JPH01290205A - 高分子複合型希土類磁石の製造方法 - Google Patents
高分子複合型希土類磁石の製造方法Info
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- JPH01290205A JPH01290205A JP63119356A JP11935688A JPH01290205A JP H01290205 A JPH01290205 A JP H01290205A JP 63119356 A JP63119356 A JP 63119356A JP 11935688 A JP11935688 A JP 11935688A JP H01290205 A JPH01290205 A JP H01290205A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、いわゆるゴム磁石やプラスチック磁石を典型
とした高分子複合型磁石の製造方法に関し、特にＮｄ−
Ｆｅ−Ｂ系永久磁石を代表とする希土類金属（Ｒ）と遷
移金属（Ｔ）とホウ素（Ｂ）を主成分としてなるＲ ２
Ｔ １４ Ｂ系の希土類磁石粉末を用いた高分子複合
型希土類磁石の磁石特性の改善に関する。
とした高分子複合型磁石の製造方法に関し、特にＮｄ−
Ｆｅ−Ｂ系永久磁石を代表とする希土類金属（Ｒ）と遷
移金属（Ｔ）とホウ素（Ｂ）を主成分としてなるＲ ２
Ｔ １４ Ｂ系の希土類磁石粉末を用いた高分子複合
型希土類磁石の磁石特性の改善に関する。
［従来の技術］
高分子複合型磁石は、高分子樹脂中に磁石粉末を分散さ
せたもの、あるいは磁石粉末を高分子樹脂で結着させた
ものである。この磁石は、鋳造磁石や焼結磁石等には見
られない種々の利点例えば弾力性や加工容易性を備えて
おり、種々の方面に用いられている。しかしながら、こ
の高分子複合磁石は磁石粉末と非磁性のｖ！Ｊ＃で形成
されているため、焼結磁石等に比べ、磁石特性が低いと
いう欠点を有している。そのため、粉末を磁場中で配向
させる等の異方性化により、高い磁石特性を達成しよう
としている。
せたもの、あるいは磁石粉末を高分子樹脂で結着させた
ものである。この磁石は、鋳造磁石や焼結磁石等には見
られない種々の利点例えば弾力性や加工容易性を備えて
おり、種々の方面に用いられている。しかしながら、こ
の高分子複合磁石は磁石粉末と非磁性のｖ！Ｊ＃で形成
されているため、焼結磁石等に比べ、磁石特性が低いと
いう欠点を有している。そのため、粉末を磁場中で配向
させる等の異方性化により、高い磁石特性を達成しよう
としている。
分散、結着される磁石粉末としては、これ迄、種々のも
のが用いられているが、その代表例として現在数も高い
磁石特性を示しているＮｄ−Ｆｅ・Ｂ系焼結磁石粉末が
ある。
のが用いられているが、その代表例として現在数も高い
磁石特性を示しているＮｄ−Ｆｅ・Ｂ系焼結磁石粉末が
ある。
［発明が解決しようとする課題］
従来の希土類磁石粉末を使用した高分子複合磁石は、原
料を溶解して得た合金鋳塊を熱処理後、粉砕し、その粉
末を高分子樹脂と混合し、磁場中で成形して製造されて
いた。ここで使用されていた磁石合金粉末は、磁界中で
の結晶粒配向性を向上させるため、微細な単結晶粒子か
らなっていることが望ましかった。しかしながら、Ｎｄ
−Ｆｅ・Ｂ系磁石で代表されるＲ２ Ｔ Ｉ４Ｂ系合
金においては、粉砕時における機械的応力により、保磁
力（ＩＨｃ ）の低下が生じるなめ、粉末が単結晶粒子
からなる微細な領域では、著しく ＩＨｃが低下して
いた。そのため、溶解インゴットを出発原料として使用
した製法においては、高ＩＨｃを有する焼結磁石を粉砕
して磁石粉末として使用しても、著しく低い磁石特性を
示す高分子複合型磁石となっていた。
料を溶解して得た合金鋳塊を熱処理後、粉砕し、その粉
末を高分子樹脂と混合し、磁場中で成形して製造されて
いた。ここで使用されていた磁石合金粉末は、磁界中で
の結晶粒配向性を向上させるため、微細な単結晶粒子か
らなっていることが望ましかった。しかしながら、Ｎｄ
−Ｆｅ・Ｂ系磁石で代表されるＲ２ Ｔ Ｉ４Ｂ系合
金においては、粉砕時における機械的応力により、保磁
力（ＩＨｃ ）の低下が生じるなめ、粉末が単結晶粒子
からなる微細な領域では、著しく ＩＨｃが低下して
いた。そのため、溶解インゴットを出発原料として使用
した製法においては、高ＩＨｃを有する焼結磁石を粉砕
して磁石粉末として使用しても、著しく低い磁石特性を
示す高分子複合型磁石となっていた。
一方、粉砕によるＩＨｃの低下がほとんど生じないＲ−
Ｔ−Ｂ系磁石合金の作製法としては、液体急冷法が知ら
れている。しかしながら、この製法によって得られた粉
末では、異方性化は実現できなかった。その後、この液
体急冷合金を熱間加工することによって、異方性化が可
能な磁石粉末の得られることが判明しな、この方法は、
高温で、高圧を必要とするため、設備が高価で、大がか
りなものとなるのに加え、製造状態における特性の安定
化には不安が残っており、工業的には有益なものとはい
いがたい。
Ｔ−Ｂ系磁石合金の作製法としては、液体急冷法が知ら
れている。しかしながら、この製法によって得られた粉
末では、異方性化は実現できなかった。その後、この液
体急冷合金を熱間加工することによって、異方性化が可
能な磁石粉末の得られることが判明しな、この方法は、
高温で、高圧を必要とするため、設備が高価で、大がか
りなものとなるのに加え、製造状態における特性の安定
化には不安が残っており、工業的には有益なものとはい
いがたい。
そこで、本発明の技術的課題は、通常、実施されている
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造工程を活用して、高性能の
異方性高分子複合型希土類磁石の製造方法を提供するも
のである。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造工程を活用して、高性能の
異方性高分子複合型希土類磁石の製造方法を提供するも
のである。
［発明を解決するための手段］
本発明によれば、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｂを主成分として含有す
るＲ２Ｔ１４Ｂ系（ＲはＹ及び希土類元素の少なくとも
一種、Ｔは遷移元素を表わす、）インゴ・ｙトを粉砕し
て初期粉末を生成した後、この初期粉末を第１次磁場中
成形し、第１次磁性粉末成形体を生成する第１次磁場中
成形工程と、この第１次磁性粉末成形体を焼結して焼結
体を生成する焼結工程と、この焼結体を粉砕して焼結体
粉砕粉末を生成する焼結体粉砕工程と、この焼結体粉砕
粉末を第２次磁場中成形し、第２次磁性粉末成形体を生
成する第２次磁場中成形工程と、この第２次磁性粉末成
形体を熱処理し、熱処理成形体を生成する熱処理工程と
、この熱処理成形体を高分子樹脂で複合成形する樹脂複
合成形工程とを有する高分子複合型希土類磁石の製造方
法において、前記樹脂複合成形工程は、前記熱処理成形
体を高分子樹脂で含浸することにより複合成形すること
を特徴とする高分子複合型希土類磁石の製造方法が得ら
れる。ここで、前記熱処理成形体を前記熱処理温度保持
後、急冷する急冷工程を含むことが望ましい。
るＲ２Ｔ１４Ｂ系（ＲはＹ及び希土類元素の少なくとも
一種、Ｔは遷移元素を表わす、）インゴ・ｙトを粉砕し
て初期粉末を生成した後、この初期粉末を第１次磁場中
成形し、第１次磁性粉末成形体を生成する第１次磁場中
成形工程と、この第１次磁性粉末成形体を焼結して焼結
体を生成する焼結工程と、この焼結体を粉砕して焼結体
粉砕粉末を生成する焼結体粉砕工程と、この焼結体粉砕
粉末を第２次磁場中成形し、第２次磁性粉末成形体を生
成する第２次磁場中成形工程と、この第２次磁性粉末成
形体を熱処理し、熱処理成形体を生成する熱処理工程と
、この熱処理成形体を高分子樹脂で複合成形する樹脂複
合成形工程とを有する高分子複合型希土類磁石の製造方
法において、前記樹脂複合成形工程は、前記熱処理成形
体を高分子樹脂で含浸することにより複合成形すること
を特徴とする高分子複合型希土類磁石の製造方法が得ら
れる。ここで、前記熱処理成形体を前記熱処理温度保持
後、急冷する急冷工程を含むことが望ましい。
更に本発明によれば、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｂを主成分として含
有するＲ２Ｔ１４Ｂ系（ＲはＹ及び希土類元素の少なく
とも一種、Ｔは遷移元素を表わす、）インゴットを粉砕
して初期粉末を生成した後、この初期粉末を第１次磁場
中成形し、第１次磁性粉末成形体を生成する第１次磁場
中成形工程と、この第１次磁性粉末成形体を焼結して焼
結体を生成する焼結工程と、この焼結体を粉砕して焼結
体粉砕粉末を生成する焼結体粉砕工程と、この焼結体粉
砕粉末を熱処理し、熱処理成形体を生成する熱処理工程
と、この熱処理成形体を粉砕して熱処理成形体粉末を生
成し、この熱処理成形体粉末を、高分子ＩｆＡ脂と混合
した後、第２次磁場中にて圧縮成形又は射出成形するこ
とを特徴とする高分子複合型希土類磁石の製造方法が得
られる。
有するＲ２Ｔ１４Ｂ系（ＲはＹ及び希土類元素の少なく
とも一種、Ｔは遷移元素を表わす、）インゴットを粉砕
して初期粉末を生成した後、この初期粉末を第１次磁場
中成形し、第１次磁性粉末成形体を生成する第１次磁場
中成形工程と、この第１次磁性粉末成形体を焼結して焼
結体を生成する焼結工程と、この焼結体を粉砕して焼結
体粉砕粉末を生成する焼結体粉砕工程と、この焼結体粉
砕粉末を熱処理し、熱処理成形体を生成する熱処理工程
と、この熱処理成形体を粉砕して熱処理成形体粉末を生
成し、この熱処理成形体粉末を、高分子ＩｆＡ脂と混合
した後、第２次磁場中にて圧縮成形又は射出成形するこ
とを特徴とする高分子複合型希土類磁石の製造方法が得
られる。
ここで本発明の上記した２通りの高分子複合型希土類磁
石の製造方法においては、熱処理工程の熱処理温度は４
８０〜１１２０℃の範囲内が望ましい。
石の製造方法においては、熱処理工程の熱処理温度は４
８０〜１１２０℃の範囲内が望ましい。
更に、本発明の上記した２通りの高分子複合型希土類磁
石の製造方法においては、前記焼結体粉砕工程は、前記
焼結体粉砕粉末の粒径が実質的に１０μｍ〜１圓の範囲
内になるように前記焼結体を粉砕することが望ましい。
石の製造方法においては、前記焼結体粉砕工程は、前記
焼結体粉砕粉末の粒径が実質的に１０μｍ〜１圓の範囲
内になるように前記焼結体を粉砕することが望ましい。
即ち、本発明は、溶解して得られた合金インゴットを微
粉砕した後、磁場中で成形して得られた粉末成形体を焼
結し、高い結晶配向度の焼結体とし、次にこの焼結体を
粉砕後、粒径が１０μｍ未満の粉末を含有しないように
調整した成形用粉末を、 ■ 磁場中成形し、熱処理した後に、この熱処理成形体
に高分子樹脂を含浸する。
粉砕した後、磁場中で成形して得られた粉末成形体を焼
結し、高い結晶配向度の焼結体とし、次にこの焼結体を
粉砕後、粒径が１０μｍ未満の粉末を含有しないように
調整した成形用粉末を、 ■ 磁場中成形し、熱処理した後に、この熱処理成形体
に高分子樹脂を含浸する。
■ 熱処理した後、高分子樹脂と混合し、磁場中成形す
る。
る。
ことにより、高い磁石特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系高分子
複合型磁石を実現するものである。
複合型磁石を実現するものである。
本発明の磁石特性の向上は、熱処理によるＩＨｃの向上
とＢｒの向上に関係しており、この効果は、成形用粉末
が複数の配向した結晶粒で構成されていることに深く起
因していることを、本発明者らは種々実験を行なった結
果発見した。
とＢｒの向上に関係しており、この効果は、成形用粉末
が複数の配向した結晶粒で構成されていることに深く起
因していることを、本発明者らは種々実験を行なった結
果発見した。
本発明は、Ｒ２Ｔ１４Ｂ系焼結体を粉砕してＲ２Ｔ１４
Ｂ系高分子複合型磁石を製造する方法において、焼結体
を粉砕して作製した成形用粉末の粒子径を１０μｍから
１ｆｌの範囲とし、磁石の製造工程に、磁石粉末の磁界
中成形及び熱処理を含むものであり、高い磁石特性が実
現でき、工業上非常に有益となる。
Ｂ系高分子複合型磁石を製造する方法において、焼結体
を粉砕して作製した成形用粉末の粒子径を１０μｍから
１ｆｌの範囲とし、磁石の製造工程に、磁石粉末の磁界
中成形及び熱処理を含むものであり、高い磁石特性が実
現でき、工業上非常に有益となる。
焼結体粉砕粉末の粒子径を１０μｍ以上としたのは、こ
れ以上の粒径になると熱処理によるＩＨＣの向上が票著
となり、同時にＢ ｒ、 （ＢＨ）、、ｘの向上も顕著
となるからである。１０μｍ以下の粉末では、熱処理を
施しても粉砕による損傷から磁石合金が著しく回復する
ことは困難となっている。一方、上限の平均粉砕粒径を
ＩＩＩＩＩとしたのは、これ以上の粒径にすると、高分
子複合磁石としての均質性が低下するのと同時に、粉末
成形時における金型破損や、流動性の不均一化等の不都
合が生ずるためである。
れ以上の粒径になると熱処理によるＩＨＣの向上が票著
となり、同時にＢ ｒ、 （ＢＨ）、、ｘの向上も顕著
となるからである。１０μｍ以下の粉末では、熱処理を
施しても粉砕による損傷から磁石合金が著しく回復する
ことは困難となっている。一方、上限の平均粉砕粒径を
ＩＩＩＩＩとしたのは、これ以上の粒径にすると、高分
子複合磁石としての均質性が低下するのと同時に、粉末
成形時における金型破損や、流動性の不均一化等の不都
合が生ずるためである。
また、粉末の最小粒径を１０μｍ以上としても、本発明
における ＩＨｃ向上の寄与により磁石特性は向上する
ものであるが、粉末の粒度分布状態によっては、磁石粉
末の占積率が低下するために、Ｂｒが減少し、（ＢＨ）
ｌａＸも減少することもあり得る。
における ＩＨｃ向上の寄与により磁石特性は向上する
ものであるが、粉末の粒度分布状態によっては、磁石粉
末の占積率が低下するために、Ｂｒが減少し、（ＢＨ）
ｌａＸも減少することもあり得る。
しかしながら、この現象は粉末の粒度分布を変化させる
ことにより、容易に改善できるものであり、本発明の負
効果となるものではない、以下、実施例について図面を
参照して述べる。
ことにより、容易に改善できるものであり、本発明の負
効果となるものではない、以下、実施例について図面を
参照して述べる。
［実施例］
実施例１
純度９７ｗｔ％のＮｄ（残部はＣｅ、Ｐｒを主体とする
他の希土類元素）、フェロボロン（Ｂ純分約２０ｗｔ％
）及び電解鉄を使用し、希土類元素（Ｒ）が３４．０ｗ
ｔ％、Ｂが１．Ｏｗｔ％、残部Ｆｅとなるように、アル
ゴン雰囲気中で、高周波加熱により溶解し合金インゴッ
トを得た。
他の希土類元素）、フェロボロン（Ｂ純分約２０ｗｔ％
）及び電解鉄を使用し、希土類元素（Ｒ）が３４．０ｗ
ｔ％、Ｂが１．Ｏｗｔ％、残部Ｆｅとなるように、アル
ゴン雰囲気中で、高周波加熱により溶解し合金インゴッ
トを得た。
次に、この合金インゴットを粗粉砕した後、ボールミル
を用いて、平均粒径的２μｍに微粉砕した。この合金粉
末を２０ ＫＯｅの磁界中、１ ｔｏｎ／ａａの圧力で
直方体状に成形した０次に、この成形体を真空中１０４
０℃で１時間保持した後、Ａｒ中で３時間保持し、焼結
体を得た。この焼結体は７．５５ｇｒ／ ａｍ３の密度
を有し、平均結晶粒径は約８μｍである。この一部を６
００℃で２時間時効し、磁石特性を測定したところ、Ｂ
ｒ １３．７にＧ、 ＩＨｃ１２．５にＯｅ、 （
ＢＨ）Ｉｌａｘ４４．ＯＮ、Ｇ、Ｏｅ程度であった。
を用いて、平均粒径的２μｍに微粉砕した。この合金粉
末を２０ ＫＯｅの磁界中、１ ｔｏｎ／ａａの圧力で
直方体状に成形した０次に、この成形体を真空中１０４
０℃で１時間保持した後、Ａｒ中で３時間保持し、焼結
体を得た。この焼結体は７．５５ｇｒ／ ａｍ３の密度
を有し、平均結晶粒径は約８μｍである。この一部を６
００℃で２時間時効し、磁石特性を測定したところ、Ｂ
ｒ １３．７にＧ、 ＩＨｃ１２．５にＯｅ、 （
ＢＨ）Ｉｌａｘ４４．ＯＮ、Ｇ、Ｏｅ程度であった。
一方、時効処理を施さない焼結体について、５００μｍ
以下の粒径となるように粗粉砕した後、それぞれ２０μ
ｍ以下、４０μｍ以下、６０μｍ以下、８０μｍ以下、
１００μｍ以下の粉末粒子を除去し、約２０にＯｅの磁
界中、２ ｊｏｎ／ｃＩｉの成形圧で円盤状に成形した
。
以下の粒径となるように粗粉砕した後、それぞれ２０μ
ｍ以下、４０μｍ以下、６０μｍ以下、８０μｍ以下、
１００μｍ以下の粉末粒子を除去し、約２０にＯｅの磁
界中、２ ｊｏｎ／ｃＩｉの成形圧で円盤状に成形した
。
次に、これらの成形体を真空中１０００℃で１時間保持
した後、Ａｒ中１時間保持し急冷した。
した後、Ａｒ中１時間保持し急冷した。
これら成形体の密度（Ｇ、Ｄ、）は５．８〜６．４ｇｒ
／ａｍ３であった。
／ａｍ３であった。
次に、これら成形体を真空引き後、エポキシ樹脂を含浸
した後、８０℃で５時間保持し硬化させ、高分子複合磁
石とした。その磁気特性の測定結果を第１図に示す。
した後、８０℃で５時間保持し硬化させ、高分子複合磁
石とした。その磁気特性の測定結果を第１図に示す。
また、比較のために前述の時効処理した焼結体について
も同様に、粗粉砕、磁場中成形、エポキシ樹脂含浸によ
る高分子複合化を行ない、磁石特性を測定した。その結
果は、Ｇ、Ｄ、５．４（ｌｒ／ａｍ３゜Ｂｒ５．１にＧ
、 ＩＨｃ ２．５にＯｅ、 （ＢＨ）、、ｘ３．
ＯＨ，Ｇ、Ｏｅであった。
も同様に、粗粉砕、磁場中成形、エポキシ樹脂含浸によ
る高分子複合化を行ない、磁石特性を測定した。その結
果は、Ｇ、Ｄ、５．４（ｌｒ／ａｍ３゜Ｂｒ５．１にＧ
、 ＩＨｃ ２．５にＯｅ、 （ＢＨ）、、ｘ３．
ＯＨ，Ｇ、Ｏｅであった。
第１図示のように、粒子径が１０μｍ以下の粉末を除去
することにより、磁石特性が著しく向上する。
することにより、磁石特性が著しく向上する。
実施例２
５ｗｔ％のＣｅ、１５ｗｔ％のＰｒ、残部Ｎｄ（ただし
、他の希土類元素はＮｄとして含めた。）からなるセリ
ウムジジムとジスプロシウム、フェロボロン、電解鉄、
電解コバルトを使用し、実施例１と同様にして、（Ｃｅ
−Ｐｒ−Ｎｄ）が３１．０ｗｔ％Ｄｙが２．５ｗｔ％
、Ｃｏが７ｗｔ％、残部がＦｅのＲ−Ｔ−Ｂ系インゴッ
トを得た。
、他の希土類元素はＮｄとして含めた。）からなるセリ
ウムジジムとジスプロシウム、フェロボロン、電解鉄、
電解コバルトを使用し、実施例１と同様にして、（Ｃｅ
−Ｐｒ−Ｎｄ）が３１．０ｗｔ％Ｄｙが２．５ｗｔ％
、Ｃｏが７ｗｔ％、残部がＦｅのＲ−Ｔ−Ｂ系インゴッ
トを得た。
次に、実施例１と同様にして、平均粒径的２μｍに微粉
砕した後、磁場中成形、１０５０℃での焼結を行なった
。この焼結体の密度は７．５５ｏｒ／ａＩ１３であり、
平均結晶粒径は約６μｍとなっていた。これらの一部を
６００℃で２時間時効した磁石特性は、Ｂ ｒ １２．
３ＫＧ、 ＩＨｃ１４．５にＯｅ、 （ＢＨ）ｌａｘ
３４．５Ｈ，Ｇ、Ｏｅであった。
砕した後、磁場中成形、１０５０℃での焼結を行なった
。この焼結体の密度は７．５５ｏｒ／ａＩ１３であり、
平均結晶粒径は約６μｍとなっていた。これらの一部を
６００℃で２時間時効した磁石特性は、Ｂ ｒ １２．
３ＫＧ、 ＩＨｃ１４．５にＯｅ、 （ＢＨ）ｌａｘ
３４．５Ｈ，Ｇ、Ｏｅであった。
一方、時効処理を施さない焼結体を、実施例１と同様に
して粗粉砕後２０μｍ以下、４０μｍ以下、６０μｍ以
下、８０μｍ以下、１００μｍ以下の粉末を除去した後
、６００℃で熱処理した。
して粗粉砕後２０μｍ以下、４０μｍ以下、６０μｍ以
下、８０μｍ以下、１００μｍ以下の粉末を除去した後
、６００℃で熱処理した。
次に、この熱処理した粉末を解砕した後、ポリエチレン
を４０ＶＯ１，％混合し、約１００℃にて、２０ ＫＯ
ｅの磁界を印加しながら、金型中に射出成形し、高分子
複合磁石を得た。その磁石特性の測定結果を第２図に示
す。
を４０ＶＯ１，％混合し、約１００℃にて、２０ ＫＯ
ｅの磁界を印加しながら、金型中に射出成形し、高分子
複合磁石を得た。その磁石特性の測定結果を第２図に示
す。
また比較のために、上述の時効処理した焼結体について
も同様に粗粉砕、ポリエチレン混合後射出成形による高
分子複合磁石化を行なった特性値は Ｂｒ４．６にＧ、
Ｉ）Ｉｃ３．５ＫＯｅ 、 （ＢＨ）
１．ｘ ３．５Ｈ，Ｇ、Ｏｅであった。
も同様に粗粉砕、ポリエチレン混合後射出成形による高
分子複合磁石化を行なった特性値は Ｂｒ４．６にＧ、
Ｉ）Ｉｃ３．５ＫＯｅ 、 （ＢＨ）
１．ｘ ３．５Ｈ，Ｇ、Ｏｅであった。
第２図示のように、粒子径が１０μｍ以下の粉末を除去
することにより、磁石特性が著しく向上する傾向となっ
ている。
することにより、磁石特性が著しく向上する傾向となっ
ている。
以上の実施例で示されたように、異方性を有するＲ ２
Ｔ １ｔ、 Ｂ系焼結合金を粉砕して作製した成形用
粉末において、１０μｍ以下の粉末粒子を含有しないこ
とにより、磁石特性の著しい向上が実現される。
Ｔ １ｔ、 Ｂ系焼結合金を粉砕して作製した成形用
粉末において、１０μｍ以下の粉末粒子を含有しないこ
とにより、磁石特性の著しい向上が実現される。
以上の実施例は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系。
Ｃｅ−Ｐｒ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系についてのみ述べ
たが、Ｎｄの一部をＹ及び他の希土類元素例えばＧｄ、
Ｔｂ、Ｈｏ等で置換したり、Ｆｅの一部を他の遷移金属
例えばＭｎ、Ｃｒ、Ｎｉ等で置換したり、Ｂの一部を他
の半金属例えばＳｉ。
たが、Ｎｄの一部をＹ及び他の希土類元素例えばＧｄ、
Ｔｂ、Ｈｏ等で置換したり、Ｆｅの一部を他の遷移金属
例えばＭｎ、Ｃｒ、Ｎｉ等で置換したり、Ｂの一部を他
の半金属例えばＳｉ。
Ｃ等で置換しても、磁石合金の組成がＮｄ −Ｆｅ・Ｂ
を主成分の一部としており、また磁石の化合物系でＮｄ
２Ｆｅ１４Ｂ系で代表されるようなＲ２Ｔ１４Ｂが磁性
に寄与しているものであれば、本発明の効果が十分に期
待できるものであることは、容易に推測できる。
を主成分の一部としており、また磁石の化合物系でＮｄ
２Ｆｅ１４Ｂ系で代表されるようなＲ２Ｔ１４Ｂが磁性
に寄与しているものであれば、本発明の効果が十分に期
待できるものであることは、容易に推測できる。
また、本実施例では、高分子樹脂としてエポキシ樹脂と
ポリエチレンについてのみ述べたが、成形体内部に介在
し、成形体の強度向上に寄与するものであれば、いかな
る物質（例えば、他の高分子樹脂やゴム等であるばかり
でなく金属）であっても、本発明の範囲にあることは、
当業者であれば容易に理解できるものである。
ポリエチレンについてのみ述べたが、成形体内部に介在
し、成形体の強度向上に寄与するものであれば、いかな
る物質（例えば、他の高分子樹脂やゴム等であるばかり
でなく金属）であっても、本発明の範囲にあることは、
当業者であれば容易に理解できるものである。
また、本実施例に示した高分子複合磁石化の製法につい
ては、成形体に樹脂を含浸する含浸型と、粉末と樹脂を
混練した後射出成形する射出成形型についてのみ述べた
が、他の製法例えば、粉末と、ｖＡ脂を混合した後圧縮
成形する圧縮成形型、押出による成形、ロールによる成
形等色の製法についいても適用できることは、当業者で
あれば容易に推測できるものである。
ては、成形体に樹脂を含浸する含浸型と、粉末と樹脂を
混練した後射出成形する射出成形型についてのみ述べた
が、他の製法例えば、粉末と、ｖＡ脂を混合した後圧縮
成形する圧縮成形型、押出による成形、ロールによる成
形等色の製法についいても適用できることは、当業者で
あれば容易に推測できるものである。
［発明の効果］
本発明によれば、通常実施されているＲ−Ｔ・Ｂ系焼結
磁石の製造工程を活用して、磁石特性の優れた異方性を
有する高分子複合型希土類磁石の製造方法を提供するこ
とができる。
磁石の製造工程を活用して、磁石特性の優れた異方性を
有する高分子複合型希土類磁石の製造方法を提供するこ
とができる。
更に本発明によれば、焼結体粉末を原料として含浸型、
圧縮成形型、射出成形型等の広汎な高分子複合型希土類
磁石の製造方法を提供することができるので、工業上非
常に有益である。
圧縮成形型、射出成形型等の広汎な高分子複合型希土類
磁石の製造方法を提供することができるので、工業上非
常に有益である。
第１図は、本発明の実施例１における焼結体を粗粉砕し
た粉末の一部除去して作製した成形用粉末の除去した最
大粒子径と、この成形体粉末を使用した高分子複合型希
土類磁石の特性との関係を示す図、第２図は本発明の実
施例２における焼結体を粗粉砕した粉末の一部除去して
作製した成形用粉末の除去した最大粒子径と、この成形
体粉末を使用した高分子複合型希土類磁石の特性との関
係を示す図である。 第１図 陳ムした粉ふ粒吾径（μｍ）
た粉末の一部除去して作製した成形用粉末の除去した最
大粒子径と、この成形体粉末を使用した高分子複合型希
土類磁石の特性との関係を示す図、第２図は本発明の実
施例２における焼結体を粗粉砕した粉末の一部除去して
作製した成形用粉末の除去した最大粒子径と、この成形
体粉末を使用した高分子複合型希土類磁石の特性との関
係を示す図である。 第１図 陳ムした粉ふ粒吾径（μｍ）
Claims (3)
- １．Ｎｄ，Ｆｅ，Ｂを主成分として含有するＲ＿２Ｔ＿
１＿４Ｂ系（ＲはＹ及び希土類元素の少なくとも一種、
Ｔは遷移元素を表わす。）インゴットを粉砕して初期粉
末を生成した後、該初期粉末を第１次磁場中成形し、第
１次磁性粉末成形体を生成する第１次磁場中成形工程と
、 該１次磁場粉末成形体を焼結して焼結体を生成する焼結
工程と、 該焼結体を粉砕して焼結体粉砕粉末を生成する焼結体粉
砕工程と、 該焼結体粉砕粉末を第２次磁場中成形し、第２次磁性粉
末成形体を生成する第２次磁場中成形工程と、 該第２次磁性粉末成形体を熱処理し、熱処理成形体を生
成する熱処理工程と、 該熱処理成形体を高分子樹脂で複合成形する樹脂複合成
形工程とを有する高分子複合型希土類磁石の製造方法に
おいて、前記樹脂複合成形処理工程は、前記熱処理成形
体を高分子樹脂で含浸することにより複合成形すること
を特徴とする高分子複合型希土類磁石の製造方法。 - ２．Ｎｄ，Ｆｅ，Ｂを主成分として含有するＲ＿２Ｔ＿
１＿４Ｂ系（ＲはＹ及び希土類元素の少なくとも一種、
Ｔは遷移元素を表わす。）インゴットを粉砕して初期粉
末を生成した後、該初期粉末を第１次磁場中成形し、第
１次磁性粉末成形体を生成する第１次磁場中成形工程と
、 該１次磁場粉末成形体を焼結して焼結体を生成する焼結
工程と、 該焼結体を粉砕して焼結体粉砕粉末を生成する焼結体粉
砕工程と、 該焼結体粉砕粉末を熱処理し、熱処理成形体を生成する
熱処理工程と、 該熱処理成形体を粉砕して、熱処理成形体粉末を生成し
、該熱処理成形体粉末を、高分子樹脂と混合した後、第
２次磁場中にて圧縮成形又は射出成形することを特徴と
する高分子複合型希土類磁石の製造方法。 - ３．第１又は第２の請求項記載の高分子複合型希土類磁
石の製造方法において、前記焼結体粉砕工程は、前記焼
結体粉砕粉末を粒径が、実質的に１０μｍ〜１ｍｍの範
囲内になるように、前記焼結体を粉砕することを特徴と
する高分子複合型希土類磁石の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119356A JPH01290205A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119356A JPH01290205A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290205A true JPH01290205A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14759464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119356A Pending JPH01290205A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290205A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214608A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ボンド磁石の製造方法 |
| JPH03214607A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ボンド磁石の製造方法 |
| JPH0422107A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ボンド磁石の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169403A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Tohoku Metal Ind Ltd | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
| JPS6355908A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Tdk Corp | 希土類樹脂磁石の製造方法 |
| JPS6369205A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 樹脂磁石用希土類・鉄・ボロン合金粉末の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63119356A patent/JPH01290205A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169403A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Tohoku Metal Ind Ltd | 高分子複合型希土類磁石の製造方法 |
| JPS6355908A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Tdk Corp | 希土類樹脂磁石の製造方法 |
| JPS6369205A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 樹脂磁石用希土類・鉄・ボロン合金粉末の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03214608A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ボンド磁石の製造方法 |
| JPH03214607A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ボンド磁石の製造方法 |
| JPH0422107A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ボンド磁石の製造方法 |
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