JPH01284828A - 記録方法、記録媒体及び記録装置 - Google Patents
記録方法、記録媒体及び記録装置Info
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- JPH01284828A JPH01284828A JP11577488A JP11577488A JPH01284828A JP H01284828 A JPH01284828 A JP H01284828A JP 11577488 A JP11577488 A JP 11577488A JP 11577488 A JP11577488 A JP 11577488A JP H01284828 A JPH01284828 A JP H01284828A
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- Japan
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- recording
- phase
- helical structure
- liquid crystal
- chiral smectic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は書き換え可能な記録方法、およびその記録媒体
、その記録再生装置に関し、特に、記録層としてらせん
構造を有するカイラルスメクチックＣ相高分子液晶を用
いたものに関する。
、その記録再生装置に関し、特に、記録層としてらせん
構造を有するカイラルスメクチックＣ相高分子液晶を用
いたものに関する。
現在、光記憶方式は大容量かつランダムアクセスに優れ
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｄ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしでは追記型光ディスク（
ＷＯ）、光カード（ＯＣ）が知られており、金属薄膜の
相変化を用いるものや、有機染料のビット形成を用いる
ものがある。
たものとして実用化されている。その方式も多岐にわた
り、再生専用としてディジタルオーディオディスク（Ｃ
Ｄ）やレーザービデオディスク（ＬＤ）が実用化されて
いる。光記録が可能なものとしでは追記型光ディスク（
ＷＯ）、光カード（ＯＣ）が知られており、金属薄膜の
相変化を用いるものや、有機染料のビット形成を用いる
ものがある。
さらに、書き換え型光ディスクの研究が進められており
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
録媒体として提案されている（特開昭５９−１０９３０
号公報、開開５９−３５９８９公報報、同昭６２−１５
４３４０号公報）。その中では、記録方式としてコレス
テリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるかある
いは無配向状態のピット形成によって光反射率を多値的
に変化せしめる方式も提案されている（特開昭６２−１
０７４４８号公報、同昭６２−１２９３７号公報）。そ
の他、情報記録媒体以外にも高分子液晶を用いた表示装
置も提案されている（特開昭６２−２７８５２９号公報
、開開６２−２７８５３０号公報）。
、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実用
化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報記
録媒体として提案されている（特開昭５９−１０９３０
号公報、開開５９−３５９８９公報報、同昭６２−１５
４３４０号公報）。その中では、記録方式としてコレス
テリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるかある
いは無配向状態のピット形成によって光反射率を多値的
に変化せしめる方式も提案されている（特開昭６２−１
０７４４８号公報、同昭６２−１２９３７号公報）。そ
の他、情報記録媒体以外にも高分子液晶を用いた表示装
置も提案されている（特開昭６２−２７８５２９号公報
、開開６２−２７８５３０号公報）。
〔発明が解決しようとしている問題点〕しかしながら、
上記従来例では書き換え型情報記憶媒体や表示装置に用
いる場合に種々の欠点を有している。相変化媒体や光磁
気記録媒体を用いたものでは蒸着、スパッタ等の技術に
より薄膜化する必要があるために製造コスト、製造時間
、製造装置の点で欠点を有する。さらに相変化媒体では
Ｔｅ等のカルコゲナイド化合物を用いるために毒性を有
する欠点がある。また光磁気記録媒体ではスピンの反転
を利用して、スピンの反転にともなうカー効果、ファラ
デー効果による偏光面の回転を検出することで記録状態
を読み出しており、その回転角はｌ’ 以下と小さいた
めに光学系、電気系が複雑となる欠点がある。したがっ
て以上のような方式は表示には適していない。
上記従来例では書き換え型情報記憶媒体や表示装置に用
いる場合に種々の欠点を有している。相変化媒体や光磁
気記録媒体を用いたものでは蒸着、スパッタ等の技術に
より薄膜化する必要があるために製造コスト、製造時間
、製造装置の点で欠点を有する。さらに相変化媒体では
Ｔｅ等のカルコゲナイド化合物を用いるために毒性を有
する欠点がある。また光磁気記録媒体ではスピンの反転
を利用して、スピンの反転にともなうカー効果、ファラ
デー効果による偏光面の回転を検出することで記録状態
を読み出しており、その回転角はｌ’ 以下と小さいた
めに光学系、電気系が複雑となる欠点がある。したがっ
て以上のような方式は表示には適していない。
それらに対して高分子液晶を光学変調層として用いた情
報記憶媒体１表示装置は、低コストで製造可能でかつ記
録コントラストが優れているために、次世代の媒体・装
置として期待されている。しかしながら、前記従来例で
示される高分子液晶を用いた媒体、方法、装置は、書き
込み、消去速度が遅いことが欠点となっており、高速記
録、オーバーライド等に適さないものとなっている。
報記憶媒体１表示装置は、低コストで製造可能でかつ記
録コントラストが優れているために、次世代の媒体・装
置として期待されている。しかしながら、前記従来例で
示される高分子液晶を用いた媒体、方法、装置は、書き
込み、消去速度が遅いことが欠点となっており、高速記
録、オーバーライド等に適さないものとなっている。
一方、低分子強誘電性液晶（以下ＦＬＣ）においては通
常数十μｍ以上のセル厚に封入し、水平配向処理を行う
とらせん構造を有することが知られている。これはスメ
クチック相の各層毎で分子の配向方向が該スメクチック
相の層の法線に対して有する傾き角のコーン上でずれて
いくために生じるものである（第２図（ａ））。これに
電界を印加すると各分子のダイポールモーメントは電界
に沿うように並び、らせん構造が解けることが知られて
いる（第２図（ｂ））。
常数十μｍ以上のセル厚に封入し、水平配向処理を行う
とらせん構造を有することが知られている。これはスメ
クチック相の各層毎で分子の配向方向が該スメクチック
相の層の法線に対して有する傾き角のコーン上でずれて
いくために生じるものである（第２図（ａ））。これに
電界を印加すると各分子のダイポールモーメントは電界
に沿うように並び、らせん構造が解けることが知られて
いる（第２図（ｂ））。
このような分子配列の変化にともなって透過光量は変化
することを用いて表示素子を実現することが提案されて
いる（ Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｃｅ、に、Ｇ、Ｂａ１ａｋｒ
ｉｓｈｎａｎ。
することを用いて表示素子を実現することが提案されて
いる（ Ｋ、Ｙｏｓｈｉｎｃｅ、に、Ｇ、Ｂａ１ａｋｒ
ｉｓｈｎａｎ。
Ｔ、Ｕｅｍｏｔｏ、 Ｙ、１ｗａｓａｋｉ ａｎｄ
Ｙ、Ｉｎｕｉｓｈｉ。
Ｙ、Ｉｎｕｉｓｈｉ。
Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、 １７，５９７
（１９７８））。このような表示素子においては、電極
間に電界を印加することにより、そのらせん構造から非
らせん構造へ数百μＳｅｃといった高速にて応答させる
ことが可能である。
（１９７８））。このような表示素子においては、電極
間に電界を印加することにより、そのらせん構造から非
らせん構造へ数百μＳｅｃといった高速にて応答させる
ことが可能である。
しかしながら、ＦＬＣを用いた電界によるらせん構造の
変化は電界印加時のみ有効であるが、電界を除去すると
ただちにらせん構造が復帰するため、情報記憶媒体２表
示装置として用つるためには構成が複雑となる。また電
界印加部分は電極面積によって決められるために情報記
憶媒体としては高密度化が困難であった。
変化は電界印加時のみ有効であるが、電界を除去すると
ただちにらせん構造が復帰するため、情報記憶媒体２表
示装置として用つるためには構成が複雑となる。また電
界印加部分は電極面積によって決められるために情報記
憶媒体としては高密度化が困難であった。
〔問題点を解決するための手段（及び作用）〕本発明に
よれば、カイラルスメクチックＣ相においてらせん構造
を有する高分子液晶層を光学変調層として用いる記録媒
体において、該らせん構造を制御し、らせんｐｉｔｃｈ
、らせん旋回方向、もしくは非らせん構造を選択するこ
とによって記録状態を実現することが可能となる。これ
によって情報記憶媒体や表示媒体をスピンコードや塗布
等の簡便な手法で低コストに製造でき、しかも高速でら
せん構造、非らせん構造を選択できるとともにその書き
込み状況を安定に保持し、高コントラストで再生するこ
とが可能となった。
よれば、カイラルスメクチックＣ相においてらせん構造
を有する高分子液晶層を光学変調層として用いる記録媒
体において、該らせん構造を制御し、らせんｐｉｔｃｈ
、らせん旋回方向、もしくは非らせん構造を選択するこ
とによって記録状態を実現することが可能となる。これ
によって情報記憶媒体や表示媒体をスピンコードや塗布
等の簡便な手法で低コストに製造でき、しかも高速でら
せん構造、非らせん構造を選択できるとともにその書き
込み状況を安定に保持し、高コントラストで再生するこ
とが可能となった。
カイラルスメクチックＣ相を有する高分子液晶における
らせん構造はメソーゲン部分が各スメクチック層毎にね
じれた結果生じている。しかしながら、各メソーゲン間
は共有結合によって結合されているためにらせん構造が
より安定化されている。
らせん構造はメソーゲン部分が各スメクチック層毎にね
じれた結果生じている。しかしながら、各メソーゲン間
は共有結合によって結合されているためにらせん構造が
より安定化されている。
このらせん構造部分の周期（らせんピッチ）に応じた光
の散乱があるため、書き込み光もしくは読み取り光の波
長に応じてらせんピッチを制御することが望ましい。
の散乱があるため、書き込み光もしくは読み取り光の波
長に応じてらせんピッチを制御することが望ましい。
らせんピッチは高分子液晶の化学構造によって変化し、
任意の範囲に設定することが可能である。
任意の範囲に設定することが可能である。
さらにカイラルスメクチックＣ相において温度制御する
ことで、温度に応じてらせんピッチは変化し、該高分子
液晶のガラス転移点以下に急冷することで固定化できる
。
ことで、温度に応じてらせんピッチは変化し、該高分子
液晶のガラス転移点以下に急冷することで固定化できる
。
一方、らせん構造による選択散乱は波長依存性があり、
可視付近で選択散乱させることにより、カラー化が行え
る。そのためには、らせん構造の中心軸は角度依存性が
減少するように、基板に水平であることが望ましい。
可視付近で選択散乱させることにより、カラー化が行え
る。そのためには、らせん構造の中心軸は角度依存性が
減少するように、基板に水平であることが望ましい。
該らせん構造は化学構造・温度等を制御することにより
右回りのものと左回りのものが得られる。
右回りのものと左回りのものが得られる。
これらに円偏光を照射すると同方向に回転する円偏光の
み選択的に反射される。特に温度によって右回りから左
回りにらせん構造の回転方向が変化するものは、ガラス
転移点以下に急冷し、その回転方向を固定化することで
高コントラストが得られる。
み選択的に反射される。特に温度によって右回りから左
回りにらせん構造の回転方向が変化するものは、ガラス
転移点以下に急冷し、その回転方向を固定化することで
高コントラストが得られる。
ガラス転移点が室温よりかなり高い場合には、カイラル
スメクチックＣ相のらせん構造とＩｓｏ相ガラス状態、
スメクチックＡ相非らせん構造等の他の液晶相、そもし
くはカイラルスメクチックＣ相の非らせん構造を選択す
ることで記録状態、非記録状態を得ることが出来る。
スメクチックＣ相のらせん構造とＩｓｏ相ガラス状態、
スメクチックＡ相非らせん構造等の他の液晶相、そもし
くはカイラルスメクチックＣ相の非らせん構造を選択す
ることで記録状態、非記録状態を得ることが出来る。
このためには加熱手段により選択する相まで昇温し、急
冷することが用いられる。もしくは−担昇温し、用いる
（液晶）相まで冷却し、次に急冷することにより固定す
る。このときに電界・磁界の印加により分子配列を変化
させることが可能で、カイラルスメクチックＣ相の非ら
せん構造を得るためには特に電界が適している。
冷することが用いられる。もしくは−担昇温し、用いる
（液晶）相まで冷却し、次に急冷することにより固定す
る。このときに電界・磁界の印加により分子配列を変化
させることが可能で、カイラルスメクチックＣ相の非ら
せん構造を得るためには特に電界が適している。
本発明に使用する高分子液晶としては次のようなものが
ある。
ある。
（下記式（１） 〜（１３）中、１５〉ｎ≧１である。
）（ｌＯ）
ＣＨ３
ＣＨ。
■
ＣＨ３
（下記式（１８）〜（４６）中、＊は不斉炭素中心を示
し、 ｎ＝５〜１Ｏ００である。） （ｍ２＝２〜１５） （ｍｌ：２〜１０） （２１）ｃＨ！ ！ （ｍ２＝２〜１５） （ｍ２＝２〜１５） →Ｃ１１，−Ｃ斤 （２５）。Ｈ３ Ｉ →Ｃ１ｌ□−〇）− （２６） 。。
し、 ｎ＝５〜１Ｏ００である。） （ｍ２＝２〜１５） （ｍｌ：２〜１０） （２１）ｃＨ！ ！ （ｍ２＝２〜１５） （ｍ２＝２〜１５） →Ｃ１１，−Ｃ斤 （２５）。Ｈ３ Ｉ →Ｃ１ｌ□−〇）− （２６） 。。
【
−（ＣＨ２−Ｃ）−
（ｍ２＝２〜１５）
（ｘ＋ｙ ＝ １． ｑ３＝ １＝１０．ｐ、、＝
１〜１０）（３２）ｃ均 （ｍ２＝ ２〜１５． ｘ＋ｙ ＝ １）ＣＨ３ 「 （ｘ＋ｙ ＝ ｌ、 １ｉ１２＝ ２〜１５）ＣＨ。
１〜１０）（３２）ｃ均 （ｍ２＝ ２〜１５． ｘ＋ｙ ＝ １）ＣＨ３ 「 （ｘ＋ｙ ＝ ｌ、 １ｉ１２＝ ２〜１５）ＣＨ。
Ｒ３＝ −ＣＨ２ＣＨ子ＣＨ２塗 Ｒ４＝モＣＨ２塙
−＊ （ｘ＋ｙ ＝ １． ｍ２＝ ２〜１５）（ｘ＋ｙ
＝ １． ｊｌ１２＝ ２〜１５）（ｍ３＝１〜５） （ｘ＋ｙ＝１） （Ｊ （Ｊ ＬＪ
Ｕ（ｍ６＝ｏ〜５） （ｍ６＝ｏ〜５） （以下ｍ６は１〜１８とする） ＣＩｌ ｓ Ｃ１＋ ３ＣＨ
，ＣＨ３ ＣＨ３ 一←Ｏ３ｉナー 小 ＣＩｌフ ＣＨ３ →Ｏ３ｉ ｈ 小 ＣＨフ （ｓｓ） ｃｏｏ （ＣＩｌ ） ０（ｊ！
２＝５〜１８） （ｆ２＝５〜１８） ＣＨ３ＣＨ３ （ｊ！２＝５〜１８） 以上のような高分子液晶においてカイラルスメクチック
Ｃ相のとき良好ならせん構造を持つためにはフレキシブ
ル鎖の構造が重要である。これにはアルキル鎖、アルキ
レン鎖、ポリ（アルキルオキシ）鎖、アルリル鎖、メタ
クリル鎖、等が用いられるが、自由度が大きく柔軟性の
よいものが好ましい。特に好ましくはフレキシブル鎖と
してポリ（ジメチルシロキサン）を用いたものである。
−＊ （ｘ＋ｙ ＝ １． ｍ２＝ ２〜１５）（ｘ＋ｙ
＝ １． ｊｌ１２＝ ２〜１５）（ｍ３＝１〜５） （ｘ＋ｙ＝１） （Ｊ （Ｊ ＬＪ
Ｕ（ｍ６＝ｏ〜５） （ｍ６＝ｏ〜５） （以下ｍ６は１〜１８とする） ＣＩｌ ｓ Ｃ１＋ ３ＣＨ
，ＣＨ３ ＣＨ３ 一←Ｏ３ｉナー 小 ＣＩｌフ ＣＨ３ →Ｏ３ｉ ｈ 小 ＣＨフ （ｓｓ） ｃｏｏ （ＣＩｌ ） ０（ｊ！
２＝５〜１８） （ｆ２＝５〜１８） ＣＨ３ＣＨ３ （ｊ！２＝５〜１８） 以上のような高分子液晶においてカイラルスメクチック
Ｃ相のとき良好ならせん構造を持つためにはフレキシブ
ル鎖の構造が重要である。これにはアルキル鎖、アルキ
レン鎖、ポリ（アルキルオキシ）鎖、アルリル鎖、メタ
クリル鎖、等が用いられるが、自由度が大きく柔軟性の
よいものが好ましい。特に好ましくはフレキシブル鎖と
してポリ（ジメチルシロキサン）を用いたものである。
光学活性基は２−メチルブチル基、■−メチルプロピル
基、１−メチル−ヘプチル基、コレステロール基等の種
々のものが用いられ、立体障害の大きい構造を有するも
のはらせんピッチが小さくなりやすい。
基、１−メチル−ヘプチル基、コレステロール基等の種
々のものが用いられ、立体障害の大きい構造を有するも
のはらせんピッチが小さくなりやすい。
高分子液晶において光学活性基を有しないものは、光学
活性基を有する化合物と混合して用いることが必要であ
り、特に低分子強誘電性液晶と混合して本発明の高分子
液晶層として使用することが好ましい。低分子強誘電性
液晶の例としては次のようなものがある。
活性基を有する化合物と混合して用いることが必要であ
り、特に低分子強誘電性液晶と混合して本発明の高分子
液晶層として使用することが好ましい。低分子強誘電性
液晶の例としては次のようなものがある。
ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート （ＤＯＢＡＭＢＣ）７６℃
９５°Ｃ１１７℃ ｐ−へキシロキジベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−ク
ロルブロピルシンナメー） （ＨＯＢＡＣＰＣ）６０
°Ｃ６４°Ｃ７８℃ 結晶；＝＝ＳｍＨ＊；：＝ＳｍＣ＊；：＝ＳｍＡ；：＝
等方相ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート （ＤＯＢＡ
ＭＢＣＣ）９２℃ １０４℃ ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルプチルーα−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡ
ＭＢＣＣ）７８℃ １０４℃ ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢ
ＣＣ）４１℃ ６６℃ ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−メチルシンナメート４９°０
５８℃ ９４℃結晶；：＝ＳｍＣ＊；：＝
ＳｍＡ；＝＝等方吉相 ４．４′ −アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２
−メチルブチル）エステル 結晶；＝＝ＳｍＣ＊；＝＝ ＳｍＡ ；＝＝等方相４−
ｏ −（２−メチル）−ブチルレゾルシリダン−４′−
オクチルアニリン（ＭＢＲＡ ８） 結晶；：＝ＳｍＣ＊；：＝ＳｍＡ；＝二等方相４−（２
’−メチルブチル）フェニル−４′ オクチルオキシビ
フェニル−４−カルボキシレート７８℃ ８０℃
１２８．３℃結晶；＝＝Ｓｍ３；：＝ＳｍＣ＊
；＝＝ＳｍＡ１７１．０℃ １７４２℃
；＝＝コレステリック相；ニー等方相 ４−へキシルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ６８．８６０８０２℃ １６３．５℃結
品；＝＝ＳｍＣ＊；：＝コレステリック相；＝−等吉相
４−オクチルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ７６℃ ８８．６°ＣＩ５５．４℃結品；＝＝
ＳｍＣ＊；＝＝コレステリック相；ニー等吉相４′−へ
ブチルフェニル−４−（２’−メチルヘキシル）ビフェ
ニル−４′−カルボキシレート ９１．５８Ｃ９３℃ １１２℃ １
３１℃結晶；＝＝ＳｍＣ＊；＝＝ＳｍＡ；＝＝コレステ
リック相；ニー等方相４− （２’−メチルブチル）フ
ェニル−４−（メチルヘキシル）ビフェニル−４′−カ
ルボキシレートｔｚ、４−ｖ １０８℃
１８３℃さらにレーザー光等にて書き込み、
消去を行う場合には、レーザー光吸収層を設けるかもし
くは高分子液晶層へレーザー光吸収化合物を添加するこ
とによって感度が向上する。高分子液晶層へ添加するレ
ーザー光吸収化合物の例としては次のようなものがある
。
ルブチルシンナメート （ＤＯＢＡＭＢＣ）７６℃
９５°Ｃ１１７℃ ｐ−へキシロキジベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−ク
ロルブロピルシンナメー） （ＨＯＢＡＣＰＣ）６０
°Ｃ６４°Ｃ７８℃ 結晶；＝＝ＳｍＨ＊；：＝ＳｍＣ＊；：＝ＳｍＡ；：＝
等方相ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート （ＤＯＢＡ
ＭＢＣＣ）９２℃ １０４℃ ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルプチルーα−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡ
ＭＢＣＣ）７８℃ １０４℃ ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢ
ＣＣ）４１℃ ６６℃ ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−メチルシンナメート４９°０
５８℃ ９４℃結晶；：＝ＳｍＣ＊；：＝
ＳｍＡ；＝＝等方吉相 ４．４′ −アゾキシシンナミックアシッド−ビス（２
−メチルブチル）エステル 結晶；＝＝ＳｍＣ＊；＝＝ ＳｍＡ ；＝＝等方相４−
ｏ −（２−メチル）−ブチルレゾルシリダン−４′−
オクチルアニリン（ＭＢＲＡ ８） 結晶；：＝ＳｍＣ＊；：＝ＳｍＡ；＝二等方相４−（２
’−メチルブチル）フェニル−４′ オクチルオキシビ
フェニル−４−カルボキシレート７８℃ ８０℃
１２８．３℃結晶；＝＝Ｓｍ３；：＝ＳｍＣ＊
；＝＝ＳｍＡ１７１．０℃ １７４２℃
；＝＝コレステリック相；ニー等方相 ４−へキシルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ６８．８６０８０２℃ １６３．５℃結
品；＝＝ＳｍＣ＊；：＝コレステリック相；＝−等吉相
４−オクチルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート ７６℃ ８８．６°ＣＩ５５．４℃結品；＝＝
ＳｍＣ＊；＝＝コレステリック相；ニー等吉相４′−へ
ブチルフェニル−４−（２’−メチルヘキシル）ビフェ
ニル−４′−カルボキシレート ９１．５８Ｃ９３℃ １１２℃ １
３１℃結晶；＝＝ＳｍＣ＊；＝＝ＳｍＡ；＝＝コレステ
リック相；ニー等方相４− （２’−メチルブチル）フ
ェニル−４−（メチルヘキシル）ビフェニル−４′−カ
ルボキシレートｔｚ、４−ｖ １０８℃
１８３℃さらにレーザー光等にて書き込み、
消去を行う場合には、レーザー光吸収層を設けるかもし
くは高分子液晶層へレーザー光吸収化合物を添加するこ
とによって感度が向上する。高分子液晶層へ添加するレ
ーザー光吸収化合物の例としては次のようなものがある
。
Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ２８
Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ １２Ｄｉｒｅｃｔ
Ｂｌｕｅ Ｉ Ｄｌｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １５ Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ９８ Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １５１ Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ８１ Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ４４Ｄｉｒｅｃｔ
Ｙｅｌｌｏｗ １２Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ
３９ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ２１４ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ ６０ １＋１ｌ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ５６さらに紫外
線吸収剤、抗酸化剤等の劣化防止剤や造核剤、蛍光色素
を混合して用いてもよい。
Ｂｌｕｅ Ｉ Ｄｌｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １５ Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ９８ Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ １５１ Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ８１ Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ４４Ｄｉｒｅｃｔ
Ｙｅｌｌｏｗ １２Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ
３９ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ２１４ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ ６０ １＋１ｌ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ５６さらに紫外
線吸収剤、抗酸化剤等の劣化防止剤や造核剤、蛍光色素
を混合して用いてもよい。
得られた高分子液晶層を配向させる必要があるが、本発
明の記録媒体では完全に配向させな（ても高いコントラ
ストが得られる。カイラルスメクチックＣ相において電
界による応答を用いてらせん構造、非らせん構造を実現
するためには水平配向を行う必要がある。水平配向には
ＰＶＡ、ＰＩ等の有機高分子やＳｉＯ２等の蒸着膜を配
向膜として用い、ラビング処理によってさらに一軸性を
与えることも可能である。又、シェアリング、延伸等に
よっても良好な配向が得られる。
明の記録媒体では完全に配向させな（ても高いコントラ
ストが得られる。カイラルスメクチックＣ相において電
界による応答を用いてらせん構造、非らせん構造を実現
するためには水平配向を行う必要がある。水平配向には
ＰＶＡ、ＰＩ等の有機高分子やＳｉＯ２等の蒸着膜を配
向膜として用い、ラビング処理によってさらに一軸性を
与えることも可能である。又、シェアリング、延伸等に
よっても良好な配向が得られる。
本発明においては、カイラルスメクチックＣ相における
らせん構造を記録状態として用いるために、特定の波長
の光に対する反射光量を測定するとらせんピッチの変化
に応じて反射光量も連続的に変化することがわかった。
らせん構造を記録状態として用いるために、特定の波長
の光に対する反射光量を測定するとらせんピッチの変化
に応じて反射光量も連続的に変化することがわかった。
これによって高分子液晶層の保持温度を制御し、らせん
ピッチを選択したのち冷却することで固定化すれば記録
状態として連続的な反射光量が得られ多値記録にとって
有効である。
ピッチを選択したのち冷却することで固定化すれば記録
状態として連続的な反射光量が得られ多値記録にとって
有効である。
また一方、らせん構造は界面や外部基によってその割合
が制御でき、同様に多値記録として使用できる。このこ
とから、表示においては階調表示を比較的容易に行いつ
る。
が制御でき、同様に多値記録として使用できる。このこ
とから、表示においては階調表示を比較的容易に行いつ
る。
〔実施例１〕
透明電極２を有するガラス基板１にポリアミック酸溶液
をスピンコードし、３００℃で焼成することによりポリ
イミド配向膜３を得た。次に下記の構造の高分子液晶（
１） 、 （ＩＩ ）を２：１の割合に混合したものに
ＩＩＩ式で示される染料を０．５ｗｔ％溶解した。
をスピンコードし、３００℃で焼成することによりポリ
イミド配向膜３を得た。次に下記の構造の高分子液晶（
１） 、 （ＩＩ ）を２：１の割合に混合したものに
ＩＩＩ式で示される染料を０．５ｗｔ％溶解した。
この高分子液晶組成物を前記ガラス基板１とアルミを５
０００人蒸着したガラス基板１′ の間にはさみ真空下
１５０℃に加熱して圧着した。得られた記憶媒体の高分
子液晶層４の厚みは約５０μｍであった。
０００人蒸着したガラス基板１′ の間にはさみ真空下
１５０℃に加熱して圧着した。得られた記憶媒体の高分
子液晶層４の厚みは約５０μｍであった。
次に１２０℃から徐々に冷却したところ、反射型偏光顕
微鏡にて６０℃でらせん構造による周期構造が観測され
た。
微鏡にて６０℃でらせん構造による周期構造が観測され
た。
〔実施例２〕
第１図に本発明の実施例を示す。
レーザー光源７より発生したレーザー光を光変調器９で
変調信号発生器１０の信号によって変調し、偏光ビーム
スプリッタ−１１にて直線偏光とした。
変調信号発生器１０の信号によって変調し、偏光ビーム
スプリッタ−１１にて直線偏光とした。
これを１／４波長板１２をとうして円偏光とし、集光レ
ンズ１３をとうして実施例１で作成した記録媒体上へ照
射した。
ンズ１３をとうして実施例１で作成した記録媒体上へ照
射した。
第３図は該記録媒体にレーザーを照射する際、記録媒体
を中心にみた時の拡大図である。盤面上のレーザーパワ
ーは２ ｍ Ｗであった。反射率は約２０％であった。
を中心にみた時の拡大図である。盤面上のレーザーパワ
ーは２ ｍ Ｗであった。反射率は約２０％であった。
この偏光ビームスプリッタ−１１を９０’回転すること
で直線偏光を９０°回転させ、同様に１／４波長板に通
してやることで逆回転の円偏光とした。同様に集光レン
ズ１３をとうして媒体上に照射したところ反射率は３５
％であった。
で直線偏光を９０°回転させ、同様に１／４波長板に通
してやることで逆回転の円偏光とした。同様に集光レン
ズ１３をとうして媒体上に照射したところ反射率は３５
％であった。
次に電圧変調器１５より１００Ｖの直流電圧を該記録媒
体に印加したところ約２００ｍ５ｅｃで反射率は５０％
となった。レーザー光を停止してもう一度し−ザーバワ
ー０ 、５ ｍ Ｗで再生したが、反射率は変化してい
なかった。
体に印加したところ約２００ｍ５ｅｃで反射率は５０％
となった。レーザー光を停止してもう一度し−ザーバワ
ー０ 、５ ｍ Ｗで再生したが、反射率は変化してい
なかった。
〔実施例３〕
第５図に本発明の表示装置を示す。
ＰＥＴフィルム上にＩＴＯ透明電極をスパッタした基板
へ実施例１で用いた高分子液晶組成物を１２０℃に加熱
してロールコータ−によりコートした。さらに表面を５
μｍアミドイミドフィルムでコートして圧着し、両端を
接着してエンドレスフィルム゛１９とした。これを駆動
ローラー２ｏで回転しつつ、面状ヒーター２１で８０℃
に保ち、らせん構造を形成した。これへ半導体レーザー
２２から変調されたレーザー光を照射し、ポリゴンミラ
ー２３にて１方向に走査した。ｆ−θレンズ２４を通し
て、媒体１９上へ結像し記録を行ったところ、良好なコ
ントラストの画像が得られた。
へ実施例１で用いた高分子液晶組成物を１２０℃に加熱
してロールコータ−によりコートした。さらに表面を５
μｍアミドイミドフィルムでコートして圧着し、両端を
接着してエンドレスフィルム゛１９とした。これを駆動
ローラー２ｏで回転しつつ、面状ヒーター２１で８０℃
に保ち、らせん構造を形成した。これへ半導体レーザー
２２から変調されたレーザー光を照射し、ポリゴンミラ
ー２３にて１方向に走査した。ｆ−θレンズ２４を通し
て、媒体１９上へ結像し記録を行ったところ、良好なコ
ントラストの画像が得られた。
〔実施例４〕
第４図に発熱体ヘッドを用いた本発明の記録再生装置を
示す。
示す。
ガラス基板上ｌにＩＴＯ透明電極３０を形成したものへ
実施例１で用いた高分子化合物（Ｉ）、（ＩＩ）を２＝
１の割合に混合したものを約３０μｍ厚に塗布し１２０
’Ｃから徐冷した（４層）。その上に紫外線硬化型フッ
素系樹脂の保護層１８を２μｍの膜厚に塗布し、紫外線
照射して硬化した。この媒体に発熱体ヘッド６を接触し
、電流を印加してさらに下部電極３０と発熱体ヘッド６
間に２００Ｖのバイアス電圧を印加した。電流を切り冷
却することで非らせん構造部分を記録したところ、コン
トラスト２：１の表示が得られた。さらに２枚の偏光板
で挟持したものはコントラスト１０：１の表示が得られ
、室温で安定に保持できた。
実施例１で用いた高分子化合物（Ｉ）、（ＩＩ）を２＝
１の割合に混合したものを約３０μｍ厚に塗布し１２０
’Ｃから徐冷した（４層）。その上に紫外線硬化型フッ
素系樹脂の保護層１８を２μｍの膜厚に塗布し、紫外線
照射して硬化した。この媒体に発熱体ヘッド６を接触し
、電流を印加してさらに下部電極３０と発熱体ヘッド６
間に２００Ｖのバイアス電圧を印加した。電流を切り冷
却することで非らせん構造部分を記録したところ、コン
トラスト２：１の表示が得られた。さらに２枚の偏光板
で挟持したものはコントラスト１０：１の表示が得られ
、室温で安定に保持できた。
以上説明したように、カイラルスメクチックＣ相におい
て、らせん構想を有する高分子液晶層を光学変調層とし
て有する記録媒体を用いて、そのらせん構造、非らせん
構造を制御する記録方法を用いることによって、低コス
トで大面化、高精細。
て、らせん構想を有する高分子液晶層を光学変調層とし
て有する記録媒体を用いて、そのらせん構造、非らせん
構造を制御する記録方法を用いることによって、低コス
トで大面化、高精細。
高コントラスト化可能な、しかも記録・消去速度の大き
い記録再生装置が得られる。
い記録再生装置が得られる。
第１図は本発明の記録再生装置を示す
第２図はカイラルスメクチックＣ相でのらせん構造およ
び非らせん構造のモデル 第３図は本発明の記録媒体の例 第４図は本発明の記録媒体の他の例 第５図は本発明の表示装置、 １．１′・・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・
・・・・・・・・・・・・・・・透明電極３・・・・・
・・・・・・・・・・・・・配向膜４・・・・・・・・
・・・・・・・高分子液晶層５・・・・・・・・・・・
・・・反射層（電極）６・・・・・・・・・・・・・・
・・・熱ヘツド７・・・・・・・・・・・・・・・レー
ザー光源８・・・・・・・・・・・・・コリメータレン
ズ９・・・・・・・・・・・・・・・・・光変調器１０
・・・・・・・・・・・・・・変調信号発生器１１・・
・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ・１２・・・・
・・・・・・・・・・・・１／４波長板１３・・・・・
・・・・・・・・・・・集光レンズ１４・・・・・・・
・・・・・・・アクチュエータ１５・・・・・・・・・
・・・・・・・電圧変調器１６・・・・・・・・・・・
・・・・媒体駆動装置１７・・・・・・・・・・・・・
・・・・・検出器１８・・・・・・・・・・・・・・・
・・・保護膜１９・・・・・・・・・・・・・・・・・
表示媒体２０・・・・・・・・・・・・駆動／熱処理ロ
ーラ２１・・・・・・・・・・・・・・・面状ヒーター
２２・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
３・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラー２４
・・・・・・・・・・・・・・・・ｆ・θレンズ２５・
・・・・・・・・・・・・・・・・・透明電極２６・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・電極２７・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・照明２８・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・黒体２９・・・・・
・・・・・４・・・・・・・・内面ミラー３０・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・電極特許出願人
キャノン株式会社 嘔ヲロ 宥４−旧
び非らせん構造のモデル 第３図は本発明の記録媒体の例 第４図は本発明の記録媒体の他の例 第５図は本発明の表示装置、 １．１′・・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・
・・・・・・・・・・・・・・・透明電極３・・・・・
・・・・・・・・・・・・・配向膜４・・・・・・・・
・・・・・・・高分子液晶層５・・・・・・・・・・・
・・・反射層（電極）６・・・・・・・・・・・・・・
・・・熱ヘツド７・・・・・・・・・・・・・・・レー
ザー光源８・・・・・・・・・・・・・コリメータレン
ズ９・・・・・・・・・・・・・・・・・光変調器１０
・・・・・・・・・・・・・・変調信号発生器１１・・
・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ・１２・・・・
・・・・・・・・・・・・１／４波長板１３・・・・・
・・・・・・・・・・・集光レンズ１４・・・・・・・
・・・・・・・アクチュエータ１５・・・・・・・・・
・・・・・・・電圧変調器１６・・・・・・・・・・・
・・・・媒体駆動装置１７・・・・・・・・・・・・・
・・・・・検出器１８・・・・・・・・・・・・・・・
・・・保護膜１９・・・・・・・・・・・・・・・・・
表示媒体２０・・・・・・・・・・・・駆動／熱処理ロ
ーラ２１・・・・・・・・・・・・・・・面状ヒーター
２２・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
３・・・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラー２４
・・・・・・・・・・・・・・・・ｆ・θレンズ２５・
・・・・・・・・・・・・・・・・・透明電極２６・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・電極２７・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・照明２８・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・黒体２９・・・・・
・・・・・４・・・・・・・・内面ミラー３０・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・電極特許出願人
キャノン株式会社 嘔ヲロ 宥４−旧
Claims (6)
- （１）カイラルスメクチツクＣ相を有する高分子液晶層
を記録媒体に用い、該層のカイラルスメクチツクＣ相で
のらせん構造もしくは非らせん構造を記録状態として選
択することを特徴とする記録方法。 - （２）前記高分子液晶層が水平配向しているところの特
許請求の範囲第１項記載の記録方法。 - （３）前記層のカイラルスメクチツクＣ相でのらせん構
造もしくは非らせん構造を記録状態として選択すること
を前記高分子液晶のガラス転移点以上で行うところの特
許請求の範囲第１項記載の記録方法 - （４）前記記録状態を前記高分子液晶のガラス転移点以
下もしくはガラス転移点近傍において保持するところの
特許請求の範囲第１項記載の記録方法。 - （５）カイラルスメクチツクＣ相においてらせん構造を
有する高分子液晶を記録層として有することを特徴とす
る記録媒体。 - （６）カイラルスメクチツクＣ相におけるらせん構造を
消却する手段、温度制御によりカイラルスメクチツクＣ
相のらせん構造を制御する手段、入射光に対する反射光
量を読み取り、記録を再生する手段を有することを特徴
とする記録装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115774A JP2632920B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 記録方法、記録媒体及び記録装置 |
| US07/347,920 US5272552A (en) | 1988-05-11 | 1989-05-05 | Optical modulation device and method using modulation layer of helical polymer liquid crystal having a helical chiral smectic C phase |
| EP89108441A EP0349731B1 (en) | 1988-05-11 | 1989-05-10 | Optical modulation device using polymer liquid crystal |
| DE68926071T DE68926071T2 (de) | 1988-05-11 | 1989-05-10 | Einrichtung zur optischen Modulation mit Polymerflüssigkristall |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115774A JP2632920B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 記録方法、記録媒体及び記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01284828A true JPH01284828A (ja) | 1989-11-16 |
| JP2632920B2 JP2632920B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=14670725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63115774A Expired - Fee Related JP2632920B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 記録方法、記録媒体及び記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632920B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289929A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Canon Inc | 光記録法及びその装置 |
| JPS62112295A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Nec Corp | 光記録方式 |
| JPS62266521A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Canon Inc | デイスプレイパネル |
| JPS6372784A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 強誘電性高分子液晶 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63115774A patent/JP2632920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289929A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Canon Inc | 光記録法及びその装置 |
| JPS62112295A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Nec Corp | 光記録方式 |
| JPS62266521A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Canon Inc | デイスプレイパネル |
| JPS6372784A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 強誘電性高分子液晶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2632920B2 (ja) | 1997-07-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |