JPS58225548A - 近接形イメージ管 - Google Patents
近接形イメージ管Info
- Publication number
- JPS58225548A JPS58225548A JP10805882A JP10805882A JPS58225548A JP S58225548 A JPS58225548 A JP S58225548A JP 10805882 A JP10805882 A JP 10805882A JP 10805882 A JP10805882 A JP 10805882A JP S58225548 A JPS58225548 A JP S58225548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocathode
- aluminum
- tube
- image tube
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は近接形イメージ管及びその製造方法に関する
。
。
一般に近接形イメ、−ジ管は第１図に示すように構成さ
れ、内面に光電面１を有する光電面板３と内面にタービ
ット面２を有するターダット面板４とが対向配設され、
環状絶縁体５によシ所定間隔で封着されている。この場
合、各面板３．４はガラス板もしくは繊維光学板で作ら
れておシ、上記間隔は通常１〜２ｗｔ＋である。又、タ
ービット面２は通常は電子衝撃によって発光する螢光面
であるが、信号を取シ出せるものであれば他の構体（例
えば固体撮像板あるいは撮像管のＳＥＣターｒッドツト
もよく、ここでは螢光面を用いたイメージ管にりｉで説
明する。
れ、内面に光電面１を有する光電面板３と内面にタービ
ット面２を有するターダット面板４とが対向配設され、
環状絶縁体５によシ所定間隔で封着されている。この場
合、各面板３．４はガラス板もしくは繊維光学板で作ら
れておシ、上記間隔は通常１〜２ｗｔ＋である。又、タ
ービット面２は通常は電子衝撃によって発光する螢光面
であるが、信号を取シ出せるものであれば他の構体（例
えば固体撮像板あるいは撮像管のＳＥＣターｒッドツト
もよく、ここでは螢光面を用いたイメージ管にりｉで説
明する。
され、動作時には光電面リード６に対してターゲツト面
リード７に高電圧（通常は１０ｋＶ内外）を印加して動
作させる。そして、入力光は矢印８方向から照射され、
光電面１に光像が結像されると光電子が放出され、この
光電子は、強い電界によル光電面１に垂直な方向に加速
されてターｆ、）面２である螢光面に達し、螢光面を発
光させる。光電子は強い電界にょル螢光面に平行な方向
への広がシが制限されるため、螢光面で入射光像がよシ
明るく再生される。
リード７に高電圧（通常は１０ｋＶ内外）を印加して動
作させる。そして、入力光は矢印８方向から照射され、
光電面１に光像が結像されると光電子が放出され、この
光電子は、強い電界によル光電面１に垂直な方向に加速
されてターｆ、）面２である螢光面に達し、螢光面を発
光させる。光電子は強い電界にょル螢光面に平行な方向
への広がシが制限されるため、螢光面で入射光像がよシ
明るく再生される。
上記従来の近接形イメージ管において、螢光面から発す
る光が光電面１に漏れると、この光による光電子が放出
されるため、再生像の鮮鋭度が損なわれるので、これを
防止するために１０００オングストローム内外のアルミ
ニウム薄膜が螢光面の前面に設けられる。これは通常の
所謂メタルバ、りと同一の手法によシ製作される。しか
し、入射光の一部は光電面１を通過するため、上記アル
ミニラ今薄膜の表面の光反射度が高いと、この反射光が
再び光電面１を照射し、上記と同様の理由によシ再生像
の鮮鋭度が損われる。
る光が光電面１に漏れると、この光による光電子が放出
されるため、再生像の鮮鋭度が損なわれるので、これを
防止するために１０００オングストローム内外のアルミ
ニウム薄膜が螢光面の前面に設けられる。これは通常の
所謂メタルバ、りと同一の手法によシ製作される。しか
し、入射光の一部は光電面１を通過するため、上記アル
ミニラ今薄膜の表面の光反射度が高いと、この反射光が
再び光電面１を照射し、上記と同様の理由によシ再生像
の鮮鋭度が損われる。
この発明の目的は、再生像の鮮鋭度が損なわれず、管製
作上の歩留が著しく向上し、且つ安定した近接形イメー
ジ管及びその製作方法を提供する仁とである。
作上の歩留が著しく向上し、且つ安定した近接形イメー
ジ管及びその製作方法を提供する仁とである。
この発明は、内面に光電極を有する光電面板と内面にタ
ーダ、ト面を有するターダ、ト面板とを対向配設し、環
状絶縁体によシ所定間隔で封着してなる近接形イメージ
管において、上記ター２７１面の表面にアルミニウムの
多孔質層を設けた近接形イメージ管である。
ーダ、ト面を有するターダ、ト面板とを対向配設し、環
状絶縁体によシ所定間隔で封着してなる近接形イメージ
管において、上記ター２７１面の表面にアルミニウムの
多孔質層を設けた近接形イメージ管である。
又、この発明は内面に光電面を有する光電面板と内面に
ターダ、ト面を有するターダ、ト面板とを対向配設し、
且つターダ、ト面の表面にアルミニウムの多孔質層を設
けた近接形イメージ管において、上記ターダ、ト面に不
活性ガス雰囲気中でアルミニウムを蒸着する第１の工程
と、真空中でアルζニウムを蒸着する第２の工程とによ
シ、上記多孔質層を形成することを特徴とした近接形イ
メージ管の製造方法である。
ターダ、ト面を有するターダ、ト面板とを対向配設し、
且つターダ、ト面の表面にアルミニウムの多孔質層を設
けた近接形イメージ管において、上記ターダ、ト面に不
活性ガス雰囲気中でアルミニウムを蒸着する第１の工程
と、真空中でアルζニウムを蒸着する第２の工程とによ
シ、上記多孔質層を形成することを特徴とした近接形イ
メージ管の製造方法である。
この発明の近接形イメージ管は第２図及び第３図に示す
ように構成され、第３図は第２図の要部を示したもので
ある。即ち、従来例（第１図）と同一箇所は同一符号を
付すことにすると、内面に光電面１を有する光電面板３
と、内面にターゲツト面２を有するターゲツト面板４と
が対向配設され、環状絶縁体１ｏにょシ所定間隔（例え
ば１〜２笥）で封着されている。上記ターゲツト面２は
、第３図に示すようＫ例えば螢光面１１とアルミニウム
薄膜１２とからなり、更にこの発明ではター’ｙ’ ｙ
）面２の表面にアルミニウムの多孔質層１３が形成さ
れている。
ように構成され、第３図は第２図の要部を示したもので
ある。即ち、従来例（第１図）と同一箇所は同一符号を
付すことにすると、内面に光電面１を有する光電面板３
と、内面にターゲツト面２を有するターゲツト面板４と
が対向配設され、環状絶縁体１ｏにょシ所定間隔（例え
ば１〜２笥）で封着されている。上記ターゲツト面２は
、第３図に示すようＫ例えば螢光面１１とアルミニウム
薄膜１２とからなり、更にこの発明ではター’ｙ’ ｙ
）面２の表面にアルミニウムの多孔質層１３が形成さ
れている。
この多孔質層１３の形成は先ず不活性ガス雰囲気中でア
ルミニウムを蒸着（第１の工程）した後にガスを除去し
、次に高真空度中でアルミニウムを蒸着（第２の工程）
することによって、アルミニウムの多孔質層１３が形成
される。そして、高真空度中で蒸着する量は多孔質層１
３の黒さを実質上保ち、且つ電子透過性を余Ｉ）損なわ
ない範囲に選択される。経験的には平面換算で２００オ
ングストローム内外が適当士あったが、これは厳密に規
制されなくても、成る程度は目的が達せちれる。
ルミニウムを蒸着（第１の工程）した後にガスを除去し
、次に高真空度中でアルミニウムを蒸着（第２の工程）
することによって、アルミニウムの多孔質層１３が形成
される。そして、高真空度中で蒸着する量は多孔質層１
３の黒さを実質上保ち、且つ電子透過性を余Ｉ）損なわ
ない範囲に選択される。経験的には平面換算で２００オ
ングストローム内外が適当士あったが、これは厳密に規
制されなくても、成る程度は目的が達せちれる。
又、上記環状絶縁体１０には内周面に環状突起１０＆が
形成され、外周面にも環状突起１０ｂが形成されている
。
形成され、外周面にも環状突起１０ｂが形成されている
。
この場合、管内部に突起１０＆が突出してくるため、表
面電荷がたまシ易くなシ、当初子憇に反して絶縁性が悪
くなる場合が生じた。問題は表面電荷を逃がすことが必
要であるが、絶縁体１０自体をわずかに導電性を有する
材料で作ることが有効な手段であることが判明した。材
料としては高抵抗の電子伝導性がラス、或いは不純物混
入によルわずかに導電性を付加したセラミックなどが選
ばれる。又、体積比抵折は管の許容される暗電流から割
シ出される値以上で、且つ、効果が得られる範囲内で決
めれば良いわけで、−律厳密に決められるものではない
。−例を述べると、印加電圧１０ ｋＶ、暗電流を１０
ｎＡに設定し、真空気密封着部分１４．１５の面積を同
−ｔｉｃ ２ ｃｒｒｒ’とし、絶縁体１０の厚みを２
問とした場合、所望の体積比抵抗１０１３Ω・閂となる
。
面電荷がたまシ易くなシ、当初子憇に反して絶縁性が悪
くなる場合が生じた。問題は表面電荷を逃がすことが必
要であるが、絶縁体１０自体をわずかに導電性を有する
材料で作ることが有効な手段であることが判明した。材
料としては高抵抗の電子伝導性がラス、或いは不純物混
入によルわずかに導電性を付加したセラミックなどが選
ばれる。又、体積比抵折は管の許容される暗電流から割
シ出される値以上で、且つ、効果が得られる範囲内で決
めれば良いわけで、−律厳密に決められるものではない
。−例を述べると、印加電圧１０ ｋＶ、暗電流を１０
ｎＡに設定し、真空気密封着部分１４．１５の面積を同
−ｔｉｃ ２ ｃｒｒｒ’とし、絶縁体１０の厚みを２
問とした場合、所望の体積比抵抗１０１３Ω・閂となる
。
当管の使用状態での光電流は高々１ ｎＡ程度であるの
で、上記の設定で表面電荷を逃がす効果は十分得られる
。
で、上記の設定で表面電荷を逃がす効果は十分得られる
。
この発明によれば、ターフ９ツト面２の表面にアルミニ
ウムの多孔質層１３を設けているので、再生像の鮮鋭度
が損なわれることはない。又、管製作上の歩留が著しく
向上し、且つ安定な近接形イメージ管が得られる。即ち
、高真空度中でアルミニウム蒸着を実施（第２の工程）
しているので、煤状のアルミニウムは、基体のアルミニ
ウム薄膜と強固に結び付き、また粒子相互の連結強度も
増大して容易に剥離しなくなる。
ウムの多孔質層１３を設けているので、再生像の鮮鋭度
が損なわれることはない。又、管製作上の歩留が著しく
向上し、且つ安定な近接形イメージ管が得られる。即ち
、高真空度中でアルミニウム蒸着を実施（第２の工程）
しているので、煤状のアルミニウムは、基体のアルミニ
ウム薄膜と強固に結び付き、また粒子相互の連結強度も
増大して容易に剥離しなくなる。
又、第１の工程つまシネ活性ガス界囲気中で形成された
アルミニウムの蒸着層は不活性ガ゛スを吸蔵しておシ、
これが管の動作中除々に真空中に放出して管の特性劣化
をきたすが、第２の工程を実施することによってガス放
出が抑制され、好ましい結果を生んでいる。
アルミニウムの蒸着層は不活性ガ゛スを吸蔵しておシ、
これが管の動作中除々に真空中に放出して管の特性劣化
をきたすが、第２の工程を実施することによってガス放
出が抑制され、好ましい結果を生んでいる。
又、この発明では環状絶縁体１０の内外周面に環状突起
１０ａ、ｆＯｂｆｔ一体に設けているので、表面経路が
長くなり、この結果、表面絶縁性の著しく向上し、管自
体も従来よシ小形（薄形）にできる。
１０ａ、ｆＯｂｆｔ一体に設けているので、表面経路が
長くなり、この結果、表面絶縁性の著しく向上し、管自
体も従来よシ小形（薄形）にできる。
尚、この発明は、ターゲツト面が螢光面で形成されてい
る通常のイメージ管に適用できるだけに止まらず、ター
ゲツト面がＳＥＣターダ、トからなる近接形イメージ管
付の高感度撮像管、或いは又、ターゲツト面がＣＣＤな
どの固体撮像板からなる特殊の近接形イメージ管にも適
用できる。
る通常のイメージ管に適用できるだけに止まらず、ター
ゲツト面がＳＥＣターダ、トからなる近接形イメージ管
付の高感度撮像管、或いは又、ターゲツト面がＣＣＤな
どの固体撮像板からなる特殊の近接形イメージ管にも適
用できる。
第１図は従来の近接形イメー、ジ管を示す断面 １図
、第２図はこの発明の一実施例に係る近接形イメージ管
を示す断面図、第３図は第２図の要部を拡大して示す断
面図である。 １・・・光電面、２・・・ター２２１１面、３・・・光
電面板、４・・・ターゲツト面板、６・・・光電面リー
ト９．７・・・ターゲツト面リード、１０・・・絶縁体
１．１０ａ・・・突起、１０ｂ・・・突起、１１・・・
螢光面、１２・・・アルミニウム薄膜、１３・・・多孔
質層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
、第２図はこの発明の一実施例に係る近接形イメージ管
を示す断面図、第３図は第２図の要部を拡大して示す断
面図である。 １・・・光電面、２・・・ター２２１１面、３・・・光
電面板、４・・・ターゲツト面板、６・・・光電面リー
ト９．７・・・ターゲツト面リード、１０・・・絶縁体
１．１０ａ・・・突起、１０ｂ・・・突起、１１・・・
螢光面、１２・・・アルミニウム薄膜、１３・・・多孔
質層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (2)
- （１） 内面に光電面を有する光電面板と内面にター
グツト面を有するターｒ、ト面板とを対向配設し、環状
絶縁体によシ所定間隔で封着してなるイメージ管におい
て、 上記ターケキ、ト面の表面にアルミニウムの多孔質層を
設けた近接形イメージ管。 - （２）内面に光電面を有する光電面板と内面にタービッ
ト面を有するターｒヮト面板とを対向配設し、且つ該タ
ービット面の表面にアルミニウムの多孔質層を設けた近
接形イ・メージ管において、上記タービット面に不活性
ガス雰囲気中でアルミニウムを蒸着する第１の工程と、
真空中でアルミニウムを蒸着する第２の工程とによシ、
上記多孔質層を形成することを特徴とした近接形イメー
ジ管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10805882A JPS58225548A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 近接形イメージ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10805882A JPS58225548A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 近接形イメージ管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58225548A true JPS58225548A (ja) | 1983-12-27 |
| JPH0129012B2 JPH0129012B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=14474837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10805882A Granted JPS58225548A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 近接形イメージ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58225548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199552A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 螢光面およびその製造方法 |
| JPH01239739A (ja) * | 1988-02-13 | 1989-09-25 | Proxitronic Funk Gmbh & Co Kg | 画像増幅器 |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10805882A patent/JPS58225548A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199552A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 螢光面およびその製造方法 |
| JPH01239739A (ja) * | 1988-02-13 | 1989-09-25 | Proxitronic Funk Gmbh & Co Kg | 画像増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129012B2 (ja) | 1989-06-07 |
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