JPS647381B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS647381B2 JPS647381B2 JP16977481A JP16977481A JPS647381B2 JP S647381 B2 JPS647381 B2 JP S647381B2 JP 16977481 A JP16977481 A JP 16977481A JP 16977481 A JP16977481 A JP 16977481A JP S647381 B2 JPS647381 B2 JP S647381B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- sete
- substrate
- uppermost
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセレン（Se）層、セレンテルル
（SeTe）層、セレン層を順次積層してなる感光体
の製造方法に関する。
（SeTe）層、セレン層を順次積層してなる感光体
の製造方法に関する。
従来、半導体レーザプリンタなど長波長に高感
度な感光体として、アルミ（Ａ）基体上に
Se／SeTe／Seを順次積層した感光体が提案され
ているが、この感光体を通常の電子写真プロセス
で繰返し使用すると、とくに長波長光で露光工程
を行うと感光体内部にキヤリヤが蓄積し、いわゆ
る光疲労により初期帯電能力が劣化する。
度な感光体として、アルミ（Ａ）基体上に
Se／SeTe／Seを順次積層した感光体が提案され
ているが、この感光体を通常の電子写真プロセス
で繰返し使用すると、とくに長波長光で露光工程
を行うと感光体内部にキヤリヤが蓄積し、いわゆ
る光疲労により初期帯電能力が劣化する。
こうした内部電荷は暗状態（露光工程前）で帯
電電荷と結合するため印字のとき残像を生じ印字
濃度の低下をきたす。
電電荷と結合するため印字のとき残像を生じ印字
濃度の低下をきたす。
本発明の目的は半導体レーザのような長波長の
光を露光に用いた電子写真用感光体に供される
Se／SeTe／Se積層感光体通常のカールソンプロ
セスで安定に機能するように最上層のSe層の製
造方法を提供することにある。
光を露光に用いた電子写真用感光体に供される
Se／SeTe／Se積層感光体通常のカールソンプロ
セスで安定に機能するように最上層のSe層の製
造方法を提供することにある。
Se／SeTe／Se積層感光体の最上層のSeとして
要求される性質としては第１図に示すように、露
光源として半導体レーザを用いる場合つまり、長
波長光の場合、電子に対して輸送性を有するこ
と、また可視光である複写光の場合には正孔に対
して輸送性を有することである。Seは正孔輸送
性であることはこれまで知られ実際に正帯電で利
用されているが、半導体レーザ光と可視光である
複写光を併用する場合、電子輸送性にすることも
必要である。
要求される性質としては第１図に示すように、露
光源として半導体レーザを用いる場合つまり、長
波長光の場合、電子に対して輸送性を有するこ
と、また可視光である複写光の場合には正孔に対
して輸送性を有することである。Seは正孔輸送
性であることはこれまで知られ実際に正帯電で利
用されているが、半導体レーザ光と可視光である
複写光を併用する場合、電子輸送性にすることも
必要である。
本発明では最上層のSeを蒸着技術で形成する
にあたつて、基板温度を低温に維持することによ
つて、非晶質膜の構造を変化させ、膜内のキヤリ
ヤである電子、正孔濃度分布を変化せしめ、より
電子伝導性にした。さらに膜内の電子トラツプは
蒸着速度を緩やかにすることによつて大巾に減少
させた。
にあたつて、基板温度を低温に維持することによ
つて、非晶質膜の構造を変化させ、膜内のキヤリ
ヤである電子、正孔濃度分布を変化せしめ、より
電子伝導性にした。さらに膜内の電子トラツプは
蒸着速度を緩やかにすることによつて大巾に減少
させた。
実施例
アルミニウム基板上に基板温度65℃でSeを
50μmの厚さに蒸着し、その上にSeTeを2μm蒸着
した。このようにして基板上に得られた蒸着膜を
恒温槽で70℃30分のポストベーク処理した。こう
して得られたSe／SeTe2層感光体上にさらにSe
の2μm程度の層を基板温度45℃、蒸着送度
0.2μm／分によつて設けた。
50μmの厚さに蒸着し、その上にSeTeを2μm蒸着
した。このようにして基板上に得られた蒸着膜を
恒温槽で70℃30分のポストベーク処理した。こう
して得られたSe／SeTe2層感光体上にさらにSe
の2μm程度の層を基板温度45℃、蒸着送度
0.2μm／分によつて設けた。
比較試料として、基板温度を60℃に保持して前
述の上層Seを形成したものをつくつた。
述の上層Seを形成したものをつくつた。
このようにして得た感光体を第２図に示すよう
な、回転ドラムの表面に設けて感光体ドラムと
し、同図に示す通常のカールソンプロセスと呼ば
れる電子写真プロセスにより、感光体の特性の試
験を行つた。
な、回転ドラムの表面に設けて感光体ドラムと
し、同図に示す通常のカールソンプロセスと呼ば
れる電子写真プロセスにより、感光体の特性の試
験を行つた。
まず感光体ドラムＤの表面に帯電器T1で一様
帯電を施し、露光部Ｌで半導体レーザ又は可視光
である複写光により露光を行う。そして電位計Ｋ
で感光体ドラム表面の露光部および非露光部の電
位を測定した後、現像器Ｇで現像してトナー像を
得、転写部Ｃでこれを記録紙Ｐに転写する。
帯電を施し、露光部Ｌで半導体レーザ又は可視光
である複写光により露光を行う。そして電位計Ｋ
で感光体ドラム表面の露光部および非露光部の電
位を測定した後、現像器Ｇで現像してトナー像を
得、転写部Ｃでこれを記録紙Ｐに転写する。
感光体ドラム表面に残留する現像剤を除去すべ
くコロナ帯電器T2、除電ランプＲで現像剤およ
び感光体ドラム表面の電荷を中和し、クリーナＳ
で残留現像剤を除去する。
くコロナ帯電器T2、除電ランプＲで現像剤およ
び感光体ドラム表面の電荷を中和し、クリーナＳ
で残留現像剤を除去する。
この後再び帯電器T1で感光体ドラム表面に一
様帯電を行う。
様帯電を行う。
このようにして前述の本発明に係る感光体の特
性を測定した結果、波長が780mmの半導体レーザ
に対する記録エネルギーは3μJ／cm2であり複写光
に対しては２ルツクス・秒程度で記録される。
性を測定した結果、波長が780mmの半導体レーザ
に対する記録エネルギーは3μJ／cm2であり複写光
に対しては２ルツクス・秒程度で記録される。
そして、電位計Ｋで測定した感光体ドラム表面
の非露光部の電位（帯電電位）と、露光部の電位
（残留電位）を測定した結果第３図に黒丸で示す
ように前述の比較試料の特性（白丸で示す。）に
比して特性が改善されていることが判る。
の非露光部の電位（帯電電位）と、露光部の電位
（残留電位）を測定した結果第３図に黒丸で示す
ように前述の比較試料の特性（白丸で示す。）に
比して特性が改善されていることが判る。
第４図は蒸着による感光体形成時の基板の温度
を変化させたときにそれぞれ得られる感光体を用
いて第２図に示した装置により帯電電位の測定結
果を示す。最上層Se層の蒸着速度は0.1μm／分で
ある。同図から明らかなように基板温度が60℃以
下ではカールソンプロセスの繰返しに伴う感光体
ドラム表面の帯電電位の低下△Ｖは比較的少い。
なお△Ｖが100V以上になると、再生像にトナー
ムラが生じ品質が悪く実用的ではない。
を変化させたときにそれぞれ得られる感光体を用
いて第２図に示した装置により帯電電位の測定結
果を示す。最上層Se層の蒸着速度は0.1μm／分で
ある。同図から明らかなように基板温度が60℃以
下ではカールソンプロセスの繰返しに伴う感光体
ドラム表面の帯電電位の低下△Ｖは比較的少い。
なお△Ｖが100V以上になると、再生像にトナー
ムラが生じ品質が悪く実用的ではない。
第５図は感光体の最上層Se層形成時の蒸着速
度をかえたとき得られるそれぞれの感光体を用い
た感光ドラムを用いたときの帯電電位の変化△Ｖ
を示すもので、蒸着速度が0.5μm／分以下の場
合、露光波長770mm、1000Vの初期帯電のカール
ソンプロセス工程の250回の繰返し後の帯電電位
の変化が少く良好な感光体が得られることが判
る。
度をかえたとき得られるそれぞれの感光体を用い
た感光ドラムを用いたときの帯電電位の変化△Ｖ
を示すもので、蒸着速度が0.5μm／分以下の場
合、露光波長770mm、1000Vの初期帯電のカール
ソンプロセス工程の250回の繰返し後の帯電電位
の変化が少く良好な感光体が得られることが判
る。
第６図は感光体を前述の蒸着技術によつて基板
上にSe層、SeTe層形成後に行う熱処理（つま
り、蒸着で最上層Se層形成前に一定の処理温度
で、恒温槽中で保管すること。）の処理温度と、
感光体ドラムの帯電電位の関係を示す図であつて
処理温度が60℃〜80℃の間では帯電電位が大きく
なつていることが判る。
上にSe層、SeTe層形成後に行う熱処理（つま
り、蒸着で最上層Se層形成前に一定の処理温度
で、恒温槽中で保管すること。）の処理温度と、
感光体ドラムの帯電電位の関係を示す図であつて
処理温度が60℃〜80℃の間では帯電電位が大きく
なつていることが判る。
これは80℃以上の高温では下層Se層、SeTe層
が結晶化し結晶中の電子が感光体ドラムの正の帯
電電荷と結合するため帯電電位が低下するためで
あり、60℃以下では下層Se層、SeTe層中の電子
が正孔に比して過剰になりこの電子が感光体ドラ
ム表面の帯電電荷と結合するためと考えられる。
が結晶化し結晶中の電子が感光体ドラムの正の帯
電電荷と結合するため帯電電位が低下するためで
あり、60℃以下では下層Se層、SeTe層中の電子
が正孔に比して過剰になりこの電子が感光体ドラ
ム表面の帯電電荷と結合するためと考えられる。
以上の説明から明らかなように本発明に係る感
光体の製造方法は基板上の最上層Se層を60℃以
下の基板温度で、0.5μm／分の蒸着速度で形成す
るため感光体の光疲労が少く良質の再生像が得ら
れる利点がある。
光体の製造方法は基板上の最上層Se層を60℃以
下の基板温度で、0.5μm／分の蒸着速度で形成す
るため感光体の光疲労が少く良質の再生像が得ら
れる利点がある。
第１図は感光体の構成図、第２図はカールソン
プロセスを説明する図、第３図〜第６図は本発明
に係る感光体の特性を示す図である。 T1：帯電器、Ｌ：露光部、Ｋ：電位計、Ｃ：
転写部、Ｇ：現像器、Ｄ：感光体ドラム。
プロセスを説明する図、第３図〜第６図は本発明
に係る感光体の特性を示す図である。 T1：帯電器、Ｌ：露光部、Ｋ：電位計、Ｃ：
転写部、Ｇ：現像器、Ｄ：感光体ドラム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にセレン（Se）層、セレンテルル
（SeTe）層、最上層のセレン層を順次積層してな
る感光体の製造方法において、前記最上層のSe
層を60℃以下の基板温度で、かつ、0.5μm／分以
下の蒸着速度で蒸着して形成することを特徴とす
る感光体の製造方法。 ２ 前記基板上に前記Se層、SeTe層を順次形成
後、前記最上層のSeを形成する前に大気中で60
℃〜80℃の範囲内の温度でポストベークをするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の感
光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977481A JPS5870235A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977481A JPS5870235A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870235A JPS5870235A (ja) | 1983-04-26 |
| JPS647381B2 true JPS647381B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=15892608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16977481A Granted JPS5870235A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870235A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2594960B2 (ja) * | 1987-08-03 | 1997-03-26 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体の特性安定化方法 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16977481A patent/JPS5870235A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5870235A (ja) | 1983-04-26 |
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