JPH01288004A - ミキサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は通信機器に用いられる信号合成回路のミキサに
関するものである。

従来の技術 近年、通信情報網が広がり、衛星通信などのニューメデ
ィアが注目されている。これら通信機器には、信号周波
数を変えたり、変復調するために、ミキサが不可欠であ
る。

従来、Ｕ）（Ｆ帯板上のマイクロ波を用いる通信機器の
ミキサにはダイオードが用いられて来た。

特に、衛星放送や衛星受信等に用いられる１０αｈ帯の
ミキサはＧ　ａ　Ａ　ｓダイオードを使用して来た。

しかしながら、これらのディスクリート素子を集積化す
る上で、ダイオード・ミキサには大きなフィルターが必
要となシ、集積化に不向きである。

最近、このフィルターを必要としない素子として、デュ
アル・ゲートＦＥＴが注目されている。

第３図は従来のデュアル・ゲートＦＥＴを用いたミキサ
の回路図である。１は第１ゲートで、２は第２ゲート、
３はドレインである。デュアル・ゲートＦＥＴ４の第１
ゲート１と第２ゲート２が信号入力端となシ、ドレイン
３がミキシングされた信号の出力端となる。このミキサ
を動作させるには、バイアスを加える必要があシ、５，
１０゜１１がバイアス端となる。ミキサの変換利得は、
このバイアスのうち、特に、第１ゲートと第２ゲートの
バイアスを調整することによって得られる。

つまシ、可変電圧器６の出力電圧を、利得が最大になる
ように調整するのが、常であった。しかしながら、利得
などの高周波特性をみながら調整するのは、手数がかか
る上、集積化する上でも調整用回路を付加せねばならず
、回路定数を変更せねばならないので、集積化できない
という問題点があった。

発明か解決しようとする課題 上記のように、デュアル・グー）ＦＥＴを用いたミキサ
は、変換利得をみながら調整するバイアス回路が必要で
あシ、また、このような調整が必要であるという欠点を
有していた。さらに、集積化できない問題点があった。

本発明は上記欠点に鑑み、このような調整を不必要とし
、さらに、固定のバイアス回路をそなえたミキサを提供
するものである。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明のミキサは、ゲート
電圧を飼料することによシ、一定電流をソースとドレイ
ン間に流す回路をそなえて構成されている。

作　　用 この構成により、変換利得が最大のバイアス条件に、常
に安定して保たれ、調整がいらなくな−る。

実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。

第１図は本発明の実施例におけるデュアル・グー）ＦＥ
Ｔミキサの回路図を示す図である。４はデュアル・ゲー
トＦＥＴ、１は第１ゲート、２は第２ゲート、３はドレ
インである。２つのゲートが信号入力端となシ、ドレイ
ンがミキシング信号の出力端となる。５，１０．１１は
バイアス端である。本発明は、第２ゲートを一定電圧、
例えば接地（アース）とする。さらに、ドレインとアー
ス間のバイアス電流を一定となるように、第１ゲートの
バイアスを可変するアクティブ・バイアス回路７を設置
する。マイクロ波帯で用いられるＧａＡｓデュアル・ゲ
ートＦＥＴでは、ドレイン・バイアスを３〜５■とし、
ドレインとアース間の電流を１〜２　ｍ　Ａに固定する
アクティブ・バイアス回路を設ける。実施例によシ、出
力の変換利得は常に最大となシ、無調整で動作可能とな
る。

第２図は本発明の実施例におけるアクティブ・バイアス
回路つきデュアル・ゲートＦＥＴミキサの回路図を示す
図である。第１図のデュアル・ゲートＦＥＴミキサにつ
けるアクティブ・バイアス回路の具体例を示している。

９はトランジスタ、８．１２は外部バイアス端である。

アクティブ・バイアス回路の抵抗値を設定するととＫよ
って、ドレイン・アース間電流を一定に保つように、帰
還がかかシ、自動的に第１ゲート・バイアスを調整する
動作をする。

ここでは、第１ゲート・バイアスを調整する回路とした
が、第２ゲート・バイアスでも、もちろん可能となる。

デュアル・グー）ＦＥＴ４は、マイクロ波帯ではＧａＡ
ａ　ＭＥＳ　ＦＥＴが用いられ、１６ル近辺では８００
〜３００　μｍ　、　１０ＧＨｚ近辺では、６００〜２
００μｍのゲート幅が使用されておシ、いずれの場合も
、１〜３　ｍ　Ａのドレイン・アース間電流とするのが
、最適である。

以上のように、アクティブ・バイアス回路を用いて、電
流によって、高周波特性が出るようにすると、無調整と
なり、集積化も可能となる。

また、ミキサで説明したが、デュアル・ゲートＦＥＴを
用いた変調器にも適用できるのはいうまでもない。

発明の効果 以上のように、デュアル・ゲートＦＥＴを用いたミキサ
を無調整で特性が出るようにならしめ、さらに、半導体
集積回路化を可能とする。

このように１、回路の簡便化、小型化、高性能化の点で
その実用的効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例におけるデュアル・ゲ−）ＦＥ
Ｔミキサの回路図、第２図は本発明の一実施例における
アクティブ・バイアス回路つきデュアル・グー）ＦＥＴ
ミキサの回路図、第３図は従来のデュアル・グー）ＦＥ
Ｔを用いだミキサの回路図である。 １・・・・・・第１ゲート、２・・・・・・第２ゲート
、３・・・・・・ドレイン、４・・・・・・デュアル・
ゲート、ＦＥＴ、５・・・・・・バイアス端、６・・・
・・・可変電圧器、８・・・・・・外部バィアス端、９
・・・・・・トランジスタ、１０．１１　・山・バイア
ス端、１２・・・・・・外部バイアス端。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. デュアル・ゲートＦＥＴの一方のゲートの電圧を制御す
   ることにより一定電流をソースとドレイン間に流す回路
   をそなえていることを特徴とするミキサ。