JPH01287832A

JPH01287832A - 光学式情報再生装置

Info

Publication number: JPH01287832A
Application number: JP63117048A
Authority: JP
Inventors: Toyonori Igata; 井形　豊徳
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1988-05-16
Filing date: 1988-05-16
Publication date: 1989-11-20
Anticipated expiration: 2012-08-20
Also published as: JP2642405B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光学式ビデオディスク、コンパクトディスク
、或いは光ディスク等の光学的に情報が記録されている
情報記録媒体から、その情報を再生すべくこれを読取る
光学式情報再生装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のこの種の光学式情報再生装置の構成としては第４
図に示すものが、その半導体レーザ装置としては第５図
に示すものがあり、以下これについて説明する。

１は半導体レーザ光源で、これより発したレーザ光はハ
ーフミラ−２の表面で反射され、対物レンズ３に入射さ
れる。

対物レンズ３は入射光を集束し、ディスク４に照射し、
このディスク４から反射された光は対物レンズ３、ハー
フミラ−２に同じ経路を通って戻る。

ハーフミラ−２の裏面で反射された光は受光素子５に到
達し、受光素子５で光電変換されてディスク４の情報が
電気信号として取り出される。

一方、半導体レーザ光源１からは前記と反対面からも光
を発し、その光はハーフミラ−２とは反対面に設置され
たモニタ受光素子６に入り、その出力によって負帰還回
路７が半導体レーザ光源１の出力をコントロールし、半
導体レーザ光源１の出力を一定に保つものである。

そして、この半導体レーザ光源１は、ステム８に取付け
られているヒートシンク９のシリコン基板１０に取付け
られており、又受光素子６はステム１上に設置されてい
るものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の光学式情報再生装置においては、１つのステム８
上に半導体レーザ光源１と、その後方の該半導体レーザ
光源１からゐ光線が照射される受光素子６とが設けられ
ている。

そして、これ等には取付部品たるヒートシンク９、リー
ドピン１１等が必要であり、半導体レーザ光源１と受光
素子６との関連位置と相まって、装置が大型化する欠点
があった。

本発明は、従来の光学式情報再生装置の前述の問題点を
解消するために、ディスクの情報を読取るための第１の
受光素子と、光源の光量を一定化するために光源の出力
をコントロールするための第２の受光素子を１つの受光
素子体に形成することによって、部品点数を減じ装置の
小型化、軽量化を図り、且つ第１の受光素子に光源から
の光線が入射し、その出力の低下、雑音の増加等の悪影
響を未然に防止することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために、本発明の光学式情報再生
装置においては、ディスクで反射された情報を含む光線
を受光する第１の受光素子と、光源からの光線を直線受
光してモニターする第２の受光素子とを一つの受光素子
体の両面の異なる位置に形成し、第１の受光素子の背面
には遮光部を形成したものである。

〔作　用〕

前記のように形成された光学式情報再生装置においては
、光源から発した光線は、対物レンズを経由して集束さ
れてディスクを照射し、その反射によって情報を含んだ
光線と、前記の光源から発して直接に受光素子体に到達
する光線とは、第１の受光素子の受光面、第２の受光素
子の受光面とに到達する。

そして、第１の受光素子で光電変換されて情報を含んだ
光線は電気信号として、第２の受光素子で光電変換され
て光源の発光量のモニター信号として取り出されるもの
である。

この第１の受光素子と第２の受光素子とは、１つの受光
素子体の両面に形成することで、反対方向から来るディ
スクを経由した光線、しない光線の受光が可能となる。

そして、第１の受光素子と第２の受光素子とを１つの受
光素子体の異なる位置に形成し、第１の受光素子の背面
に設けた遮光部が、第１の受光素子の背面から入射する
光線を遮断し、その出力の低下、雑音の増加等の悪影響
を未然に防止できるものである。

〔実施例〕

次に、本発明の一実施例を、第１図〜第３図について説
明する。

２１は半導体レーザ光源で、その−面から出た光線は発
散光であるので、その一部の光線２２は受光素子体２３
の孔２４を通り、ハーフミラ−２５の表面で反射され、
対物レンズ２６で集束されてディスク２７を照射する。

そして、このディスク２７で反射されることにより、デ
ィスク２７上に記録されている信号を含んだ光線２８は
同じ経路を戻り、ハーフミラ−２５の裏面で反射され、
受光素子体２３の一面に形成された信号読取りパターン
２９を有する第１の受光素子ＰＤ＋　に到達する。

一方、半導体レーザ光源２１の前記の面からの一部の光
線３０は、受光素子体２３の孔２４の周囲の他面に形成
された第２の受光素子ＰＤ２に到達する。

この受光素子体２３は、その基板シリコンがＮ型領域で
あるＮ層を形成し、その２個処に通常はボロン選択拡散
によってＰ型頭域となるＰ層が形成され、このＰ層とＮ
層とは接合中性層である空乏層Ｏを介してＰＮ接合され
ている。

そして、２個処のＰ層のうちの１は、信号読取りパター
ン２９を有する第１の受光素子ＰＤ＋　となってＰ層側
が受光面となり、孔２４の周囲に形成されたＰ層は第２
の受光素子ＰＤ２となってＮ層側が受光面となる。

この受光素子体２３は光が前記Ｎ層である基板シリコン
中で吸収されると、光エネルギーが価電子帯の電子を励
起し、光キャリアとして自由に動ける電子となるので、
Ｎ層をカソード、Ｐ層をアノードとすることによって、
外部回路へ信号として取り出せる。

そして、受光素子体２３には、第１の受光素子ＰＤ、の
背面側に遮光部３１が設けられているので半導体レーザ
光源２１からの光線が直接に、第１の受光素子ＰＤ、の
背面に入射することはない。

従って、ハーフミラ−２５で反射されたディスク２７か
らの光線２８のみが第１の受光素子ＰＤ１に入射し、第
１の受光素子ＰＤ＋　は信号読取りパターン２９に形成
されているので、その光電変換によってディスク情報の
他に、トラッキング情報等の電気信号として取り出され
る。

一方、第２の受光素子ＰＤ２に入射した半導体レーザ光
源２１からの光線３０は、入射光量、即ちその発光量の
情報として取り出され、負帰還回路によって半導体レー
ザ光源２１にフィードバックされ、その発光量を一定化
するものである。

〔発明の効果〕

本発明は叙上のように、光源からの光線を、ディスクを
経由した情報を含む光線、光源の発光量を示す光源から
の直接光線として、１つの受光素子体の両面に形成した
２つの受光素子でそれぞれ受光するものである。

従って、受光素子体が１つで足りるため部品点数が少く
なると共に、省スペース化が可能であり、光学式情報再
生用ピックアップの小型、軽量化が図れる。

そして、情報を含む光線を受光する第１の受光素子の背
面には遮光部が形成されているため、光源からの直接光
、その付近の反射光等が入射することがなく、このよう
な光線の入射による第１の受光素子の感度低下による出
力の減退、雑音の増大等を防止できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図はこれをハーフミラ−側から見た斜面図、第３図
は受光素子体の構成図、第４図は従来の装置の構成図、第５図は同上の光源チップの斜面図である。２１・・・半導体レーザ光源、２２，２８．３０・・・
光線、２３・・・受光素子体、２４・・・孔、２５・・
・ノ１−フミラー、２６・・・対物レンズ、２７・・・
ディスク、２９・・・信号読取りパターン、３１・・・
遮光部、ＰＤｌ・・・第１の受光素子、Ｐ層２・・・第
２の受光素子。第２図第３図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

　情報を再生するための光線を発する光源と、該光源か
らの光線をディスクに集束して照射する対物レンズと、
ディスクを経由した光線を受光してこれを電気信号に光
電変換する第１の受光素子、及び前記光源からの光線を
ディスクを経由しないで受光してその受光量を光電変換
し、光源の発光量をコントロールする第２の受光素子と
を両面の異なる位置に形成した受光素子体と、前記第１
の受光素子の背面に設けた遮光部とを備えたことを特徴
とする光学式情報再生装置。