JPH01286291A - ランプ駆動回路 - Google Patents
ランプ駆動回路Info
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- JPH01286291A JPH01286291A JP63113508A JP11350888A JPH01286291A JP H01286291 A JPH01286291 A JP H01286291A JP 63113508 A JP63113508 A JP 63113508A JP 11350888 A JP11350888 A JP 11350888A JP H01286291 A JPH01286291 A JP H01286291A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、ソフトスタート機能を有する例えば車載用
等のランプ駆動回路に関するものである。
等のランプ駆動回路に関するものである。
（従来の技術）
ソフトスタート機能を有する従来のランプ駆動回路とし
ては、例えば第９図に示すようなものがある。同図中、
１は車載用等の電源であり、この電源１が電流制御用の
ＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ ２を介してランプ３に接続され、
ランプ３の他端は接地されている。
ては、例えば第９図に示すようなものがある。同図中、
１は車載用等の電源であり、この電源１が電流制御用の
ＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ ２を介してランプ３に接続され、
ランプ３の他端は接地されている。
ランプ３は、点灯初期には冷えているので、そのフィラ
メント抵抗は、点灯時の数分の１となっている。そして
、点灯後は、フィラメント抵抗の増加によりＭＯＳＦＥ
Ｔ２のソース電位が上昇する。したがって、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２を適切に駆動するためには、ゲート電圧として高電
圧が必要とされ、この高電圧として通常、車載用電源の
電源電圧Ｖｏｏを昇圧したものが用いられている。この
ため、ランプ駆動回路には、まず昇圧回路４が備えられ
ている。
メント抵抗は、点灯時の数分の１となっている。そして
、点灯後は、フィラメント抵抗の増加によりＭＯＳＦＥ
Ｔ２のソース電位が上昇する。したがって、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２を適切に駆動するためには、ゲート電圧として高電
圧が必要とされ、この高電圧として通常、車載用電源の
電源電圧Ｖｏｏを昇圧したものが用いられている。この
ため、ランプ駆動回路には、まず昇圧回路４が備えられ
ている。
一方、点灯初期からＭＯＳＦＥＴ２のゲート電極に高電
圧が印加されると、ゲート・ソース間電圧Ｖｏｓが大に
なって、通常点灯時の数１０倍のラッシュカレントが流
れ、ＭＯＳＦＥＴ２は、その内部温度が上背して熱的破
壊が誘発されるおそれがある。このため、駆動回路には
、ＭＯＳＦＥＴ２に流れる電流を検出するため、これに
、ミラーＭＯＳＦＥＴ２２及びシャント抵抗２３の回路
が並列に接続されている。そしてＭＯＳＦＥＴ２に流れ
る電流をそのシャント抵抗２３による電圧降下として゛
４流検出回路２４で検出し、その検出信号を制御回路２
５にフィードバックして昇圧回路４を制御し、ＭＯＳＦ
ＥＴ２のゲート電極に印加する電圧を低電圧から徐々に
上昇させてＭＯＳＦＥＴ２に流れる電流を制御するよう
にしている。
圧が印加されると、ゲート・ソース間電圧Ｖｏｓが大に
なって、通常点灯時の数１０倍のラッシュカレントが流
れ、ＭＯＳＦＥＴ２は、その内部温度が上背して熱的破
壊が誘発されるおそれがある。このため、駆動回路には
、ＭＯＳＦＥＴ２に流れる電流を検出するため、これに
、ミラーＭＯＳＦＥＴ２２及びシャント抵抗２３の回路
が並列に接続されている。そしてＭＯＳＦＥＴ２に流れ
る電流をそのシャント抵抗２３による電圧降下として゛
４流検出回路２４で検出し、その検出信号を制御回路２
５にフィードバックして昇圧回路４を制御し、ＭＯＳＦ
ＥＴ２のゲート電極に印加する電圧を低電圧から徐々に
上昇させてＭＯＳＦＥＴ２に流れる電流を制御するよう
にしている。
ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間電圧をＶｏｓ、ミ
ラーＭＯＳＦＥＴ２２の内部抵抗をＲＭ、シャント抵抗
２３の抵抗値をＲとすると、ミラーＭＯ３ＦＥＴ２２に
流れる電流ＩＭは次式％式％ そして、このミラーＭＯＳＦＥＴ２２に流れる電流ＩＭ
は、ＭＯＳＦＥＴ２に流れる電流１ｏに対し、 １Ｍ＝ＩＤ／１００〜ｔｏ／１０００ ・・・〈２）
となるように設定されている。
ラーＭＯＳＦＥＴ２２の内部抵抗をＲＭ、シャント抵抗
２３の抵抗値をＲとすると、ミラーＭＯ３ＦＥＴ２２に
流れる電流ＩＭは次式％式％ そして、このミラーＭＯＳＦＥＴ２２に流れる電流ＩＭ
は、ＭＯＳＦＥＴ２に流れる電流１ｏに対し、 １Ｍ＝ＩＤ／１００〜ｔｏ／１０００ ・・・〈２）
となるように設定されている。
（発明が解決しようとりる課題）
従来のランプ駆動回路においてシャント抵抗２３による
電圧降下ＩＭ−Ｒを大ぎくしでＳ／Ｎ比を上げるために
は、シャント抵抗２３の値を大きく覆る必要があるが、
シャント抵抗２３の値を大きくすると、ミラーＭＯＳＦ
ＥＴ２２に流れる電流ＩＭが変化してＭＯＳＦＥＴ２に
流れる電流ＩＤを正確に検出することができず、ランプ
３に流れる電流を正確に制御することができないという
問題があった。
電圧降下ＩＭ−Ｒを大ぎくしでＳ／Ｎ比を上げるために
は、シャント抵抗２３の値を大きく覆る必要があるが、
シャント抵抗２３の値を大きくすると、ミラーＭＯＳＦ
ＥＴ２２に流れる電流ＩＭが変化してＭＯＳＦＥＴ２に
流れる電流ＩＤを正確に検出することができず、ランプ
３に流れる電流を正確に制御することができないという
問題があった。
この発明は上記事情に基づいてなされたもので、シャン
ト抵抗を不要としてランプに流れる電流を正確に制御す
ることのできるランプ駆動回路を提供することを目的と
する。
ト抵抗を不要としてランプに流れる電流を正確に制御す
ることのできるランプ駆動回路を提供することを目的と
する。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明は上記課題を解決するために、被駆動ランプと
電源との間に接続した電流制御用のＭＯＳＦＥＴと、該
ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を昇圧する昇圧回路
と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を当該ＭＯ
ＳＦＥＴのソース電位に基づいて制御する電圧制御手段
と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を前記電圧
制御手段の出力と前記昇圧回路の出力とに切換える切換
手段とを有することを要旨とする。
電源との間に接続した電流制御用のＭＯＳＦＥＴと、該
ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を昇圧する昇圧回路
と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を当該ＭＯ
ＳＦＥＴのソース電位に基づいて制御する電圧制御手段
と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を前記電圧
制御手段の出力と前記昇圧回路の出力とに切換える切換
手段とを有することを要旨とする。
（作用）
上記構成において、ランプの点灯初期には、電圧制御手
段からの出力電圧がゲート電圧としてＭＯＳＦＥＴのゲ
ートに加えられ、ゲート電圧がフィラメント抵抗の変化
によるソース電位の変化に応じて徐々に上界するように
制御される。この結果、ランプがソフトスタートで点灯
されてＭＯＳＦＥＴの熱的破壊が防止される。ランプの
点灯後、そのフィラメント抵抗が定常状態に達し、ソー
ス電位が上昇すると、ＭＯＳＦＥＴのゲートには、切換
手段の作用により、昇圧回路からの所定の昇圧電圧がゲ
ート電圧として加えられる。従って、ランプには、定常
状態に達した後も、一定の電流が流れるように制御され
て点灯状態が適切に維持される。
段からの出力電圧がゲート電圧としてＭＯＳＦＥＴのゲ
ートに加えられ、ゲート電圧がフィラメント抵抗の変化
によるソース電位の変化に応じて徐々に上界するように
制御される。この結果、ランプがソフトスタートで点灯
されてＭＯＳＦＥＴの熱的破壊が防止される。ランプの
点灯後、そのフィラメント抵抗が定常状態に達し、ソー
ス電位が上昇すると、ＭＯＳＦＥＴのゲートには、切換
手段の作用により、昇圧回路からの所定の昇圧電圧がゲ
ート電圧として加えられる。従って、ランプには、定常
状態に達した後も、一定の電流が流れるように制御され
て点灯状態が適切に維持される。
而して、この発明のランプ駆動回路は、シャント抵抗を
不要として、点灯初期から定常状態に至った後も、ラン
プに流れる電流が正確に制御される。
不要として、点灯初期から定常状態に至った後も、ラン
プに流れる電流が正確に制御される。
（実施例）
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図ないし第３図は、この発明の第１実施例を示す図
である。
である。
なお、第１図及び後述の各実施例を示す図において、前
記第９図における機器及び素子等と同一ないし均等のも
のは、前記と同一符号を以って示し、重複した説明を省
略する。
記第９図における機器及び素子等と同一ないし均等のも
のは、前記と同一符号を以って示し、重複した説明を省
略する。
まず、第１図を用いてランプ駆動回路の構成を説明する
と、オペアンプ６及び抵抗Ｒ１〜Ｒ４からなる非反転ア
ンプによりＭＯＳＦＥＴ２のソ−スミ位を検出するソー
ス電位検出回路５が構成されている。また、他のオペア
ンプ８及び抵抗Ｒ５〜Ｒ８からなる非反転加算回路によ
りゲート電圧制御回路７が構成されている。９は、ある
一定電圧Ｖｘの加ｑ端子である。そして、上記のソース
電位検出回路５及びゲート電圧制御回路７の両回路によ
り、ＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加える電圧を、そのソー
ス電位に基づいて制御する電圧制御手段が構成されてい
る。
と、オペアンプ６及び抵抗Ｒ１〜Ｒ４からなる非反転ア
ンプによりＭＯＳＦＥＴ２のソ−スミ位を検出するソー
ス電位検出回路５が構成されている。また、他のオペア
ンプ８及び抵抗Ｒ５〜Ｒ８からなる非反転加算回路によ
りゲート電圧制御回路７が構成されている。９は、ある
一定電圧Ｖｘの加ｑ端子である。そして、上記のソース
電位検出回路５及びゲート電圧制御回路７の両回路によ
り、ＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加える電圧を、そのソー
ス電位に基づいて制御する電圧制御手段が構成されてい
る。
１１は電圧制御手段の出力スイッチ、１２は切換手段と
しての切換スイッチである。
しての切換スイッチである。
次に、上述のように構成されたランプ駆動回路の作用を
、第２図及び第３図を用いて説明する。
、第２図及び第３図を用いて説明する。
ＭＯＳＦＥＴは、第２図に示すような電圧−電流特性を
有し、飽和領域にあるときは、ドレイン電流ＩＤは、ド
レイン・ソース間電圧Ｖｏｓには殆んど影響されず、ゲ
ートソース間電圧ＶＧＳの値によって決まる。従って、
ランプ３の点灯初期に、ソース電位ＶＳが変化しても、
これに応じてＶＧＳを一定に制御することにより、ドレ
イン電流ｉｏを一定の値に保持することができて、ラン
プ３をソフトスタートで点灯させることができる。
有し、飽和領域にあるときは、ドレイン電流ＩＤは、ド
レイン・ソース間電圧Ｖｏｓには殆んど影響されず、ゲ
ートソース間電圧ＶＧＳの値によって決まる。従って、
ランプ３の点灯初期に、ソース電位ＶＳが変化しても、
これに応じてＶＧＳを一定に制御することにより、ドレ
イン電流ｉｏを一定の値に保持することができて、ラン
プ３をソフトスタートで点灯させることができる。
これを、この実施例では、以下に述べるように、電圧制
御手段で達成させている。
御手段で達成させている。
いま、切換スイッチ１２を接点ａ側に切換え、出力スイ
ッチ１１をオンにしてランプ駆動回路に電源電圧ｖＤＤ
が投じられると、点灯初期には、ランプ３のフィラメン
ト抵抗は小さいので、第３図に示すように、ソース電位
ＶＳは低くなり、フィラメント抵抗の増加にしたがって
ソース電位ＶＳは上昇してくる。
ッチ１１をオンにしてランプ駆動回路に電源電圧ｖＤＤ
が投じられると、点灯初期には、ランプ３のフィラメン
ト抵抗は小さいので、第３図に示すように、ソース電位
ＶＳは低くなり、フィラメント抵抗の増加にしたがって
ソース電位ＶＳは上昇してくる。
このソース電位Ｖｓの変化は、ソース電位検出回路５に
入力され、その入力値に比例した出力がゲート電圧制御
回路７に入力する。ゲート電圧制御回路７は、加算回路
になっているので、この入力とＶｘの和に比例した電圧
が出力されてＭＯ８Ｆ Ｅ Ｔ、２のゲートに印加され
る。従って、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間には、
点灯初期においてソース電位ＶＳが変化しても、一定の
ゲート・ソース間電圧 ＶＧＳ＝に−Ｖｘ （一定） が加えられて、ドレイン電流ＩＤが一定の値に制御され
、ランプ３がソフトスタートで点灯される。
入力され、その入力値に比例した出力がゲート電圧制御
回路７に入力する。ゲート電圧制御回路７は、加算回路
になっているので、この入力とＶｘの和に比例した電圧
が出力されてＭＯ８Ｆ Ｅ Ｔ、２のゲートに印加され
る。従って、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間には、
点灯初期においてソース電位ＶＳが変化しても、一定の
ゲート・ソース間電圧 ＶＧＳ＝に−Ｖｘ （一定） が加えられて、ドレイン電流ＩＤが一定の値に制御され
、ランプ３がソフトスタートで点灯される。
ランプ３の点灯後、そのフィラメント抵抗が定常状態に
達してソース電位Ｖｓが、略一定の値まで上昇すると、
切換スイッチ１２が接点すに切換えられ、ＭＯＳＦＥＴ
２のゲートには、昇圧回路４からの所定の昇圧電圧がゲ
ート電圧として加えられる。従って、ランプには、定常
状態に達した後も、一定の電流■Ｄが流れるように制御
されて点灯状態が適切に維持される。
達してソース電位Ｖｓが、略一定の値まで上昇すると、
切換スイッチ１２が接点すに切換えられ、ＭＯＳＦＥＴ
２のゲートには、昇圧回路４からの所定の昇圧電圧がゲ
ート電圧として加えられる。従って、ランプには、定常
状態に達した後も、一定の電流■Ｄが流れるように制御
されて点灯状態が適切に維持される。
次いで、第４図には、この発明の第２実施例を示す。
この実施例は、ＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間電圧
Ｖｏｓを直接検出し、点灯初期には、ソース電位ＶＳの
変化に応じて、このゲート・ソース間電圧ＶＧＳを一定
の値に制御するようにしたものである。
Ｖｏｓを直接検出し、点灯初期には、ソース電位ＶＳの
変化に応じて、このゲート・ソース間電圧ＶＧＳを一定
の値に制御するようにしたものである。
第４図中、５１は、前記第１図におけるものとほぼ同様
の非反転アンプで構成されたゲート・ソース間電圧検出
回路、１３は、オペアンプ１４及び抵抗Ｒ９〜Ｒ１１か
らなる減算回路で構成されたゲート電圧制御回路であり
、１５は、被減算電圧ＶＴの入力端子である。そして、
上記のゲート・ソース間電圧検出回路５１及びゲート電
圧制御回路１３の両回路により、ＭＯＳＦＥＴ２のゲー
トに加える電圧を、そのソース電位に基づいて制御する
電圧制御手段が構成されている。
の非反転アンプで構成されたゲート・ソース間電圧検出
回路、１３は、オペアンプ１４及び抵抗Ｒ９〜Ｒ１１か
らなる減算回路で構成されたゲート電圧制御回路であり
、１５は、被減算電圧ＶＴの入力端子である。そして、
上記のゲート・ソース間電圧検出回路５１及びゲート電
圧制御回路１３の両回路により、ＭＯＳＦＥＴ２のゲー
トに加える電圧を、そのソース電位に基づいて制御する
電圧制御手段が構成されている。
この実施例のランプ駆動回路は、上述のように構成され
ているので、点灯初期において、切換スイッチ１２を接
点ａ側に切換え、出力スイッチ１１をオンにしてランプ
駆動回路に電源電圧ＶＤＤが投じられると、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２のゲート・ソース間電圧ＶＧＳがゲート・ソース間
電圧検出回路５１に入力され、その入力値に比例した出
力がゲート電圧制御回路１３に入力する。ゲート電圧制
御回路１３は、減算回路になっているので、端子１５に
加えられた電圧Ｖ工と上記の入力との差分の電圧が出力
されてＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加えられる。従って、
ＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間には、点灯初期にお
いてソース電位Ｖｓが変化しても、はぼ一定のゲート・
ソース間電圧 ＶＧ Ｓ ＝ｖｖ ７２ が加えられて、ドレイン電’ｔＱ Ｉ Ｄが一定の値に
制御され、ランプ３がソフトスタートで点灯される。
ているので、点灯初期において、切換スイッチ１２を接
点ａ側に切換え、出力スイッチ１１をオンにしてランプ
駆動回路に電源電圧ＶＤＤが投じられると、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２のゲート・ソース間電圧ＶＧＳがゲート・ソース間
電圧検出回路５１に入力され、その入力値に比例した出
力がゲート電圧制御回路１３に入力する。ゲート電圧制
御回路１３は、減算回路になっているので、端子１５に
加えられた電圧Ｖ工と上記の入力との差分の電圧が出力
されてＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加えられる。従って、
ＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間には、点灯初期にお
いてソース電位Ｖｓが変化しても、はぼ一定のゲート・
ソース間電圧 ＶＧ Ｓ ＝ｖｖ ７２ が加えられて、ドレイン電’ｔＱ Ｉ Ｄが一定の値に
制御され、ランプ３がソフトスタートで点灯される。
ランプ３の点灯後、そのフィラメント抵抗が定常状態に
達してソース電位Ｖｓが、略一定の値まで上昇すると、
前記第１実施例の場合と同様に、切換スイッチ１２が接
点す側に切換えられる。
達してソース電位Ｖｓが、略一定の値まで上昇すると、
前記第１実施例の場合と同様に、切換スイッチ１２が接
点す側に切換えられる。
第５図ないし第７図には、この発明の第３実施例を示す
。
。
この実施例は、ＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加える電圧を
、そのソース電位に基づいて制御する電圧制御手段とし
てツェナーダイオード１６が使用され、また、ＭＯＳＦ
ＥＴ２のゲートに加える電圧を上記のツェナーダイオー
ド１６で設定された電圧から昇圧回路４の出力電圧に切
換える切換手段としてタイマー１７及びＭＯＳＦＥＴか
らなるスイッチ素子１８が用いられている。１９は駆動
信号の入力端子、Ｒ＋２は昇圧回路４の出力線路に接続
された抵抗である。
、そのソース電位に基づいて制御する電圧制御手段とし
てツェナーダイオード１６が使用され、また、ＭＯＳＦ
ＥＴ２のゲートに加える電圧を上記のツェナーダイオー
ド１６で設定された電圧から昇圧回路４の出力電圧に切
換える切換手段としてタイマー１７及びＭＯＳＦＥＴか
らなるスイッチ素子１８が用いられている。１９は駆動
信号の入力端子、Ｒ＋２は昇圧回路４の出力線路に接続
された抵抗である。
次に、上述のように構成されたランプ駆動回路の作用を
第６図及び第７図を用いて説明する。
第６図及び第７図を用いて説明する。
ランプ駆動回路に電源電圧Ｖｏｏが加えられ、入力端子
１９に駆動信号が送られると、昇圧回路４及びタイマー
１７が始動する。そして、タイマー１７は、昇圧回路４
の出力電圧を電源として受けているので、タイマー１７
の出力電圧は、ＭＯＳＦＥＴ２に加えられるゲート電圧
と同じとなり、第６図に示すように、点灯初期（プリヒ
ート期間）には、スイッチ素子１８がフルオンする。
１９に駆動信号が送られると、昇圧回路４及びタイマー
１７が始動する。そして、タイマー１７は、昇圧回路４
の出力電圧を電源として受けているので、タイマー１７
の出力電圧は、ＭＯＳＦＥＴ２に加えられるゲート電圧
と同じとなり、第６図に示すように、点灯初期（プリヒ
ート期間）には、スイッチ素子１８がフルオンする。
従って、点灯初期に、ＭＯＳＦＥＴ２は、そのソース電
位が低くなっていても、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳは
、ツェナーダイオード１６のツェナー電圧ＶＺにスイッ
チ素子１８の電圧降下を加えた一定の電圧 Ｖａｓ＊Ｖｚ にクランプされる。この結果、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ン電流１ｏ、即ちランプ３に流れる電流Ｉは、第７図に
示すように、一定電流に制御されて、ソフトスタートで
点灯される。
位が低くなっていても、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳは
、ツェナーダイオード１６のツェナー電圧ＶＺにスイッ
チ素子１８の電圧降下を加えた一定の電圧 Ｖａｓ＊Ｖｚ にクランプされる。この結果、ＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ン電流１ｏ、即ちランプ３に流れる電流Ｉは、第７図に
示すように、一定電流に制御されて、ソフトスタートで
点灯される。
タイマー１７に予め設定された時間が経過し、ランプ３
が点灯して、そのフィラメント抵抗が定常状態に達する
と、タイマー１７の出力がオフしてスイッチ素子１８が
オフする。従って、点灯初期の経過後は、ＭＯＳＦＥＴ
２のゲートには、昇圧回路４からの所定の昇圧電圧がゲ
ート電圧として加えられ、ランプ３には、定常状態に達
した後も、所定の電流が流れるように制御されて、その
点灯状態が適切に維持される。
が点灯して、そのフィラメント抵抗が定常状態に達する
と、タイマー１７の出力がオフしてスイッチ素子１８が
オフする。従って、点灯初期の経過後は、ＭＯＳＦＥＴ
２のゲートには、昇圧回路４からの所定の昇圧電圧がゲ
ート電圧として加えられ、ランプ３には、定常状態に達
した後も、所定の電流が流れるように制御されて、その
点灯状態が適切に維持される。
第８図には、この発明の第４実施例を示す。
この実施例は、ＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加える電圧を
、そのソース電位に基づいて制御する電圧制御手段とし
て、上述の第３実施例におけるツェナーダイオードに代
えて、ｎ個のダイオードを直列接続した直列接続ダイオ
ード２０を用いたものである。その他の構成は、上述の
第３実施例のものと同様である。
、そのソース電位に基づいて制御する電圧制御手段とし
て、上述の第３実施例におけるツェナーダイオードに代
えて、ｎ個のダイオードを直列接続した直列接続ダイオ
ード２０を用いたものである。その他の構成は、上述の
第３実施例のものと同様である。
この実施例では、点灯初期に、ＭＯＳＦＥＴ２は、その
ソース電位が低くなっていても、ゲート・ソース間電圧
Ｖｏｓは、直列接続ダイオード２０の順方向電圧降下に
スイッチ素子１８の電圧降下を加えた一定の電圧 Ｖｏｓｈｏ、６ｎ にクランプされる。この結果ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン
電流１０、即ちランプ３に流れる電流■は、一定値に制
御されてソフトスタートで点灯される。
ソース電位が低くなっていても、ゲート・ソース間電圧
Ｖｏｓは、直列接続ダイオード２０の順方向電圧降下に
スイッチ素子１８の電圧降下を加えた一定の電圧 Ｖｏｓｈｏ、６ｎ にクランプされる。この結果ＭＯＳＦＥＴ２のドレイン
電流１０、即ちランプ３に流れる電流■は、一定値に制
御されてソフトスタートで点灯される。
ランプ３の点灯後は、前記第３実施例の場合と同様に、
Ｍ Ｏ，Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ ２のゲート電圧は、昇圧回路
４からの所定の昇圧電圧に切換えられる。
Ｍ Ｏ，Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ ２のゲート電圧は、昇圧回路
４からの所定の昇圧電圧に切換えられる。
［発明の効果１
以上説明したように、この発明によれば、ランプの点灯
初期には、電圧ＩＩＩ御手段からの出力電圧をゲート電
圧としてＭＯＳＦＥＴのゲートに加え、ランプの点灯後
、そのフィラメント抵抗が定常状態に達した後は、その
ゲート電圧を、昇圧回路からの所定の昇圧電圧に切換え
ることができるので、点灯初期には、ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート電圧が、フィラメント抵抗の変化によるソース電位
の変化に応じて徐々に上がするように制御され、ランプ
に流れる電流が正確に制御されてランプがソフトスター
トで点灯されるとともにＭＯＳＦＥＴの熱的破壊が的確
に防止されるという効果が得られる。
初期には、電圧ＩＩＩ御手段からの出力電圧をゲート電
圧としてＭＯＳＦＥＴのゲートに加え、ランプの点灯後
、そのフィラメント抵抗が定常状態に達した後は、その
ゲート電圧を、昇圧回路からの所定の昇圧電圧に切換え
ることができるので、点灯初期には、ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート電圧が、フィラメント抵抗の変化によるソース電位
の変化に応じて徐々に上がするように制御され、ランプ
に流れる電流が正確に制御されてランプがソフトスター
トで点灯されるとともにＭＯＳＦＥＴの熱的破壊が的確
に防止されるという効果が得られる。
また、第３実施例及び第４実施例によれば、上記共通の
効果に加えて、さらに、オペアンプ等で構成される電流
検出回路や制御回路等が不要になるので、半導体チップ
のチップ面積を小さくすることができるという効果があ
る。
効果に加えて、さらに、オペアンプ等で構成される電流
検出回路や制御回路等が不要になるので、半導体チップ
のチップ面積を小さくすることができるという効果があ
る。
第１図ないし第３図はこの発明に係るランプ駆動回路の
第１実施例を示寸もので、第１図は回路図、第２図はＭ
ＯＳＦＥＴの電圧・電流特性を示す特性図、第３図はＭ
ＯＳＦＥＴのソース電位の変化を示す特性図、第４図は
この発明の第２実施例を示す回路図、第５図ないし第７
図はこの発明の第３実施例を示すもので、第５図は回路
図、第６図はＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間に加わる
電圧の変化を示す特性図、第７図はランプに流れる電流
の変化を示す特性図、第８図はこの発明の第４実施例を
示す回路図、第９図は従来のランプ駆動回路を示す回路
図である。 １：電源、 ２ ：ＭＯＳＦＥＴ、３：ランプ、
４：屏圧回路、 ５：ソース電位検出回路、 ７：ソース電位検出回路とともに電圧制御手段を構成す
るゲート電圧制御回路。 １２：切換スイッチ（切換手段）、 ５１：ゲート・ソース間電圧検出回路、１３：ゲート・
ソース間電圧検出回路とともに電圧制御手段を構成する
ゲート電圧制御回路、 １６：ツェナーダイオード（電圧制御手段）、１７：タ
イマー、 １８：タイマーとともに切換手段を構成するスイッチ素
子、 ２０：直列接続ダイオード（電圧制御手段）。 代理人 弁理士 三 好 保 男第１図 Ｑ Ｖｏｓ第２図 第３図 を 第７図 第８図
第１実施例を示寸もので、第１図は回路図、第２図はＭ
ＯＳＦＥＴの電圧・電流特性を示す特性図、第３図はＭ
ＯＳＦＥＴのソース電位の変化を示す特性図、第４図は
この発明の第２実施例を示す回路図、第５図ないし第７
図はこの発明の第３実施例を示すもので、第５図は回路
図、第６図はＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間に加わる
電圧の変化を示す特性図、第７図はランプに流れる電流
の変化を示す特性図、第８図はこの発明の第４実施例を
示す回路図、第９図は従来のランプ駆動回路を示す回路
図である。 １：電源、 ２ ：ＭＯＳＦＥＴ、３：ランプ、
４：屏圧回路、 ５：ソース電位検出回路、 ７：ソース電位検出回路とともに電圧制御手段を構成す
るゲート電圧制御回路。 １２：切換スイッチ（切換手段）、 ５１：ゲート・ソース間電圧検出回路、１３：ゲート・
ソース間電圧検出回路とともに電圧制御手段を構成する
ゲート電圧制御回路、 １６：ツェナーダイオード（電圧制御手段）、１７：タ
イマー、 １８：タイマーとともに切換手段を構成するスイッチ素
子、 ２０：直列接続ダイオード（電圧制御手段）。 代理人 弁理士 三 好 保 男第１図 Ｑ Ｖｏｓ第２図 第３図 を 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被駆動ランプと電源との間に接続した電流制御用のＭＯ
ＳＦＥＴと、 該ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を昇圧する昇圧回
路と、 前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を当該ＭＯＳＦ
ＥＴのソース電位に基づいて制御する電圧制御手段と、 前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに加える電圧を前記電圧制御
手段の出力と前記昇圧回路の出力とに切換える切換手段
と を有することを特徴とするランプ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63113508A JPH07123077B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | ランプ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63113508A JPH07123077B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | ランプ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286291A true JPH01286291A (ja) | 1989-11-17 |
| JPH07123077B2 JPH07123077B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=14614108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63113508A Expired - Lifetime JPH07123077B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | ランプ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123077B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015139244A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源装置 |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP63113508A patent/JPH07123077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015139244A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07123077B2 (ja) | 1995-12-25 |
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