JPH0129012B2 - - Google Patents
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- JPH0129012B2 JPH0129012B2 JP10805882A JP10805882A JPH0129012B2 JP H0129012 B2 JPH0129012 B2 JP H0129012B2 JP 10805882 A JP10805882 A JP 10805882A JP 10805882 A JP10805882 A JP 10805882A JP H0129012 B2 JPH0129012 B2 JP H0129012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocathode
- aluminum
- tube
- aluminum layer
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は近接形イメージ管に関する。
［発明の技術的背景］
一般に近接形イメージ管は第１図に示すように
構成され、内面に光電面１を有する光電面板３と
内面にターゲツト面２を有するターゲツト面板４
とが対向配設され、環状絶縁体５により所定間隔
で封着されている。
構成され、内面に光電面１を有する光電面板３と
内面にターゲツト面２を有するターゲツト面板４
とが対向配設され、環状絶縁体５により所定間隔
で封着されている。
この場合、各面板３，４はガラス板もしくは繊
維光学板で作られており、上記間隔は通常１〜２
mmである。又、ターゲツト面２は通常は電子衝撃
によつて発光する蛍光面であるが、信号を取り出
せるものであれば他の構体（例えば固体撮像板あ
るいは撮像管のSECターゲツト）でもよく、ここ
では蛍光面を用いたイメージ管について説明す
る。
維光学板で作られており、上記間隔は通常１〜２
mmである。又、ターゲツト面２は通常は電子衝撃
によつて発光する蛍光面であるが、信号を取り出
せるものであれば他の構体（例えば固体撮像板あ
るいは撮像管のSECターゲツト）でもよく、ここ
では蛍光面を用いたイメージ管について説明す
る。
光電面リード６に対してターゲツト面リード７
に高電圧（通常は10kV内外）を印加して動作さ
せる。そして、入力光は矢印８方向から照射さ
れ、光電面１に光像が結像されると光電子が放出
され、この光電子は、強い電界により光電面１に
垂直な方向に加速されてターゲツト面２である蛍
光面に達し、蛍光面を発光させる。光電子は強い
電界により蛍光面に平行な方向への広がりが制限
されるため、蛍光面で入射光像がより明るく再生
される。
に高電圧（通常は10kV内外）を印加して動作さ
せる。そして、入力光は矢印８方向から照射さ
れ、光電面１に光像が結像されると光電子が放出
され、この光電子は、強い電界により光電面１に
垂直な方向に加速されてターゲツト面２である蛍
光面に達し、蛍光面を発光させる。光電子は強い
電界により蛍光面に平行な方向への広がりが制限
されるため、蛍光面で入射光像がより明るく再生
される。
［背景技術の問題点］
上記従来の近接形イメージ管において、蛍光面
から発する光が光電面１に洩れると、この光によ
る光電子が放出されるため、再生像の鮮鋭度が損
なわれるので、これを防止するために1000オング
ストローム内外のアルミニウム薄膜が蛍光面の全
面に設けられる。これは通常の所謂メタルバツク
と同一の手法により製作される。
から発する光が光電面１に洩れると、この光によ
る光電子が放出されるため、再生像の鮮鋭度が損
なわれるので、これを防止するために1000オング
ストローム内外のアルミニウム薄膜が蛍光面の全
面に設けられる。これは通常の所謂メタルバツク
と同一の手法により製作される。
しかし、入射光の一部は光電面１を通過するた
め、上記アルミニウム薄膜の表面の光反射度が高
いと、この反射光が再び光電面１を照射し、上記
と同様の理由により再生像の鮮鋭度が損われる。
め、上記アルミニウム薄膜の表面の光反射度が高
いと、この反射光が再び光電面１を照射し、上記
と同様の理由により再生像の鮮鋭度が損われる。
［発明の目的］
この発明の目的は、再生像の鮮鋭度が損なわれ
ず、且つ、安定した近接形イメージ管を提供する
ことである。
ず、且つ、安定した近接形イメージ管を提供する
ことである。
［発明の概要］
この発明は、内面に光電面を有する光電面板と
内面にターゲツト面を有するターゲツト面板とを
対向配設し、環状絶縁体により所定間隔で封着し
てなる近接形イメージ管において、光電面側に向
つてターゲツト面板上に蛍光面、第１のアルミニ
ウム緻密層、アルミニウムの多孔質層、上記第１
のアルミニウム緻密層より薄い第２のアルミニウ
ム緻密層が順次形成されてなることを特徴とする
近接形イメージ管である。
内面にターゲツト面を有するターゲツト面板とを
対向配設し、環状絶縁体により所定間隔で封着し
てなる近接形イメージ管において、光電面側に向
つてターゲツト面板上に蛍光面、第１のアルミニ
ウム緻密層、アルミニウムの多孔質層、上記第１
のアルミニウム緻密層より薄い第２のアルミニウ
ム緻密層が順次形成されてなることを特徴とする
近接形イメージ管である。
［発明の実施例］
この発明の近接形イメージ管は第２図及び第３
図に示すように構成され、第３図は第２図の要部
を示したものである。
図に示すように構成され、第３図は第２図の要部
を示したものである。
即ち、従来例（第１図）と同一箇所は同一符号
を付することにする。内面に光電面１を有する光
電面板３と、内面にターゲツト面２を有するター
ゲツト面板４とが対向配設され、環状絶縁体１０
により所定間隔（例えば１〜２mm）で封着されて
いる。上記ターゲツト面２は第３図に示すように
例えば蛍光面１１と第１のアルミニウム膜（緻密
層）１２ａとからなり、更にこの発明ではターゲ
ツト面２の表面にアルミニウムの多孔質層１３及
び第２のアルミニウムの薄膜（緻密層）１２ｂが
形成されている。
を付することにする。内面に光電面１を有する光
電面板３と、内面にターゲツト面２を有するター
ゲツト面板４とが対向配設され、環状絶縁体１０
により所定間隔（例えば１〜２mm）で封着されて
いる。上記ターゲツト面２は第３図に示すように
例えば蛍光面１１と第１のアルミニウム膜（緻密
層）１２ａとからなり、更にこの発明ではターゲ
ツト面２の表面にアルミニウムの多孔質層１３及
び第２のアルミニウムの薄膜（緻密層）１２ｂが
形成されている。
この多孔質層１３の形成は先ず不活性ガス雰囲
気中でアルミニウムを蒸着（第１の工程）した後
にガスを除去して形成し、次に高真空度中でアル
ミニウムを蒸着（第２の工程）することによつ
て、アルミニウムの薄膜（緻密層）１２ｂが形成
される。
気中でアルミニウムを蒸着（第１の工程）した後
にガスを除去して形成し、次に高真空度中でアル
ミニウムを蒸着（第２の工程）することによつ
て、アルミニウムの薄膜（緻密層）１２ｂが形成
される。
そして、高真空度中で蒸着するアルミニウム量
は多孔質層１３の黒さを実質上保ち、且つ電子透
過性を余り損なわない範囲に選択される。経験的
には平面換算で200オングストローム内外が適当
であつたが、これは厳密に規制されなくても、或
る程度は目的が達せられる。
は多孔質層１３の黒さを実質上保ち、且つ電子透
過性を余り損なわない範囲に選択される。経験的
には平面換算で200オングストローム内外が適当
であつたが、これは厳密に規制されなくても、或
る程度は目的が達せられる。
又、上記環状絶縁体１０には内周面に環状突起
１０ａが形成され、外周面にも環状突起１０ｂが
形成されている。
１０ａが形成され、外周面にも環状突起１０ｂが
形成されている。
この場合、管内部に突起１０ａが突出してくる
ため、表面電荷がたまり易くなり、当初予想に反
して絶縁性が悪くなる場合が生じた。問題は表面
電荷を逃がすことが必要であるが、絶縁体自体を
わずかに導電性を有する材料で作ることが有効な
手段であることが判明した。
ため、表面電荷がたまり易くなり、当初予想に反
して絶縁性が悪くなる場合が生じた。問題は表面
電荷を逃がすことが必要であるが、絶縁体自体を
わずかに導電性を有する材料で作ることが有効な
手段であることが判明した。
材料としては高抵抗の電子伝導性ガラス、或い
は不純物混入によりわずかに導電性を付加したセ
ラミツクなどが選ばれる。
は不純物混入によりわずかに導電性を付加したセ
ラミツクなどが選ばれる。
又、体積比抵抗は管の許容される暗電流から割
り出される値以上で、且つ、一律厳密に決められ
るものではない。
り出される値以上で、且つ、一律厳密に決められ
るものではない。
一例を述べると、印加電圧10kV、暗電流を
10nAに設定し、真空気密封着部分１４，１５の
面積を同一に２cm2とし、絶縁体１０の厚みを２mm
とした場合、所望の体積比抵抗10Ω・cmとなる。
当管の使用状態での光電流は高々1nA程度である
ので、上記の設定で表面電荷を逃がす効果は十分
得られる。
10nAに設定し、真空気密封着部分１４，１５の
面積を同一に２cm2とし、絶縁体１０の厚みを２mm
とした場合、所望の体積比抵抗10Ω・cmとなる。
当管の使用状態での光電流は高々1nA程度である
ので、上記の設定で表面電荷を逃がす効果は十分
得られる。
又、この実施例では環状絶縁体１０の内外周面
に環状突起１０ａ，１０ｂを一体に設けているの
で、表面経路が長くなり、この結果、表面絶縁性
も著しく向上し、管自体も従来より小形（薄型）
にできる。
に環状突起１０ａ，１０ｂを一体に設けているの
で、表面経路が長くなり、この結果、表面絶縁性
も著しく向上し、管自体も従来より小形（薄型）
にできる。
［発明の効果］
この発明によれば、ターゲツト面板上に蛍光体
と、蛍光体の発光を反射して輝度発光を高めるア
ルミバツクの機能を有する第１のアルミニウム緻
密層と、光電面で電子に変換されない光を透過す
る第２のアルミニウム緻密層と、この光を吸収す
るアルミニウム多孔質層を有しているので、再生
像の鮮鋭度が損なわれない利点を有する。
と、蛍光体の発光を反射して輝度発光を高めるア
ルミバツクの機能を有する第１のアルミニウム緻
密層と、光電面で電子に変換されない光を透過す
る第２のアルミニウム緻密層と、この光を吸収す
るアルミニウム多孔質層を有しているので、再生
像の鮮鋭度が損なわれない利点を有する。
又、高真空度中でアルミニウム蒸着を実施して
いるので、煤状のアルミニウムは、基体のアルミ
ニウム薄膜と強固に結び付き、又、粒子相互の連
結強度も増大して容易に剥離しなくなる。
いるので、煤状のアルミニウムは、基体のアルミ
ニウム薄膜と強固に結び付き、又、粒子相互の連
結強度も増大して容易に剥離しなくなる。
又、通常、不活性ガス雰囲気で形成された多孔
質アルミニウム蒸着層は不活性ガスを吸蔵してお
り、これが管の動作中徐々に真空中に放出して管
の特性劣化をきたしたが、第２のアルミニウム緻
密層の形成によりガス放出が抑制され、好ましい
結果を生んでいる。
質アルミニウム蒸着層は不活性ガスを吸蔵してお
り、これが管の動作中徐々に真空中に放出して管
の特性劣化をきたしたが、第２のアルミニウム緻
密層の形成によりガス放出が抑制され、好ましい
結果を生んでいる。
尚、この発明は、ターゲツト面が蛍光面で形成
されている通常のイメージ管に適用できるだけに
止まらず、ターゲツト面がSECターゲツトからな
る近接形イメージ管付の高感度撮像管、或いは
又、ターゲツト面がCCDなどの固体撮像板から
なる特殊の近接形イメージ管にも適用できる。
されている通常のイメージ管に適用できるだけに
止まらず、ターゲツト面がSECターゲツトからな
る近接形イメージ管付の高感度撮像管、或いは
又、ターゲツト面がCCDなどの固体撮像板から
なる特殊の近接形イメージ管にも適用できる。
第１図は従来の近接形イメージ管を示す断面
図、第２図はこの発明の一実施例に係る近接形イ
メージ管を示す断面図、第３図は第２図の要部を
拡大して示す断面図である。 １…光電面、２…ターゲツト面、３…光電面
板、４…ターゲツト面板、６…光電面リード、７
…ターゲツト面リード、１０…絶縁体、１０ａ…
突起、１０ｂ…突起、１１…蛍光面、１２ａ…第
１のアルミニウム緻密層、１２ｂ…第２のアルミ
ニウム緻密層、１３…アルミニウム多孔質層。
図、第２図はこの発明の一実施例に係る近接形イ
メージ管を示す断面図、第３図は第２図の要部を
拡大して示す断面図である。 １…光電面、２…ターゲツト面、３…光電面
板、４…ターゲツト面板、６…光電面リード、７
…ターゲツト面リード、１０…絶縁体、１０ａ…
突起、１０ｂ…突起、１１…蛍光面、１２ａ…第
１のアルミニウム緻密層、１２ｂ…第２のアルミ
ニウム緻密層、１３…アルミニウム多孔質層。
Claims (1)
- １ 内面に光電面を有する光電面板と内面にター
ゲツト面を有するターゲツト面板とを対向配設
し、環状絶縁体により所定間隔で封着してなる近
接形イメージ管において、光電面側に向つてター
ゲツト面板上に蛍光面、第１のアルミニウム緻密
層、アルミニウムの多孔質層、上記第１のアルミ
ニウム緻密層より薄い第２のアルミニウム緻密層
が順次形成されてなることを特徴とする近接形イ
メージ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10805882A JPS58225548A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 近接形イメージ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10805882A JPS58225548A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 近接形イメージ管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58225548A JPS58225548A (ja) | 1983-12-27 |
| JPH0129012B2 true JPH0129012B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=14474837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10805882A Granted JPS58225548A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 近接形イメージ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58225548A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199552A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 螢光面およびその製造方法 |
| DE3804516A1 (de) * | 1988-02-13 | 1989-08-24 | Proxitronic Funk Gmbh & Co Kg | Bildverstaerker |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10805882A patent/JPS58225548A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58225548A (ja) | 1983-12-27 |
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