JPH01286346A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01286346A JPH01286346A JP11537488A JP11537488A JPH01286346A JP H01286346 A JPH01286346 A JP H01286346A JP 11537488 A JP11537488 A JP 11537488A JP 11537488 A JP11537488 A JP 11537488A JP H01286346 A JPH01286346 A JP H01286346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- epoxy resin
- semiconductor device
- thermoplastic resin
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、信頼性に優れた半導体装置に関するもので
ある。
ある。
トランジスター、IC,LSI等の半導体素子は、従来
セラミックパッケージ等により封止され、半導体装置化
されていたが、最近では、コスト、N産性の観点から、
プラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっ
ている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂
が使用されており良好な成績を収めている。しかしなが
ら、半導体分野の技術革新によって集積度の向上ととも
に素子サイズの大形化、配線の微細化が進み、パッケー
ジも小形化、薄形化する傾向にあり、これに伴って封止
材料に対してより以上の信頼性(得られる半導体装置の
内部応力の低減、耐湿信頼性、耐衝撃信鎖性、耐熱信頼
性等)の向上が要望されている。特に近年、チップサイ
ズは益々大形化する傾向にあり、半導体封止樹脂の性能
を評価する加速試験である熱サイクル試験(TCTテス
ト)に対するより以上の性能が要求されている。また、
半導体の実装法として表面実装が主流となってきており
、このために半導体パッケージを吸湿させたうえで半田
槽に浸漬してもパッケージにクラックやふくれが発生し
ないという特性が要求されている。これに関して従来か
らTCTテストで表される各特性の向上のためにゴムで
変性して熱応力を低減させることが検討されており、ま
た半田浸漬時の対クラック性向上のためにリードフレー
ムとの密着性の向上等が検討されてきたが、その効果は
いまだ充分ではない。
セラミックパッケージ等により封止され、半導体装置化
されていたが、最近では、コスト、N産性の観点から、
プラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっ
ている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂
が使用されており良好な成績を収めている。しかしなが
ら、半導体分野の技術革新によって集積度の向上ととも
に素子サイズの大形化、配線の微細化が進み、パッケー
ジも小形化、薄形化する傾向にあり、これに伴って封止
材料に対してより以上の信頼性(得られる半導体装置の
内部応力の低減、耐湿信頼性、耐衝撃信鎖性、耐熱信頼
性等)の向上が要望されている。特に近年、チップサイ
ズは益々大形化する傾向にあり、半導体封止樹脂の性能
を評価する加速試験である熱サイクル試験(TCTテス
ト)に対するより以上の性能が要求されている。また、
半導体の実装法として表面実装が主流となってきており
、このために半導体パッケージを吸湿させたうえで半田
槽に浸漬してもパッケージにクラックやふくれが発生し
ないという特性が要求されている。これに関して従来か
らTCTテストで表される各特性の向上のためにゴムで
変性して熱応力を低減させることが検討されており、ま
た半田浸漬時の対クラック性向上のためにリードフレー
ムとの密着性の向上等が検討されてきたが、その効果は
いまだ充分ではない。
[発明が解決しようとする問題点〕
上記のように、これまでの封止剤エポキシ樹脂組成物は
TCTテストの結果や半田浸漬時の耐クラツク性等の特
性が充分ではなかった。このため、上記技術革新による
素子サイズの大形化や表面実装に対応できるように、上
記の両特性の向上が強く望まれている。
TCTテストの結果や半田浸漬時の耐クラツク性等の特
性が充分ではなかった。このため、上記技術革新による
素子サイズの大形化や表面実装に対応できるように、上
記の両特性の向上が強く望まれている。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、T
CTテストで表される各特性の向上およ、び半田浸漬時
の耐クラツク性に優れた半導体装置の提供を目的とする
。
CTテストで表される各特性の向上およ、び半田浸漬時
の耐クラツク性に優れた半導体装置の提供を目的とする
。
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の(A)〜(E)成分を含み、(D)成分の含有量
がエポキシ樹脂組成物全体の5N量%以下に設定され、
(E)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の50重
量%以上に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて
半導体素子を封止するという構成をとる。
下記の(A)〜(E)成分を含み、(D)成分の含有量
がエポキシ樹脂組成物全体の5N量%以下に設定され、
(E)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の50重
量%以上に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて
半導体素子を封止するという構成をとる。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)熱可塑性樹脂。
(D)下記の一般式(1)で表されるシリコーン化合物
および一般式(II)で表されるシリコーン化合物の少
な(とも一方。
および一般式(II)で表されるシリコーン化合物の少
な(とも一方。
(以下余白)
(E)無機質充填剤。
すなわち、本発明者らは、TCTテストで表される各特
性の向上および半田浸漬時の耐クラツク性を実現するた
め、一連の研究を重ねた。その結果、封止用樹脂組成物
に、熱可塑性樹脂と、前記一般式(1)および式(II
)で表される特殊なシリコーン化合物とを併用し、かつ
無機質充填剤量を特定量に設定し、それを用いて得られ
る半導体装置が、TCTテストおよび半田浸漬時の耐ク
ラツク性の双方に優れるようになることを見出しこの発
明に到達した。
性の向上および半田浸漬時の耐クラツク性を実現するた
め、一連の研究を重ねた。その結果、封止用樹脂組成物
に、熱可塑性樹脂と、前記一般式(1)および式(II
)で表される特殊なシリコーン化合物とを併用し、かつ
無機質充填剤量を特定量に設定し、それを用いて得られ
る半導体装置が、TCTテストおよび半田浸漬時の耐ク
ラツク性の双方に優れるようになることを見出しこの発
明に到達した。
この発明の半導体装置に用いるエポキシ樹脂組成物は、
エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成分)
と、熱可塑性樹脂(C成分)と、前記一般式(1)およ
び式(II)で表されるシリコーン化合物(D成分)と
、無機質充填剤(E成分)とを用いて得られるものであ
り、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状
になっている。
エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成分)
と、熱可塑性樹脂(C成分)と、前記一般式(1)およ
び式(II)で表されるシリコーン化合物(D成分)と
、無機質充填剤(E成分)とを用いて得られるものであ
り、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状
になっている。
上記A成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はなく、タレゾールノボラック型、フェノールノボラッ
ク型やビスフェノールA型等、従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種エポキシ樹脂があげら
れる。これらの樹脂の中でも融点が室温を超えており、
室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈するもの
を用いることが好結果をもたらす。ノボラック型エポキ
シ樹脂としては、通常、エポキシ当量160〜250、
軟化点50〜130 ’Cのものが用いられ、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量1
80〜210、軟化点60〜110°Cのものが一般に
用いられる。
はなく、タレゾールノボラック型、フェノールノボラッ
ク型やビスフェノールA型等、従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種エポキシ樹脂があげら
れる。これらの樹脂の中でも融点が室温を超えており、
室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈するもの
を用いることが好結果をもたらす。ノボラック型エポキ
シ樹脂としては、通常、エポキシ当量160〜250、
軟化点50〜130 ’Cのものが用いられ、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量1
80〜210、軟化点60〜110°Cのものが一般に
用いられる。
上記エポキシ樹脂とともに用いられるB成分のフェノー
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フェノールノボラック、クレゾールノボラッ
ク等が好適に用いられる。
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フェノールノボラック、クレゾールノボラッ
ク等が好適に用いられる。
これらのノボラック樹脂は、軟化点が50〜110°C
1水酸基当量が70〜150のものを用いることが好ま
しい。特に上記ノボラック樹脂の中でもタレゾールノボ
ラックを用いることが好結果をもたらす。
1水酸基当量が70〜150のものを用いることが好ま
しい。特に上記ノボラック樹脂の中でもタレゾールノボ
ラックを用いることが好結果をもたらす。
上記A成分のエポキシ樹脂とB成分のフェノール樹脂と
の配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量当
たりフェノール樹脂中の水酸基が0.8〜1.2当量と
なるように配合することか好ましい。
の配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量当
たりフェノール樹脂中の水酸基が0.8〜1.2当量と
なるように配合することか好ましい。
上記エポキシ樹脂、フェノール樹脂と共に用いられるC
成分の熱可塑性樹脂としては、メククリル酸エステル、
スチレンおよびその置換体、エチレン、プロピレン等の
オレフィン、ビニル−tert−ブチルエーテル等のエ
ーテルL塩化ビニル、テトラフルオロエチレン、トリフ
ルオロエチレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等の
フッ素化合物、アクリロニトリル、メタクリロニトリル
等の窒素含有物、さらに、ビニルカルバゾール、ビニル
ホルマール、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニル
イソブチラール、ビニルアルコール、カーボネート、o
−、m−、p−ビニルベンジルアルコールのエチレンテ
レフタレート、ビニルピロリドン等のポリマーないしは
共重合体があげられる。また、その他各種ナイロン等も
併用される。特に好適なものは、ポリメタクリル酸メチ
ル、ポリスチレンおよびこれらの併用物である。
成分の熱可塑性樹脂としては、メククリル酸エステル、
スチレンおよびその置換体、エチレン、プロピレン等の
オレフィン、ビニル−tert−ブチルエーテル等のエ
ーテルL塩化ビニル、テトラフルオロエチレン、トリフ
ルオロエチレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等の
フッ素化合物、アクリロニトリル、メタクリロニトリル
等の窒素含有物、さらに、ビニルカルバゾール、ビニル
ホルマール、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニル
イソブチラール、ビニルアルコール、カーボネート、o
−、m−、p−ビニルベンジルアルコールのエチレンテ
レフタレート、ビニルピロリドン等のポリマーないしは
共重合体があげられる。また、その他各種ナイロン等も
併用される。特に好適なものは、ポリメタクリル酸メチ
ル、ポリスチレンおよびこれらの併用物である。
これらは、他の成分原料を混合する時に添加すればよい
。この熱可塑性樹脂の分散状態が得られる半導体封止パ
ッケージの信頬性向上に大きく影響する。この分散状態
の制御および熱可塑性樹脂を有効に作用させる観点から
熱可塑性樹脂は微粒子状であることが好ましい。このよ
うな微粒子はその粒径を0.05〜10μmに設定する
と特に有効である。
。この熱可塑性樹脂の分散状態が得られる半導体封止パ
ッケージの信頬性向上に大きく影響する。この分散状態
の制御および熱可塑性樹脂を有効に作用させる観点から
熱可塑性樹脂は微粒子状であることが好ましい。このよ
うな微粒子はその粒径を0.05〜10μmに設定する
と特に有効である。
上記微粒子を作製する方法は各種存在するが、例えば、
乳化重合による作製方法があげられる。
乳化重合による作製方法があげられる。
すなわち、界面活性剤を用いずに水媒体で重合を行い、
乾燥させて粉末状の熱可塑性樹脂を得るという方法があ
げられる。具体的には、ポリメタクリル酸メチルをシー
ドエマルジョンとして系にスチレンモノマーを重合中に
滴下すると、図面に示すような、ポリメタクリル酸メチ
ル/ポリスチレンエマルジョン粒子1が得られる。この
粒子は、ポリメタクリル酸メチルが核を形成しその外周
面にポリスチレンの突起が形成され、さらにその外表面
をポリメタクリル酸メチルの薄い皮膜が被覆していると
いうような構造になっている。このような外表面に突起
を有する熱可塑性樹脂粒子を用いることにより、TCT
テストにおける信頬性および半田浸漬時の耐クラツク性
が大幅に向上するようになる。なお、このようなC成分
の熱可塑性樹脂の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の
5重量%(以下「%」と略す)以下に設定することが好
ましい。より好ましいのは0.2〜2.0%の範囲内で
ある。すなわち、C成分の熱可塑性樹脂の配合量が5%
を超えるとエポキシ樹脂組成物の成形性が悪くなる傾向
がみられるからである。
乾燥させて粉末状の熱可塑性樹脂を得るという方法があ
げられる。具体的には、ポリメタクリル酸メチルをシー
ドエマルジョンとして系にスチレンモノマーを重合中に
滴下すると、図面に示すような、ポリメタクリル酸メチ
ル/ポリスチレンエマルジョン粒子1が得られる。この
粒子は、ポリメタクリル酸メチルが核を形成しその外周
面にポリスチレンの突起が形成され、さらにその外表面
をポリメタクリル酸メチルの薄い皮膜が被覆していると
いうような構造になっている。このような外表面に突起
を有する熱可塑性樹脂粒子を用いることにより、TCT
テストにおける信頬性および半田浸漬時の耐クラツク性
が大幅に向上するようになる。なお、このようなC成分
の熱可塑性樹脂の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の
5重量%(以下「%」と略す)以下に設定することが好
ましい。より好ましいのは0.2〜2.0%の範囲内で
ある。すなわち、C成分の熱可塑性樹脂の配合量が5%
を超えるとエポキシ樹脂組成物の成形性が悪くなる傾向
がみられるからである。
上記エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂と共
に用いられるD成分のシリコーン化合物としては、下記
の一般式(I)および式(II)で表されるものがあげ
られ、単独でもしくは併せて用いられる。
に用いられるD成分のシリコーン化合物としては、下記
の一般式(I)および式(II)で表されるものがあげ
られ、単独でもしくは併せて用いられる。
このようなシリコーン化合物の配合量は、シリコーン化
合物がエポキシ樹脂組成物全体の5%以下になるように
設定される。好ましいのは、0.5〜3.0%の範囲内
である。
合物がエポキシ樹脂組成物全体の5%以下になるように
設定される。好ましいのは、0.5〜3.0%の範囲内
である。
上記エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂およ
びシリコーン化合物と共に用いられるE成分の無機質充
填剤は、特に限定するものではなく、一般に用いられて
いる石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末およびアルミ
ナ粉末等があげられる。このような無機質充填剤の含有
量は、エポキシ樹脂組成物全体の50%以上に設定する
必要がある。好ましくは70%以上、より好ましくは8
0%以上である。すなわち、無機質充填剤の含有量が5
0%を下回ると、効果が大幅に低下するようになるから
である。
びシリコーン化合物と共に用いられるE成分の無機質充
填剤は、特に限定するものではなく、一般に用いられて
いる石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末およびアルミ
ナ粉末等があげられる。このような無機質充填剤の含有
量は、エポキシ樹脂組成物全体の50%以上に設定する
必要がある。好ましくは70%以上、より好ましくは8
0%以上である。すなわち、無機質充填剤の含有量が5
0%を下回ると、効果が大幅に低下するようになるから
である。
なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、
上記A成分、B成分、C成分、D成分およびE成分以外
に必要に応じて硬化促進剤として従来公知の三級アミン
、四級アンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化
合物を単独でもしくは併せて用いることができる。さら
に、三酸化アンチモン、リン系化合物等の難燃剤や顔料
、シランカップリング剤等のカップリング剤を用いるこ
とができる。
上記A成分、B成分、C成分、D成分およびE成分以外
に必要に応じて硬化促進剤として従来公知の三級アミン
、四級アンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化
合物を単独でもしくは併せて用いることができる。さら
に、三酸化アンチモン、リン系化合物等の難燃剤や顔料
、シランカップリング剤等のカップリング剤を用いるこ
とができる。
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えばつ
ぎのようにして製造することができる。
ぎのようにして製造することができる。
すなわち、エポキシ樹脂(A成分)、フェノール樹脂(
B成分)、熱可塑性樹脂(C成分)、シリコーン化合物
(D成分)、無機質充填剤(E成分)および必要に応じ
て硬化促進剤、難燃剤、顔料およびカップリング剤を所
定の割合で配合する。
B成分)、熱可塑性樹脂(C成分)、シリコーン化合物
(D成分)、無機質充填剤(E成分)および必要に応じ
て硬化促進剤、難燃剤、顔料およびカップリング剤を所
定の割合で配合する。
ついで、これら混合物をミキシングロール機等の混練機
に掛は加熱状態で混練して溶融混合し、これを室温に冷
却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打
錠するという一連の工程により目的とするエポキシ樹脂
組成物を得ることができる。
に掛は加熱状態で混練して溶融混合し、これを室温に冷
却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打
錠するという一連の工程により目的とするエポキシ樹脂
組成物を得ることができる。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常のトランスファ
ー成形等の公知のモールド法により行うことができる。
封止は特に限定するものではなく、通常のトランスファ
ー成形等の公知のモールド法により行うことができる。
このようにして得られる半導体装置は、エポキシ樹脂組
成物中に含まれる熱可塑性樹脂(C成分)およびシリコ
ーン化合物(D成分)の作用により、封止樹脂の特性が
向上し、半田実装に際しても、パッケージクラック等が
生ずることがない。
成物中に含まれる熱可塑性樹脂(C成分)およびシリコ
ーン化合物(D成分)の作用により、封止樹脂の特性が
向上し、半田実装に際しても、パッケージクラック等が
生ずることがない。
以上のように、この発明の半導体装置は、熱可塑性樹脂
(C成分)とシリコーン化合物(D成分)を含む特殊な
エポキシ樹脂組成物を用いて封止されているため、TC
Tテストで表される特性が向上していて長寿命になる。
(C成分)とシリコーン化合物(D成分)を含む特殊な
エポキシ樹脂組成物を用いて封止されているため、TC
Tテストで表される特性が向上していて長寿命になる。
また、半田実装におけるような過酷な条件下においても
パッケージクラックが生ずることがない。特に、上記特
殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、8ピン以上
、特に16ビン以上もしくはチップの長辺が4閣以上の
大形の半導体装置において、上記のような高信頼度が得
られるようになるのであり、これが大きな特1牧である
。
パッケージクラックが生ずることがない。特に、上記特
殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、8ピン以上
、特に16ビン以上もしくはチップの長辺が4閣以上の
大形の半導体装置において、上記のような高信頼度が得
られるようになるのであり、これが大きな特1牧である
。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
〈熱可塑性樹脂微粒子の作製〉
下記の第1表に示す割合で各原料を配合し、窒素気流下
において乳化重合を行い、A、B、Cの3種類の熱可塑
性樹脂微粒子を作製した。なお、微粒子の乾燥は温度6
0〜70°C下の熱風乾燥皿中で行った。
において乳化重合を行い、A、B、Cの3種類の熱可塑
性樹脂微粒子を作製した。なお、微粒子の乾燥は温度6
0〜70°C下の熱風乾燥皿中で行った。
(以下余白)
■−一」−一一麦
(重量部)
得られた3種類の乾燥粉末のうち、A、8粒子は共に粒
径が約0.5μmの球状粒子であるが、C粒子は粒径0
.5μmで表面に金平糖状の凸部を有している。
径が約0.5μmの球状粒子であるが、C粒子は粒径0
.5μmで表面に金平糖状の凸部を有している。
〔実施例1〜16、比較例1〜3〕
上記熱可塑性樹脂微粒子で得られた3種類の微粒子を用
いて、後記の第2表に従って、各原料を配合し、ミキシ
ングロール機(ロール温度100’C)で3分間溶融混
練を行い、冷却固化後粉砕を行って目的とする微粉末状
のエポキシ樹脂組成物を得た。
いて、後記の第2表に従って、各原料を配合し、ミキシ
ングロール機(ロール温度100’C)で3分間溶融混
練を行い、冷却固化後粉砕を行って目的とする微粉末状
のエポキシ樹脂組成物を得た。
なお、上記実施例および比較例で用いたシリコーン化合
物a −rは、第3表の通りである。
物a −rは、第3表の通りである。
(以下余白)
以上の実施例および比較例によって得られた微粉末状の
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファ
ー成形(条件:175°CX2分。
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファ
ー成形(条件:175°CX2分。
175 ’CX 5時間後硬化)することにより半導体
装置を得た。この半導体装置は、80ビンQFP(20
mmX20mm、厚み2 mm )のものであり、9゜
5 X 9.5益のグイパッドサイズ、9X9mInの
チップサイズを有するものである。
装置を得た。この半導体装置は、80ビンQFP(20
mmX20mm、厚み2 mm )のものであり、9゜
5 X 9.5益のグイパッドサイズ、9X9mInの
チップサイズを有するものである。
このようにして得られた半導体装置について、−50°
C15分〜150’C15分の1000サイクルテスト
、2000サイクルテスト、3000サイクルテスト、
85”C×85%RHの恒温槽中に放置する吸湿条件(
放置時間=25時間、50時間、−75時間)、温度2
60 ’Cで10秒間半田浴浸漬する試験を行った。そ
の結果は第4表のとおりである。
C15分〜150’C15分の1000サイクルテスト
、2000サイクルテスト、3000サイクルテスト、
85”C×85%RHの恒温槽中に放置する吸湿条件(
放置時間=25時間、50時間、−75時間)、温度2
60 ’Cで10秒間半田浴浸漬する試験を行った。そ
の結果は第4表のとおりである。
(以下余白)
第4表の結果から、実施測高はTCTテストおよび半田
浸漬時の耐クラツク性テストの成績がよ(、信頬性が比
較測高に比べて著しく向上していることがわかる。
浸漬時の耐クラツク性テストの成績がよ(、信頬性が比
較測高に比べて著しく向上していることがわかる。
図はこの発明に用いられる熱可塑性樹脂である粒子の外
観図である。 1・・・ポリメタクリル酸メチル/ポリスチレンエマル
ジョン粒子 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士 西 藤 征 彦
観図である。 1・・・ポリメタクリル酸メチル/ポリスチレンエマル
ジョン粒子 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士 西 藤 征 彦
Claims (3)
- (1)下記の(A)〜(E)成分を含み、(D)成分の
含有量がエポキシ樹脂組成物全体の5重量%以下に設定
され、(E)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の
50重量%以上に設定されているエポキシ樹脂組成物を
用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)熱可塑性樹脂。 (D)下記の一般式(I)で表されるシリコーン化合物
および一般式(II)で表される シリコーン化合物の少なくとも一方。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) 上記式( I )および式(II)において、R はメチル基、R_1は(CH_2)l(ただしl=1〜
3の整数)、Aはアミノ基、エポキシ基、カルボキシル
基、水酸基またはシクロヘキセンオキサイド基、mは1
〜300の整数でnは0または1〜300の整数(ただ
しm+n=1〜500の整数)、xは10〜300の整
数である。 (E)無機質充填剤。 - (2)C成分である熱可塑性樹脂が粒子状であり、その
外周面に突起を有している請求項(1)記載の半導体装
置。 - (3)C成分である熱可塑性樹脂がスチレン−アクリル
酸系である請求項(1)または(2)記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11537488A JPH01286346A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11537488A JPH01286346A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286346A true JPH01286346A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14660947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11537488A Pending JPH01286346A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008195756A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121125A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂封止用成形材料 |
| JPS6234949A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6274924A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Toshiba Corp | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6370445A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP11537488A patent/JPH01286346A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121125A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂封止用成形材料 |
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| JP2008195756A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
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