JPH01283569A - 感光体構造 - Google Patents
感光体構造Info
- Publication number
- JPH01283569A JPH01283569A JP11264388A JP11264388A JPH01283569A JP H01283569 A JPH01283569 A JP H01283569A JP 11264388 A JP11264388 A JP 11264388A JP 11264388 A JP11264388 A JP 11264388A JP H01283569 A JPH01283569 A JP H01283569A
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- JP
- Japan
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- photoreceptor
- phthalocyanine
- tio
- layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は１６光体に関し１特に電子写真Ｒ（レーザ、
ＬＥＤ等の光プリンタ機等）に用いるのに適した感光体
構造に関する。
ＬＥＤ等の光プリンタ機等）に用いるのに適した感光体
構造に関する。
［従来の技術〕
電子写真機においてレーザダイオードや発光ダイオード
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため、感光
体が用いられる０発光ダイオード（ＬＥＤ）としては、
たとえばＧａＡｌＡｓやＧａＡ Ｉ Ｐで発光波長６６
０ｒ＋ｎのものが用いられ、短波長レーザダイオード（
ＬＤ）としては、たとえばＧａＡｌＡｓやＧａＡ Ｉ
Ｐで発光波長７８０ ｎｌのものが用いられる。
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため、感光
体が用いられる０発光ダイオード（ＬＥＤ）としては、
たとえばＧａＡｌＡｓやＧａＡ Ｉ Ｐで発光波長６６
０ｒ＋ｎのものが用いられ、短波長レーザダイオード（
ＬＤ）としては、たとえばＧａＡｌＡｓやＧａＡ Ｉ
Ｐで発光波長７８０ ｎｌのものが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電による高い
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面に
光を当て、光導電性を利用して放電を生じさせ、静電潜
像をつくる。この潜像を電荷を持たせたトナーで現像し
、用紙に転写する。このような感光体は通常アルミニウ
ム等の金属ドラムからなる導電性基板上に真空蒸着等に
よって光導電性の感光材料を膜状に堆積することによっ
て形成される。感光体の構造として単層型と積層構造型
とが知られている。第２Ａ図、第２Ｂ図とにこれらを模
式的に示す。
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面に
光を当て、光導電性を利用して放電を生じさせ、静電潜
像をつくる。この潜像を電荷を持たせたトナーで現像し
、用紙に転写する。このような感光体は通常アルミニウ
ム等の金属ドラムからなる導電性基板上に真空蒸着等に
よって光導電性の感光材料を膜状に堆積することによっ
て形成される。感光体の構造として単層型と積層構造型
とが知られている。第２Ａ図、第２Ｂ図とにこれらを模
式的に示す。
第２Ａ図に示す単層形はセレン（Ｓｅ）、セレン−テル
ル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）又は３セレン化砒素（Ａｓ２５ｅ
３）等の光導電性感光材料を導電性基板１上に１層１２
に形成したものである。
ル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）又は３セレン化砒素（Ａｓ２５ｅ
３）等の光導電性感光材料を導電性基板１上に１層１２
に形成したものである。
第２Ｂ図に示す積層型構造は導電性基板１上にＳｅの第
１層１３．第１層の上に５１３−Ｔ＋３合金の第２層１
４を積層させたものである。なお、必要に応じ、 Ｔｅ
ｆｉ度を変化させた５ｅ−Ｔｅ合金の第３層をさらに積
層させる場合もある。
１層１３．第１層の上に５１３−Ｔ＋３合金の第２層１
４を積層させたものである。なお、必要に応じ、 Ｔｅ
ｆｉ度を変化させた５ｅ−Ｔｅ合金の第３層をさらに積
層させる場合もある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の単層型のものは全般に感度が十分長波長域まで延
びない、長波長域の感度を増そうとすると帯電電位を高
くできない、また、 Ａｓ２Ｓｅ３以外の感光材料は耐
熱性が低く高温で結晶化しやすい。
びない、長波長域の感度を増そうとすると帯電電位を高
くできない、また、 Ａｓ２Ｓｅ３以外の感光材料は耐
熱性が低く高温で結晶化しやすい。
従来のＳｅの第１層、 ５ｅ−Ｔｅ合金の第２層を用い
る積層型構造はｓｅ−’ｒｅ合金の使用によって長波長
域の感度が向上しているが、この５ｓ−Ｔｅ合金の第２
層の膜厚制御およびＴｅ濃度のコントロールが大変雌し
い、このなめ歩留まりも低く、従ってコストも高い。
る積層型構造はｓｅ−’ｒｅ合金の使用によって長波長
域の感度が向上しているが、この５ｓ−Ｔｅ合金の第２
層の膜厚制御およびＴｅ濃度のコントロールが大変雌し
い、このなめ歩留まりも低く、従ってコストも高い。
本発明は感度が長波長領域まで十分あり、耐熱性が高く
、製造歩留よりの高い怒光体楕遺物を提供しようとする
ものである。
、製造歩留よりの高い怒光体楕遺物を提供しようとする
ものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、基板上にチタニルフタロシアニン（ＴｉＯフ
タロシアニン）を添加した３セレン化砒素（＾Ｓ２５ｅ
３）の感光層を形成した感光体構造を提供する。
タロシアニン）を添加した３セレン化砒素（＾Ｓ２５ｅ
３）の感光層を形成した感光体構造を提供する。
［作用］
ＴｉＯフタロシアニンを添加しな３セレン化砒素（Ａｓ
２Ｓｅ３； ＴｉＱフタロシアニン）の感光層を用いた
ため十分長波長まで感度があり、帯電電位ら十分高く、
耐熱性も高い。
２Ｓｅ３； ＴｉＱフタロシアニン）の感光層を用いた
ため十分長波長まで感度があり、帯電電位ら十分高く、
耐熱性も高い。
また、 ＴｉＯフタロシアニンとＡｓ２Ｓｅ３の昇華温
度はほぼ同じで制御がしやすい。
度はほぼ同じで制御がしやすい。
［実施例］
第１図に本発明の実施例による感光体ｍ造を示す、アル
ミニウム等の導電性基板１上に真空蒸着等により、３セ
レン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３）中にＴｉＯフタロシアニン
を均一に添加した感光層２を形成しである。ここで、
ＴｉＯフタロシアニンを添加した３セレン化砒素の感光
Ｎ２は好ましくは１−８０μｍの厚さで、好ましくはＴ
ｉＯフタロシアニン添加量０．５−１０重量％を有する
。 Ｔｉｏフタロシアニン添加添加上り好ましくは５重
量％以下、さらに好ましくは１重量％以下とする。Ａｓ
２Ｓｅ３にＴｉＯフタロシアニンを添加することで長波
長域の感度が向上する。ＴｉＯフタロシアニンは感光層
２の全厚に■って添加するが、必要に応じて感光層２内
でＴｉＯフタロシアニンの濃度を変化させてもよい。
ミニウム等の導電性基板１上に真空蒸着等により、３セ
レン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３）中にＴｉＯフタロシアニン
を均一に添加した感光層２を形成しである。ここで、
ＴｉＯフタロシアニンを添加した３セレン化砒素の感光
Ｎ２は好ましくは１−８０μｍの厚さで、好ましくはＴ
ｉＯフタロシアニン添加量０．５−１０重量％を有する
。 Ｔｉｏフタロシアニン添加添加上り好ましくは５重
量％以下、さらに好ましくは１重量％以下とする。Ａｓ
２Ｓｅ３にＴｉＯフタロシアニンを添加することで長波
長域の感度が向上する。ＴｉＯフタロシアニンは感光層
２の全厚に■って添加するが、必要に応じて感光層２内
でＴｉＯフタロシアニンの濃度を変化させてもよい。
以下製造方法の例を説明する。
（１）十分に洗浄したアルミニウムのドラムからなる導
電性基板１を真空蒸着槽にセットし、１ｘ１０ ’Ｔｏ
ｒｒ以下の圧力まで真空排気を行う。
電性基板１を真空蒸着槽にセットし、１ｘ１０ ’Ｔｏ
ｒｒ以下の圧力まで真空排気を行う。
（２）アルミニウムのドラムである導電性基板１の温度
を２２０℃に制御する。
を２２０℃に制御する。
（３）導電性基板１の温度が２２０℃で一定となったら
、第１蒸着ボートから３セレン化砒素（Ａｓ２ Ｓｅ３
）を第２蒸着ボートからＴｉＯフタロシアニンを蒸発
（昇Ｙｉ）できるように３セレン化砒素（Ａｓ ２Ｓｅ
３）とＴｉＯフタロシアニンの蒸発（昇華）速度を制御
し、３セレン化砒素（八５２Ｓｅ３）の中にＴｉＯフタ
ロシアニンを均一に約１．０重量％添加した混合物の膜
を膜厚的５５μｍ積層する。
、第１蒸着ボートから３セレン化砒素（Ａｓ２ Ｓｅ３
）を第２蒸着ボートからＴｉＯフタロシアニンを蒸発
（昇Ｙｉ）できるように３セレン化砒素（Ａｓ ２Ｓｅ
３）とＴｉＯフタロシアニンの蒸発（昇華）速度を制御
し、３セレン化砒素（八５２Ｓｅ３）の中にＴｉＯフタ
ロシアニンを均一に約１．０重量％添加した混合物の膜
を膜厚的５５μｍ積層する。
このようにして得られた感光体の特性を、帯電電位、暗
減衰率、６５０ｒ＋ｎ、８００ｎｎでの光感度（発光ダ
イオード（ＬＥＤ）の発光波長６６０ ｎｌとレーザダ
イオード（ＬＤ）の発光波長７８０ ｎｎとを含む波長
領域を考慮した）について調べた。
減衰率、６５０ｒ＋ｎ、８００ｎｎでの光感度（発光ダ
イオード（ＬＥＤ）の発光波長６６０ ｎｌとレーザダ
イオード（ＬＤ）の発光波長７８０ ｎｎとを含む波長
領域を考慮した）について調べた。
帯電電位はドラム上の感光体を帯電させ、リークによっ
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し、暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
で１０秒ｆ＆電位がどれだけ変化したかを測定し、光感
度は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し１
表面電位が１／２に減じるまでに照射した光の総量によ
って測定した。
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し、暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
で１０秒ｆ＆電位がどれだけ変化したかを測定し、光感
度は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し１
表面電位が１／２に減じるまでに照射した光の総量によ
って測定した。
得られたデータを以下に示す。
、゛ 身性のデータ
帯電電位 ９６０ ■暗減衰率［ＤＤ
Ｒ（１０ｓｅｃ）１ ０ 、８８光感度 ６５０ｎ
ｎ ０ 、９８μＪ ／ｃｒａ２８００ｎｉ
１． ＯμＪ ／ｃｉ”この感光体をレーザダ
イオードを用いたプリンタに搭載したところたいへん良
好な画像が得られた。
Ｒ（１０ｓｅｃ）１ ０ 、８８光感度 ６５０ｎ
ｎ ０ 、９８μＪ ／ｃｒａ２８００ｎｉ
１． ＯμＪ ／ｃｉ”この感光体をレーザダ
イオードを用いたプリンタに搭載したところたいへん良
好な画像が得られた。
このように、６５０ｎｍ以上の長波長域の光に対しても
十分な光感度が得らｔし、赤色ＬＥＤプリンタはもちろ
ん、近赤タ１司−Ｄプリンタにも使用可能な感光体構造
が得られた。
十分な光感度が得らｔし、赤色ＬＥＤプリンタはもちろ
ん、近赤タ１司−Ｄプリンタにも使用可能な感光体構造
が得られた。
３セレン化砒素が主材料のため、耐熱性に優れた感光体
構造が得られた。
構造が得られた。
なお、基板加熱温度は２２０℃でなく、もつと低温にし
てもよい。
てもよい。
ＴｉＯフタロシアニンと３セレン化砒素（八ｓ ２Ｓｅ
３）の蒸発（昇華）温度がほぼ同じであるので、両者の
混合物を予め準備して１つの蒸着ボートから蒸着させて
も膜中のＴｉＯフタロシアニン添加量はほぼ一定に保つ
ことができる。
３）の蒸発（昇華）温度がほぼ同じであるので、両者の
混合物を予め準備して１つの蒸着ボートから蒸着させて
も膜中のＴｉＯフタロシアニン添加量はほぼ一定に保つ
ことができる。
ＴｉＯフタロシアニンの添加量が増加すると６５０ｎｍ
以上の長波長感度は向上するが、帯電電位の低下、暗減
衰率の増加が生じる。ＴｉＯフタロシγニンの添加量は
１０重厘％以下が好ましいが、より好ましくは５重１％
以下、さらに好ましくは１重量％以下である。
以上の長波長感度は向上するが、帯電電位の低下、暗減
衰率の増加が生じる。ＴｉＯフタロシγニンの添加量は
１０重厘％以下が好ましいが、より好ましくは５重１％
以下、さらに好ましくは１重量％以下である。
［発明の効果コ
ロ５０ｎ１以上の波長の光に対しても十分な光感度が得
らる感光体構造が得られる。
らる感光体構造が得られる。
３セレン化砒素（ＡＳ２５ｅ３）が主材イ１である為。
耐熱性に優れた感光体構造となる。
ＴｉＯフタロシアニンの昇華温度は２３０℃付近であり
、 Ａｓ２Ｓｅ３の昇華温度とほぼ同じであるので、
ＴｉＯフタロシアニンを添加した八５２Ｓｅ３の感光層
を作成する際の制御性がたいへん良い、このため高い製
造歩留まりを得られる。
、 Ａｓ２Ｓｅ３の昇華温度とほぼ同じであるので、
ＴｉＯフタロシアニンを添加した八５２Ｓｅ３の感光層
を作成する際の制御性がたいへん良い、このため高い製
造歩留まりを得られる。
第１図は本発明の１実施例による感光体構造を模式的に
示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従来の感光体を模式
的に示す断面図である。 符号の説明 １ 基板 ２■１０フタロシアニン添加３セレン化砒素（八５２Ｓ
ｅ３： ＴｉＯフタロシアニン）の感光層
示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従来の感光体を模式
的に示す断面図である。 符号の説明 １ 基板 ２■１０フタロシアニン添加３セレン化砒素（八５２Ｓ
ｅ３： ＴｉＯフタロシアニン）の感光層
Claims (2)
- （１）、基板と、基板上に形成したＴｉＯフタロシアニ
ンを添加した３セレン化砒素の感光層を含む感光体構造
。 - （２）、ＴｉＯフタロシアニンが０．５−１重量％均一
に添加されている請求項（１）記載の感光体構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11264388A JPH01283569A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11264388A JPH01283569A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283569A true JPH01283569A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH0536785B2 JPH0536785B2 (ja) | 1993-05-31 |
Family
ID=14591865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11264388A Granted JPH01283569A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283569A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915249A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子写真用感光体 |
| JPS5964849A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-12 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62111257A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-05-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子写真用感光体 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11264388A patent/JPH01283569A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915249A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子写真用感光体 |
| JPS5964849A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-12 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62111257A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-05-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536785B2 (ja) | 1993-05-31 |
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