JPH01280367A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH01280367A JPH01280367A JP63111221A JP11122188A JPH01280367A JP H01280367 A JPH01280367 A JP H01280367A JP 63111221 A JP63111221 A JP 63111221A JP 11122188 A JP11122188 A JP 11122188A JP H01280367 A JPH01280367 A JP H01280367A
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- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- gaas
- whose
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、変換効率を向上させた太陽電池に関するも
のである。
のである。
第２図は従来のＢ Ｓ Ｆ （Ｂａｃｋ ５ｕｒｆａｃ
ｅ Ｆｉｅｌｄ）型のＧａＡｓ太陽電池の一例の構造を
示す断面図である。
ｅ Ｆｉｅｌｄ）型のＧａＡｓ太陽電池の一例の構造を
示す断面図である。
この図において、１は第１導電型のＧａＡｓ基板、２ａ
は第１導電型の中間層としてのＡｆｌＸＧａｌ−ＸＡｓ
層、３は第１導電型の第１の半導体層としてのＧａＡｓ
層、４は第２導電型の第２の半導体層としてのＧａＡｓ
層、５はＡＪ！、Ｇａ、−。
は第１導電型の中間層としてのＡｆｌＸＧａｌ−ＸＡｓ
層、３は第１導電型の第１の半導体層としてのＧａＡｓ
層、４は第２導電型の第２の半導体層としてのＧａＡｓ
層、５はＡＪ！、Ｇａ、−。
Ａｓ窓層、６は反射防止膜、７は上部電極、８は下部電
極である。
極である。
この従来の太陽電池は、第１導電型のＧａＡｓ基板１の
上に、第１導電型のＡＡ、Ｇａ 、−ｘＡｓ層２ａが
設けられ、その上に第１導電型のＧａＡｓ層３．第２導
電型のＧａＡｓ層４が設けられてｐｎ接合が形成されて
いる。さらにその上には第２導電型のＡｎ、Ｇａ、−、
Ａｓ窓層５および反射防止膜６が設けられているが、そ
れらの一部はエツチング除去されてコンタクトホールが
形成されている。そして、このコンタクトホール内には
上部電極７が設けられ、ＧａＡｓ基板１の下部には下部
電極８が設けられている。
上に、第１導電型のＡＡ、Ｇａ 、−ｘＡｓ層２ａが
設けられ、その上に第１導電型のＧａＡｓ層３．第２導
電型のＧａＡｓ層４が設けられてｐｎ接合が形成されて
いる。さらにその上には第２導電型のＡｎ、Ｇａ、−、
Ａｓ窓層５および反射防止膜６が設けられているが、そ
れらの一部はエツチング除去されてコンタクトホールが
形成されている。そして、このコンタクトホール内には
上部電極７が設けられ、ＧａＡｓ基板１の下部には下部
電極８が設けられている。
この構造の太陽電池では、ＧａＡｓ基板１とＧａＡｓ層
３との間にＡｆｌ、Ｇａ、−ｘＡｓ層２ａが設けられて
いるため、ＢＳＦ効果によってｐｎ接合の逆方向飽和電
流（Ｉｏ）が実効的に減少して、太ＩＳＭ電池の開放端
電圧（Ｖ ＯＣ）が向上して光〔発明が解決しようとす
る降蕃轟〕 上記のようなりＳＦ型の太陽電池は、太陽電池の活性領
域であるＧａＡｓ層３，４を格子定数の異なるＡ、ｅｘ
Ｇａ＋−、ｃＡｓ層２ａの上に成長させなけらばならず
、その結晶性が悪くなり、また、ＧａＡｓ／Ａｎｙ Ｇ
ａ＋−ｘ Ａｓ界面の質も悪いため、キャリアの再結合
速度が大きいうえ、ＢＳＦ効果も十分得られず、光電変
換効率が低いという問題点があった。
３との間にＡｆｌ、Ｇａ、−ｘＡｓ層２ａが設けられて
いるため、ＢＳＦ効果によってｐｎ接合の逆方向飽和電
流（Ｉｏ）が実効的に減少して、太ＩＳＭ電池の開放端
電圧（Ｖ ＯＣ）が向上して光〔発明が解決しようとす
る降蕃轟〕 上記のようなりＳＦ型の太陽電池は、太陽電池の活性領
域であるＧａＡｓ層３，４を格子定数の異なるＡ、ｅｘ
Ｇａ＋−、ｃＡｓ層２ａの上に成長させなけらばならず
、その結晶性が悪くなり、また、ＧａＡｓ／Ａｎｙ Ｇ
ａ＋−ｘ Ａｓ界面の質も悪いため、キャリアの再結合
速度が大きいうえ、ＢＳＦ効果も十分得られず、光電変
換効率が低いという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、活性領域の結晶性がよく、かつＧａＡｓ／ＡＪ２
．Ｇａｐ−ｘＡｓ界面の質も良好で、界面におけるキャ
リアの再結合速度が小さいうえＢＳＦ効果が高く、光電
変換率の高い太陽電この発明に係る太陽電池は、ＢＳＦ
効果を生じさせる中間層を第１の半導体層と格子定数を
揃えた超格子層で構成したものである。
ので、活性領域の結晶性がよく、かつＧａＡｓ／ＡＪ２
．Ｇａｐ−ｘＡｓ界面の質も良好で、界面におけるキャ
リアの再結合速度が小さいうえＢＳＦ効果が高く、光電
変換率の高い太陽電この発明に係る太陽電池は、ＢＳＦ
効果を生じさせる中間層を第１の半導体層と格子定数を
揃えた超格子層で構成したものである。
（作用）
この発明においては、中間層上に成長する第１の半導体
層の結晶性が改善され、かつ良好な界面特性が得られる
。
層の結晶性が改善され、かつ良好な界面特性が得られる
。
第１図はこの発明の太陽電池の一実施例の構造を示す断
面図である。
面図である。
この図において、２は中間層としてのＡ℃８Ｇａｐ−Ｘ
Ａｓ／ＧａＡｓ超格子層である。
Ａｓ／ＧａＡｓ超格子層である。
この発明の太陽電池も、基本的な構成、動作は第２図に
示したものと同様であるが、中間層としてＡｕＸＧａ、
−ＸＡｓ／ＧａＡｓ超格子層２を用いる点が異なる。
示したものと同様であるが、中間層としてＡｕＸＧａ、
−ＸＡｓ／ＧａＡｓ超格子層２を用いる点が異なる。
すなわち、この発明では、活性領域であるＧａＡｓ層３
．４が、格子定数の揃ったＡＪ２．Ｇａ＋−ＸＡｓ／Ｇ
ａＡｓ超格子層２上に成長しているので、ＧａＡｓ層３
．４の結晶性が改善されるとともに、超格子層２の最上
層のＡｎｘＧａ、−。
．４が、格子定数の揃ったＡＪ２．Ｇａ＋−ＸＡｓ／Ｇ
ａＡｓ超格子層２上に成長しているので、ＧａＡｓ層３
．４の結晶性が改善されるとともに、超格子層２の最上
層のＡｎｘＧａ、−。
ＡｓとＧａＡｓ層３との間では極めて良好なＧａＡｓ基
板Ｊ：１ＸＧａ、−ＸＡｓ界面特性が得らえる。
板Ｊ：１ＸＧａ、−ＸＡｓ界面特性が得らえる。
したがって、再結合速度が大きくなるほか、ＡｎｘＧａ
、−、Ａｓ／ＧａＡｓ超格子層２によるＢＳＦ効果がＡ
ｆｌＸＧａｔ−ｘＡｓ／ＧａＡｓ単層によるＢＳＦ効果
よりも高くなって太陽電池の開放端電圧（ＶＣ）が向上
し、光電変換効率が向上する。
、−、Ａｓ／ＧａＡｓ超格子層２によるＢＳＦ効果がＡ
ｆｌＸＧａｔ−ｘＡｓ／ＧａＡｓ単層によるＢＳＦ効果
よりも高くなって太陽電池の開放端電圧（ＶＣ）が向上
し、光電変換効率が向上する。
（発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、ＢＳＦ効果を生じさせ
る中間層を第１の半導体層と格子定数を揃えた超格子層
で構成したので、結晶欠陥を減少するほか、ＢＳＦ効果
が高くなって開発端電圧が向上し、光電変換効率が向上
するという効果がある。
る中間層を第１の半導体層と格子定数を揃えた超格子層
で構成したので、結晶欠陥を減少するほか、ＢＳＦ効果
が高くなって開発端電圧が向上し、光電変換効率が向上
するという効果がある。
第１図はこの発明の太陽電池の一実施例の構造を示す構
造断面図、第２図は従来の太陽電池の一例の構造を示す
断面図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はＡＪＺＸＧ ａ
１−、Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ超格子層、３，４は
ＧａＡｓ層、５はＡｊ２．Ｇａ、−、Ａｓ窓層、６は反
射防止膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６３−１１１２２１号２、
発明の名称 太陽電池 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、７１ｎ正の対重 明、ｉｇ５の発明の詳細な説明の瀾および図面の簡単な
説明の欄 ６ 、 ？Ｉｎ正の内容 （１１明細書第５頁７行の「再結合Ｍｉ度が太きべなる
ほか、」を、「再結合速度が小さくなるほか、」と？Ｉ
！１正する。 （２）同じく第５頁１１行のｒ（Ｖｃ）Ｊを、ｒ（Ｖｏ
ｃ）Ｊと補正する。 （３） 同じく第６頁７行の「防止膜である。」を［
防止膜、７は上部電極、８は下部電極である。 と補正する。 以 上
造断面図、第２図は従来の太陽電池の一例の構造を示す
断面図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はＡＪＺＸＧ ａ
１−、Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ超格子層、３，４は
ＧａＡｓ層、５はＡｊ２．Ｇａ、−、Ａｓ窓層、６は反
射防止膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６３−１１１２２１号２、
発明の名称 太陽電池 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、７１ｎ正の対重 明、ｉｇ５の発明の詳細な説明の瀾および図面の簡単な
説明の欄 ６ 、 ？Ｉｎ正の内容 （１１明細書第５頁７行の「再結合Ｍｉ度が太きべなる
ほか、」を、「再結合速度が小さくなるほか、」と？Ｉ
！１正する。 （２）同じく第５頁１１行のｒ（Ｖｃ）Ｊを、ｒ（Ｖｏ
ｃ）Ｊと補正する。 （３） 同じく第６頁７行の「防止膜である。」を［
防止膜、７は上部電極、８は下部電極である。 と補正する。 以 上
Claims (1)
- （１）第１導電型の基板と、この基板上に設けられて第
２導電型の第２の半導体層とｐｎ接合を形成する第１導
電型の第１の半導体層との間にＢＳＦ効果を生じさせる
中間層を備えた太陽電池において、前記中間層を前記第
１の半導体層と格子定数を揃えた超格子層で構成したこ
とを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111221A JPH0756896B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111221A JPH0756896B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280367A true JPH01280367A (ja) | 1989-11-10 |
| JPH0756896B2 JPH0756896B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=14555601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111221A Expired - Lifetime JPH0756896B2 (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756896B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496415A (en) * | 1991-10-18 | 1996-03-05 | Imperial College Of Science, Technology And Medicine | Concentrator solar cell having a multi-quantum well system in the depletion region of the cell |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110534598B (zh) * | 2019-07-24 | 2021-10-01 | 上海空间电源研究所 | 一种含有超晶格结构背场的化合物太阳电池 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60218880A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＩｎＰ太陽電池 |
| JPS60218881A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＧａＡｓ太陽電池 |
| JPS6298614A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Sharp Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111221A patent/JPH0756896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60218880A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＩｎＰ太陽電池 |
| JPS60218881A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ＧａＡｓ太陽電池 |
| JPS6298614A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Sharp Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496415A (en) * | 1991-10-18 | 1996-03-05 | Imperial College Of Science, Technology And Medicine | Concentrator solar cell having a multi-quantum well system in the depletion region of the cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0756896B2 (ja) | 1995-06-14 |
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