JPH01283555A - パターン形成材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は半導体素子、光学素子等の製造に用いられる酸
素プラズマエツチング耐性に優れたパターン形成材料お
よびパターン形成方法に関する。

［従来技術とその課題］ ＬＳＩの製造に用いられているパターン形成材料は一般
に高分子マトリックス樹脂および紫外線あるいは高エネ
ルギー線に感応する添加剤を含んでいる。この添加剤は
放射線によって活性化された時にパターン形成材料の溶
解度を変えるものである。

そして添加剤にはパターン形成材料の溶解を促進するも
のと、溶解お抑制する２タイプかあり、添加剤のタイプ
によりポジ形とネガ形のパターン形成材料とに分類され
るが、ポジ形とネガ形のパターンを同一現像工程で同時
に形成できるパターン形成材料は現在までに発見されて
いない。

使用するプロセスに依存してボン形とネガ形のパターン
の両方を発生することができるパターン形成材料には、
既にいくつかの例かあり、例えばｔ−ＢＯＣ（米国特許
第４１０，１０７号）およびＭＩＰＲレジスト（米国特
許第４１０４０７０）がある。

しかしながら、このようなパターン形成材料はいずれも
２つの別個の現像工程を使用しないでは、ポジ形および
ネガ形のパターンを同時に形成することができなく、ポ
ジ形とネガ形のパターンを同時に形成するには、現像装
置が２台必要となり、設備投資のコストが高くなるとい
う不都合があった。

本発明は上記課題を解決するためになされたしので、紫
外線と高エネルギー線のハイブリッド露光において、紫
外線でポジ形パターンを、高エネルギー線でネガ形パタ
ーンを、同一現像工程でそれぞれ形成できるようなパタ
ーン形成材料とそれを用いたパターン形成法を提供する
ことを目的としている。

［課題を解決するための手段］ この発明の請求項第１項記載のパターン形成材料は下記
一般式［１］及び［ＩＩ］： ＣＩＥ ・・・〔■〕 〔式中Ｘは同−又は異なり、 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
ルボキシル基よりなる群から選択した１種の基、Ｒ”、
Ｒ”、Ｒｏ、Ｒｏ−及びＲｏ−は同−又は異なり、水酸
基、アルキル基及びフェニル基よりなる詳から選択した
１種の基、Ｙはアルキル基又はシロキシル基を示し、Ｑ
、　ｍ、　ｎ及びｑはＯ又は正の整数、ｐは正の整数を
示す〕で表されるアルカリ可溶性ポリマーの１種以上と
、下記一般式［■］：〔式中Ｚは下記式で表される基： 及び （Ｘ及びｙは任意の比率を示す）よりなる群から選択し
た１種の基を示す〕で表されるオルトナフトキノン系化
合物と、アジド化合物とを包含することを解決手段とし
、 請求項第２項記載のパターン形成材料は、該アンド化合
物に下記一般式［■］： Ｃ式中Ｒ，は、直接結合、または　−ＣＨ２＋。

−Ｏ−、−ＣＨ±ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−５−、・（Ｒ
３は炭化水素、置換炭化水素を示す。）で示される基で
あり、Ｒ３は水素原子またはハロゲン原子である。〕で
表わされるビスアジド化合物あるいは下記構造式で表わ
される芳香族アジド化合物よりなる群から選択した１種
以上のものからなることを解決手段とした。

さらに請求項第３項記載のパターン形成方法は、上記請
求項第１項および第２項記載のパターン形成材料を加工
基板」二又は有機ポリマー層上に塗布する工程、これに
高エネルギー線をパターン状に照射するあるいはマスク
を介して紫外線を露光する工程、アルカリ水溶液で現像
して、高エネルギー線照射部にネガ形パターンあるいは
紫外線露光部にポジ形パターンを形成させる工程の各工
程を包含することを解決手段とした。

［作用］ 本発明のパターン形成材料は一般式［＋］及び［口］で
表されるシロキサンポリマーと、一般式［■］で表され
るオルトナフトキノン系化合物と、アジド化合物とを包
含するものであるので、紫外線（ＵＶ）照射により照射
部分のオルトナフトキノン系化合物がインデンカルボン
酸となり、照射部はアルカリ現像で除去可能となるため
ポジ型レジスト特性を示す。

アジド化合物は光照射によりナイトレンラジカルを生成
するが、ポジ形のパターンを形成する空気中の紫外線照
射ではナイトレンラジカルの生成効率が低く、生成され
たナイトレンラジカルは空気中の酸素によって失活する
。これに対して高エネルギー線照射では、ナイトレンラ
ジカルが高効率で発生し、シロキサンポリマー中のシラ
ノールのＯＨ基と反応し、シロキサンポリマーのアルカ
リ溶解性を抑制するので、ネガ形レノスト特性を示す。

また本発明のパターン形成方法では、加工基板または有
機ポリマー上に塗布された上記パターン形成材料に高エ
ネルギー線をパターン状に照射するあるいはマスクを介
して紫外線を照射し、パターン形成材料のアルカリ溶解
性を変化させたのち、アルカリ水溶液で現像するので、
高エネルギー線照射゛部にネガ形パターンを、紫外線露
光部にポジ形パターンを形成することができる。

゛以下、本発明の詳細な説明する。

本発明のシロキサンポリマーは、ポリマーの主鎖がポリ
シロキサンの構造であることがらＯ，ＲＩＥ耐性が非常
に高く、微細で高アスペクト比のパターン形成に有利で
ある。またポリシロキサン構造であるにもかかわらずフ
ェニル基が側鎖に多く存在するため、Ｔｇが室温以上で
ありレジストとして使用できる。

さらにフェニル基に、 カルボキシル基等の親水基が導入されているためポリマ
ーはアルカリ水溶液に可溶である。

このため、前記シロキサンポリマーに上記オルトナフト
キノン系化合物を加えることによりポジ形のフォトレジ
スト組成物として利用できる。すなわち一般式［１］あ
るいは一般式［１］で表わされるＳｉ含有ポリマーに一
般式［Ｉ１１］で表わされるオルトナフトキノン系化合
物を添加したフォトレジスト組成物は紫外線（ＵＶ）照
射により照射部分のオルトナフトキノン系化合物が相応
するインデンカルボン酸となり照射部はアルカリ現像で
除去されるためポジ形レノスト特性を示す。

一方、もう一つの添加剤のアジド化合物は紫外線により
ナイトレンラジカルが生成し、これがシラノールのＯＨ
基と反応し、アルカリ溶解性を抑制する。しかしながら
、紫外線照射ではこの反応の効率が悪いこと、及び空気
中の酸素によりナイトレンラジカルか失活するため上記
ポジ形レジスト特性に悪影響を及ぼさない。しかしなが
ら、高エネルギー線（電子線、Ｘ線、遠紫外線）照射で
はナイトレンラジカルが効率良く生成すること、また特
に電子線のように真空中での照射ではナイトレンラジカ
ルが失活することがないため逆にネガ形レジスト特性を
示す。このとき、もう一つの添加剤オルトナフトキノン
系化合物は中間体のインデンが水と反応してインデンカ
ルボン酸となるより反応性のンラノールのＯＨ基との反
応が優先しエステルが生成する。このため、アルカリ溶
解性を促進するより、むしろアルカリ溶解性を抑制する
１、、め、上記ネガ形レジスト特性に悪影響を及ぼさな
い。

このパターン形成材料においてオルトナフトキノ／系化
合物はアルカリ液に対するレンストの溶解防止剤として
の役割を果す。オルトナフトキノン系化合物の添加量は
、通常５〜３０重爪％の範囲とされる。５重量％未満で
はポリマー化合物のアルカリ現像液に対する溶解を抑制
することができず、アルカリ現像ができなくなり、また
３０重量％を超えるとレジスト材料としての８１含有率
が低下し、酸素プラズマ耐性が減少して不都合を来す。

一般には２０重量％程度が好ましい添加量である。

アジド化合物はそれ自身は溶解防止剤としての役割を有
しないが、高エネルギー線照射により生成するナイトレ
ンラジカルがアルカリ溶解性シリコーンポリマーと反応
することによって溶解を抑制する。この添加量は１．５
〜２０重量％の範囲とされる。１．５重量％未満ではネ
ガ形レジスト特性を十分に発揮できない。また２０重１
％を超えると保存安定性が低下する不都合を来す。一般
には５重量％程度が好ましい添加量である。

本発明の一般式［１］で示されるシロキサンポリマーの
製造法としては、ヘキサフェニルノクロトリシロキサン
、オクタフェニルシクロテトラシロキサンなど環状フェ
ニルシロキサンを水酸化カリウムなどのアルカリ金属の
水酸化物やブチルリチウムなどのアルカリ金属のアルキ
ル化物で開環重合させ、得られたポリジフェニルンロキ
サンを変性する方法がある。

また、環状フェニルシロキサン単独ではなく、テトラメ
チルテトラフェニルンクロテトラソロキサ、／やオクタ
メチルンクロテトラシロキサンなどと共重合させてもよ
い。また、特に高解像度のパターンを形成したい場合に
は、分子量のそろった単分散ポリマーが好ましいが、シ
クロンロキサンは、ブチルリチウム等の触媒でアニオン
リビング重合をさせ、得られたポリマーを変性すること
により所望の単分散ポリマーを得ることができる。

本発明の一般式［１１］で示されるフェニルシルセスキ
オキサンポリマーの製造法としてはれるンラン化合物を
加水分解することにより容易に得られるフェニルシルセ
スキオキサンポリマーを変性する方法がある。

本発明で使用される打機溶剤としては、例えば、セルソ
ルブアセテート、ジエチレングリコールモノエーテル、
ジエチレングリコールジエーテル、メヂルブロビレング
リコール、メヂルプロピレングリコールアセテート、メ
チルイソブチルケトン、乳酸エチル酢酸ブチル、酢酸イ
ソアミル、炭酸プロピレン、γ−ブヂロラクトン、Ｎ−
メヂルピロリドン等を挙げることができ、単独でも２種
以上併用して使用することができる。

さらに、本発明のパターン形成材料には、必要に応じて
増感剤、保存安定剤、染料、界面活性剤等を添加するこ
とができる。

次に、本発明のパターン形成材料を用いて、パターンを
形成する方法の１例を説明する。

まず、シリコンなどの基板上に有機高分子材料の膜を形
成し、その上に本発明のパターン形成材料を塗布して二
層構造とする。ついで、熱処理した後、紫外線照射して
照射部分のみを現像溶媒に可溶の形とする、あるいは、
高エネルギー線照射して照射部分のみを現像溶媒に不溶
の形とし、次いで現像により、ポジ形パターンあるいは
ネガ形パターンを形成する。次いで、そのパターンをマ
スクとし、酸素ガスを用いるドライエツチングによって
下層の有機高分子材料をエノヂング除去することにより
パターンをＪ「ユ成する。上記有機高分子材料としては
、酸素プラズマによりエツチングされるものであれば何
れのらのでもよいが、パターン形成後、これをマスクと
してＪｌ！ｌ；仮をドライエツチングする際、耐性を高
めるため芳香族自在ポリマーが望ましい。

以下本発明のパターン形成材料のソロキサンポリマーの
製造例を示すが、本発明はこれに限定されることはない
。

（製造例１） かき混ぜ機、温度計、滴下漏戸をつけた３００巾ρのフ
ラスコに無水塩化アルミニウム１５ｇ、塩化アセデル５
０ｍσをとり攪拌する。つぎに分子エフ８００のポリフ
ェニルノルセスキオキザン５ｇを塩化アセデル５０ｍＱ
に溶かした溶液を徐々に滴下ずろ。温度を２５℃に保ち
反応を進めろ。反応の進行ととしに塩化水素が発生する
。３時間反応後冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注
ぐ。よくかき混ぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が
酸性であることを確かめてから沈殿し几ポリマーを１戸
別ずろ。希塩酸−水でよく洗い、最後に真空乾燥器で乾
燥する。得られたポリマーの分子量は７９００であった
。このポリマー１０ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
５０ｍ（！に溶解した液に、トリメチルシリルンラン（
ＴＭＳ）０．０２ｇをＴ　Ｉ−Ｉ　Ｐ２ｍ４に溶解した
液を滴下し、２５°Ｃで３時間反応させ、上記ポリマー
中の水酸基の１部をンリル化した。

（製造例２） かき混ぜ機、温度計、滴下漏戸をつけた３００ｍＱのフ
ラスコに塩化第二スズ２５ｍ４、無水酢酸５０’ｍＱを
とり攪拌する。つぎにジフェニルシラツノオール６ｇを
無水酢酸５０＋＋＋ρに溶かした溶液を徐々に滴下する
。以下製造例１と同様な方法でアセチル化ポリシロキサ
ンを得た。得られたポリマーの分子量はｌ５００であり
、製造例１と同様にしてンリル化を行った。

（製造例３） 製造例１で得たアセチル化ポリフェニルノルセスキオキ
サン６ｇを１０％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液１０
０ｍＣに加え、１２時間還流する。

得られた透明な液に塩酸を加えることにより酸性にする
と沈殿が生じる。炉別して黄白色固体を得た。赤外線吸
収スペクトルにおいてＩ　６７０ｃｍ−’のカルボニル
基の吸収が消滅しＩ　７００ｃｍ−’にカルボキシル基
の吸収がみられカルボキノル化されたことが認められた
。収率７０％。

（製造ρ１４） ゛製造例２で得られたアセデル化ポリジフェニルシロキ
サン６ｇを１０％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液１０
０ＩＩＩＱに加え、１２時間還流する。以下、製造例３
と同様にしてカルボキモル化を行）だ。収率６５％。

製造例３および製造例４で得られたカルボニル化物はア
ルカリ性水溶液、メタノール、エタノールに可溶、他の
有機溶媒に不溶であった。

（製造例５） 製造例１で得たアセチル化ポリフェニルシルセスキオキ
サン５ｇをテトラヒドロフラン］００ｍ１２に溶かし、
これに３８のＬｉＡＱＩ−１，を加え、３時間還流を行
。た。反応終了後５％の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ
、黄白色固体を得た。収率５５％。

（製造例６） 製造例２で得たアセデル化ポリジフェニルシロキサン５
ｇをテトラヒドロフラン！ＯＯｎ＋＋２に溶かし、これ
に３ｇのＬ　＋　Ａ　Ｑ　Ｈ４を加え還流を行った。

反応終了後５％の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白
色固体を得た。収率６６％。

製造例５および１！、！造例６で得られたポリマーはア
ルカリ性水溶液、メタノール等のアルコールに可溶であ
っｆこ。

（製造例７） 製造例１においてポリフェニルシルセスキオキサンの代
りに口状ノ〔ノギザンの開環重合で得られたポリノフェ
ニルンａキサン（分子１１万）を用いて、同し方法てア
セデル化ポリジフェニルシロキサンを得た。

（製造例８） 製造例１において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同し方法によりプロピオニル化ポリフェニ
ルノルセスキオキザンを得た。

（製造例９） 製造例７において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフェニ
ルンロキサンを得た。

［実施例］ （実施例１） 製造例１〜っで得られたシロキザンボリマーに、ノボラ
ック樹脂に１．２−ナフトキノンシアノド−５−スルフ
ォニルクロリドをエステル化率５０％で縮合したオルト
ナフトキノンノアンド化合物を２０重量％、アンドピレ
ンを５重量％添加したパターン形成材料を約０２μｍ厚
さでＳｉ基板に塗布し、８０°Ｃで２分間プリベークし
た。ブリヘーク後ギヤノン社製のマスクアライナ（Ｐ　
Ｌ　Ａ　−５０１Ｆ）を用いて紫外線露光した。露光後
、現像液（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド１２
重量％水溶液）で現像し、照射部の残膜が０となるとこ
ろの照射量を紫外線の感度とした。

プリヘーク後高エネルギー線源として、電子線、Ｘ線、
遠紫外線を用いて照射した。照射後、現像液（テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド２．３重量％水溶液）で
現像し、照射部の残膜が初期膜厚の５０％となるところ
の照射量を高エネルギー線の感度（Ｄｓｏ）とした。

感度と解像性を表１に示した。解像性はライン＆スペー
スパターンを形成して評価し、いずれの材料も０．５μ
ｍ以下のパターンが形成できた。

（実施例２） 製造例１で得られたポリマーにアジドビレ２５重量％、
下記オルトナフトキノンジアジド化合物を２０重重爪添
加したパターン形成材料を用いて実施例１と同様の方法
でレジスト特性を測定した。

この結果を表２に示した。

なお表２中のナフトキノン化合物は、３．４．５−トリ
ヒドロキノベンゾフェノンと１．２ジアゾナフトキノン
−５−スルフェニルクロリドとの縮合物であって、エス
テル化率６６％をナフトキノン化合物１１エステル化率
３３％をナフトキノン１ヒ合物２とした。

（実施例３） 製造例１のポリマーに実施例！で用いたノボラック樹脂
系オルトナフトキノンシアノド化合物を２０市凱％、下
記アジド化合物を５重量％添加したパターン形成材料を
用いて実施例１と同様にレジスト特性を測定した。この
結果を表３に示した。

なお表３中の各化合物はビスアジドベンザルメチルンク
ロヘキザノン（アジド化合物ｌ）、ビスアンドベンサル
−し−ブチルシクロヘキサノン（アジド化合物２）、ア
ットナフタレン（アジド化合物３）、アンドヒフェニル
（アジド化合物３）、アジドベンゼン（アジド化合物・
１）、バラニトロアジドベンゼン（アジド化合物５）、
パラアセチルアットベンゼン（アンド化合物６）、アン
ドアントラセン（アジド化合物７）、アジドキノリン（
アジド化合物８）をそれぞれ表す。

（比較例） ノボラック樹脂に実施例Ｉで用いたノボラック樹脂系オ
ルトナフトキノンシアノド化合物を２０重量％、アット
ピレンを５重量％添加したパターン形成材料を用いてレ
ノスト特性を測定した。その結果を表４に示した。

本発明のパターン形成材料と比較して、高エネルギー線
に対する感度が著しく低い。これはナイトレンラノカル
のノラノールとフェノールに対する反応性の違いである
。紫外線に対する感度は殆んど同じであった。

（実施例４） シリコンウェハにＨＰ　Ｒ−２０６レジスト（ハント社
製）を２μｍの厚さに塗布し、２００６Ｃで３０分間加
熱し不溶化させた。このＩ−［Ｐ　Ｒレジストの上に実
施例Ｉで用いたレジスト材料を実施例１と同様の操作で
約０２μｍの厚さに塗布し、８００Ｃで２０分間プリベ
ークした。ブリヘーク後、実施例１と同様の紫外線ある
いは高エネルギー線照射し、現像を行ったところ、パタ
ーンがＩ−１１）　Ｒレジスト上に転写された。その後
、平行平板型スパッタエツチング装置で酸素ガスをエヅ
チャントガスとしてレジストパターンをマスクとしてＨ
ＰＲしシストをエツチングした。

ＲＦパワー０．２Ｗ／ｃｍ’、Ｏ，ガス圧２０ミリトル
の条件で１５分間エツチングすることによりレノストパ
ターンに覆われていない部分のＨＰＲレジストは完全に
消失した。

実施例１で用いたいずれのレジスト材料でも０゜５μｍ
以下のライン及スペースのパターンが約２μｍの厚さで
形成できた。

（以下、余白） ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の請求項第１項および第２
項記載のパターン形成材料は、一般式［（］および［Ｉ
［］で表されるアルカリ可溶性ポリマーの１種以上と、
一般式［］１１］で表されるオルトナフトキノン系化合
物と、アジド化合物とを包含するものであり、紫外線照
射によりオルトナフトキノン系化合物かインデンカルボ
ン酸となり照射部はアルカリ現像で除去可能となるため
、紫外線に対し高感度のポジ型のパターン形成材料とな
る。

また高エネルギー線照射に対しては、アジド化合物が高
効率でナイトレンラジカルを生成し、アルカリ可溶性ボ
リマート七反応し、アルカリ溶、解性を抑制するので、
高感度のネガ形のパターン形成材料となる。

さらに本発明のパターン形成材料を構成する可溶性ポリ
マーはノリコンを含有するため酸素プラズマ耐性が高く
、２層レノストの上層レジストとして使用することがで
きる。

本発明の請求項第３項記載のパターン形成方法は、請求
項第１項または第２項記載のパターン形成材料を加工基
板上又は有機ポリマー層上に塗布する工程、これに高エ
ネルギー線をパターン状に照射するあるいはマスクを介
して紫外線を露光する工程、アルカリ水溶液で現像して
、高エネルギー線照射部にネガ形パターンあるいは紫外
線露光部にポジ形パターンを形成させる工程の各工程を
包含するものであるので、パターン形成材料に照射する
光の種類を変化させることによりポジ形とネガ形のパタ
ーンを同一現像工程で同時に形成することができる。

さらにこの方法を用いると、ネガ形、ポジ形のパターン
形成共に現像溶媒がアルカリ水溶液であるため塗布装置
および現像装置が共用でき、設備投資において省力化で
きる利点がある。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式［ I ］及び［II］： ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔II〕 〔式中Ｘは同一又は異なり、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
   ルボキシル基よりなる群から選択した１種の基、Ｒ′、
   Ｒ″、Ｒ″′、Ｒ″″及びＲ″″′は同一又は異なり、
   水酸基、アルキル基及びフェニル基よりなる群から選択
   した１種の基、Ｙはアルキル基又はシロキシル基を示し
   、ｌ、ｍ、ｎ及びｑは０又は正の整数、ｐは正の整数を
   示す〕で表されるアルカリ可溶性ポリマーの１種以上と
   、下記一般式［III］：▲数式、化学式、表等がありま
   す▼…〔III〕 〔式中Ｚは下記式で表される基： ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ 及び ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｘ及びｙは任意の比率を示す）よりなる群から選択し
   た１種の基を示す〕で表されるオルトナフトキノン系化
   合物と、アジド化合物とを包含することを特徴とするパ
   ターン形成材料。
2. （２）請求項１記載のアジド化合物が下記一般式［IV］
   ： ▲数式、化学式、表等があります▼…〔IV〕 〔式中Ｒ＿１は、直接結合、または−ＣＨ＿２−、−Ｏ
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｓ−、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼ （Ｒ＿３は炭化水素、置換炭化水素を示す。）で示され
   る基であり、Ｒ＿２は水素原子またはハロゲン原子であ
   る。〕で表わされるビスアジド化合物、あるいは下記構
   造式で表わされる芳香族アジド化合物： ［１］▲数式、化学式、表等があります▼［６］▲数式
   、化学式、表等があります▼ ［２］▲数式、化学式、表等があります▼［７］▲数式
   、化学式、表等があります▼ ［３］▲数式、化学式、表等があります▼［８］▲数式
   、化学式、表等があります▼ ［４］▲数式、化学式、表等があります▼［９］▲数式
   、化学式、表等があります▼ ［５］▲数式、化学式、表等があります▼［１０］▲数
   式、化学式、表等があります▼ よりなる群から選択した１種以上のものである請求項１
   記載のパターン形成材料。
3. （３）請求項１および請求項２項記載のパターン形成材
   料を加工基板上又は有機ポリマー層上に塗布する工程、 これに高エネルギー線をパターン状に照射するあるいは
   マスクを介して紫外線を露光する工程、アルカリ水溶液
   で現像して、高エネルギー線照射部にネガ形パターンあ
   るいは紫外線露光部にポジ形パターンを形成させる工程 の各工程を包含することを特徴とするパターン形成方法
   。