JPS5932209A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
- Publication number
- JPS5932209A JPS5932209A JP14198482A JP14198482A JPS5932209A JP S5932209 A JPS5932209 A JP S5932209A JP 14198482 A JP14198482 A JP 14198482A JP 14198482 A JP14198482 A JP 14198482A JP S5932209 A JPS5932209 A JP S5932209A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- emitter
- peaking
- variable capacitance
- amplifier circuit
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明ｔよ、エミッタピーキング特性の調整を可能とし
た増幅回路に関するものである。
た増幅回路に関するものである。
従来技術と問題点
増幅回路の広帯域化を図るための有効な一手段としてエ
ミッタピーキングの手法が知られている。
ミッタピーキングの手法が知られている。
従来のエミッタピーキング増幅回路の構成の一例は第１
図示のように、高電位電源端子１及び低電位電源端子２
０間に、負荷抵抗ＲＬ及びエミッタ抵抗ＲＥを介して、
入力信号端子６及び出力信号端子４を備えたトランジス
タ５が接続されており、サラニエミッタ抵抗ＲＥと並列
にビーキンク・コンデンサｃｐが接続されている。また
従来の差動形エミッタピーキング増幅回路は、第２図示
のように、高電位電源端子１と低電位電源端子２の間に
、それぞれ負荷抵抗ＲＬ、エミッタ抵抗ＲＥ及び定電流
源６を介して、入力信号端子３−１．３−２及び出力信
号端子４−１．４−２を備えた第１のトランジスタ５−
１及び第２のトランジスタ５−２が接続され、さらにこ
れら第１．第２のトランジスタのエミッタ端子間にはピ
ーキング・コンデンサｃｐが接続されている。
図示のように、高電位電源端子１及び低電位電源端子２
０間に、負荷抵抗ＲＬ及びエミッタ抵抗ＲＥを介して、
入力信号端子６及び出力信号端子４を備えたトランジス
タ５が接続されており、サラニエミッタ抵抗ＲＥと並列
にビーキンク・コンデンサｃｐが接続されている。また
従来の差動形エミッタピーキング増幅回路は、第２図示
のように、高電位電源端子１と低電位電源端子２の間に
、それぞれ負荷抵抗ＲＬ、エミッタ抵抗ＲＥ及び定電流
源６を介して、入力信号端子３−１．３−２及び出力信
号端子４−１．４−２を備えた第１のトランジスタ５−
１及び第２のトランジスタ５−２が接続され、さらにこ
れら第１．第２のトランジスタのエミッタ端子間にはピ
ーキング・コンデンサｃｐが接続されている。
第１図１．第２図示の増幅回路の利得の周波数特性は、
容量値ＣＰのピーキング・コンデンサＣＰを接続しない
場合の５ｄＥ帯域周波数をωｂとしたとき、それぞれ次
式で近似される。
容量値ＣＰのピーキング・コンデンサＣＰを接続しない
場合の５ｄＥ帯域周波数をωｂとしたとき、それぞれ次
式で近似される。
但しＲＨ＋ＲＬは抵抗ＲＥ 、ＲＬの抵抗値である。
零点を生じ高周波領域では利得を増化させるように作用
する。よって該増幅回路ではＲ，とｃｐを適当に設定す
ることにより、広帯域化を図ることが可能でおる。
する。よって該増幅回路ではＲ，とｃｐを適当に設定す
ることにより、広帯域化を図ることが可能でおる。
以上の説明のとおυエミッタピーキング技術は増幅回路
の広帯域化を実現する上で有効な技術であるが、集積回
路等でこのピーキング技術を用いる場合、抵抗値、容量
値、さらにトランジスタ特性に製造上のバラツキがあり
設計通シのピーキング特性を歩留りよく得る事は困難で
ある。特に尚周波領域でのピーキングではＲＬとｃｐの
積を小さくする必要があり、精度よく適切な値に設定す
ることが難しく、場合によっては発振を起す等の不都合
が生じるという問題がある。
の広帯域化を実現する上で有効な技術であるが、集積回
路等でこのピーキング技術を用いる場合、抵抗値、容量
値、さらにトランジスタ特性に製造上のバラツキがあり
設計通シのピーキング特性を歩留りよく得る事は困難で
ある。特に尚周波領域でのピーキングではＲＬとｃｐの
積を小さくする必要があり、精度よく適切な値に設定す
ることが難しく、場合によっては発振を起す等の不都合
が生じるという問題がある。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり
、その目的は、モノリシック集積回路の製造上のはらつ
き等を克服しつつ最適のエミッタピーキング特性を安定
に実現できる増幅回路を提供することにある。
、その目的は、モノリシック集積回路の製造上のはらつ
き等を克服しつつ最適のエミッタピーキング特性を安定
に実現できる増幅回路を提供することにある。
発明の実施例
第６図は本紀１の発明の一実施例の構成図であり、本図
中第１図と同一の参照符号を付した構成要素は、第１図
に関し既に説明したものと同一の構成要素である。本実
施例ではピーキング・コンデンサとして可変容量ダイオ
ードＤがエミッタに接続され、このダイオードＤが逆バ
イアス状態になるような極性の電圧が端子７から供給さ
れる。
中第１図と同一の参照符号を付した構成要素は、第１図
に関し既に説明したものと同一の構成要素である。本実
施例ではピーキング・コンデンサとして可変容量ダイオ
ードＤがエミッタに接続され、このダイオードＤが逆バ
イアス状態になるような極性の電圧が端子７から供給さ
れる。
なお端子２と７は、交流的には同電位に保たれている。
ダイオードＤの接合容量は逆バイアス電圧の大きさに応
じて、例えば第４図示のような関係をもって変化する。
じて、例えば第４図示のような関係をもって変化する。
従って所望のエミッタピーキング特性を実現するように
端子７の電圧を調整することにより、製造上のほらつき
のみならず設計誤差をも容易に修正することができる。
端子７の電圧を調整することにより、製造上のほらつき
のみならず設計誤差をも容易に修正することができる。
第５図は本紀２の発明の一実施例の構成図であり、これ
は差動形のエミッタピーキング増幅回路に関するもので
ある。本図中、第２図と同一の参照符号を付した構成要
素は、第２図に関し既に説明したものと同一の構成要素
である。本実施例においては、ピーキング・コンデンサ
として対称に直列接続された第１．第２の可変容−）１
１−ダイオードＤ１．Ｄ２が用いられ、これら第１．第
２のダイオードＤ１．Ｄ２の接続点と第１．第２のトラ
ンジスタのエミッタ間に所定値の逆バイアス電圧が供給
される。このような構成であるから、所望のエミッタピ
ーキング特性を実現するように端子７の電圧を調整する
ことにより、製造上のバラツキ等を容易に修正すること
ができる。
は差動形のエミッタピーキング増幅回路に関するもので
ある。本図中、第２図と同一の参照符号を付した構成要
素は、第２図に関し既に説明したものと同一の構成要素
である。本実施例においては、ピーキング・コンデンサ
として対称に直列接続された第１．第２の可変容−）１
１−ダイオードＤ１．Ｄ２が用いられ、これら第１．第
２のダイオードＤ１．Ｄ２の接続点と第１．第２のトラ
ンジスタのエミッタ間に所定値の逆バイアス電圧が供給
される。このような構成であるから、所望のエミッタピ
ーキング特性を実現するように端子７の電圧を調整する
ことにより、製造上のバラツキ等を容易に修正すること
ができる。
上述した第６図及び第５図示の実施例においては、可変
客員ダイオードＤ、Ｄ１及びＤ２の逆バイアス電圧がそ
れぞれトランジスタ５．５−１及び５−２のエミッタ電
位と端子７の電位との差として与えられるだめ、対応の
トランジスタの直流バイアス条件の変更に伴なって各々
のエミッタ電位が変化するたびに、端子７に供給すべき
バイアス条件圧をエミッタピーキング特性上の最適値に
設定し直さなければならないという不便がある。またバ
イアス条件を変更しない場合であっても、大振幅の動作
領域では信号によるエミッタの電位変化が無視できなく
なり、増幅特性にひずみが生ずるという問題もある。
客員ダイオードＤ、Ｄ１及びＤ２の逆バイアス電圧がそ
れぞれトランジスタ５．５−１及び５−２のエミッタ電
位と端子７の電位との差として与えられるだめ、対応の
トランジスタの直流バイアス条件の変更に伴なって各々
のエミッタ電位が変化するたびに、端子７に供給すべき
バイアス条件圧をエミッタピーキング特性上の最適値に
設定し直さなければならないという不便がある。またバ
イアス条件を変更しない場合であっても、大振幅の動作
領域では信号によるエミッタの電位変化が無視できなく
なり、増幅特性にひずみが生ずるという問題もある。
このような問題点を解決するだめの他の実施例を以下に
示す。
示す。
第６図は、第６図示の実施例を改良した他の実施例の構
成図であり、本図中、第６図と同一の参照符号を付した
構成要素は第６図に関し既に説明したものと同一の構成
要素である。この実施例では、エミッタ抵抗ＲＥに並列
接続されるピーキング・コンデンサはエミッタに接続さ
れた固定容量値のコンデンサＣＯ及びこのコンデンサＣ
６に直列接続された可変容量ダイオードＤから構成され
ており、さらにこのコンデンサＣＣとダイオードＤの接
続点に抵抗ＲＥを介して端子Ｚ上の逆ノくイアスミ圧が
供給される構成となっている。コンテンサＣｅ、可変容
量ダイオードＤの接合容量をそれぞれｃＱ、ｃ）とすれ
ば、等測的なピーキング容Ｍ Ｃｐは、次式で与えられ
る。
成図であり、本図中、第６図と同一の参照符号を付した
構成要素は第６図に関し既に説明したものと同一の構成
要素である。この実施例では、エミッタ抵抗ＲＥに並列
接続されるピーキング・コンデンサはエミッタに接続さ
れた固定容量値のコンデンサＣＯ及びこのコンデンサＣ
６に直列接続された可変容量ダイオードＤから構成され
ており、さらにこのコンデンサＣＣとダイオードＤの接
続点に抵抗ＲＥを介して端子Ｚ上の逆ノくイアスミ圧が
供給される構成となっている。コンテンサＣｅ、可変容
量ダイオードＤの接合容量をそれぞれｃＱ、ｃ）とすれ
ば、等測的なピーキング容Ｍ Ｃｐは、次式で与えられ
る。
このような構成であるから、トランジスタ５のバイアス
条件の変更に伴なって端子７上の逆ノくイアスミ圧を変
更する煩雑さが解消され、また大振幅動作領域における
ひずみも発生しないという利点がある。
条件の変更に伴なって端子７上の逆ノくイアスミ圧を変
更する煩雑さが解消され、また大振幅動作領域における
ひずみも発生しないという利点がある。
第７図は、第５図示の実施例を改良した他の実施例の構
成図であり、本図中、第５図と第５図と同一の参照符号
を付した構成要素は第５図に関し既に説明したものと同
一の構成要素である。この実施例では、ピーキング・コ
ンデンサは第１．第２のトランジスタ５−１ 、５−２
の各エミッタに接続された固定容量値の第１．第２のコ
ンデンサＣｃ１゜Ｃａ２及びこれら第１．第２のコンデ
ンサｃＣ１，Ｃｃ２間に対称に直列接続された第１．第
２の可変容量ダイオードＤ１．Ｄ２から構成されており
、さらに第１のコンデンサＣｃ１及び第１の可変容量ダ
イオードＤ１の接続点並びに第２のコンデンサＣｃ２及
び第２の可変容儀ダイオードＤ２の接続点のそれぞれと
、第１．第２の可焚容量ダイオードｎ１．Ｄ２の接続点
との間に抵抗ＲＢ１．ＲＢ２を介して端子７上の所定値
の逆バイアス電圧が供給される構成となっている。この
ような構成であるから、第１．第２のトランジスタ５−
’ｌ 、 ５−２のバイアス条件の変更に伴なって端子
７上の逆バイアス霜、圧を変更する煩雑さが解消される
と共に、大振幅動作領域におけるひずみの発生も抑圧さ
れるという利点がある。
成図であり、本図中、第５図と第５図と同一の参照符号
を付した構成要素は第５図に関し既に説明したものと同
一の構成要素である。この実施例では、ピーキング・コ
ンデンサは第１．第２のトランジスタ５−１ 、５−２
の各エミッタに接続された固定容量値の第１．第２のコ
ンデンサＣｃ１゜Ｃａ２及びこれら第１．第２のコンデ
ンサｃＣ１，Ｃｃ２間に対称に直列接続された第１．第
２の可変容量ダイオードＤ１．Ｄ２から構成されており
、さらに第１のコンデンサＣｃ１及び第１の可変容量ダ
イオードＤ１の接続点並びに第２のコンデンサＣｃ２及
び第２の可変容儀ダイオードＤ２の接続点のそれぞれと
、第１．第２の可焚容量ダイオードｎ１．Ｄ２の接続点
との間に抵抗ＲＢ１．ＲＢ２を介して端子７上の所定値
の逆バイアス電圧が供給される構成となっている。この
ような構成であるから、第１．第２のトランジスタ５−
’ｌ 、 ５−２のバイアス条件の変更に伴なって端子
７上の逆バイアス霜、圧を変更する煩雑さが解消される
と共に、大振幅動作領域におけるひずみの発生も抑圧さ
れるという利点がある。
発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明の増幅回路は、ピー
キング・コンデンサは可変容量ダイオードを含んでおり
、この可変容量ダイオードに所定値の逆バイアス電圧が
供給される構成であるから、モノリシック集積回路の製
造上のばらつきや設計誤差を克服しつつ最適のエミツク
ビーギング特性を安定に実現できるという利点がある。
キング・コンデンサは可変容量ダイオードを含んでおり
、この可変容量ダイオードに所定値の逆バイアス電圧が
供給される構成であるから、モノリシック集積回路の製
造上のばらつきや設計誤差を克服しつつ最適のエミツク
ビーギング特性を安定に実現できるという利点がある。
第１図は従来のエミツクビーキング増幅回路の構成図、
第２図は従来の差動形エミツタビーギング増幅回路の構
成図、第６図は本第１の発明の一°実施例の構成図、第
４図はｒｉＪ変容量ダイオードの逆バイアス電圧と接合
容量の関係の一例を示す概念図、第５図は本第２の発明
の一実施例の構成図、第６図、第７図はそれぞれ本第１
．第２の発明の他の実施例の構成図である。 １・・・賜電位電源端子、２・・・低電位電源端子、３
・・・入力信号端子、４・・・出力信号端子、５・・・
トランジスタ、６・・・定電流源、ＲＬ・・・９荷抵抗
、ＲＥ・・・エミッタ直列抵抗、ＣＰ・・・ピーキング
・コンデンサ、Ｄ、Ｄｌ、Ｄ２・・・可変容量ダイオー
ド、ＲＢ、ＲＥｌ。 ＲＢ２・・・バイアス抵抗、Ｃｃ、 Ｃｅ１． Ｃｃ２
・・・固定容量値のコンデンサ。 特許出願人 日 本 １ｕ、伯 電 話 公 社代理人
弁理士 玉 蟲 久 五 部（外６名）第 １ 図 第 ２ 図 第３図 第５図 第６因 第 ７ 図 ５１−
第２図は従来の差動形エミツタビーギング増幅回路の構
成図、第６図は本第１の発明の一°実施例の構成図、第
４図はｒｉＪ変容量ダイオードの逆バイアス電圧と接合
容量の関係の一例を示す概念図、第５図は本第２の発明
の一実施例の構成図、第６図、第７図はそれぞれ本第１
．第２の発明の他の実施例の構成図である。 １・・・賜電位電源端子、２・・・低電位電源端子、３
・・・入力信号端子、４・・・出力信号端子、５・・・
トランジスタ、６・・・定電流源、ＲＬ・・・９荷抵抗
、ＲＥ・・・エミッタ直列抵抗、ＣＰ・・・ピーキング
・コンデンサ、Ｄ、Ｄｌ、Ｄ２・・・可変容量ダイオー
ド、ＲＢ、ＲＥｌ。 ＲＢ２・・・バイアス抵抗、Ｃｃ、 Ｃｅ１． Ｃｃ２
・・・固定容量値のコンデンサ。 特許出願人 日 本 １ｕ、伯 電 話 公 社代理人
弁理士 玉 蟲 久 五 部（外６名）第 １ 図 第 ２ 図 第３図 第５図 第６因 第 ７ 図 ５１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 エミッタに直列接続された抵抗及び該抵抗に並列
接続されたピーキング・コンデンサを備えたエミッタピ
ーキング増幅回路において、ピーキング・コンデンサは
可変容量ダイオードを含んでおり、該可変容量ダイオー
ドに所定値の逆バイアス電圧が供給されることを特徴と
する増幅回路。 ２、 前記ピーキング・コンデンサはエミッタに接続さ
れた固定容量値のコンデンサ及び該コンデンサに直列接
続された可変容量ダイオードから構成されており、該コ
ンデンサと町変容着ダイオードの接続点に抵抗を介して
所定値の逆バイアス軍。 圧が供給されることを特徴とする特ｎ請求の範囲第１項
記載の増幅回路。 ６、 第１．第２のトランジスタのエミッタのそれぞれ
に１ｍ列接続された抵抗及び第１．第２のエミッタ間に
接続されたピーキング・コンデンサを備えた差動形エミ
ッタピーキング増幅回路において、 ピーキング・コンデンサは対称に直列接続された第１．
第２の可変容量ダイオードを含んでおり、該第１．第２
の可変容量ダイオードに所定値の逆バイアス電圧が供給
されることを特徴とする増幅回路。 ４、前記ピーキング・コンデンサは第１．＠２のトラン
ジスタのエミッタのそれぞれに接続された固定容量値の
第１．第２のコンデン〜す゛及び該第１、第２のコンデ
ンサ間に対称に直列接続された第１．第２の可変容量ダ
イオードから構成されておシ、第１のコンデンサ及び第
１の１１変容欧ダイオードの接続点並びに第２のコンデ
ンサ及び第２の可変容量ダイオードの接続点のそれぞれ
と、第１、第２の可変容量ダイオードの接続点との間に
抵抗を介して所定値の逆バイアス電圧が供給されること
を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の増幅回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14198482A JPS5932209A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 増幅回路 |
| CA000432581A CA1201775A (en) | 1982-07-19 | 1983-07-18 | Monolithic integrated circuit device including ac negative feedback type high frequency amplifier circuit |
| EP83304191A EP0101201B1 (en) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | Monolithic integrated circuit device including ac negative feedback type high frequency amplifier circuit |
| DE8383304191T DE3381390D1 (de) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | Monolithische integrierte schaltungsanordnung mit hochfrequenter verstaerkerschaltung mit wechselstromgegenkopplung. |
| US06/515,280 US4542350A (en) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | Monolithic integrated circuit device including AC negative feedback type high frequency amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14198482A JPS5932209A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932209A true JPS5932209A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15304687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14198482A Pending JPS5932209A (ja) | 1982-07-19 | 1982-08-16 | 増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932209A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0998032A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Nec Corp | 光受信回路 |
| JP2017028043A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 住友電気工業株式会社 | レーザ駆動回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513412B2 (ja) * | 1974-06-20 | 1980-04-09 |
-
1982
- 1982-08-16 JP JP14198482A patent/JPS5932209A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513412B2 (ja) * | 1974-06-20 | 1980-04-09 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0998032A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Nec Corp | 光受信回路 |
| JP2017028043A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 住友電気工業株式会社 | レーザ駆動回路 |
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