JPS59199552A - 螢光面およびその製造方法 - Google Patents
螢光面およびその製造方法Info
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- JPS59199552A JPS59199552A JP7112783A JP7112783A JPS59199552A JP S59199552 A JPS59199552 A JP S59199552A JP 7112783 A JP7112783 A JP 7112783A JP 7112783 A JP7112783 A JP 7112783A JP S59199552 A JPS59199552 A JP S59199552A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分！ｌ’ｒの説明）
本発明は、電子線によって発光する螢光面および、その
製造方法、さらに詳しく言えば近接型像ｋｉ鱈！ｌ！管
等に適する螢光面およびその製造方法に関する。
製造方法、さらに詳しく言えば近接型像ｋｉ鱈！ｌ！管
等に適する螢光面およびその製造方法に関する。
（従来技術）
従来陰極線管（像増強管、ブラウン管）の螢光面ば■ガ
ラス基板に、螢光物質を沈殿し、その上に■ニトロセル
ロースの被覆を形成し、前記ニトロセルロースの被覆の
上にアルミニウムを水素中で蒸着して約１０００人のア
ルミニウム層を形成し、■ニトロセルロース被覆を分解
して製造していた。
ラス基板に、螢光物質を沈殿し、その上に■ニトロセル
ロースの被覆を形成し、前記ニトロセルロースの被覆の
上にアルミニウムを水素中で蒸着して約１０００人のア
ルミニウム層を形成し、■ニトロセルロース被覆を分解
して製造していた。
したかって、従来の螢光面ば基板とその上に形成した螢
光物質の層と、その上に形成したアルミニウムの単層か
ら成る。
光物質の層と、その上に形成したアルミニウムの単層か
ら成る。
なお、前述のアルミニウムの層は螢光物質の発光を電子
線源の方向へ戻さないために設けたものである。
線源の方向へ戻さないために設けたものである。
前述の螢光面は、比較的多量のアルカリ金属の蒸気にさ
らされた場合に、アルカリ金属か螢光物質と反応して螢
光物質の色を変え、発光効率を劣化させ、螢光面にしみ
を作るという問題がある。
らされた場合に、アルカリ金属か螢光物質と反応して螢
光物質の色を変え、発光効率を劣化させ、螢光面にしみ
を作るという問題がある。
この問題は、光電面と螢光面を近接して配置した近接型
像増強管において特に発生しやすい。
像増強管において特に発生しやすい。
（本発明の詳細な説明）
本発明の目的は、前述のような螢光面の劣化の問題を解
決した陰極線管、特に近接型像増強管に適した螢光面お
よびその製造方法を提供することにある。
決した陰極線管、特に近接型像増強管に適した螢光面お
よびその製造方法を提供することにある。
（本発明の構成）
前記目的を達成するために、本発明による螢光面はガラ
ス基板上に形成した螢光物質の層と、１ｉｉｆ記螢光物
質の層の上に形成した粒径の・異なる複数のアルミニウ
ム層とから構成されている。
ス基板上に形成した螢光物質の層と、１ｉｉｆ記螢光物
質の層の上に形成した粒径の・異なる複数のアルミニウ
ム層とから構成されている。
また前記螢光面は、ガラス基板上に螢光物質を沈積して
、螢光層を形成する工程と、前記螢光物質層上にニトロ
セルロース膜を形成する工程と、前記二Ｉ・ロセルロー
ス膜の上に水素気中でアルミニウムを蒸着した後、加熱
して前記ニトロセルロース膜を分解した後人なる圧力水
素気中で複数回アルミニウムを蒸着する工程により製造
される。
、螢光層を形成する工程と、前記螢光物質層上にニトロ
セルロース膜を形成する工程と、前記二Ｉ・ロセルロー
ス膜の上に水素気中でアルミニウムを蒸着した後、加熱
して前記ニトロセルロース膜を分解した後人なる圧力水
素気中で複数回アルミニウムを蒸着する工程により製造
される。
（実施例の説明）
まず螢光面の製造工程を工程順に説明する。
＋１１ガラス円板に公知の水中沈降法により粒径２〜３
ｐ ｍの（ＺｎＣｄ）Ｓ ： Ａｇ （Ｐ−−２０）
を厚さ５〜１０μｍガラス基板上に沈殿させる。
ｐ ｍの（ＺｎＣｄ）Ｓ ： Ａｇ （Ｐ−−２０）
を厚さ５〜１０μｍガラス基板上に沈殿させる。
ここで、前記のＰ−２０とば波長５６０ｎａｎｏｍでピ
ークを持ち、黄緑の発光をする螢光物質である。また１
０％残光時間は０．０５〜２ｍｓ程度である。
ークを持ち、黄緑の発光をする螢光物質である。また１
０％残光時間は０．０５〜２ｍｓ程度である。
（２１前Ｈａ螢光物質の層の上にニトロセルロースの膜
を形成する。すなわち、前記（］）の工程でガラス円板
上に形成された螢光面を円板とともに、純水を満たした
容器に静が入れ二１−ロセルロース溶液をマイク１コデ
イスペンサーを使って５μβ入れる。
を形成する。すなわち、前記（］）の工程でガラス円板
上に形成された螢光面を円板とともに、純水を満たした
容器に静が入れ二１−ロセルロース溶液をマイク１コデ
イスペンサーを使って５μβ入れる。
水の干渉しまか黄色になったら水を引き乾燥器で乾燥さ
せる。
せる。
（３）前記ニトロセルロースの股の」二に１０ く ｌ
・−ルの水素気中でアルミニウムを厚さ３００人）ｙ着
する。以下この工程で形成したアルミニウムの層を第１
アルミニウム層という。
・−ルの水素気中でアルミニウムを厚さ３００人）ｙ着
する。以下この工程で形成したアルミニウムの層を第１
アルミニウム層という。
（４）清浄な大気中で二Ｉ−ロセルロース１１２を３６
０ ’ｃに加熱して分解する。この工程は第１アルミニ
ウム層の酸化も兼ねている。
０ ’ｃに加熱して分解する。この工程は第１アルミニ
ウム層の酸化も兼ねている。
（５）第１アルミニウム層の上に５ＸｉＯ−２１−−ル
の水素気中でアルミニウムを２００人蒸着する。
の水素気中でアルミニウムを２００人蒸着する。
以下この工程で形成したアルミニウム層を第２アルミニ
ウム層という。
ウム層という。
（６）第２アルミニウム層が形成された基板を一旦清浄
な大気中に取り出して、酸化する。
な大気中に取り出して、酸化する。
（７）第２アルミニウム雇の上に２Ｘｉ（］−５１−−
ルの水素気中でアルミニウムを３００人蒸着する。
ルの水素気中でアルミニウムを３００人蒸着する。
以下この工程で形成したアルミニウムを第３アルミニウ
ム層という。
ム層という。
（８）第３アルミニウム層が形成された基板を−１：ｌ
ｔｉ’Ｆ浄な大気中に取り出して、酸化する。
ｔｉ’Ｆ浄な大気中に取り出して、酸化する。
（９）第３アルミニウム層の上に０．４１〜−ルの水素
気中でアルミニウムを６００人蒸着する。この工程で形
成したアルミニウムｊ膏を第４アルミニウム層という。
気中でアルミニウムを６００人蒸着する。この工程で形
成したアルミニウムｊ膏を第４アルミニウム層という。
以」二の工程により製造された螢光面は、螢光物質のｊ
−の表面に直径数十ミクロンの凹凸を持つ表面に数十ミ
クロンの粒子からなる第１のアルミニウムが形成されて
いる。またこの第１のアルミニウム層の粒子の間を空隙
を埋めるように嵌り込んだ粒子を含んでいる。
−の表面に直径数十ミクロンの凹凸を持つ表面に数十ミ
クロンの粒子からなる第１のアルミニウムが形成されて
いる。またこの第１のアルミニウム層の粒子の間を空隙
を埋めるように嵌り込んだ粒子を含んでいる。
第２のアルミニウム層は、前記第１のアルミニウム層の
数十ミクロンの粒子より小さな粒子がら形成されている
。この第２のアルミニウム層の粒子の空隙を埋めるよう
に嵌り込んだ粒子を含んでいる。
数十ミクロンの粒子より小さな粒子がら形成されている
。この第２のアルミニウム層の粒子の空隙を埋めるよう
に嵌り込んだ粒子を含んでいる。
第３のアルミニウム層は前記第２のアルミニウム層の粒
子により小さな粒子から形成されている。
子により小さな粒子から形成されている。
第４のアルミニウム層は、第３のアルミニウム層の表面
に形成された微粒子から形成されている。
に形成された微粒子から形成されている。
前記第１．第２．第３のアルミニウム層は重なりあって
、稠密な厚さ８００人の層を形成しており、銀白色に見
える。第４のアルミニウム層は黒色で煤のように見える
。
、稠密な厚さ８００人の層を形成しており、銀白色に見
える。第４のアルミニウム層は黒色で煤のように見える
。
前述の螢光面を使用する近接型像増強管の組立を第１図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第１図は前記像増強管の光電面形成工程を示す完成前の
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
ガラス円板状の蛍光面基板１の内面に前述した工程によ
り螢光面２か形成されている。光電面基板３と蛍光面基
板１の間は、金属製のへローズ４とガラス製の円筒５で
接続されており、これらによって管内は外気と遮断され
気密状態が形成されている。
り螢光面２か形成されている。光電面基板３と蛍光面基
板１の間は、金属製のへローズ４とガラス製の円筒５で
接続されており、これらによって管内は外気と遮断され
気密状態が形成されている。
前記ガラス円筒５の側壁に設けた取付管６は真空ポンプ
およびアンチモン蒸発源、アルカリ金属蒸発源の収納室
へ接続しである。
およびアンチモン蒸発源、アルカリ金属蒸発源の収納室
へ接続しである。
前記気密容器内を１Ｏ−８）−ルに排気した後、前記取
付管６からアンチモン蒸発源７を挿入し、加熱して、光
電面基板３の内壁にアンチモン蒸着する。
付管６からアンチモン蒸発源７を挿入し、加熱して、光
電面基板３の内壁にアンチモン蒸着する。
続いて前記取付管６からアルカリ金属源を挿入して力旧
；ハして、アンチモン蒸着層にアルカリ金属を吸着、反
応させる。このようにして、光電面基板３に光電面８が
形成される。
；ハして、アンチモン蒸着層にアルカリ金属を吸着、反
応させる。このようにして、光電面基板３に光電面８が
形成される。
このとき、光電面基板３と蒸発源との間は３０ｍｍであ
り、螢光面２と蒸発源との間は５ｍｍ以下である。この
ため螢光面ば比較的多量のアルカリ金属蒸気にさらされ
る。
り、螢光面２と蒸発源との間は５ｍｍ以下である。この
ため螢光面ば比較的多量のアルカリ金属蒸気にさらされ
る。
光電面８を完成した後に、ベローズ４を縮めて光電面８
と螢光面９の間隔を１．３ｍ’ｍに固定する。
と螢光面９の間隔を１．３ｍ’ｍに固定する。
また取（＝Ｊ管６を加熱して封じ切り、近接型像増強管
が完成する。この状態において、螢光面に何等じみが生
ぜず、変色は生じていない。
が完成する。この状態において、螢光面に何等じみが生
ぜず、変色は生じていない。
前記完成品を光電子流０．２３ｍＡ、加速電圧８ｋＶに
して動作させたところ発光強度２Ｘ１０２ｎｉｔ／μＡ
という優れた発光効率を示した。この効率は従来の螢光
面を用いたときアルカリ金属の蒸気によって劣化して５
Ｘ１０’ｎｉｔ／μＡであるのに対して４倍も優れてい
る。
して動作させたところ発光強度２Ｘ１０２ｎｉｔ／μＡ
という優れた発光効率を示した。この効率は従来の螢光
面を用いたときアルカリ金属の蒸気によって劣化して５
Ｘ１０’ｎｉｔ／μＡであるのに対して４倍も優れてい
る。
（発明の詳細な説明）
以」二詳しく説明したように、本発明による螢光面は螢
光物質の層の上に粒子の大きさの異なるアルミニウム層
を重ねることによってアルカリ金属を通過させない構造
になっている。したがって光電面形成過程に使用される
アルカリ金属によっ゛ζ螢光面が劣化させられることの
ない螢光面を提供できる。
光物質の層の上に粒子の大きさの異なるアルミニウム層
を重ねることによってアルカリ金属を通過させない構造
になっている。したがって光電面形成過程に使用される
アルカリ金属によっ゛ζ螢光面が劣化させられることの
ない螢光面を提供できる。
また、本発明の製造方法によれば、稠密なアルミニウム
層が形成される。
層が形成される。
なお、前記アルミニウム層は粒子のｉイの異なるアルミ
ニウムの層を重ねれば良いのでアルミニウムを蒸着する
順序とそのときの水素気の圧力は前記実施例以外の値を
任意に選ぶことかできる。
ニウムの層を重ねれば良いのでアルミニウムを蒸着する
順序とそのときの水素気の圧力は前記実施例以外の値を
任意に選ぶことかできる。
また水素気は、アルミニウム層の粒子の径を制御するた
めのものであるから、不活性なガスであれば、他の気体
であってもよい。
めのものであるから、不活性なガスであれば、他の気体
であってもよい。
第１図は本発明による螢光面を使用する像増強管の螢光
面形成過程におりる形状を示す断面図である。 １・・・蛍光面基板 ２・・・螢光面３・・
・光電面基板 ４・・・ヘロース５・・・カ
ラス製円筒 ６・・・取イ」管７・・・アンチ
モン蒸発源 ８・・・光電面特許出願人 浜松ホ１
−二クス株式会社代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 ン・１図
面形成過程におりる形状を示す断面図である。 １・・・蛍光面基板 ２・・・螢光面３・・
・光電面基板 ４・・・ヘロース５・・・カ
ラス製円筒 ６・・・取イ」管７・・・アンチ
モン蒸発源 ８・・・光電面特許出願人 浜松ホ１
−二クス株式会社代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 ン・１図
Claims (6)
- （１） ガラス基板上に形成した螢光物質の層と、前
記螢光物質の層の上に形成した粒径の異なる複数のアル
ミニウムＩｉとから成る螢光面。 - （２）ガラス基板上に螢光物質を沈殿して、螢光体層を
形成する工程と、前記螢光体層上にニトロセルロース膜
を形成する工程と、前記ニトロセルロース膜の上にアル
ミニウムを蒸着して、アルミニウム層を形成する工程と
、前記ニトロセルロース１１Ａを加熱分解した後複数回
アルミニウムを蒸着して複数層のアルミニウム層を形成
する工程とから構成した螢光面の製造方法。 - （３） ｎｉｊ記アルアルミニウム着は、層ごとに異
なる圧力の不活性なガスまたは還元性のガス中で行う特
許請求の範囲第２項記載の螢光面の製造方法。 - （４）前記還元性の気体は水素である特許請求の範囲第
３項記載の螢光面の製造方法。 - （５） 前記アルミニウムを苺着する工程は多数回の
蒸着工程を含み蒸着毎にアルミニウム層を空気にさらし
て酸化する特許請求の範囲第２項または第４項記載の螢
光面の製造方法。 - （６）ガラス基板上に螢光物質を沈積する工程と。 前記螢光物質上にニトロセルロースの股を形成する工程
と、前記ニトロセルロース股上に１０−２１・−ルの水
素中でアルミニウム３００人蒸着し、第１アルミニウム
層を形成する工程と、前記二１−口セルロースの膜を分
解するために空気中で加熱し、前記第１アルミニウム層
の」二に５Ｘ１０−２トールの水素中で２００人、再び
アルミニウムを蒸着し、第２アルミニウム層を形成する
工程と。 前記第２アルミニウム層の上に２Ｘ１０−５ トール
の水素中で３００人アルミニウムを蒸着し、第３アルミ
ニウム層を形成する工程と、前記第３アルミニウム層を
空気にさらしてその表面を酸化する工程と、前記第３ア
ルミニウム層の上に４×１０−１ トールの水素中でア
ルミニウムを蒸着して第４アルミニウム層を形成する工
程とを含む特許１）１ｊ求の範囲第５項記載の螢光面の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112783A JPS59199552A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 螢光面およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112783A JPS59199552A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 螢光面およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59199552A true JPS59199552A (ja) | 1984-11-12 |
Family
ID=13451590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7112783A Pending JPS59199552A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 螢光面およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59199552A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53118967A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-17 | Toshiba Corp | Fluorescent screen |
| JPS5661752A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-27 | Toshiba Corp | X ray fluorescent light multiplying tube and manufacturing method |
| JPS56167233A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-22 | Toshiba Corp | Manufacture of output face for x-ray fluorescent multiplier tube |
| JPS5795050A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-12 | Toshiba Corp | Output surface for x ray fluorescence-intensifier tube and its production |
| JPS58225548A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Toshiba Corp | 近接形イメージ管 |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP7112783A patent/JPS59199552A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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