JPH0480388B2 - - Google Patents
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- JPH0480388B2 JPH0480388B2 JP11264288A JP11264288A JPH0480388B2 JP H0480388 B2 JPH0480388 B2 JP H0480388B2 JP 11264288 A JP11264288 A JP 11264288A JP 11264288 A JP11264288 A JP 11264288A JP H0480388 B2 JPH0480388 B2 JP H0480388B2
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- JP
- Japan
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- photosensitive layer
- photoreceptor
- layer
- arsenic
- phthalocyanine
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は感光体に関し、特に電子写真機（レー
ザ、LED等の光プリンタ機等）に用いるのに適
した感光体構造物に関する。
ザ、LED等の光プリンタ機等）に用いるのに適
した感光体構造物に関する。
［従来の技術］
電子写真機においてレーザダイオードや発光ダ
イオードからの信号光を受け、電子的潜像に変換
するため、感光体が用いられる。発光ダイオード
（LED）としては、たとえばGaAlAsやGaAlPで
発光波長660nmのものが用いられ、短波長レーザ
ダイオード（LD）としては、たとえばGaAlAs
やGaAlPで発光波長780nmのものが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電によ
る高い帯電を維持する必要がある。帯電している
感光体表面に光を当て、光導電性を利用して放電
を生じさせ、静電潜像をつくる。この潜像を電荷
を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する。こ
のような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラ
ムからなる導電性基板上に真空蒸着等によつて光
導電性の感光材料を膜状に堆積することによつて
形成される。感光体の構造として単層型と積層構
造型とが知られている。第２Ａ図、第２Ｂ図とに
これらを模式的に示す。
イオードからの信号光を受け、電子的潜像に変換
するため、感光体が用いられる。発光ダイオード
（LED）としては、たとえばGaAlAsやGaAlPで
発光波長660nmのものが用いられ、短波長レーザ
ダイオード（LD）としては、たとえばGaAlAs
やGaAlPで発光波長780nmのものが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電によ
る高い帯電を維持する必要がある。帯電している
感光体表面に光を当て、光導電性を利用して放電
を生じさせ、静電潜像をつくる。この潜像を電荷
を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する。こ
のような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラ
ムからなる導電性基板上に真空蒸着等によつて光
導電性の感光材料を膜状に堆積することによつて
形成される。感光体の構造として単層型と積層構
造型とが知られている。第２Ａ図、第２Ｂ図とに
これらを模式的に示す。
第２Ａ図に示す単層形はセレン（Se）、セレン
−テルル合金（Se−Te）又は３セレン化砒素
（As2Se3）等の光導電性感光材料を導電性基板１
上に１層１２に形成したものである。
−テルル合金（Se−Te）又は３セレン化砒素
（As2Se3）等の光導電性感光材料を導電性基板１
上に１層１２に形成したものである。
第２Ｂ図に示す積層型構造物は導電性基板１上
にSeの第１層１３、第１層の上にSe−Te合金の
第２層１４を積層させたものである。なお、必要
に応じ、Te濃度を変化させたSe−Te合金の第３
層をさらに積層させる場合もある。
にSeの第１層１３、第１層の上にSe−Te合金の
第２層１４を積層させたものである。なお、必要
に応じ、Te濃度を変化させたSe−Te合金の第３
層をさらに積層させる場合もある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の単層型のものは全般に感度が十分長波長
域まで延びない。長波長域の感度を増そうとする
と帯電電位を高くできない。また、As2Se3以外
の感光材料は耐熱性が低く高温で結晶化しやす
い。従来のSeの第１層、Se−Te合金の第２層を
用いる積層型構造はSe−Te合金の使用によつて
長波長域の感度が向上しているが、このSe−Te
合金の第２層の膜厚制御及びTe濃度のコントロ
ールが大変難しい。このため歩留まりも低く、従
つてコストも高い。さらに、できるだけ耐久性
（耐刷性）が高いことが望まれる。
域まで延びない。長波長域の感度を増そうとする
と帯電電位を高くできない。また、As2Se3以外
の感光材料は耐熱性が低く高温で結晶化しやす
い。従来のSeの第１層、Se−Te合金の第２層を
用いる積層型構造はSe−Te合金の使用によつて
長波長域の感度が向上しているが、このSe−Te
合金の第２層の膜厚制御及びTe濃度のコントロ
ールが大変難しい。このため歩留まりも低く、従
つてコストも高い。さらに、できるだけ耐久性
（耐刷性）が高いことが望まれる。
本発明は感度が長波長領域まで十分あり、耐久
性耐熱性が高く、製造歩留まりの高い感光体構造
物を提供しようとするものである。
性耐熱性が高く、製造歩留まりの高い感光体構造
物を提供しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］
第１図を参照すると、本発明は基板１上に、３
セレン化砒素（As2Se3）の第１感光層２と、チ
タニルフタロシアニン（TiOフタロシアニン）を
添加した３セレン化砒素（As2Se3）の第２感光
層３と、３セレン化砒素の第３感光層４とを積層
した感光体構造物を提供する。
セレン化砒素（As2Se3）の第１感光層２と、チ
タニルフタロシアニン（TiOフタロシアニン）を
添加した３セレン化砒素（As2Se3）の第２感光
層３と、３セレン化砒素の第３感光層４とを積層
した感光体構造物を提供する。
［作用］
積層構造物として３セレン化砒素（As2Se3）
の第１感光層とTiOフタロシアニンを添加した３
セレン化砒素（As2Se3：TiOフタロシアニン）
の第２感光層を用いたため十分長波長まで感度が
あり、帯電電位も十分高い。さらに、TiOフタロ
シアニンを含む３セレン化砒素の第２感光層が、
３セレン化砒素の第３感光層でコートされている
ので、電子写真特性を劣化させることなく十分な
耐刷性も得られる。主成分が３セレン化砒素であ
り、耐熱姓も高い。
の第１感光層とTiOフタロシアニンを添加した３
セレン化砒素（As2Se3：TiOフタロシアニン）
の第２感光層を用いたため十分長波長まで感度が
あり、帯電電位も十分高い。さらに、TiOフタロ
シアニンを含む３セレン化砒素の第２感光層が、
３セレン化砒素の第３感光層でコートされている
ので、電子写真特性を劣化させることなく十分な
耐刷性も得られる。主成分が３セレン化砒素であ
り、耐熱姓も高い。
また、感光体として用いる材料はTiOフタロシ
アニンとAs2Se3の２種類でよく、この両者は昇
華温度がほぼ同じで制御がしやすい。
アニンとAs2Se3の２種類でよく、この両者は昇
華温度がほぼ同じで制御がしやすい。
［実施例］
第１図に本発明の実施例による感光体構造物を
示す。アルミニウム等の導電性基板１上に真空蒸
着等により作成した３セレン化砒素（As2Se3）
の第１感光層２と、３セレン化砒素（As2Se3）
中にTiOフタロシアニンを添加した増感作用を持
つ第２感光層３と、表面保護の役割を果たす３セ
レン化砒素の第３感光層４を積層させてある。こ
こで、３セレン化砒素の第１感光層２は好ましく
は１−80μmの厚さを持つ。TiOフタロシアニン
を添加した３セレン化砒素の増感作用を持つ第２
感光層３は好ましくは0.05−5μmの厚さで、好ま
しくはTiOフタロシアニン添加量0.5−50重量％
を有する。第２感光層３にTiOフタロシアニンを
添加すること長波長域の感度が向上する。必要に
応じて第２感光層３内でTiOフタロシアニンの濃
度を変化させても良い。３セレン化砒素の第３感
光層４は好ましくは0.1μm以上10μm以下の厚さ
を有する。薄すぎると機械的強度が弱くなり、厚
すぎると長波長域の感度が低下する。
示す。アルミニウム等の導電性基板１上に真空蒸
着等により作成した３セレン化砒素（As2Se3）
の第１感光層２と、３セレン化砒素（As2Se3）
中にTiOフタロシアニンを添加した増感作用を持
つ第２感光層３と、表面保護の役割を果たす３セ
レン化砒素の第３感光層４を積層させてある。こ
こで、３セレン化砒素の第１感光層２は好ましく
は１−80μmの厚さを持つ。TiOフタロシアニン
を添加した３セレン化砒素の増感作用を持つ第２
感光層３は好ましくは0.05−5μmの厚さで、好ま
しくはTiOフタロシアニン添加量0.5−50重量％
を有する。第２感光層３にTiOフタロシアニンを
添加すること長波長域の感度が向上する。必要に
応じて第２感光層３内でTiOフタロシアニンの濃
度を変化させても良い。３セレン化砒素の第３感
光層４は好ましくは0.1μm以上10μm以下の厚さ
を有する。薄すぎると機械的強度が弱くなり、厚
すぎると長波長域の感度が低下する。
以下製造方法の例を説明する。
(1) 十分に洗浄したアルミニウムドラムからなる
導電性基板１を真空蒸着槽にセツトし、１×
10-5Torr以下の圧力まで真空排気を行う。
導電性基板１を真空蒸着槽にセツトし、１×
10-5Torr以下の圧力まで真空排気を行う。
(2) アルミニウムドラムである導電性基板１の温
度を220℃に制御する。
度を220℃に制御する。
(3) 導電性基板１の温度が220℃で一定となつた
ら、まず第１層目の３セレン化砒素（As2Se3）
を50μmの膜厚まで蒸着する。
ら、まず第１層目の３セレン化砒素（As2Se3）
を50μmの膜厚まで蒸着する。
(4) 続いて３セレン化砒素（As2Se3）とTiOフ
タロシアニンの蒸発（昇華）速度を制御し、３
セレン化砒素（As2Se3）の中にTiOフタロシ
アニンを約３重量％添加した混合物の膜を膜厚
約4μm積層する。
タロシアニンの蒸発（昇華）速度を制御し、３
セレン化砒素（As2Se3）の中にTiOフタロシ
アニンを約３重量％添加した混合物の膜を膜厚
約4μm積層する。
(5) さらに３セレン化砒素（As2Se3）を膜厚約
2μm蒸着する。
2μm蒸着する。
このようにして得られた感光体の特性を、帯電
電位、暗減衰率、650nm，800nmでの光感度（発
光ダイオード（LED）の発光波長660nmとレー
ザダイオード（LD）の発光波長780nmとを含む
波長領域を考慮した）について調べた。帯電電位
はドラム上の感光体を帯電させ、リークによつて
それ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位に
よつて測定し、暗減衰率は感光体に実用表面電荷
を載せ暗所で10秒後電位がどれだけ変化したかを
測定し、光感度は同様に実用表面電荷を載せた感
光体に光を照射し、表面電位が1/2に減じるまで
に照射した光の総量によつて測定した。
電位、暗減衰率、650nm，800nmでの光感度（発
光ダイオード（LED）の発光波長660nmとレー
ザダイオード（LD）の発光波長780nmとを含む
波長領域を考慮した）について調べた。帯電電位
はドラム上の感光体を帯電させ、リークによつて
それ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位に
よつて測定し、暗減衰率は感光体に実用表面電荷
を載せ暗所で10秒後電位がどれだけ変化したかを
測定し、光感度は同様に実用表面電荷を載せた感
光体に光を照射し、表面電位が1/2に減じるまで
に照射した光の総量によつて測定した。
得られたデータを以下に示す。
感光体特性のデータ
帯電電位 1080V
暗減衰率［DDR（10sec）］ 0.91
光感度 650nm 1.0μj／cm2
800nm 1.1μj／cm2
この感光体をレーザダイオードを用いたプリン
タに搭載したところたいへん良好な画像が得られ
た。さらに露光現像を繰り返し、10万枚を超えて
も良好な画像が得られた。従つて、赤色発光ダイ
オードを用いたLEDプリンタは勿論、近赤外半
導体レーザダイオードを用いたLDプリンタにも
使用可能である。
タに搭載したところたいへん良好な画像が得られ
た。さらに露光現像を繰り返し、10万枚を超えて
も良好な画像が得られた。従つて、赤色発光ダイ
オードを用いたLEDプリンタは勿論、近赤外半
導体レーザダイオードを用いたLDプリンタにも
使用可能である。
なお、基板加熱温度は220℃でなくもつと低温
にしてもよい。
にしてもよい。
As2Se3とTiOフタロシアニンとを別々の蒸発
源から蒸発させる代わりに、混合物を１つの蒸発
源から蒸発させてもよい。
源から蒸発させる代わりに、混合物を１つの蒸発
源から蒸発させてもよい。
As2Se3の第３感光層は電子写真特性を低下さ
せず十分な機械的強度を得るため0.1−10μmの膜
厚にするのが好ましい。
せず十分な機械的強度を得るため0.1−10μmの膜
厚にするのが好ましい。
第２感光層はあまり厚くするとAs2Se3の第１
感光層への入力光を減少させるので、5μm以下が
好ましい。
感光層への入力光を減少させるので、5μm以下が
好ましい。
［発明の効果］
耐刷性に優れ、650nm以上の波長の光に対して
も十分な光感度が得られる感光体構造物が得られ
る。
も十分な光感度が得られる感光体構造物が得られ
る。
３セレン化砒素（As2Se3）が主材料である為、
耐熱性に優れた感光体構造物となる。
耐熱性に優れた感光体構造物となる。
TiOフタロシアニンの昇華温度は230℃付近で
あり、As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、
TiOフタロシアニンを添加したAs2Se3の第２感
光層を作成する際の制御性がたいへん良い。この
ため高い製造歩留まりを得られる。３層構造でも
材料は２種類であり、製造工程は複雑化しない。
あり、As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、
TiOフタロシアニンを添加したAs2Se3の第２感
光層を作成する際の制御性がたいへん良い。この
ため高い製造歩留まりを得られる。３層構造でも
材料は２種類であり、製造工程は複雑化しない。
第１図は本発明の１実施例による感光体構造物
を模式的に示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従
来の感光体を模式的に示す断面図である。 符号の説明、１……基板、２……３セレン化砒
素（As2Se3）の第１感光層、３……TiOフタロ
シアニン添加３セレン化砒素（As2Se3：TiOフ
タロシアニン）の第２感光層、４……３セレン化
砒素（As2Se3）の第３感光層。
を模式的に示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従
来の感光体を模式的に示す断面図である。 符号の説明、１……基板、２……３セレン化砒
素（As2Se3）の第１感光層、３……TiOフタロ
シアニン添加３セレン化砒素（As2Se3：TiOフ
タロシアニン）の第２感光層、４……３セレン化
砒素（As2Se3）の第３感光層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、基板上に形成した３セレン化砒素の
第１感光層と、第１感光層上に形成したTiOフタ
ロシアニンを添加した３セレン化砒素の第２感光
層と、第２感光層の上に形成した３セレン化砒素
の第３感光層とを含む感光体構造物。 ２ 第２感光層が0.05−5μmの厚さである請求項
１記載の感光体構造物。 ３ 第３感光層が0.1−10.0μmの厚さである請求
項１ないし２記載の感光体構造物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11264288A JPH01283570A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11264288A JPH01283570A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283570A JPH01283570A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH0480388B2 true JPH0480388B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=14591840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11264288A Granted JPH01283570A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283570A (ja) |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11264288A patent/JPH01283570A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01283570A (ja) | 1989-11-15 |
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