｅ、圧力０．００１〜１０
Ｔｏｒｒ、放電電力０．００１〜ＩＯＷ／ａｍ”である
、より好ましくは、基板温度１００〜３００°Ｃ１水素
流！１５〜２０ ｓ ｅ ｃ ｍ、圧力０．０１〜ＩＴ
ｏ ｒ ｒ、放電電力０．０１〜ＩＷ／ ｃ ｒｎ ”
程度である。
水素放電の処理の時間は、１分以上、たかだか３０分以
内で充分である。
内で充分である。
本発明においては、かかる水素放電処理後、第二の実質
的に真正な半導体Ｙ１す膜を形成する。
的に真正な半導体Ｙ１す膜を形成する。
第二の実質的に真性な半導体薄膜（以下略してｉ層とも
呼ぶ）の製造方法は、シラン化合物ガスの放電を利用し
たＣＶＤ法（以下略して プラズマＣＶＤ法とも呼ぶ）
により形成される。シラン化合物としては、通常、シラ
ン、ジシランが用いられる。
呼ぶ）の製造方法は、シラン化合物ガスの放電を利用し
たＣＶＤ法（以下略して プラズマＣＶＤ法とも呼ぶ）
により形成される。シラン化合物としては、通常、シラ
ン、ジシランが用いられる。
ｉ層は、水素化されたシリコンの非晶質半導体）°；Ｖ
膜である。ｉ層の）模ｊ７は、１０００人〜１００００
人程度である。
膜である。ｉ層の）模ｊ７は、１０００人〜１００００
人程度である。
ｉ層の製造条件として、シラン化合物ガスの流１１〜１
００ ｓ ｃ ｃｍＳ１４仮温度２００〜４００°Ｃ１
圧力０． ＯＩＴｏ ｒ ｒ 〜１０Ｔｏ ｒ ｒ、
放電電力０ 、 ００１〜Ｉ Ｗ／ ｃ ｍ”である。
００ ｓ ｃ ｃｍＳ１４仮温度２００〜４００°Ｃ１
圧力０． ＯＩＴｏ ｒ ｒ 〜１０Ｔｏ ｒ ｒ、
放電電力０ 、 ００１〜Ｉ Ｗ／ ｃ ｍ”である。
なお、シラン化合物ガスの稀釈ガスとして、水素やヘリ
ウムを使用してもよい。
ウムを使用してもよい。
さらに、ｎ型半導体薄膜を形成するが、ｎ型半導体）°
１月模は、水素化されたシリコンの非晶質と結晶のｔＩ
２在した半導体’ｔ：’１１１Ａ （以下略してｎ層と
も呼ぶ）であり、シラン化合物ガス、ドーパントガス、
稀釈ガスの混合ガスのプラズマＣＶＤ法により製造する
。
１月模は、水素化されたシリコンの非晶質と結晶のｔＩ
２在した半導体’ｔ：’１１１Ａ （以下略してｎ層と
も呼ぶ）であり、シラン化合物ガス、ドーパントガス、
稀釈ガスの混合ガスのプラズマＣＶＤ法により製造する
。
ｎ層の）模１１７は、１００から１０００人である。
シラン化合物として、シラン、ジシランが用いられ、稀
釈ガスとして、水素が用いられる。
釈ガスとして、水素が用いられる。
ドーパントガスとして、ホスフィンを用いる。
かかるｎ層の製造条件は、シラン化合物ガスの流！ｆｏ
、 １〜１００ ｓ ｅ ｃｍ、 ドーパントガス
ノ流！１０．００１〜１０１０５ｅ、水素ｔｋ量１〜１
０１００５ｅ、 圧力０．０１〜１０Ｌｏｒｒ、放電
電力０．Ｏｌ〜１０Ｗ／ｃｍ” 、基板温度１００〜４
００°Ｃ程度である。
、 １〜１００ ｓ ｅ ｃｍ、 ドーパントガス
ノ流！１０．００１〜１０１０５ｅ、水素ｔｋ量１〜１
０１００５ｅ、 圧力０．０１〜１０Ｌｏｒｒ、放電
電力０．Ｏｌ〜１０Ｗ／ｃｍ” 、基板温度１００〜４
００°Ｃ程度である。
以下、実施例により、本発明の好ましい実施の態様を説
明する。
明する。
［実施例］
製造装置は、仕込室、取り出し室、ｐ型半導体薄膜形成
と第一の実質的に真性な半導体）゛１ｖ膜形成用の光Ｃ
ＶＤ室、第二の実質的に真性な半導体薄膜形成用の第一
のプラズマＣＶＤ室、ｎ型の半導体薄膜形成用の第二の
プラズマＣＶＤ室の合計５室よりなり、それぞれゲート
弁により、真空的に分離されている。プラズマＣＶＤで
は、平行平板容量結合型の方式のものを用いた。
と第一の実質的に真性な半導体）゛１ｖ膜形成用の光Ｃ
ＶＤ室、第二の実質的に真性な半導体薄膜形成用の第一
のプラズマＣＶＤ室、ｎ型の半導体薄膜形成用の第二の
プラズマＣＶＤ室の合計５室よりなり、それぞれゲート
弁により、真空的に分離されている。プラズマＣＶＤで
は、平行平板容量結合型の方式のものを用いた。
まずはじめに、２層を形成した。
２層とした、水素化された非晶質のシリコンカー・バイ
ト半導体ｆｉ１２膜を作成した。透光性の絶縁基板とし
て、ガラス板を用いた。透光性導電性）°１ｖ膜として
、酸化されたインジュウムと錫を含むｈす膜と、酸化さ
れた錫をふくむａＪ膜の二つ層からなるものをもちいた
。ｐＷＪＯ袈造方法は、直接分解光ＣＶＤ法を用いた。
ト半導体ｆｉ１２膜を作成した。透光性の絶縁基板とし
て、ガラス板を用いた。透光性導電性）°１ｖ膜として
、酸化されたインジュウムと錫を含むｈす膜と、酸化さ
れた錫をふくむａＪ膜の二つ層からなるものをもちいた
。ｐＷＪＯ袈造方法は、直接分解光ＣＶＤ法を用いた。
光ＣＶＤ室での到達真空度は、１０−’Ｔｏ ｒ ｒ以
下であった。
下であった。
２層の製造条件は、′）！Ｅ板温度２５０°Ｃ、ジシラ
ン、アセチレン、ジボラン、水素の各ガスの流量を、そ
れぞれ、５ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍ、０．３ＳＣＣｍ、１
０１０５ｃとし、反応室内の圧力を、Ｏ，１Ｔｏｒｒと
した。光ＣＶＤ法での紫外光として、低圧水銀ランプか
ら発生した１８５ｎｍと２４５ｎｍの光を用いた。
ン、アセチレン、ジボラン、水素の各ガスの流量を、そ
れぞれ、５ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍ、０．３ＳＣＣｍ、１
０１０５ｃとし、反応室内の圧力を、Ｏ，１Ｔｏｒｒと
した。光ＣＶＤ法での紫外光として、低圧水銀ランプか
ら発生した１８５ｎｍと２４５ｎｍの光を用いた。
ｐｌごの堆積方法として、上記紫外光を石英製の窓をと
うして光ＣＶＤ室に導入し、あらかじめ光ＣＶＤ室に導
入されているジシラン、アセチレン、ジボラン、水素の
混合ガスを分解することに行った。このとき、アセチレ
ン流量を、流星制御器で２つの値で交互に変えることに
より、ｐ層γ；月模含まれるカーボンとシリコンの比率
を交互変えて粘層状の半導体薄膜を形成した。２層の膜
厚は、１００から１５０人であった。
うして光ＣＶＤ室に導入し、あらかじめ光ＣＶＤ室に導
入されているジシラン、アセチレン、ジボラン、水素の
混合ガスを分解することに行った。このとき、アセチレ
ン流量を、流星制御器で２つの値で交互に変えることに
より、ｐ層γ；月模含まれるカーボンとシリコンの比率
を交互変えて粘層状の半導体薄膜を形成した。２層の膜
厚は、１００から１５０人であった。
つぎに、バッファ層を形成した。
バッファ層として、水素化されたノンドープのシリコン
カーバイドの非晶質半導体ｉ’！’Ｊ欣とした。とくに
、シリコンに対してカーボンが徐々に少なくなるように
形成した。
カーバイドの非晶質半導体ｉ’！’Ｊ欣とした。とくに
、シリコンに対してカーボンが徐々に少なくなるように
形成した。
その製造方法として、ジシラン、アセチレンを光ＣＶＤ
室に導入し、圧力を一定の値にしたあと、低圧水銀ラン
プから発生した紫外光を石英製の窓をとうして導入し、
非晶質の半導体薄膜を、ｐ型半導体薄膜上に堆積した。
室に導入し、圧力を一定の値にしたあと、低圧水銀ラン
プから発生した紫外光を石英製の窓をとうして導入し、
非晶質の半導体薄膜を、ｐ型半導体薄膜上に堆積した。
このとき、アセチレン流量を、ジシラン流量に対して徐
りに少なくなるべくして流■調節を行うように導入した
。
りに少なくなるべくして流■調節を行うように導入した
。
次に、本発明における特徴的な艮作たる水素放電処理を
行った。
行った。
水素放電処理の条件は、基板温度２５０°Ｃ１水素ガス
流ｌＩＱｓｃｃｍ、圧力０．２ｔｏｒｒ、放電電力０．
０３Ｗ／ｃｍ”である。
流ｌＩＱｓｃｃｍ、圧力０．２ｔｏｒｒ、放電電力０．
０３Ｗ／ｃｍ”である。
水素の放電処理時間は、５分であった。
次に、ｉ層を形成した。
ｉ層は、水素化シリコンの非晶質半導体薄膜である。
その製造方法として、モノシランを第一のプラズマＣＶ
Ｄ室導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平
板ＴＬ極の閏周波電力を印加し、放電を発生させること
により堆積した。１層の製造条件は、モノシラン１０１
０５ｃ、ｌ板温度２５０°Ｃ１圧力５０ｍＴｏｒｒであ
る。放電電力０゜Ｑ Ｉ Ｗ ／ Ｃｍ ”であった、
１ｌｌＪの膜〃は、６０００人であった。
Ｄ室導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平
板ＴＬ極の閏周波電力を印加し、放電を発生させること
により堆積した。１層の製造条件は、モノシラン１０１
０５ｃ、ｌ板温度２５０°Ｃ１圧力５０ｍＴｏｒｒであ
る。放電電力０゜Ｑ Ｉ Ｗ ／ Ｃｍ ”であった、
１ｌｌＪの膜〃は、６０００人であった。
次にｎ層を形成した。
その製造方法として、モノシランを第二プラズマＣＶＤ
室導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平板
電極の高周波電力を印加し、放電を発生させることによ
り堆積した。ｎ層の製造条件は、モノシラン流星１ ｓ
ｅ ｃｍ、ホスフィン流１迂０．２ｓｅｃｍ、水素Ｉ
ＩＩ Ｏｓ ｃ ｃｒｎ、基板温度２５０°Ｃ１圧力Ｑ
、Ｔｏｒｒ、放電電力０，２Ｗ／ｃｍ”である、ｎ層の
膜厚は、４００人であった。
室導入し、温度、圧力を一定の値にしたあと、平行平板
電極の高周波電力を印加し、放電を発生させることによ
り堆積した。ｎ層の製造条件は、モノシラン流星１ ｓ
ｅ ｃｍ、ホスフィン流１迂０．２ｓｅｃｍ、水素Ｉ
ＩＩ Ｏｓ ｃ ｃｒｎ、基板温度２５０°Ｃ１圧力Ｑ
、Ｔｏｒｒ、放電電力０，２Ｗ／ｃｍ”である、ｎ層の
膜厚は、４００人であった。
Ｑ後に、背面の金属電極を形成した。
背面電極の形成方法として、抵抗加熱方式の真空蒸着装
置にて、アルミニウム金属を蒸着した。
置にて、アルミニウム金属を蒸着した。
斯くして形成した、本発明の光起電力素子を、ソーラー
シュミレータ−（ΔＭＬ ｌｏｏｍＷ／ｃｍ”）から
の１疑似太陽光下で、電圧電流特性をＷｌ’ｌ定した０
表１に１ｌｌｌ＋定結果を示す。測定したサンプルｌ、
２は、水素放電処理を行わなかったもの、サンプル３．
４は、水素放電処理を行ったものである。水素放電処理
を行った方が、光起電力素子の性能が高かいこと、また
、素子の安定性、均一性も向上することが明らかである
。
シュミレータ−（ΔＭＬ ｌｏｏｍＷ／ｃｍ”）から
の１疑似太陽光下で、電圧電流特性をＷｌ’ｌ定した０
表１に１ｌｌｌ＋定結果を示す。測定したサンプルｌ、
２は、水素放電処理を行わなかったもの、サンプル３．
４は、水素放電処理を行ったものである。水素放電処理
を行った方が、光起電力素子の性能が高かいこと、また
、素子の安定性、均一性も向上することが明らかである
。
以上、示したように、本発明は、透光性且つ絶縁性の基
板上に、透光性′！ｙ電酸電動化物なる電極、ｐ型半導
体γ−Ｖ膜、第一の実質的に真性な半導体薄ｌ！、！、
第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ型半導体薄膜、背
面金属電極の順に形成せしめられた光起電力素子におい
て、上記ρ型半導体薄膜と第一の実質的に真性の半導体
７ＨＩＪ膜の順に形成後、該薄膜を水素の放電雰囲気に
曝すことを特徴とする光起電力素子の５！造方法であり
、かかる構成を取ることにより、光電変換効率が従来の
ものに比較して、大きく高められると云う作用効果が奏
されるのである。かかる点は、これまで全く知られおら
ず、また、従来技術から当業者が予４（すすることが出
来ない新規な方法である。
板上に、透光性′！ｙ電酸電動化物なる電極、ｐ型半導
体γ−Ｖ膜、第一の実質的に真性な半導体薄ｌ！、！、
第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ型半導体薄膜、背
面金属電極の順に形成せしめられた光起電力素子におい
て、上記ρ型半導体薄膜と第一の実質的に真性の半導体
７ＨＩＪ膜の順に形成後、該薄膜を水素の放電雰囲気に
曝すことを特徴とする光起電力素子の５！造方法であり
、かかる構成を取ることにより、光電変換効率が従来の
ものに比較して、大きく高められると云う作用効果が奏
されるのである。かかる点は、これまで全く知られおら
ず、また、従来技術から当業者が予４（すすることが出
来ない新規な方法である。
本発明は、太陽電池や光センサーなどの光起電力素子の
製造方法として工業的に有用である。
製造方法として工業的に有用である。
表１ 光起電力素子の光電変換効率の比較例１ ０．
８５ ＋５．３ ０．７Ｇ６ １０．０２
０．８Ｂ １５．４ ０．１Ｇ１ １０．
３３ ０．８５ １４．７ ０．７１９
Ｂ、９３４ ０．８５ １５．０ ０．７０１
８．９３特許出願人 三井東圧化学株式会社
８５ ＋５．３ ０．７Ｇ６ １０．０２
０．８Ｂ １５．４ ０．１Ｇ１ １０．
３３ ０．８５ １４．７ ０．７１９
Ｂ、９３４ ０．８５ １５．０ ０．７０１
８．９３特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- （１）透光性且つ絶縁性の基板上に、透光性導電酸化物
からなる電極、ｐ型半導体薄膜、第一の実質的に真性な
半導体薄膜、第二の実質的に真性な半導体薄膜、ｎ型半
導体薄膜、背面金属電極の順に形成せしめられた光起電
力素子において、上記ｐ型半導体薄膜と第一の実質的に
真性の半導体薄膜の順に形成後、該薄膜を水素の放電雰
囲気に曝すことを特徴とする光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107673A JPH01278782A (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107673A JPH01278782A (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278782A true JPH01278782A (ja) | 1989-11-09 |
Family
ID=14465094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63107673A Pending JPH01278782A (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01278782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419783A (en) * | 1992-03-26 | 1995-05-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and manufacturing method therefor |
| US5716480A (en) * | 1995-07-13 | 1998-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864070A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 |
-
1988
- 1988-05-02 JP JP63107673A patent/JPH01278782A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5864070A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419783A (en) * | 1992-03-26 | 1995-05-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and manufacturing method therefor |
| US5716480A (en) * | 1995-07-13 | 1998-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
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