JPH01220142A - 光学式情報再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学式ビデオディスク、コンパクトディスク
、或いは光ディスク等の光学的に情報が記録されている
情報記録媒体から、その情報を再生すべくこれを読取る
光学式情報再生装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のこの種の光学式情報再生装置の構成としては、第
１０図に示すものが、その半導体レーザ装置としては第
１１図に示すものがあり、以下これについて説明する。

１は半導体レーザ光源で、これより発したレ−ザ光はハ
ーフミラ−２の表面で反射され、対物レンズ３に入射さ
れる。

対物レンズ３は入射光を集束し、ディスク４に照射し、
このディスク４から反射された光は対物レンズ３、ハー
フミラ−２に同じ経路を通って戻る。

ハーフミラ−２の裏面で反射された光は受光素子５に到
達し、受光素子５で光電変換されてディスク４の情報が
電気信号として取り出される。

一方、半導体レーザ光源１からは前記と反対面からも光
を発し、その光はハーフミラ−２とは反対面に設置され
たモニタ受光素子６に入り、その出力によって負帰還回
路７が半導体レーザ光源１の出力をコントロールし、半
導体レーザ光源１の出力を一定に保つものである。

そして、この半導体レーザ光源１は、ステム８に取付け
られているヒートシンク９のシリコン基板１０に取付け
られており、又受光素子６はステム１上に設置されてい
るものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の光学式情報再生装置においては、１つのステム８
上に半導体レーザ光源１と、その後方の該半導体レーザ
光ａ！１からの光線が照射される受光素子６とが設けら
れている。

そして、これ等には取付部品たるヒートシンク９、リー
ドピン１１等が必要であり、半導体レーザ光源１と受光
素子６との関連位置と相まって、装置が大型化する欠点
があった。

本発明は、従来の光学式情報再生装置の前述の問題点を
解消するために、ディスクの情報を読取るための第１の
受光素子と、光源の光量を一定化するために光源の出力
をコントロールするための第２の受光素子を１つの受光
素子体に形成することによって、部品点数を減じ装置の
小型化、軽量化を図ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために、本発明の光学式情報再生
装置においては、光源の一面から発した光線を対物レン
ズによって集束してディスク面に照射し、このディスク
を経由した光線を受光する第１の受光素子が受光素子体
の一部に形成され、光源の他面から発し、ディスクを経
由しない光線を受光する第２の受光素子を前記の受光素
子体の他の部分に形成したものである。

そして、第１の受光素子と第２の受光素子との間に、光
線を遮断する遮蔽板を設けることが望ましい。

又、前記光源の他面から発してディスクを経由しない光
線をミラー等で反射させ、第１の受光素子の受光面とは
反対面に形成された第２の受光素子の受光面に入射させ
るようにしてもよい。

更に、第１の受光素子の受光面とは反対面を受光面とす
る第２の受光素子に、ディスクを照射する光源の発光面
からの光線を併せて入射させることもできるものである
。

〔作　用〕

前記のように構成された光学式情報再生装置においては
、光源の一面から発した光線は、対物レンズを通ること
で集束されてディスクに照射され、これを経由した光線
と、光源の他面から発し、ディスクを経由しない光線と
は、受光素子体の２個所に形成された第１．第２の受光
素子によって受光される。

第１の受光素子は、ディスクを経由した光線を光電変換
してディスクの情報を電気信号に変え、第２の受光素子
はディスクを経由しない光線を光電変換し、光源の発光
をコントロールする電気信号とするものである。

前記の光学式情報再生装置において、第１の受光素子と
第２の受光素子の間に設けた遮蔽板によって、それぞれ
に入射する光線が他方の光線の干渉、一部の入射を防止
する。

又、光源の他面から発した光線をミラー等で反射させ、
第１の受光素子の受光面とは反対面の第２の受光素子の
受光面に入射させることもできる。

この第２の受光素子の受光面に、光源の他面から発し、
ミラー等で反射された光線と共に、光源の−面ら発した
光源の一部を入射させ、その受光量を増大することがで
きるものである。

〔実施例〕

次に、本発明の一実施例を、第１図について説明する。

２１はステム２２に取付けられているヒートシンク２３
に、シリコン基板２４を介して取付けられた半導体レー
ザ光源で、この半導体レーザ光源２１は前面と後面から
それぞれ放射状に光線２５゜２６を発光している。

前記のステム２２には、受光素子体２７が取り付けられ
ているが、この受光素子体２７は、第２図に示すように
その基板シリコンがＮ型領域であるＮ層を形成し、その
−面の２個所に、通常はボロン選択拡散によってＰ壁領
域であるＰ層が形成されている。

このＰ層とＮ層とは中性接合層である空乏層Ｏを介して
ＰＮ接合されているもので、２個所のＰ層によって第１
の受光素子ＰＤ、と第２の受光素子ＰＤ、とが同一面を
受光面として形成される。

この受光素子体２７は光が前記のＮ層である基板シリコ
ン中で吸収されると、光エネルギーが価電子帯の電子を
励起し、光キャリアとして自由に動ける電子となるので
、Ｎ層をカソード、Ｐ層をアノードとすることによって
、光を光電変換して電気信号として外部に取り出すこと
ができるものである。

一方、半導体レーザ光源２１の前面から出た光線２５は
ハーフミラ−２８の表面で反射され、対物レンズ２９で
集束されてディスク３０を照射する。

そして、ディスク３０で反射された光線は、逆の経路を
通り、ハーフミラ−２８に至るが、その裏面で反射され
た光線３１は凹レンズ３２を通ることによって焦点位置
が延ばされ、受光素子体２７の第１の受光素子ＰＤ、上
にディスク３０の信号の像を作る。

従って、第１の受光素子ＰＤ、によって光電変換され、
ディスクの情報を電気信号として取り出すことができる
。

又、半導体レーザ光源２１の後面から発した光線２６は
受光素子体２７の第２の受光素子ＰＤ。

に至り、これにより第２の受光素子ＰＤ、の受光量が光
電変換され、受光量に該当する電気信号として取り出す
ことができる。

従って、この電気信号を図示しない負帰還回路によって
半導体レーザ光源２１の出力を制御する回路にフィード
バックし、半導体レーザ光源２１の出力を一定とするこ
とができる。

この実施画において、ステム２２、ヒートシンク２３は
受光素子体２７の部分を除いて、非反射面となるような
処理、例えば黒色塗装が施され、これ等の部分の反射が
第１の受光素子ＰＤ、、第２の受光素子ＰＤｚに入射す
る光線２６．３１と干渉したり、入射光量を狂わせたり
するの防止する。

第３図に示す他の実施例は、受光素子体２７の第１の受
光素子ＰＤ＋　と第２の受光素子ＰＤ、の間に、光線を
遮断する遮蔽板３３を設けたものである。

この遮蔽板３３は、第１の受光素子ＰＤ＋に半導体レー
ザ光源２１の裏面からの光線２６が入射し、光線３１の
持つ信号レベルの比率を悪化させ、或いは光線２６．３
１の干渉を防止するものである。

次に、本発明の第３の実施例を第４図について説明する
。

この実施例においては、第１の実施例の受光素子体２７
の第２の受光素子ＰＤｚの受光面が逆の面になっており
、ステム２２から離れた場所に設置されている。

そして、ステム２２には、半導体レーザ光源２１の後面
から発した光線２６が第２の受光素子ＰＤ２を照射する
ようにミラー３４が設けられている。ミラー３４は、光
線２６が第２の受光素子ＰＤ２に入射し易い様に適当な
傾斜をもってステム２２に取付けるのが好ましく、この
ことは、半導体レーザ光源２１への、光線２６の反射を
防ぐためにも有効である。

従って、ハーフミラ−２８の裏面で反射されたディスク
３０を経由した光線３１は、凹レンズ３２を通って第１
の受光素子ＰＤ＋を照射し、半導体レーザ光源２１の後
面からの光線２６は第２の受光素子ＰＤｚを照射する。

その他の点については、第１の実施例と変るものではな
い。

更に、第５図に示す第４実施例は、第４図の第３実施例
に比して、受光素子体２７をハーフミラ−２８に近づけ
、第１の受光素子ＰＤ、に凹レンズ３２を使用すること
なく、ディスク３０の像を結ばせることができるように
する。

一方、半導体レーザ光源２１の後面から発し、ミラー３
４で反射された光線２６と共に、半導体レーザ光源２１
の前面からの光線２５の一部が第２の受光素子ＰＤ、を
照射するようにしたものである。

そのため、第２の受光素子ＰＤ、の受光量が増加させる
ことができ、安定した受光量信号が得られるものである
。

第６図〜第８図の第５実施例においては、受光素子体２
７にディスク３０を照射する光線２５の通路となる孔３
５を形成し、その周囲に第２の受光素子ＰＤ、となるＰ
層を形成する。

そして、ステム２２に形成するミラーは凹面鏡３６とし
、半導体レーザ光源２１の後面から発した光線２６を前
記第２の受光素子ＰＤ２に集束する。

又、半導体レーザ光源２１を取付けているヒートシンク
２３には凹面鏡３６の面に突出する突部３７が形成され
、凹面鏡３６で反射された光線が半導体レーザ光源２１
に戻らないようにするもので、これにより戻り光線によ
るノイズが軽減される。

〔発明の効果〕 本発明は膜上のように、１つの受光素子体の２部分に、
第１の受光素子と第２の受光素子を形成し、光源の一面
から発した光線をディスクを経由した光線として第１の
受光素子で受光し、他面から発した光線をディスクを経
由しない光線として受光するものである。

従って、従来の各独立していた２つの受光素子を１つの
受光素子体としてまとめることができるので、部品点数
の削減と、省スペースが図られ、装置を小型化、軽量す
ることができる。

又、第１の受光素子と第２の受光素子との間に設けた光
を遮断する遮光板によって、他方への入射を必要とする
光線の一部が入射し、ノイズとなったり、信号レベルを
低めたりすることがない。

更に、第１の受光素子と第２の受光素子の受光面を反対
面とすることによって、これ等に入射する光線の方向を
逆にすることができ、従ってこれ等の光線の干渉による
ノイズの発生、信号レベルの低下を防止することができ
る。

しかも、第２の受光素子に入射する光線を、光源の他面
から発した光線ばかりでなく、−面からの光線をも入射
させることによって、入力光のパワーの増大、Ｓ／Ｎレ
ベルの向上が図られ、光源の出力のコントロールが容易
となるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成図、 第２図はその発光素子体の構成図、 第３図は本発明の第２実施例の構成図、第４図は本発明
の第３実施例の構成図、第５図は本発明の第４実施例の
構成図、第６図は本発明の第５実施例の構成図、第７図
はその光源体の斜面図、 第８図は第７図の平面図、 第９図は凹面鏡部分の拡大斜面図、 第１０図は従来の装置の構成図、 第１１図は同上の光源体の斜１面図である。 ２１・・・半導体レーザ光源、２２・・・ステム、２３
・・・ヒートシンク、２４・・・シリコン基板、２５，
２６．３１・・・光線、２７・・・受光素子体、２８・
・・ハーフミラ−１２９・・・対物レンズ、３０・・・
ディスク、３２・・・凹レンズ、３３・・・遮蔽板、３
４・・・ミラー、３５・・・孔、３６・・・凹面鏡、３
７・・・突部。 第１図 第３図 第７図 第８図 第９０

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報を再生するための光線を発する光源と、該光
   源の一面からの光線をディスクに集束して照射する対物
   レンズと、受光素子体の一部に形成され、ディスクを経
   由した光線を受光し、これを情報の電気信号に光電変換
   する第１の受光素子と、前記受光素子体の他の部分に形
   成され、前記光源の他面からの光線を、ディスクを経由
   しないで受光して、その受光量を光電変換し、光源の発
   光量をコントロールする第２の受光素子とを備えたこと
   を特徴とする光学式情報再生装置。
2. （２）前記光源の他面からの光線を反射する面を設ける
   と共に、第１の受光素子と第２の受光素子を前記受光素
   子体の両面に形成したことを特徴とする請求項１項記載
   の光学式情報再生装置。
3. （３）前記第１の受光素子と第２の受光素子との間に、
   光線を遮蔽する遮蔽板を設けたことを特徴とする請求項
   １項記載の光学式情報再生装置。
4. （４）前記第２の受光素子に光源の他面からの光線と、
   この光源の一面からの光線を併せて照射することを特徴
   とする請求項２項記載の光学式情報再生装置。