JPH01285875A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
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- JPH01285875A JPH01285875A JP11581988A JP11581988A JPH01285875A JP H01285875 A JPH01285875 A JP H01285875A JP 11581988 A JP11581988 A JP 11581988A JP 11581988 A JP11581988 A JP 11581988A JP H01285875 A JPH01285875 A JP H01285875A
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- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の外部端子に電流を供給し、同時に
その+1部端子の電土を測定する時、その電圧を正確に
検査する方法に関するものである。
その+1部端子の電土を測定する時、その電圧を正確に
検査する方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置は日常さまざまな分野の製品に搭載さ
れており、市操からの品質、信頼性に一ついての要望に
は厳しいものがある。さらに半導体装置の多様化は進み
、モーターI・ライブ、オーデイ十パソーアンプ、レキ
ュレーターなど電力消OO 費の大きな半導体装置の数も増えている。しかしながら
、それらに伴なう大電流印加電圧測定の検査は、半導体
装置の外部端子とそれを検査する検査端子の接点におけ
る接触抵抗の影響を大きく受ける、このため測定値には
、大きな測定誤差が含まれ、検査規格によって、半導体
装置の品質低重、もしくは工程歩留の低下と、どちらか
を犠牲にしていた。
れており、市操からの品質、信頼性に一ついての要望に
は厳しいものがある。さらに半導体装置の多様化は進み
、モーターI・ライブ、オーデイ十パソーアンプ、レキ
ュレーターなど電力消OO 費の大きな半導体装置の数も増えている。しかしながら
、それらに伴なう大電流印加電圧測定の検査は、半導体
装置の外部端子とそれを検査する検査端子の接点におけ
る接触抵抗の影響を大きく受ける、このため測定値には
、大きな測定誤差が含まれ、検査規格によって、半導体
装置の品質低重、もしくは工程歩留の低下と、どちらか
を犠牲にしていた。
以下に、従来の半導体装置の電流供給電圧検査方法につ
いて説明する。第2図は従来の電流供給電圧測定検査方
法を説明するための等価回路図であり、21は半導体装
置、22は半導体装置21の外部端子、24は外部端子
22に接触させ検査するだめの検査端子、25は電流源
、26は電1丁計、23は外部端子と検査端子とを接触
させた時に発生ずる接触抵抗、27は接地である、第5
図は半導体装置を組み立てる前の(に来検査方法例を示
す実態的構造を図であり、51は組め立てる前の半導体
装置装置、52は半導体装置51内に設けられた外部端
子、53は外部端子を検査Jるた−r)−− めのプローブ(検査端子)、55は電圧計、55は電圧
計、56は電流源、57は接地である。第6図は半導体
装置を組み立てた後の従来検査方法例を示す実態的構造
図であり、61は組み立てた後の半導体装置、62は半
導体装置61の外部端子、63は外部端子を検査するた
めの検査端子(ハンドラー)、64は従来の接触抵抗を
少なくるためのダブルハンドラー、65は電圧計、66
は電流源、67は接地である。
いて説明する。第2図は従来の電流供給電圧測定検査方
法を説明するための等価回路図であり、21は半導体装
置、22は半導体装置21の外部端子、24は外部端子
22に接触させ検査するだめの検査端子、25は電流源
、26は電1丁計、23は外部端子と検査端子とを接触
させた時に発生ずる接触抵抗、27は接地である、第5
図は半導体装置を組み立てる前の(に来検査方法例を示
す実態的構造を図であり、51は組め立てる前の半導体
装置装置、52は半導体装置51内に設けられた外部端
子、53は外部端子を検査Jるた−r)−− めのプローブ(検査端子)、55は電圧計、55は電圧
計、56は電流源、57は接地である。第6図は半導体
装置を組み立てた後の従来検査方法例を示す実態的構造
図であり、61は組み立てた後の半導体装置、62は半
導体装置61の外部端子、63は外部端子を検査するた
めの検査端子(ハンドラー)、64は従来の接触抵抗を
少なくるためのダブルハンドラー、65は電圧計、66
は電流源、67は接地である。
まず、半導体装置の各外部端子に検査端子を機械的に接
触させる。この時、各外部端子と検査端子との間には接
触抵抗が発生ずる。次に検査したい外部端子22に接し
た検査端子24へ電流25と電圧計26を電気的に接続
する。また、半導体装置の接地となる外部端子には接地
27を接続する。次に電流源25から半導体装置の検査
したい外部端子22へ接触抵抗23を介して一定の電流
を供給する。この時の検査端子24の電圧を電圧計26
で測定する。
触させる。この時、各外部端子と検査端子との間には接
触抵抗が発生ずる。次に検査したい外部端子22に接し
た検査端子24へ電流25と電圧計26を電気的に接続
する。また、半導体装置の接地となる外部端子には接地
27を接続する。次に電流源25から半導体装置の検査
したい外部端子22へ接触抵抗23を介して一定の電流
を供給する。この時の検査端子24の電圧を電圧計26
で測定する。
発明が解決しようとする課題
しかし7ながら上記の方法では、(電圧計の示す電圧)
−(検査天使24の電圧)となり、検査端子24の電圧
は、半導体回路の91部端子の電圧よりも(転量源にり
供給した電流)×(接触抵抗2:3)の電位差分、誤差
が牛し、ろことになる、接触抵抗は微小な値であり、接
触の状態によって大きさは変わる。例えば接触抵抗を1
Ω、電流源より100mAの電流を供給したとすると、
オーノー、の法則により、100mVの電位差を生じろ
ことになる。
−(検査天使24の電圧)となり、検査端子24の電圧
は、半導体回路の91部端子の電圧よりも(転量源にり
供給した電流)×(接触抵抗2:3)の電位差分、誤差
が牛し、ろことになる、接触抵抗は微小な値であり、接
触の状態によって大きさは変わる。例えば接触抵抗を1
Ω、電流源より100mAの電流を供給したとすると、
オーノー、の法則により、100mVの電位差を生じろ
ことになる。
このため、測定した半導体装置の電圧値は正確なもので
なくなり、検査規格の設定により、工程歩留の低下もし
くは半導体装置の品質を低下させるという問題点を、従
来の方法は有していた。また、従来の検査方法のうち、
第6図のように、組み立て後の半導体装置の検査でハン
ドラーに・1ントラー64を追加し接触面接を2倍に増
加させるという方法でも、完全な対策とはなっていなか
った。
なくなり、検査規格の設定により、工程歩留の低下もし
くは半導体装置の品質を低下させるという問題点を、従
来の方法は有していた。また、従来の検査方法のうち、
第6図のように、組み立て後の半導体装置の検査でハン
ドラーに・1ントラー64を追加し接触面接を2倍に増
加させるという方法でも、完全な対策とはなっていなか
った。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、電圧計で
の測定値への接触抵抗の影響を撲滅することを目的とす
る。
の測定値への接触抵抗の影響を撲滅することを目的とす
る。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の電流供給電圧測定
方法は、電流源と電圧計にそれぞれ個別の検査端子を使
用する構成を有している。
方法は、電流源と電圧計にそれぞれ個別の検査端子を使
用する構成を有している。
作用
この構成によって、電圧計での測定値への接触抵抗によ
る影響は、はとんど無視することができる。
る影響は、はとんど無視することができる。
実施例
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図は本発明の実施例における、電流源と電圧計に個
別の検査端子を使用した電流供給圧測定方法を説明する
ための等価回路図である。11は半導体装置、12は半
導体装置11の外部装置11の外部端子、16は電流源
、17は電圧計、14は外部端子12に接触させる電流
源16を接続するための検査端子、15は外部端子12
に接触さぜる電圧計17を接続するための検査端子、=
5− 13は該プログラム外部端子と検査端子と検査端子接触
させた時に発生する接触抵抗である。第3図は本発明に
よる半導体装置を組み立てる前の検査方法例を示す実態
的構造図であり、31は組み立てる前の半導体装置、3
2は半導体装置31内に設けらたれた外部端子、35は
電圧計、36は電流源、33は電圧計35を接続し電圧
測定を目的としたプC1−ブ、34は電流源36を接続
し電流供給を目的としたプローブ、37は接地である。
別の検査端子を使用した電流供給圧測定方法を説明する
ための等価回路図である。11は半導体装置、12は半
導体装置11の外部装置11の外部端子、16は電流源
、17は電圧計、14は外部端子12に接触させる電流
源16を接続するための検査端子、15は外部端子12
に接触さぜる電圧計17を接続するための検査端子、=
5− 13は該プログラム外部端子と検査端子と検査端子接触
させた時に発生する接触抵抗である。第3図は本発明に
よる半導体装置を組み立てる前の検査方法例を示す実態
的構造図であり、31は組み立てる前の半導体装置、3
2は半導体装置31内に設けらたれた外部端子、35は
電圧計、36は電流源、33は電圧計35を接続し電圧
測定を目的としたプC1−ブ、34は電流源36を接続
し電流供給を目的としたプローブ、37は接地である。
第4図は本発明による半導体装置を組み立てた後の検査
方法例を示す実態的構造図であり、41は組み立て後の
半導体装置、42は半導体装置41の外部端子、45は
電圧計、4Gは電流源、電流源43は電圧計45を接続
し電圧測定を目的としたハンドラー、44は電流源46
を接続し電流供給を目的としたハンドラー、47は接地
である。
方法例を示す実態的構造図であり、41は組み立て後の
半導体装置、42は半導体装置41の外部端子、45は
電圧計、4Gは電流源、電流源43は電圧計45を接続
し電圧測定を目的としたハンドラー、44は電流源46
を接続し電流供給を目的としたハンドラー、47は接地
である。
本実施例について、第1図の等価回路図を用いて、その
動作を説明する。
動作を説明する。
まず、半導体装置を検査するため、半導体装置の各外部
端子検査端子を機械的に接触させる。この時に、検査を
行う外部端子12には、電流印加用の検査端子14と電
圧測定用の検査端子15を個別に接触させる。、この時
、各外部端子と検査端rの間には接触抵抗か発生する。
端子検査端子を機械的に接触させる。この時に、検査を
行う外部端子12には、電流印加用の検査端子14と電
圧測定用の検査端子15を個別に接触させる。、この時
、各外部端子と検査端rの間には接触抵抗か発生する。
電流印加用検査端114には電流16、電圧測定用端子
15には電圧3117を電気的にそれぞれ接続する。ま
た、甲導体装置の接地となる外部端子には接地18を接
続する5次に電流源16から半導体装置の検査したい9
1部端端子2・\接触抵抗13を介して一定の電流を供
給する。この時の検査するべき外部端子12電IF、は
、接触抵抗19を介して電圧計17で測定する1゜ 以十のよ・うに本実施例によれば、電流印加用の検査端
子14の電圧は外部端子12の電圧よりも、く電流源1
6より供給し7た電流)\(接触抵抗13)だけ電位差
を生じる。しかし、電圧測定用の検査端子15および接
触端子抵抗19に流れる電流は、はとんど零であるため
に、外部端子12と電圧測定用の検査端子15の電位差
は零となる。よって、電圧計17測定される電圧は、外
部端子12の電圧上等しいことになる。
15には電圧3117を電気的にそれぞれ接続する。ま
た、甲導体装置の接地となる外部端子には接地18を接
続する5次に電流源16から半導体装置の検査したい9
1部端端子2・\接触抵抗13を介して一定の電流を供
給する。この時の検査するべき外部端子12電IF、は
、接触抵抗19を介して電圧計17で測定する1゜ 以十のよ・うに本実施例によれば、電流印加用の検査端
子14の電圧は外部端子12の電圧よりも、く電流源1
6より供給し7た電流)\(接触抵抗13)だけ電位差
を生じる。しかし、電圧測定用の検査端子15および接
触端子抵抗19に流れる電流は、はとんど零であるため
に、外部端子12と電圧測定用の検査端子15の電位差
は零となる。よって、電圧計17測定される電圧は、外
部端子12の電圧上等しいことになる。
なお、第1図の等価回路図では検査端子としているが第
3図ではプローブ、第4図ではハンドラーがそれぞれと
なる。また、電流源や電圧計は、半導体装置のテスータ
では、おもに電流供給電圧測定電源を使用する。
3図ではプローブ、第4図ではハンドラーがそれぞれと
なる。また、電流源や電圧計は、半導体装置のテスータ
では、おもに電流供給電圧測定電源を使用する。
発明の効果
本発明によれば、半導体装置における単一の外部端子に
、複数の検査端子および電流供給電圧測定電源を使用す
ることにより、外部端子の電圧を極めて正確に測定すめ
ことが可能となり、工程歩留低下の防止、品質の向」−
に効果を得ることができる。
、複数の検査端子および電流供給電圧測定電源を使用す
ることにより、外部端子の電圧を極めて正確に測定すめ
ことが可能となり、工程歩留低下の防止、品質の向」−
に効果を得ることができる。
第1図は本発明実施例の電流供給電圧測定検査方法を説
明するため等価回路図、第2図は従来の電流供給電圧側
検査方法を説明するための等価回路図、第3図は本発明
の実施例における組み立て前の半導体装置での電流供給
電圧測定検査を説明するための実態的構造図、第4図は
本発明の実施例における組み立て後の半導体装置での電
流供給電圧測定検査方法を説明するための実態的構造図
、第5図は従来の組み立て前の半導体装置での電流供給
電圧測定検査方法を説明するための実態的構造図、第6
図は従来の組み立て後の半導体装置での電流供給電圧測
定検査方法を説明するための実態的構造図である。 11・・・・・・半導体装置、]−2・・・・・・外部
端子、13・・・・・・接触抵抗、14・・・・・・電
流供給用検査端子、15・・・・・・電工測定用検査端
子、16・・・・・・電流源、17・・・・・・電圧源
、18・・・・・・接地。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名(−1トゝ 「 N 舜 輩 舛 :+)塀ら ・褒過嗜所塩駅 ・@薯梱僕司 1 ・ 区 L−−−−ユ
明するため等価回路図、第2図は従来の電流供給電圧側
検査方法を説明するための等価回路図、第3図は本発明
の実施例における組み立て前の半導体装置での電流供給
電圧測定検査を説明するための実態的構造図、第4図は
本発明の実施例における組み立て後の半導体装置での電
流供給電圧測定検査方法を説明するための実態的構造図
、第5図は従来の組み立て前の半導体装置での電流供給
電圧測定検査方法を説明するための実態的構造図、第6
図は従来の組み立て後の半導体装置での電流供給電圧測
定検査方法を説明するための実態的構造図である。 11・・・・・・半導体装置、]−2・・・・・・外部
端子、13・・・・・・接触抵抗、14・・・・・・電
流供給用検査端子、15・・・・・・電工測定用検査端
子、16・・・・・・電流源、17・・・・・・電圧源
、18・・・・・・接地。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名(−1トゝ 「 N 舜 輩 舛 :+)塀ら ・褒過嗜所塩駅 ・@薯梱僕司 1 ・ 区 L−−−−ユ
Claims (1)
- 半導体装置の単一の外部端子に複数の検査端子を接触
して、それぞれを電流供給および電圧測定に使用するこ
とを特徴とする半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11581988A JPH01285875A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11581988A JPH01285875A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01285875A true JPH01285875A (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=14671889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11581988A Pending JPH01285875A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01285875A (ja) |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP11581988A patent/JPH01285875A/ja active Pending
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