JPH01290276A - 照明装置 - Google Patents
照明装置Info
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- JPH01290276A JPH01290276A JP63119341A JP11934188A JPH01290276A JP H01290276 A JPH01290276 A JP H01290276A JP 63119341 A JP63119341 A JP 63119341A JP 11934188 A JP11934188 A JP 11934188A JP H01290276 A JPH01290276 A JP H01290276A
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- Japan
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- laser
- beams
- laser beam
- divided
- laser beams
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は照明装置に係るものであり、例えばエキシマレ
ーザを用いた集積回路製造用露光装置等に好適な照明装
置に関するものである。
ーザを用いた集積回路製造用露光装置等に好適な照明装
置に関するものである。
[従来の技術]
近年、集積回路の製造に使用される露光装置の光源とし
て、エキシマレーザが注目されている。
て、エキシマレーザが注目されている。
このエキシマレーザは、現在量も有力な短波長光源であ
り、近年の集積回路の高集積化に伴ない要求される高い
線幅精度の達成に好適なものである。
り、近年の集積回路の高集積化に伴ない要求される高い
線幅精度の達成に好適なものである。
この種の露光光源として、従来から実用に供されている
エキシマレーザ光源は、安定共振器型とインジェクショ
ンロック型とに大別される。
エキシマレーザ光源は、安定共振器型とインジェクショ
ンロック型とに大別される。
第2図に示されるものは、安定共振器型と称されるもの
である。図において、誘導放出を起させる放電管12a
の両端には、二個の共振器用ミラーlla、llbが配
置され、共振器を構成している。この二個の共振器用ミ
ラー11a、llbの間を光が往復することにより、誘
導放出された光の振幅が強められ、レーザビーム15が
出射される。
である。図において、誘導放出を起させる放電管12a
の両端には、二個の共振器用ミラーlla、llbが配
置され、共振器を構成している。この二個の共振器用ミ
ラー11a、llbの間を光が往復することにより、誘
導放出された光の振幅が強められ、レーザビーム15が
出射される。
この安定共振器型レーザ光源の欠点は、出射されたレー
ザビーム15の空間的及び時間的コヒーレンジ−が低い
ことである。時間的コヒーレンシーが低いということは
、換言すれば、スペクトルの半値幅が広い(△λ〜0.
4nm)ということである。従フて、投影レンズの色消
しく色収差補正)が必要となり、この波長領域で実用的
なレンズを作ることは困矢1tである。
ザビーム15の空間的及び時間的コヒーレンジ−が低い
ことである。時間的コヒーレンシーが低いということは
、換言すれば、スペクトルの半値幅が広い(△λ〜0.
4nm)ということである。従フて、投影レンズの色消
しく色収差補正)が必要となり、この波長領域で実用的
なレンズを作ることは困矢1tである。
また、第3図に示されるものは、インジェクションロッ
ク型と称されるものである。これは、発振器段(第3図
上、上段側)と増幅器段(第3図上、下段側)とからな
る二段構成であり、発振器段においては、二個の共振器
用ミラー11a、11bが配置されている点は前述の安
定共振器型と同様である。但し、この型の発振器段には
、所定の領域の波長を選択するエタロン、回折格子等の
分散素子13が備えられている。更に発振器段の放電管
12aの両端には、レーザビームを絞るアパーチャー1
6が配置されている。これら分散索子13及びアパーチ
ャー16を備えたことにより、発振されるレーザビーム
のスペクトルの半値幅が狭く(Δλ〜O,OO1nm)
なり、単色性が向上する。この発振器段から発振された
レーザビームは、ミラー17で反射して増幅器段に入射
する。
ク型と称されるものである。これは、発振器段(第3図
上、上段側)と増幅器段(第3図上、下段側)とからな
る二段構成であり、発振器段においては、二個の共振器
用ミラー11a、11bが配置されている点は前述の安
定共振器型と同様である。但し、この型の発振器段には
、所定の領域の波長を選択するエタロン、回折格子等の
分散素子13が備えられている。更に発振器段の放電管
12aの両端には、レーザビームを絞るアパーチャー1
6が配置されている。これら分散索子13及びアパーチ
ャー16を備えたことにより、発振されるレーザビーム
のスペクトルの半値幅が狭く(Δλ〜O,OO1nm)
なり、単色性が向上する。この発振器段から発振された
レーザビームは、ミラー17で反射して増幅器段に入射
する。
一方、増幅器段の放電管12bの両端には、不安定共振
器用ミラー14a、14bが凸状面と凹状面を向い合せ
て配設されており、入射したレーザビームは、これら不
安定共振器用ミラー14a、14bによって増幅され出
射する。
器用ミラー14a、14bが凸状面と凹状面を向い合せ
て配設されており、入射したレーザビームは、これら不
安定共振器用ミラー14a、14bによって増幅され出
射する。
このインジェクションロック型レーザ光源から出射する
レーザビーム15の特徴は、単色性及び時間的コヒーレ
ンスが高いことである。従って、投影レンズには色消し
の必要がなく、単一の硝材(石英)のみでレンズを製造
することが可能であり、設計、製造とも容易であるとい
う利点を有している。しかしながら、このレーザビーム
は、不安定共振器によフて増幅されているため空間的コ
ヒーレンスは極めて高い。そのため、露光領域に干渉に
よる斑点状の露光むら(以下、スペックルと称する)を
生じてしまう。
レーザビーム15の特徴は、単色性及び時間的コヒーレ
ンスが高いことである。従って、投影レンズには色消し
の必要がなく、単一の硝材(石英)のみでレンズを製造
することが可能であり、設計、製造とも容易であるとい
う利点を有している。しかしながら、このレーザビーム
は、不安定共振器によフて増幅されているため空間的コ
ヒーレンスは極めて高い。そのため、露光領域に干渉に
よる斑点状の露光むら(以下、スペックルと称する)を
生じてしまう。
従来、このスペックルの除去方法としては、照明系の光
路中に振動ミラー等を配し、ビームを振動させることに
より、空間的コヒーレンスを下げ、スペックルを低減(
平均化)することが提案されている(特開昭58−22
6317号)。
路中に振動ミラー等を配し、ビームを振動させることに
より、空間的コヒーレンスを下げ、スペックルを低減(
平均化)することが提案されている(特開昭58−22
6317号)。
しかしながら、本願の発明者の研究によれば、ビームを
振動させることによりスペックルを効果的に消失させる
ためには、レーザの発振パルスに同期して、照明系のフ
ライアイレンズ等の強度分布均一化レンズ素子のレンズ
エレメントの配列に対応した回数だけビームを二次元的
に振る必要があることが明らかとなっている。従って、
上記の方法では、振動ミラー等により二次元的に相当回
数ビームを振る必要があるため、適正露光量を短時間に
得ることが困難となり、適正露光を確保するためにはス
ルーブツトを大幅に低下させねばならないという問題点
がある。
振動させることによりスペックルを効果的に消失させる
ためには、レーザの発振パルスに同期して、照明系のフ
ライアイレンズ等の強度分布均一化レンズ素子のレンズ
エレメントの配列に対応した回数だけビームを二次元的
に振る必要があることが明らかとなっている。従って、
上記の方法では、振動ミラー等により二次元的に相当回
数ビームを振る必要があるため、適正露光量を短時間に
得ることが困難となり、適正露光を確保するためにはス
ルーブツトを大幅に低下させねばならないという問題点
がある。
この問題点を補うものとして、第4図に示すエキシマレ
ーザ光源が開発されている。この型のレーザ光源は、前
述の安定共振器型レーザ光源の共振器中にエタロン、プ
リズム、回折格子等の分散素子13を狭帯化手段として
配設したものであり、出射するレーザビームのスペクト
ル幅を狭く(△λ〜0.003nm) している。そ
の出射レーザビームの特徴は、分散素子13を設けたこ
とにより時間的コヒーレンスが向上しており、また、イ
ンジェクションロッキング型に比して空間的コヒーレン
スが低いことである。
ーザ光源が開発されている。この型のレーザ光源は、前
述の安定共振器型レーザ光源の共振器中にエタロン、プ
リズム、回折格子等の分散素子13を狭帯化手段として
配設したものであり、出射するレーザビームのスペクト
ル幅を狭く(△λ〜0.003nm) している。そ
の出射レーザビームの特徴は、分散素子13を設けたこ
とにより時間的コヒーレンスが向上しており、また、イ
ンジェクションロッキング型に比して空間的コヒーレン
スが低いことである。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような分散素子を備えた安定共振器型レーザ光源
は、空間的コヒーレンスが低いことから、インジェクシ
ョンロッキング型と異なりスペックルは発生しないと予
想されていた。しかしながら、実際には僅かながらスペ
ックル(干渉縞)が発生しており、集積回路の微細パタ
ーン形成の妨げになることが判明している。
は、空間的コヒーレンスが低いことから、インジェクシ
ョンロッキング型と異なりスペックルは発生しないと予
想されていた。しかしながら、実際には僅かながらスペ
ックル(干渉縞)が発生しており、集積回路の微細パタ
ーン形成の妨げになることが判明している。
この発明は、係る点に鑑みて成されたものであり、その
目的とするところは、スペックルを生じる恐れのない照
明装置を提供することである。
目的とするところは、スペックルを生じる恐れのない照
明装置を提供することである。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明の照明装置は、出力
すべきレーザ光のスペクトル幅を狭帯化する手段を備え
たレーザ光源と、 この光源から出力されたレーザビームを、その進行方向
に対して平行に、且つほぼ等間隔に配列された複数のレ
ーザビームに分割するとともに、この分割された各々の
レーザビームにレーザビームの可干渉距離よりも大きな
光路差を与える手段と、 この分割手段により分割された複数のレーザビームを適
宜径に集めて被照射対象を照明する手段とを備えたもの
である。
すべきレーザ光のスペクトル幅を狭帯化する手段を備え
たレーザ光源と、 この光源から出力されたレーザビームを、その進行方向
に対して平行に、且つほぼ等間隔に配列された複数のレ
ーザビームに分割するとともに、この分割された各々の
レーザビームにレーザビームの可干渉距離よりも大きな
光路差を与える手段と、 この分割手段により分割された複数のレーザビームを適
宜径に集めて被照射対象を照明する手段とを備えたもの
である。
[作 用]
本発明に係る照明装置においては、レーザ光源としてス
ペクトル幅を狭帯化する手段を備えたものを採用してい
るため、単色性のイ憂れたレーザビームが得られる。
ペクトル幅を狭帯化する手段を備えたものを採用してい
るため、単色性のイ憂れたレーザビームが得られる。
この光源から出射されたレーザビームは、分割手段によ
ってビーム断面の短手方向に対して平行かつ等間隔に配
列された複数のレーザビームに分割されるが、これは下
記の理由に基く。
ってビーム断面の短手方向に対して平行かつ等間隔に配
列された複数のレーザビームに分割されるが、これは下
記の理由に基く。
レーザの空間的コヒーレンスは、レーザビームの断面内
の光の可干渉性であり、レーザのモード数が少ない程高
くなる。一般に、レーザのモード数は、 a2/λL (但し、d:レーザのビーム径(アパーチャ径)L:共
振器長またはレーザ光のパルスの長さ) で表わされる。
の光の可干渉性であり、レーザのモード数が少ない程高
くなる。一般に、レーザのモード数は、 a2/λL (但し、d:レーザのビーム径(アパーチャ径)L:共
振器長またはレーザ光のパルスの長さ) で表わされる。
レーザビーム断面形状の典型的な例として、20mmX
7mmのビーム断面形状の場合、L−,4m、 λ=0
.25μmとすると、長手方向のモード数は約400、
短手方向のモード数は約50となり、長手方向と短手方
向とでは1桁近く異なる。
7mmのビーム断面形状の場合、L−,4m、 λ=0
.25μmとすると、長手方向のモード数は約400、
短手方向のモード数は約50となり、長手方向と短手方
向とでは1桁近く異なる。
このことは、スペックルはビーム断面の短手方向に発生
しやすいことを示している。例えば、半導体ウニへ面(
レチクル面)上にマスクを投影する際には、ウニ八面上
にビーム断面の短手方向に並んだ格子状のスペックルパ
ターン(干渉パターン)を生じることになる。
しやすいことを示している。例えば、半導体ウニへ面(
レチクル面)上にマスクを投影する際には、ウニ八面上
にビーム断面の短手方向に並んだ格子状のスペックルパ
ターン(干渉パターン)を生じることになる。
従って、このスペックルを消すためには、短手方向のモ
ード数を等測的に増やしてやれば良い。
ード数を等測的に増やしてやれば良い。
その方法としては、レーザビームを分割し、その分割さ
れた各ビームを互いにインコヒーレント(非可干渉性)
にして、短手方向に多数並べてやればよい。この並べる
個数は多ければ多い程良いが、現実的には長手方向のモ
ード数と等しくなる程度が適当である。例えば、前述の
例の場合では、400150=8個並べるのが適当であ
る。
れた各ビームを互いにインコヒーレント(非可干渉性)
にして、短手方向に多数並べてやればよい。この並べる
個数は多ければ多い程良いが、現実的には長手方向のモ
ード数と等しくなる程度が適当である。例えば、前述の
例の場合では、400150=8個並べるのが適当であ
る。
この場合、分割された各レーザビームをインコヒーレン
トにする手段としては、二通り考えられる。
トにする手段としては、二通り考えられる。
その一つは時間的コヒーレンスを利用したものであり、
分割された各レーザビームにレーザビームの可干渉距離
よりも大きな光路差を与える分割手段を採用することに
より、各ビームを互いにインコヒーレントにすることが
できる。
分割された各レーザビームにレーザビームの可干渉距離
よりも大きな光路差を与える分割手段を採用することに
より、各ビームを互いにインコヒーレントにすることが
できる。
もう一つは、互いに直交した偏向は互いに干渉しないこ
とを利用したものである。これは、分割手段として複屈
折結晶°(例えば、方解石、水晶、MgF、KDP、A
DP等)を採用することにより、互いにインコヒーレン
トな二分割ビームが得られる。但し、この方法では二分
割しか適用できないため、本発明においては、上記時間
的コヒーレンスを利用した手段を採用する。
とを利用したものである。これは、分割手段として複屈
折結晶°(例えば、方解石、水晶、MgF、KDP、A
DP等)を採用することにより、互いにインコヒーレン
トな二分割ビームが得られる。但し、この方法では二分
割しか適用できないため、本発明においては、上記時間
的コヒーレンスを利用した手段を採用する。
なお、ビーム断面の短手方向のモード数を増やすと、長
手方向よりも短手方向が長くなってしまうことが考えら
れる。例えば、前述のレーザビームの断面形状の例にお
いて、長手方向と短手方向とのモード数を等しくした場
合は、長手方向20mn1に対して、短手方向7X13
=56mmとなる。そこで本発明においては、整形光学
手段により、分割されたビームを適宜径に集めて被照射
対象を照明する。このことはビームの拡散性を等しくす
ることにもなる。
手方向よりも短手方向が長くなってしまうことが考えら
れる。例えば、前述のレーザビームの断面形状の例にお
いて、長手方向と短手方向とのモード数を等しくした場
合は、長手方向20mn1に対して、短手方向7X13
=56mmとなる。そこで本発明においては、整形光学
手段により、分割されたビームを適宜径に集めて被照射
対象を照明する。このことはビームの拡散性を等しくす
ることにもなる。
例えば、エキシマレーザのビームの拡り角は、通常は長
手方向: 3mrad程度、短手方向:1mrad程度
であるが、この場合、整形光学手段として短手方向を1
/3縮める光学系を採用すると、短手方向のビーム拡り
角は、3倍の3mradとなる。従って、両方向のビー
ム拡り角が同程度になる。
手方向: 3mrad程度、短手方向:1mrad程度
であるが、この場合、整形光学手段として短手方向を1
/3縮める光学系を採用すると、短手方向のビーム拡り
角は、3倍の3mradとなる。従って、両方向のビー
ム拡り角が同程度になる。
[実施例コ
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
する。
なお、以下の説明ではレーザビームの一例として、ビー
ム断面の短手方向幅が約7mm、拡り角が約3mrad
x1mradのエキシマレーザを例にあげて説明する。
ム断面の短手方向幅が約7mm、拡り角が約3mrad
x1mradのエキシマレーザを例にあげて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。
図において、共振器内に分散素子をもつ安定共振器型の
エキシマレーザ発振装置(図示せず)から出射したレー
ザビーム1は、ビーム分割器2に入射する。このビーム
分割器2は、石英板の両面に反射膜を付けた平行板であ
り、その反射面a。
エキシマレーザ発振装置(図示せず)から出射したレー
ザビーム1は、ビーム分割器2に入射する。このビーム
分割器2は、石英板の両面に反射膜を付けた平行板であ
り、その反射面a。
b、c、d、eの反射率は、各々75%、66゜5%、
50%、0%、100%である。すなわち、ビーム分割
器2に入射する前のレーザビーム1の強度のほぼ25%
のビームが4本出力される。このビーム分割器2を成す
石英板の厚さは、各々のビームの光路差が干渉距離λ2
/△λよりはるかに大きくなるように十分厚く設定され
ている。
50%、0%、100%である。すなわち、ビーム分割
器2に入射する前のレーザビーム1の強度のほぼ25%
のビームが4本出力される。このビーム分割器2を成す
石英板の厚さは、各々のビームの光路差が干渉距離λ2
/△λよりはるかに大きくなるように十分厚く設定され
ている。
従って、これらのビームは互いにインコヒーレントであ
る。さらに、このビーム分割器2は各ビームの光軸が互
いに約14mmずれるように、傾きを調節しである。
る。さらに、このビーム分割器2は各ビームの光軸が互
いに約14mmずれるように、傾きを調節しである。
このビーム分割器2から出力された4木のビームは、複
屈折結晶(例えば、方解石、MgF、水晶、KDP、A
DP等)3によって各々偏向の異なる2木のビームに分
けられる。従って、合計では8木のビームに分けられる
ことになる。この場合、異なる偏向光は互いに干渉しな
い故、8木のビームは互いに干渉しない。
屈折結晶(例えば、方解石、MgF、水晶、KDP、A
DP等)3によって各々偏向の異なる2木のビームに分
けられる。従って、合計では8木のビームに分けられる
ことになる。この場合、異なる偏向光は互いに干渉しな
い故、8木のビームは互いに干渉しない。
この複屈折結晶3は、結晶の種類に応じて方位厚さを適
当に加工してあり、2本のビームの中心の間隔は互いに
約7mm1liれるようにしである。
当に加工してあり、2本のビームの中心の間隔は互いに
約7mm1liれるようにしである。
従って、8木の各ビームのうち、隣り合うビームは互い
に中心が約7mm1lれている。各ビームの短手方向幅
は各々約7mmであるから、全体では約20mmx56
mmのほぼ−様なビームとなる。
に中心が約7mm1lれている。各ビームの短手方向幅
は各々約7mmであるから、全体では約20mmx56
mmのほぼ−様なビームとなる。
一方、このビームの拡り角は約3mradx1mrad
であるが、このビームをシリンドリカルレンズ4a、4
bによるビーム整形光学系で約20mmX20mmのビ
ームに集束する。すると、拡り角は約3mradx3m
radとなる。
であるが、このビームをシリンドリカルレンズ4a、4
bによるビーム整形光学系で約20mmX20mmのビ
ームに集束する。すると、拡り角は約3mradx3m
radとなる。
上記実施例においては、多数の分割ビームを得る目的で
、ビーム分割器2と複屈折結晶3とを組合せたビーム分
割手段について説明したが、ビーム分割器2を単独で用
いてもよい。また、レーザビームlの断面形状が正方形
に近い場合でも同様に適用でき、またビーム分割器2で
分割したビーム同志が一部重ね合わされるようにしても
よい。
、ビーム分割器2と複屈折結晶3とを組合せたビーム分
割手段について説明したが、ビーム分割器2を単独で用
いてもよい。また、レーザビームlの断面形状が正方形
に近い場合でも同様に適用でき、またビーム分割器2で
分割したビーム同志が一部重ね合わされるようにしても
よい。
なお、付言すれば、ビーム分割器2を用いずに、複屈折
結晶3単独でビームを分割することも可能ではある。し
かしながら、本実施例のようにエキシマレーザを対象と
する場合、複屈折結晶3によるビームの分割本数は二本
のみであるから、所望の効果を得るには適さない。従っ
て、複屈折結晶3を用いる際は、必ずビーム分割器2を
組合せることが必要である。ただし、他の種類のレーザ
ビームの場合等は、複屈折結晶のみで必要最低限の効果
を得ることは可能である。この場合、二分割された2つ
の偏向ビーム同志は、可干渉距離よりも大きな光路差を
与える必要はない。
結晶3単独でビームを分割することも可能ではある。し
かしながら、本実施例のようにエキシマレーザを対象と
する場合、複屈折結晶3によるビームの分割本数は二本
のみであるから、所望の効果を得るには適さない。従っ
て、複屈折結晶3を用いる際は、必ずビーム分割器2を
組合せることが必要である。ただし、他の種類のレーザ
ビームの場合等は、複屈折結晶のみで必要最低限の効果
を得ることは可能である。この場合、二分割された2つ
の偏向ビーム同志は、可干渉距離よりも大きな光路差を
与える必要はない。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る照明装置よれば、レー
ザビームを分割するとともに、分割された各5々のレー
ザビームにレーザビームの可干渉距離よりも大きな光路
差を与えているため、互いにインコヒーレントなビーム
が得られる。また、この分割された各ビームはビーム断
面の短手方向に対して配列されているため、短手方向の
モード数が増し、空間的コヒーレントの低いビームとな
る。
ザビームを分割するとともに、分割された各5々のレー
ザビームにレーザビームの可干渉距離よりも大きな光路
差を与えているため、互いにインコヒーレントなビーム
が得られる。また、この分割された各ビームはビーム断
面の短手方向に対して配列されているため、短手方向の
モード数が増し、空間的コヒーレントの低いビームとな
る。
従って、この分割された各ビームを適宜径に集束してな
るビームは、結果的にスペックルを生じる恐れがない。
るビームは、結果的にスペックルを生じる恐れがない。
なお、このビームは、レーザ光源としてスペクトル幅を
狭帯化する手段を備えたものを採用しているため、時間
的コヒーレンスが高く、単色性も優れていることは述べ
るまでもない。
狭帯化する手段を備えたものを採用しているため、時間
的コヒーレンスが高く、単色性も優れていることは述べ
るまでもない。
従って、本発明に係る照明装置を、例えば集積回路製造
用露光装置に用いれば、極めて均一な露光を得ることが
可能である。
用露光装置に用いれば、極めて均一な露光を得ることが
可能である。
また、スペックル除去のためにビームを相当な回数振動
させる必要がないため、スルーブツトを低下させること
なく適正露光量を確保できる。同様の理由により、振動
ミラー等を設ける必要がないため、装置構成も簡単であ
る。
させる必要がないため、スルーブツトを低下させること
なく適正露光量を確保できる。同様の理由により、振動
ミラー等を設ける必要がないため、装置構成も簡単であ
る。
本発明に係る照明装置は、以上のように優れた効果を有
するものであり、集積回路製造用露光装置や光CVD装
置等に好適なものである。
するものであり、集積回路製造用露光装置や光CVD装
置等に好適なものである。
第1図は本発明の実施例に係る構成図、第2図〜第4図
は各々従来装置に係る模式図である。 [主要部分の符号の説明] 1・・・レーザビーム 2・・・ビーム分割器4a、4
b・・・シリンドリカルレンズ代理人 弁理士 佐 藤
正 年 第1図
は各々従来装置に係る模式図である。 [主要部分の符号の説明] 1・・・レーザビーム 2・・・ビーム分割器4a、4
b・・・シリンドリカルレンズ代理人 弁理士 佐 藤
正 年 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 出力すべきレーザ光のスペクトル幅を狭帯化する手段
を備えたレーザ光源と、 この光源から出力されたレーザビームを、その進行方向
に対して平行に、且つほぼ等間隔に配列された複数のレ
ーザビームに分割するとともに、この分割された各々の
レーザビームにレーザビームの可干渉距離よりも大きな
光路差を与える手段と、 この分割手段により分割された複数のレーザビームを適
宜径に集めて被照射対象を照明する手段とを備え存こと
を特徴とする照明装置。
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|---|---|---|---|
| JP63119341A JP2526986B2 (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 照明装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP63119341A JP2526986B2 (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 照明装置 |
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| JP63119341A Expired - Fee Related JP2526986B2 (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 照明装置 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134868U (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | 三菱重工業株式会社 | パルスレーザ光発生装置 |
| US6849363B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2014174442A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 照明光源装置とこれを用いた投射装置 |
| US8870383B2 (en) | 2011-04-12 | 2014-10-28 | Panasonic Corporation | Incoherence device and optical apparatus using same |
| JP2016062011A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社島津製作所 | 可干渉性低減素子 |
| JP2021009274A (ja) * | 2018-07-09 | 2021-01-28 | レーザーテック株式会社 | 光源、検査装置、euv光の生成方法及び検査方法 |
| CN113900268A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-07 | 山西大学 | 一种散斑抑制装置及制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225483A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Canon Inc | 照明装置 |
| JPS63173322A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Toshiba Corp | 半導体露光装置 |
| JPS63211624A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Komatsu Ltd | 照明光学装置 |
| JPS63216338A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Komatsu Ltd | 照明光学装置 |
| JPH01119020A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH01152411A (ja) * | 1987-09-17 | 1989-06-14 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体露光装置の照明光学系 |
| JPH01287924A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-11-20 | Hitachi Ltd | コヒーレント制御露光装置 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63119341A patent/JP2526986B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225483A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Canon Inc | 照明装置 |
| JPS63173322A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Toshiba Corp | 半導体露光装置 |
| JPS63211624A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Komatsu Ltd | 照明光学装置 |
| JPS63216338A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Komatsu Ltd | 照明光学装置 |
| JPH01152411A (ja) * | 1987-09-17 | 1989-06-14 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体露光装置の照明光学系 |
| JPH01119020A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-11 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH01287924A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-11-20 | Hitachi Ltd | コヒーレント制御露光装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134868U (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | 三菱重工業株式会社 | パルスレーザ光発生装置 |
| US6849363B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
| US7070889B2 (en) | 1997-06-27 | 2006-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
| US7378201B2 (en) | 1997-06-27 | 2008-05-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
| US8870383B2 (en) | 2011-04-12 | 2014-10-28 | Panasonic Corporation | Incoherence device and optical apparatus using same |
| JP2014174442A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Ricoh Co Ltd | 照明光源装置とこれを用いた投射装置 |
| JP2016062011A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社島津製作所 | 可干渉性低減素子 |
| JP2021009274A (ja) * | 2018-07-09 | 2021-01-28 | レーザーテック株式会社 | 光源、検査装置、euv光の生成方法及び検査方法 |
| CN113900268A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-07 | 山西大学 | 一种散斑抑制装置及制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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