JPH0769609B2 - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH0769609B2 JPH0769609B2 JP62027832A JP2783287A JPH0769609B2 JP H0769609 B2 JPH0769609 B2 JP H0769609B2 JP 62027832 A JP62027832 A JP 62027832A JP 2783287 A JP2783287 A JP 2783287A JP H0769609 B2 JPH0769609 B2 JP H0769609B2
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- general formula
- following general
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- photosensitive resin
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、酸素プラズマ耐性が高く、紫外線に対してポ
ジパターンを高精度に再現しうる感光性樹脂組成物に関
する。
ジパターンを高精度に再現しうる感光性樹脂組成物に関
する。
従来、LSIの加工プロセスにおけるパターン形成には高
エネルギー線用のレジスト材料が用いられている。この
中でポジ形レジストとしてフッ素含有メタクリレート系
ポリマーが高感度（１×10-6C/cm2）であることが知ら
れている（特許第1034536号）。しかしながら、この高
感度なポジ形レジストにはLSI加工におけるプラズマ加
工耐性が低いという欠点がある。これに対し、高感度で
プラズマ加工耐性が高いレジストとして、ネガ形レジス
トであるクロロメチル化ポリスチレン（CMS）が知られ
ている（特許第1107695号）。しかし、このネガ形レジ
ストでは、膜厚が厚くなるに従い解像性が低下し、微細
なパターンを形成することができない。そこで、この欠
点を解決するために、レジストを１層ではなく多層化す
ることにより、膜厚が厚く、しかも微細な高形状比パタ
ーンを形成する方法が提案されている。すなわち、第１
層目に薄膜のレジスト材料を形成したのち、この第２層
のレジスト材料に高エネルギーを照射し、現像後に得ら
れるパターンをマスクとして第１層の有機ポリマーを酸
素プラズマエッチング（O2RIE）で異方性エッチングす
ることにより、高形状比のパターンを得ようとするもの
である〔B.J.Lin Solid State Technol.24,73（198
1）〕。この方法においてはO2RIE耐性が高くなければな
らないので、このレジスト材料としてSiポリマーを用い
ることが提案されている。例えば、Hatzakisらはポリビ
ニルメチルシロキサンポリマーをネガ形レジストとして
用いてパターン形成を行なった〔M.Hatzakis et al Pro
c.Int'1.Conf.Microlithography（1981）〕。
エネルギー線用のレジスト材料が用いられている。この
中でポジ形レジストとしてフッ素含有メタクリレート系
ポリマーが高感度（１×10-6C/cm2）であることが知ら
れている（特許第1034536号）。しかしながら、この高
感度なポジ形レジストにはLSI加工におけるプラズマ加
工耐性が低いという欠点がある。これに対し、高感度で
プラズマ加工耐性が高いレジストとして、ネガ形レジス
トであるクロロメチル化ポリスチレン（CMS）が知られ
ている（特許第1107695号）。しかし、このネガ形レジ
ストでは、膜厚が厚くなるに従い解像性が低下し、微細
なパターンを形成することができない。そこで、この欠
点を解決するために、レジストを１層ではなく多層化す
ることにより、膜厚が厚く、しかも微細な高形状比パタ
ーンを形成する方法が提案されている。すなわち、第１
層目に薄膜のレジスト材料を形成したのち、この第２層
のレジスト材料に高エネルギーを照射し、現像後に得ら
れるパターンをマスクとして第１層の有機ポリマーを酸
素プラズマエッチング（O2RIE）で異方性エッチングす
ることにより、高形状比のパターンを得ようとするもの
である〔B.J.Lin Solid State Technol.24,73（198
1）〕。この方法においてはO2RIE耐性が高くなければな
らないので、このレジスト材料としてSiポリマーを用い
ることが提案されている。例えば、Hatzakisらはポリビ
ニルメチルシロキサンポリマーをネガ形レジストとして
用いてパターン形成を行なった〔M.Hatzakis et al Pro
c.Int'1.Conf.Microlithography（1981）〕。
しかし、このネガ形レジスト材料にはガラス転移温度
（Tg）が低いという問題がある。Tgが低い場合、そのレ
ジストには埃が付着しやすい、膜厚制御が困難、現像時
のパターン変形による現像性低下という問題が発生する
からである。
（Tg）が低いという問題がある。Tgが低い場合、そのレ
ジストには埃が付着しやすい、膜厚制御が困難、現像時
のパターン変形による現像性低下という問題が発生する
からである。
このように、レジスト材料としては、Tgが高く、しかも
O2RIE耐性の高いものが必要である。
O2RIE耐性の高いものが必要である。
また高解像性パターン形成のためにアルカリ現像タイプ
の非膨潤レジストが必要である。
の非膨潤レジストが必要である。
そこで、この発明にあってはポリシロキサン構造を採用
してO2RIE耐性を高め、さらに側鎖にフエニル基を多数
導入してTgを高めたシリコーンポリマーを用いることに
より、上記問題点を解決するようにした。
してO2RIE耐性を高め、さらに側鎖にフエニル基を多数
導入してTgを高めたシリコーンポリマーを用いることに
より、上記問題点を解決するようにした。
本発明を概説すれば、感光性樹脂組成物に関するもので
あり、下記一般式（Ｉ） 〔但し、一般式ＩおよびII中、Ｘは （Ｒは炭化水素あるいは置換炭化水素を示す。）、カル
ボキシル基の群から選ばれた一種であり、同じでも異な
ってもよい。
あり、下記一般式（Ｉ） 〔但し、一般式ＩおよびII中、Ｘは （Ｒは炭化水素あるいは置換炭化水素を示す。）、カル
ボキシル基の群から選ばれた一種であり、同じでも異な
ってもよい。
Ｒ′,R″およびＲは、フェニル基よりなる。
l,mおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同時
に０になることはない。〕 で表わされるレジスト材と、 下記一般式（III） （式中Ｚは よりなる群より選ばれる一種の基を示す。）で示される
オルトナフトキノン系化合物、 下記一般式（IV） で表されるジアゾメルドラム酸あるいは 下記一般式（Ｖ） で表わされるＯ−ニトロベンジルエステル化合物、 下記一般式（VI） （式中Ｒはアルキル基を示す。）で表わされるニトロフ
ェニルジヒドロピリジン化合物の中から選択された１種
以上のポジ形感光剤とを含むことを特徴とするものであ
る。
に０になることはない。〕 で表わされるレジスト材と、 下記一般式（III） （式中Ｚは よりなる群より選ばれる一種の基を示す。）で示される
オルトナフトキノン系化合物、 下記一般式（IV） で表されるジアゾメルドラム酸あるいは 下記一般式（Ｖ） で表わされるＯ−ニトロベンジルエステル化合物、 下記一般式（VI） （式中Ｒはアルキル基を示す。）で表わされるニトロフ
ェニルジヒドロピリジン化合物の中から選択された１種
以上のポジ形感光剤とを含むことを特徴とするものであ
る。
前記一般式（Ｉ）（II）で示されるレジスト材料は、ポ
リマーの主鎖がポリシロキサン構造であることからO2RI
E耐性が非常に高く微細で高アスペクト比のパターン形
成に有利である。またポリシロキサン構造であるにもか
かわらずフエニル基が側鎖に多く存在するため、Tgが室
温以上でありレジストとして使用できる。さらにフエニ
ル基に カルボキシル基等の親水基が導入されているためポリマ
ーはアルカリ水溶液に可溶である。このため、アルカリ
現像が可能な非膨潤形レジストとして使用できる特徴が
ある。
リマーの主鎖がポリシロキサン構造であることからO2RI
E耐性が非常に高く微細で高アスペクト比のパターン形
成に有利である。またポリシロキサン構造であるにもか
かわらずフエニル基が側鎖に多く存在するため、Tgが室
温以上でありレジストとして使用できる。さらにフエニ
ル基に カルボキシル基等の親水基が導入されているためポリマ
ーはアルカリ水溶液に可溶である。このため、アルカリ
現像が可能な非膨潤形レジストとして使用できる特徴が
ある。
このレジストにオルトナフトキノン系化合物を加えるこ
とによりポジ形の感光性樹脂組成物として利用できる。
すなわち一般式（Ｉ）あるいは一般式（II）で表わされ
るSi含有ポリマーに前記一般式（III），（IV），
（Ｖ），（VI）で表わされるポジ形感光剤を添加した感
光性樹脂組成物は紫外線（UV）照射により照射部分のポ
ジ形感光剤が相応するカルボン酸あるいはアルカリ可溶
性化合物となり、照射部はアルカリ現像で除去されるた
めポジ形レジスト特性を示す。
とによりポジ形の感光性樹脂組成物として利用できる。
すなわち一般式（Ｉ）あるいは一般式（II）で表わされ
るSi含有ポリマーに前記一般式（III），（IV），
（Ｖ），（VI）で表わされるポジ形感光剤を添加した感
光性樹脂組成物は紫外線（UV）照射により照射部分のポ
ジ形感光剤が相応するカルボン酸あるいはアルカリ可溶
性化合物となり、照射部はアルカリ現像で除去されるた
めポジ形レジスト特性を示す。
この感光性樹脂組成物において、ポジ形感光剤はアルカ
リ液に対するレジストの溶解防止剤としての役割を果
す。ポジ形感光剤の添加量は、通常５〜30重量％の範囲
とされる。５重量％未満ではポリマー化合物のアルカリ
現像液に対する溶解を抑制することができず、アルカリ
現像ができなくなり、また30重量％を超えるとレジスト
材料としてのSi含有率が低下し、酸素プラズマ耐性が減
少して不都合を来す。一般には10重量％程度が好ましい
添加量である。
リ液に対するレジストの溶解防止剤としての役割を果
す。ポジ形感光剤の添加量は、通常５〜30重量％の範囲
とされる。５重量％未満ではポリマー化合物のアルカリ
現像液に対する溶解を抑制することができず、アルカリ
現像ができなくなり、また30重量％を超えるとレジスト
材料としてのSi含有率が低下し、酸素プラズマ耐性が減
少して不都合を来す。一般には10重量％程度が好ましい
添加量である。
本発明の一般式Ｉで示されるシロキサンポリマーの製造
法としては、ヘキサフエニルシクロトリシロキサン、オ
クタフエニルシクロテトラシロキサンなど環状フエニル
シロキサンを水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸
化物やブチルリチウムなどのアルカリ金属のアルキル化
物で開環重合させ、得られたポリジフエニルシロキサン
を変性する方法がある。
法としては、ヘキサフエニルシクロトリシロキサン、オ
クタフエニルシクロテトラシロキサンなど環状フエニル
シロキサンを水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸
化物やブチルリチウムなどのアルカリ金属のアルキル化
物で開環重合させ、得られたポリジフエニルシロキサン
を変性する方法がある。
また、環状フエニルシロキサン単独ではなく、テトラメ
チルテトラフエニルシクロテトラシロキサンやオクタメ
チルシクロテトラシロキサンなどと共重合させてもよ
い。また、特に高解像度のパターンを形成したい場合に
は、分子量のそろった単分散ポリマーが好ましいが、シ
クロシロキサンは、ブチルリチウム等の触媒でアニオン
リビング重合をさせ、得られたポリマーを変性すること
により所望の単分散ポリマーを得ることができる。
チルテトラフエニルシクロテトラシロキサンやオクタメ
チルシクロテトラシロキサンなどと共重合させてもよ
い。また、特に高解像度のパターンを形成したい場合に
は、分子量のそろった単分散ポリマーが好ましいが、シ
クロシロキサンは、ブチルリチウム等の触媒でアニオン
リビング重合をさせ、得られたポリマーを変性すること
により所望の単分散ポリマーを得ることができる。
本発明の一般式IIで示されるフエニルシルセスキオキサ
ンポリマーの製造法としては （ＺはClまたはOCH3）で表わされるシラン化物を加水分
解することにより容易に得られるフエニルシルセスキオ
キサンポリマーを変性する方法がある。
ンポリマーの製造法としては （ＺはClまたはOCH3）で表わされるシラン化物を加水分
解することにより容易に得られるフエニルシルセスキオ
キサンポリマーを変性する方法がある。
次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いて、パターンを
形成する方法を説明する。
形成する方法を説明する。
まず、シリコンなどの基板上に有機高分子材料の膜を形
成し、その上に本発明の感光性樹脂組成物を塗布して二
層構造とする。ついで、熱処理した後、光照射して照射
部分のみを現像溶媒に可溶の形とし、次いで現像により
照射部の感光性樹脂組成物を除去する。つづいて、非照
射部分の感光性樹脂組成物をマスクとし、酸素ガスを用
いるドライエッチングによって下層の有機高分子材料を
エッチング除去することによりパターンを形成する。上
記有機高分子材料としては、酸素プラズマによりエッチ
ングされるものであれば何れのものでもよいが、パター
ン形成後、これをマスクとして基板をドライエッチング
する際、耐性を高めるため芳香族含有ポリマーが望まし
い。
成し、その上に本発明の感光性樹脂組成物を塗布して二
層構造とする。ついで、熱処理した後、光照射して照射
部分のみを現像溶媒に可溶の形とし、次いで現像により
照射部の感光性樹脂組成物を除去する。つづいて、非照
射部分の感光性樹脂組成物をマスクとし、酸素ガスを用
いるドライエッチングによって下層の有機高分子材料を
エッチング除去することによりパターンを形成する。上
記有機高分子材料としては、酸素プラズマによりエッチ
ングされるものであれば何れのものでもよいが、パター
ン形成後、これをマスクとして基板をドライエッチング
する際、耐性を高めるため芳香族含有ポリマーが望まし
い。
以下製造例を示すが、本発明はこれに限定されることは
ない。
ない。
（製造例１） かき混ぜ機，温度計，滴下漏戸をつけた300mlのフラス
コに無水塩化アルミニウム15g,塩化アセチル50mlをとり
撹拌する。つぎに分子量7800のポリフエニルシルセスキ
オキサン5gを塩化アセチル50mlに溶かした溶液を徐々に
滴下する。温度を25℃に保ち反応を進める。反応の進行
とともに塩化水素が発生する。３時間反応後冷却して内
容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくかき混ぜて塩化ア
ルミニウムを分解し、氷水が酸性であることを確かめて
から沈澱したポリマを別する。希塩酸−水でよく洗
い。最後に真空乾燥器で乾燥する。得られたポリマの分
子量は7900であった。赤外線吸収スペクトルでは1670cm
-1にカルボニル基の吸収が、NMRでδ＝2.4にメチル基の
吸収がみられ、アセチル化されたことが確認できた。こ
の時のアセチル化率はNMRから60％であった。
コに無水塩化アルミニウム15g,塩化アセチル50mlをとり
撹拌する。つぎに分子量7800のポリフエニルシルセスキ
オキサン5gを塩化アセチル50mlに溶かした溶液を徐々に
滴下する。温度を25℃に保ち反応を進める。反応の進行
とともに塩化水素が発生する。３時間反応後冷却して内
容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくかき混ぜて塩化ア
ルミニウムを分解し、氷水が酸性であることを確かめて
から沈澱したポリマを別する。希塩酸−水でよく洗
い。最後に真空乾燥器で乾燥する。得られたポリマの分
子量は7900であった。赤外線吸収スペクトルでは1670cm
-1にカルボニル基の吸収が、NMRでδ＝2.4にメチル基の
吸収がみられ、アセチル化されたことが確認できた。こ
の時のアセチル化率はNMRから60％であった。
（製造例２） かき混ぜ機，温度計，滴下漏戸をつけた300mlのフラス
コに塩化第二スズ25ml,無水酢酸50mlをとり撹拌する。
つぎにジフエニルシランジオール6gを無水酢酸50mlに溶
かした溶液を徐々に滴下する。以下製造例１と同様な方
法でアセチル化ポリシロキサンを得た。得られたポリマ
の分子量は1500であり、アセチル化率は42％であった。
コに塩化第二スズ25ml,無水酢酸50mlをとり撹拌する。
つぎにジフエニルシランジオール6gを無水酢酸50mlに溶
かした溶液を徐々に滴下する。以下製造例１と同様な方
法でアセチル化ポリシロキサンを得た。得られたポリマ
の分子量は1500であり、アセチル化率は42％であった。
（製造例３） 製造例１で得たアセチル化ポリフエニルシルセスキオキ
サン6gを10％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液100mlに
加え、12時間還流する。得られた透明な液に塩酸を加え
ることにより酸性にすると沈澱が生じる。別して黄白
色固体を得た。赤外線吸収スペクトルにおいて1670cm-1
のカルボニル基の吸収が消滅し1700cm-1にカルボキシル
基の吸収がみられカルボキシル化されたことが認められ
た。収率70％ （製造例４） 製造例２で得られたアセチル化ポリジフエニルシロキサ
ン6gを10％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液100mlに加
え、12時間還流する。以下、製造例３と同様にしてカル
ボキシル化を行った。収率65％ 製造例３および製造例４で得られたカルボキシル化物は
アルカリ性水溶液，メタノール，エタノールに可溶、他
の有機溶媒に不溶であった。
サン6gを10％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液100mlに
加え、12時間還流する。得られた透明な液に塩酸を加え
ることにより酸性にすると沈澱が生じる。別して黄白
色固体を得た。赤外線吸収スペクトルにおいて1670cm-1
のカルボニル基の吸収が消滅し1700cm-1にカルボキシル
基の吸収がみられカルボキシル化されたことが認められ
た。収率70％ （製造例４） 製造例２で得られたアセチル化ポリジフエニルシロキサ
ン6gを10％の次亜塩素酸ナトリウムの水溶液100mlに加
え、12時間還流する。以下、製造例３と同様にしてカル
ボキシル化を行った。収率65％ 製造例３および製造例４で得られたカルボキシル化物は
アルカリ性水溶液，メタノール，エタノールに可溶、他
の有機溶媒に不溶であった。
（製造例５） 製造例１で得たアセチル化ポリフエニルシルセスキオキ
サン5gをテトラヒドロフラン100mlに溶かし、これに3g
のLiAlH4を加え、３時間還流を行った。反応終了後５％
の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白色固体を得た。
収率55％ 生成物の赤外線吸収スペクトルでは原料でみられた1670
cm-1のカルボニル基の吸収が消え、3100〜3400cm-1付近
にOH基に起因する吸収が見られ、還元されたことが確認
できた。
サン5gをテトラヒドロフラン100mlに溶かし、これに3g
のLiAlH4を加え、３時間還流を行った。反応終了後５％
の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白色固体を得た。
収率55％ 生成物の赤外線吸収スペクトルでは原料でみられた1670
cm-1のカルボニル基の吸収が消え、3100〜3400cm-1付近
にOH基に起因する吸収が見られ、還元されたことが確認
できた。
（製造例６） 製造例２で得たアセチル化ポリジフエニルシロキサン5g
をテトラヒドロフラン100mlに溶かし、これに3gのLiAlH
4を加え還流を行った。
をテトラヒドロフラン100mlに溶かし、これに3gのLiAlH
4を加え還流を行った。
反応終了後５％の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白
色固体を得た。収率66％ 製造例５および製造例６で得られたポリマはアルカリ性
水溶液，メタノール等のアルコールに可溶であった。
色固体を得た。収率66％ 製造例５および製造例６で得られたポリマはアルカリ性
水溶液，メタノール等のアルコールに可溶であった。
（製造例７） 製造例１においてポリフエニルシルセスキオキサンの代
りに環状シロキサンの開環重合で得られたポリジフエニ
ルシロキサン（分子量１万）を用いて、同じ方法でアセ
チル化ポリジフエニルシロキサンを得た。
りに環状シロキサンの開環重合で得られたポリジフエニ
ルシロキサン（分子量１万）を用いて、同じ方法でアセ
チル化ポリジフエニルシロキサンを得た。
（製造例８） 製造例１において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフエニ
ルシルセスキオキサンを得た。
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフエニ
ルシルセスキオキサンを得た。
（製造例９） 製造例７において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフエニ
ルシロキサンを得た。
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフエニ
ルシロキサンを得た。
以下、本発明の実施例を示す。
「実施例１」 製造例１〜９で得られたレジスト材料に で表わされるナフトキノン化合物を20重量％添加した感
光性樹脂組成物を約0.2μｍ厚さでシリコンウエハに塗
布し、80℃で20分間プリペークした。プリペーク後、オ
ーク社のジェットライトを用いて紫外線照射した。照射
後、マイクロポジット2401（シプレイ社製）と水の比が
1/1の現像液でそれぞれ現像し、照射部の残膜が０とな
るところの照射量を感度とした。
光性樹脂組成物を約0.2μｍ厚さでシリコンウエハに塗
布し、80℃で20分間プリペークした。プリペーク後、オ
ーク社のジェットライトを用いて紫外線照射した。照射
後、マイクロポジット2401（シプレイ社製）と水の比が
1/1の現像液でそれぞれ現像し、照射部の残膜が０とな
るところの照射量を感度とした。
解像性はライン＆スペースパターンで解像しうる最小パ
ターン寸法を測定した。
ターン寸法を測定した。
感度と解像性を表１に示す。
「実施例２」 シリコンウエハにAZ-1350レジスト（シプレイ社製）を
２μｍの厚さに塗布し、200℃で30分間加熱し不溶化さ
せた。このAZレジストの上に実施例１で用いたレジスト
材料を実施例１と同様の操作で約0.2μｍの厚さに塗布
し、80℃で20分間プリベークした。プリベーク後、0.5
μｍのライン＆スペースのパターンをもつクロムマスク
を通して紫外線照射し、実施例１と同一組成の現像液で
現像を行ったところマスクのパターンがAZレジスト材料
に転写された。その後、平行平板型スパッタエッチング
装置で酸素ガスをエッチャントガスとしてレジストパタ
ーンをマスクとしてAZレジストをエッチングした。
２μｍの厚さに塗布し、200℃で30分間加熱し不溶化さ
せた。このAZレジストの上に実施例１で用いたレジスト
材料を実施例１と同様の操作で約0.2μｍの厚さに塗布
し、80℃で20分間プリベークした。プリベーク後、0.5
μｍのライン＆スペースのパターンをもつクロムマスク
を通して紫外線照射し、実施例１と同一組成の現像液で
現像を行ったところマスクのパターンがAZレジスト材料
に転写された。その後、平行平板型スパッタエッチング
装置で酸素ガスをエッチャントガスとしてレジストパタ
ーンをマスクとしてAZレジストをエッチングした。
RFパワー0.2W/cm2、O2ガス圧20ミリトルの条件で15分間
エッチングすることによりレジストパターンに覆われて
いない部分のAZレジストは完全に消失した。
エッチングすることによりレジストパターンに覆われて
いない部分のAZレジストは完全に消失した。
実施例１で用いたいずれのレジスト材料でも0.5μｍラ
イン＆スペースのパターンが約２μｍの厚さで形成でき
た。
イン＆スペースのパターンが約２μｍの厚さで形成でき
た。
「実施例３」 製造例１〜９で得られたレジスト材料に で表わされるポジ形感光剤を20重量％添加した感光性樹
脂について、実施例１と同様の方法で感度と解像性を評
価した。結果を表２に示す。
脂について、実施例１と同様の方法で感度と解像性を評
価した。結果を表２に示す。
「実施例４」 実施例１と実施例３で用いた感光性樹脂組成物の遠紫外
線に対する露光特性を評価した。評価方法は実施例１と
同様の方法で行った。ただし、露光装置にはマスクアラ
イナPLA-521（キャノン製）を用い、光源はXe-Hgランプ
でコールドミラー（CM250）を使用した。
線に対する露光特性を評価した。評価方法は実施例１と
同様の方法で行った。ただし、露光装置にはマスクアラ
イナPLA-521（キャノン製）を用い、光源はXe-Hgランプ
でコールドミラー（CM250）を使用した。
評価結果を表３に示す。
露光波長が短いため、実施例１および３によりも高感度
でしかも高解像性であった。
でしかも高解像性であった。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明に用いたレジスト材料はア
ルカリ可溶性のシロキサンポリマーであり、このレジス
ト材料にポジ形感光剤を添加した本発明の感光性樹脂組
成物はアルカリ現像可能な非膨潤形ポジ形レジストにな
る。また、本発明の感光性樹脂組成物は、シリコンを含
有するため酸素プラズマ耐性が高く、したがって２層レ
ジストの上層レジストとして使用できる。このため、従
来のレジスト材料では達成できなかった0.5μｍ以下の
微細パターンが高アスペクト比で形成できる利点を有す
る。
ルカリ可溶性のシロキサンポリマーであり、このレジス
ト材料にポジ形感光剤を添加した本発明の感光性樹脂組
成物はアルカリ現像可能な非膨潤形ポジ形レジストにな
る。また、本発明の感光性樹脂組成物は、シリコンを含
有するため酸素プラズマ耐性が高く、したがって２層レ
ジストの上層レジストとして使用できる。このため、従
来のレジスト材料では達成できなかった0.5μｍ以下の
微細パターンが高アスペクト比で形成できる利点を有す
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野瀬 勝秀 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (56)参考文献 特開 昭61−144639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−159141（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−247350（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−229136（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式 〔但し、ＸはＲ−Ｃ−,R−CH−（Ｒは炭化水素あるいは
置換炭化水素を示す。 ）、カルボキシル基の群から選ばれた一種であり、同じ
でも異なってもよい。 Ｒ′,R″およびＲは、フェニル基よりなる。 l,mおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同時
に０になることはない。〕 で表わされるレジスト材と、 下記一般式 （式中Ｚは よりなる群より選ばれる一種の基を示す。）で表わされ
るオルトナフトキノン系化合物、 下記一般式 で表わされるジアゾメルドラム酸、 下記一般式 で表わされるＯ−ニトロベンジルエステル化合物、 下記一般式 （式中Ｒはアルキル基を示す。）で表わされるニトロフ
ェニルジヒドロピリジン化合物の中から選択された１種
以上のポジ形感光剤とを含むことを特徴とする感光樹脂
組成物。 - 【請求項２】下記一般式 〔但し、ＸはＲ−Ｃ−,R−CH−（Ｒは炭化水素あるいは
置換炭化水素を示す。 ）、カルボキシル基の群から選ばれた一種であり、同じ
でも異なってもよい。 Ｒ′,R″およびＲは、フェニル基よりなる。 l,mおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同時
に０になることはない。〕 で表わされるレジスト材と、 下記一般式 （式中Ｚは よりなる群より選ばれる１種の基を示す。）で示される
オルトナフトキノン系化合物、 下記一般式 で表わされるジアゾメルドラム酸、 下記一般式 で表わされるＯ−ニトロベンジルエステル化合物、 下記一般式 （式中Ｒはアルキル基を示す。）で表わされるニトロフ
ェニルジヒドロピリジン化合物の中から選択された１種
以上のポジ形感光剤とを含むことを特徴とする感光性樹
脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62027832A JPH0769609B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62027832A JPH0769609B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195650A JPS63195650A (ja) | 1988-08-12 |
| JPH0769609B2 true JPH0769609B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=12231911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62027832A Expired - Lifetime JPH0769609B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769609B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2597163B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1997-04-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
| JPH03100553A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料及び感光性樹脂組成物 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2619358B2 (ja) * | 1986-01-08 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 感光性樹脂組成物 |
| JPH07113772B2 (ja) * | 1986-04-21 | 1995-12-06 | 株式会社日立製作所 | 微細パタ−ン形成方法 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62027832A patent/JPH0769609B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63195650A (ja) | 1988-08-12 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |