JPH0128554B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0128554B2 JPH0128554B2 JP18692980A JP18692980A JPH0128554B2 JP H0128554 B2 JPH0128554 B2 JP H0128554B2 JP 18692980 A JP18692980 A JP 18692980A JP 18692980 A JP18692980 A JP 18692980A JP H0128554 B2 JPH0128554 B2 JP H0128554B2
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- JP
- Japan
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- signal
- modulated
- input
- phase
- fet
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/18—Phase-modulated carrier systems, i.e. using phase-shift keying
- H04L27/20—Modulator circuits; Transmitter circuits
- H04L27/2032—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner
- H04L27/2035—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner using a single or unspecified number of carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯の反射形位相変調器に係
り特に簡易な構成で高速に動作するFETを用い
た反射形位相変調器に関する。
り特に簡易な構成で高速に動作するFETを用い
た反射形位相変調器に関する。
従来マイクロ波帯の反射形位相変調器としては
PINダイオードあるいはシヨツトキ・バリア・ダ
イオードなどの素子が用いられている。前者は被
変調パルス信号によりダイオードの順方向、逆方
向をスイツチングするため、順方向から逆方向に
スイツチングするときに、Ｉ層に蓄積された少数
キヤリアが高速変調器の動作を制限すると同時に
順方向に多量の電流を流すために変調パルス増幅
器として大電力を要するという欠点があり、後者
はマイクロ波帯の電力として大きな電力を変調す
ることができないという欠点がある。また両者と
もダイオードであるため、マイクロ波帯の入力信
号と被変調信号とを分離する回路を必要とする。
PINダイオードあるいはシヨツトキ・バリア・ダ
イオードなどの素子が用いられている。前者は被
変調パルス信号によりダイオードの順方向、逆方
向をスイツチングするため、順方向から逆方向に
スイツチングするときに、Ｉ層に蓄積された少数
キヤリアが高速変調器の動作を制限すると同時に
順方向に多量の電流を流すために変調パルス増幅
器として大電力を要するという欠点があり、後者
はマイクロ波帯の電力として大きな電力を変調す
ることができないという欠点がある。また両者と
もダイオードであるため、マイクロ波帯の入力信
号と被変調信号とを分離する回路を必要とする。
本発明はこのような従来技術の欠点を除去しよ
うとするもので、変調素子としてFETを用い変
調信号と被変調信号とをそれぞれアイソレートし
た構造で、かつ低電力でドライブ可能なマイクロ
波帯の反射形位相変調器の提供を目的とする。
うとするもので、変調素子としてFETを用い変
調信号と被変調信号とをそれぞれアイソレートし
た構造で、かつ低電力でドライブ可能なマイクロ
波帯の反射形位相変調器の提供を目的とする。
この目的を達成するため本発明のマイクロ波帯
の反射形位相変調器においては、入出力分離回路
の入出力端子以外の端子の終端にFETのドレイ
ン、ソースの一方を接続し、他方を接地しゲート
より被変調パルス信号を印加し該パルス信号で該
分離回路入力端子より加えられた高周波信号を位
相変調し出力端子より変調された高周波信号を取
り出すことを特徴としている。
の反射形位相変調器においては、入出力分離回路
の入出力端子以外の端子の終端にFETのドレイ
ン、ソースの一方を接続し、他方を接地しゲート
より被変調パルス信号を印加し該パルス信号で該
分離回路入力端子より加えられた高周波信号を位
相変調し出力端子より変調された高周波信号を取
り出すことを特徴としている。
すなわち本発明は、FETのドレイン、ソース
間に直流バイアス電圧を印加しない状態で、ドレ
イン、ソース間のインピーダンスがゲート印加電
圧により変化する特性を利用し、ゲートにパルス
信号（被変調信号）を印加し、マイクロ波帯の信
号を位相変調するものである。
間に直流バイアス電圧を印加しない状態で、ドレ
イン、ソース間のインピーダンスがゲート印加電
圧により変化する特性を利用し、ゲートにパルス
信号（被変調信号）を印加し、マイクロ波帯の信
号を位相変調するものである。
以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の原理を説明するための構成図
であり、伝送線路４の一端と接地導体間にFET
１のドレインＤとソースＳをそれぞれ接続し、ド
レイン、ソース間に直流バイアスを印加せずに、
かつゲートＧに逆バイアスとなるように直流電圧
２を印加している。又３はバイアス調整用の分圧
器である。今ゲート電圧Vgを変化し、ゲート電
圧Vgをパラメータとして、FETの反射係数をイ
ンピーダンスチヤート上にプロツトすると第２図
に示すような特性を示す。すなわちゲート電圧−
1.5〜1.6Vの間では反射波は最少となり、ゲート
電圧を増減させるとそれぞれ反射波の位相はほぼ
180゜の位相差を呈する。
であり、伝送線路４の一端と接地導体間にFET
１のドレインＤとソースＳをそれぞれ接続し、ド
レイン、ソース間に直流バイアスを印加せずに、
かつゲートＧに逆バイアスとなるように直流電圧
２を印加している。又３はバイアス調整用の分圧
器である。今ゲート電圧Vgを変化し、ゲート電
圧Vgをパラメータとして、FETの反射係数をイ
ンピーダンスチヤート上にプロツトすると第２図
に示すような特性を示す。すなわちゲート電圧−
1.5〜1.6Vの間では反射波は最少となり、ゲート
電圧を増減させるとそれぞれ反射波の位相はほぼ
180゜の位相差を呈する。
第３図は本発明による一実施例の構成図であり
２相の位相変調器の場合を示す。
２相の位相変調器の場合を示す。
図において、１はFET、２はゲートバイアス
用電源、３はバイアス調整用分圧器、１２はパル
ス増幅器、５は被変調パルス入力端子、６はゲー
トバイアスとパルス信号の重畳器、７はマイクロ
波阻止用チヨーク、８は入出力分離用のサーキユ
レータ、９は高周波信号入力端子、１０は高周波
変調信号出力端子、１１は変調位相の補正用整合
回路である。
用電源、３はバイアス調整用分圧器、１２はパル
ス増幅器、５は被変調パルス入力端子、６はゲー
トバイアスとパルス信号の重畳器、７はマイクロ
波阻止用チヨーク、８は入出力分離用のサーキユ
レータ、９は高周波信号入力端子、１０は高周波
変調信号出力端子、１１は変調位相の補正用整合
回路である。
高周波信号入力端子９より入力した高周波信号
はサーキユレータ８、整合回路１１を介して
FET１のドレインＤに入力する。一方被変調パ
ルス入力端子５より入力したパルス信号はパルス
増幅器１２、重畳器６を介してFET１のゲート
Ｇに加えられる。この場合パルス信号は重畳器６
にてバイアス変化を受けている。したがつて前述
の説明（第１図についての説明）の如くFET１
のドレインＤに入力した高周波信号はゲート信号
（パルス信号）により２相に移相され、サーキユ
レータ８の出力端子１０に２相に移相された変調
信号がとり出される。
はサーキユレータ８、整合回路１１を介して
FET１のドレインＤに入力する。一方被変調パ
ルス入力端子５より入力したパルス信号はパルス
増幅器１２、重畳器６を介してFET１のゲート
Ｇに加えられる。この場合パルス信号は重畳器６
にてバイアス変化を受けている。したがつて前述
の説明（第１図についての説明）の如くFET１
のドレインＤに入力した高周波信号はゲート信号
（パルス信号）により２相に移相され、サーキユ
レータ８の出力端子１０に２相に移相された変調
信号がとり出される。
又FET１のドレインＤとゲートＧは電気的に
絶縁されているため、従来例で述べた高周波信号
と被変調信号とを分離するための回路は不必要と
なる。
絶縁されているため、従来例で述べた高周波信号
と被変調信号とを分離するための回路は不必要と
なる。
第４図は第３図のサーキユレータ８の代わりに
ハイブリツト回路１３を用いた場合の構成図であ
り、端子９，１０はハイブリツド１３のアイソレ
ーシヨン特性を示す端子である。
ハイブリツト回路１３を用いた場合の構成図であ
り、端子９，１０はハイブリツド１３のアイソレ
ーシヨン特性を示す端子である。
第５図は本発明を４相位相変調器に実施した一
例である。１６は高周波信号を分岐し、変調器１
４および変調器１５に信号をそれぞれ同相で供給
する。変調された信号は１７のハイブリツドで
90゜の位相差で合成される。すなわち、合成され
た出力はCH1、CH2の入力パルスにより0゜、
90゜180゜、270゜の位相変調される信号となる。
例である。１６は高周波信号を分岐し、変調器１
４および変調器１５に信号をそれぞれ同相で供給
する。変調された信号は１７のハイブリツドで
90゜の位相差で合成される。すなわち、合成され
た出力はCH1、CH2の入力パルスにより0゜、
90゜180゜、270゜の位相変調される信号となる。
以上詳細に述べた如く本発明による位相変調器
はFETを用いるため少電力で動作すると共に高
周波信号と被変調信号の分離する回路も不必要と
なり、その利点は大きい。
はFETを用いるため少電力で動作すると共に高
周波信号と被変調信号の分離する回路も不必要と
なり、その利点は大きい。
なお、FETはドレインとソースは電気的に対
称性を持つているのでドレインとソースをそれぞ
れ入れ替えても同様に本発明の目的が達成され
る。
称性を持つているのでドレインとソースをそれぞ
れ入れ替えても同様に本発明の目的が達成され
る。
第１図は本発明の原理を説明するための構成
図、第２図は第１図の特性図、第３図は本発明の
一実施例、第４図、第５図は他の実施例を示す。 １……FET、８……入出力分離回路、９……
入力端子、１０……出力端子、Ｄ……ドレイン、
Ｓ……ソース、Ｇ……ゲート。
図、第２図は第１図の特性図、第３図は本発明の
一実施例、第４図、第５図は他の実施例を示す。 １……FET、８……入出力分離回路、９……
入力端子、１０……出力端子、Ｄ……ドレイン、
Ｓ……ソース、Ｇ……ゲート。
Claims (1)
- １ 入出力分離回路の入出力端子以外の端子の終
端にFETのドレインとソースの一方を接続し他
方を接地し、ゲートより被変調パルス信号を印加
し該パルス信号で該分離回路入力端子より加えら
れた高周波信号を位相変調し出力端子より変調さ
れた高周波信号を取り出すことを特徴とした反射
形位相変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18692980A JPS57111158A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Reflective phase modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18692980A JPS57111158A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Reflective phase modulator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57111158A JPS57111158A (en) | 1982-07-10 |
| JPH0128554B2 true JPH0128554B2 (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=16197178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18692980A Granted JPS57111158A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Reflective phase modulator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57111158A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2351423A (en) | 1999-06-25 | 2000-12-27 | Marconi Electronic Syst Ltd | Modulator circuit |
-
1980
- 1980-12-26 JP JP18692980A patent/JPS57111158A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57111158A (en) | 1982-07-10 |
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