JPH01290279A - 配線板及びその製造方法 - Google Patents
配線板及びその製造方法Info
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- JPH01290279A JPH01290279A JP12135988A JP12135988A JPH01290279A JP H01290279 A JPH01290279 A JP H01290279A JP 12135988 A JP12135988 A JP 12135988A JP 12135988 A JP12135988 A JP 12135988A JP H01290279 A JPH01290279 A JP H01290279A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、耐熱性、熱伝導性に優れた配線板とその製造
方法に関する。
方法に関する。
(従来の技術)
樹脂層とセラミックス層を併用することにより配線板の
特性を改善するものとして、特開昭53−52979号
公報に示されているように配線パターンを形成した樹脂
層をセラミックス基板に熱圧着し樹脂層には予め素子装
着開口窓を穿設しておく方法や特開昭54−11109
号公報に示されているように複数枚のセラミックス基板
の上に熱軟化性樹脂層を介して金属箔を一体化して複合
基板を得る方法がある。
特性を改善するものとして、特開昭53−52979号
公報に示されているように配線パターンを形成した樹脂
層をセラミックス基板に熱圧着し樹脂層には予め素子装
着開口窓を穿設しておく方法や特開昭54−11109
号公報に示されているように複数枚のセラミックス基板
の上に熱軟化性樹脂層を介して金属箔を一体化して複合
基板を得る方法がある。
(発明が解決しようとする課題)
特開昭53−52979号公報に示される方法はセラミ
ックス基板を素子搭載のみに使用することを目的として
おり、セラミックス基板と樹脂層とに同時に回路形成す
ることが困難であるという問題点があり、特開昭54−
11109号公報に示される方法は、セラミックス基板
の上に熱軟化性樹脂層を介して金属箔を一体化している
ため、基板の片面にのみにしか回路形成をすることがで
きず、両面回路や多層回路用途には使用できない。
ックス基板を素子搭載のみに使用することを目的として
おり、セラミックス基板と樹脂層とに同時に回路形成す
ることが困難であるという問題点があり、特開昭54−
11109号公報に示される方法は、セラミックス基板
の上に熱軟化性樹脂層を介して金属箔を一体化している
ため、基板の片面にのみにしか回路形成をすることがで
きず、両面回路や多層回路用途には使用できない。
本発明は、このような課題を解決し、耐熱性と熱伝導性
に優れ、しかも生産性の良い配線板とその製造方法を提
供するものである。
に優れ、しかも生産性の良い配線板とその製造方法を提
供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、樹脂系の絶縁層とその表面の一部分に設けら
れたセラミックス系絶縁層とを有する配線板、その配線
板の配線導体に金属ペーストを用いない配線板、このよ
うな配線板において金属芯を有する配線板、金属芯と樹
脂系の絶縁層とセラミックス系絶縁層とを有する配線板
及び以下にその工程を示すその配線板の製造方法である
。
れたセラミックス系絶縁層とを有する配線板、その配線
板の配線導体に金属ペーストを用いない配線板、このよ
うな配線板において金属芯を有する配線板、金属芯と樹
脂系の絶縁層とセラミックス系絶縁層とを有する配線板
及び以下にその工程を示すその配線板の製造方法である
。
a、金属芯となる金属板にセラミックスを溶射する工程
。
。
b、セラミックスを溶射した金属板と金属箔とを樹脂に
よって積層一体化する工程。
よって積層一体化する工程。
C0金属箔の不要な部分をエツチング除去する工程。
第1図に樹脂系の絶縁層1とその表面の一部分に設けら
れたセラミックス系絶縁層2とを有する配線板の配線導
体3に金属ペーストを用いず金属芯4を有する配線板を
示し、第2図に金属芯4と樹脂系の絶縁層1とセラミッ
クス系絶縁層2とを有する配線板を示し、第3図a−c
にその配線板の製造方法を示す。以下、図面に従って説
明する。
れたセラミックス系絶縁層2とを有する配線板の配線導
体3に金属ペーストを用いず金属芯4を有する配線板を
示し、第2図に金属芯4と樹脂系の絶縁層1とセラミッ
クス系絶縁層2とを有する配線板を示し、第3図a−c
にその配線板の製造方法を示す。以下、図面に従って説
明する。
本発明の樹脂系の絶縁層1とその表面の一部分に設けら
れたセラミックス系絶縁層2とを有する配線板、その配
線板の配線導体3に金属ペーストを用いない配線板、又
は、このような配線板において金属芯4を有する配線板
において、樹脂系絶縁層1としては、電気的特性の点か
らエポキシ樹脂やポリイミド樹脂が適しており、熱伝導
性、寸法安定性の点からこれらの樹脂をガラス布に含浸
したものや、例えばアルミナや二酸化けい素、窒化アル
ミニウム等の熱伝導性フィラー入りのものが適している
。また、ポリイミド樹脂、ガラス布−エポキシ樹脂、ガ
ラス布−熱伝導性フィラー人ポリイミド樹脂又は熱伝導
性フィラー人エポキシ樹脂のいずれかであれば、さらに
好ましい。
れたセラミックス系絶縁層2とを有する配線板、その配
線板の配線導体3に金属ペーストを用いない配線板、又
は、このような配線板において金属芯4を有する配線板
において、樹脂系絶縁層1としては、電気的特性の点か
らエポキシ樹脂やポリイミド樹脂が適しており、熱伝導
性、寸法安定性の点からこれらの樹脂をガラス布に含浸
したものや、例えばアルミナや二酸化けい素、窒化アル
ミニウム等の熱伝導性フィラー入りのものが適している
。また、ポリイミド樹脂、ガラス布−エポキシ樹脂、ガ
ラス布−熱伝導性フィラー人ポリイミド樹脂又は熱伝導
性フィラー人エポキシ樹脂のいずれかであれば、さらに
好ましい。
セラミックス系絶縁層2としては、その厚さが、熱伝導
性や耐熱性等の効果のあることと、生産性から決まり、
薄すぎると目的とする効果が得られず、又、厚すぎると
樹脂系絶縁層1とセラミックス系絶縁層2の一体化が困
難となる。このセラミックス系絶縁層2の望ましい厚さ
の範囲は、20〜400 μmであり、より望ましい範
囲としては50〜200μmである。このようなセラミ
ックス系絶縁N2としては、例えばセラミックス基板や
セラミックス溶射膜が適用可能であるが、特に厚さが薄
いセラミックス溶射膜が適している。
性や耐熱性等の効果のあることと、生産性から決まり、
薄すぎると目的とする効果が得られず、又、厚すぎると
樹脂系絶縁層1とセラミックス系絶縁層2の一体化が困
難となる。このセラミックス系絶縁層2の望ましい厚さ
の範囲は、20〜400 μmであり、より望ましい範
囲としては50〜200μmである。このようなセラミ
ックス系絶縁N2としては、例えばセラミックス基板や
セラミックス溶射膜が適用可能であるが、特に厚さが薄
いセラミックス溶射膜が適している。
樹脂系絶縁層1とセラミックス系絶縁層2との一体化方
法としては、例えば半硬化状態の前記樹脂系絶縁層1を
重ね、その表面にセラミックス系絶縁層2が部分的に載
置されるように積み重ね、最外層に樹脂を塗布した金属
箔を重ねて加圧加熱により積層する方法、アルミナ等の
セラミックスを部分的に溶射した銅箔に樹脂系絶縁層1
を重ねて加圧加熱により積層する方法等がある。
法としては、例えば半硬化状態の前記樹脂系絶縁層1を
重ね、その表面にセラミックス系絶縁層2が部分的に載
置されるように積み重ね、最外層に樹脂を塗布した金属
箔を重ねて加圧加熱により積層する方法、アルミナ等の
セラミックスを部分的に溶射した銅箔に樹脂系絶縁層1
を重ねて加圧加熱により積層する方法等がある。
このようにして得られた積層物の回路形成は選択エツチ
ングにより可能である。但し、回路形成法はエツチング
に限定するものではなく、銅箔を用いずめっき法による
回路形成等も可能である。
ングにより可能である。但し、回路形成法はエツチング
に限定するものではなく、銅箔を用いずめっき法による
回路形成等も可能である。
導体回路3に用いる金属は、通常、印刷配線板に用いら
れているものが使用でき、銅、アルミニウム、ニッケル
、金、銀及びその合金を用いても良い、いずれの・場合
も導体回路3は金属が適しており、−船釣にセラミック
ス配線板の回路形成に用いられているような金属粉を用
いた導体ペーストの使用は導体ペーストの抵抗が高いこ
と等から適していない。
れているものが使用でき、銅、アルミニウム、ニッケル
、金、銀及びその合金を用いても良い、いずれの・場合
も導体回路3は金属が適しており、−船釣にセラミック
ス配線板の回路形成に用いられているような金属粉を用
いた導体ペーストの使用は導体ペーストの抵抗が高いこ
と等から適していない。
回路接続用スルーホールはセラミックス系絶縁層部以外
に設けることにより容易にスルーホールを形成できこの
ため両面回路や多層回路の形成は一般的な樹脂系配線板
と全く同じ公知の方法で可能である。
に設けることにより容易にスルーホールを形成できこの
ため両面回路や多層回路の形成は一般的な樹脂系配線板
と全く同じ公知の方法で可能である。
4は金属板で、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅やこれ
らの合金及びクラフト材等から選べば良く、金属板の厚
さも目的に応じ選定すれば良いが一般的には0.5〜2
■lの範囲である。
らの合金及びクラフト材等から選べば良く、金属板の厚
さも目的に応じ選定すれば良いが一般的には0.5〜2
■lの範囲である。
また、本発明の金属芯4と樹脂系の絶縁N1とセラミッ
クス系絶縁層2とを有する配線板において、セラミック
ス系絶縁Fi2としては、セラミックス溶射膜であり、
その厚さは、熱伝導性と生産性から決まり、20〜10
0μmが適しておりより望ましくは30〜60μmある
。また、金属芯4と樹脂系の絶縁層1としては、前記と
同じものを用いることができる。
クス系絶縁層2とを有する配線板において、セラミック
ス系絶縁Fi2としては、セラミックス溶射膜であり、
その厚さは、熱伝導性と生産性から決まり、20〜10
0μmが適しておりより望ましくは30〜60μmある
。また、金属芯4と樹脂系の絶縁層1としては、前記と
同じものを用いることができる。
その製造法は第3図aに示すように、金属板4にアルミ
ナ等のセラミックスを所定量溶射しセラミックス系絶縁
N2を形成したものを作成し、第3図すに示すように、
これと金属箔6とを樹脂系絶縁層1を用いて接着する。
ナ等のセラミックスを所定量溶射しセラミックス系絶縁
N2を形成したものを作成し、第3図すに示すように、
これと金属箔6とを樹脂系絶縁層1を用いて接着する。
この樹脂系絶縁N1は金属箔6もしくは金属板4のいず
れか一方もしくは両方に、塗布しておくことが望ましい
が、予め半硬化状態の樹脂シート等を作成しておき、こ
れを用いることも可能である。接着方法としては、ロー
ルやプレス等による加圧加熱が用いられる。
れか一方もしくは両方に、塗布しておくことが望ましい
が、予め半硬化状態の樹脂シート等を作成しておき、こ
れを用いることも可能である。接着方法としては、ロー
ルやプレス等による加圧加熱が用いられる。
回路形成は、第3図Cに示すように、金属7t36の不
要な部分をエツチング除去することによってなされる。
要な部分をエツチング除去することによってなされる。
(作用)
本発明は、樹脂系の絶縁層とその表面の一部分に設けら
れたセラミックス系絶縁層とを有する配線板、その配線
板の配線導体に金属ペーストを用いない配線板、このよ
うな配線板において金属芯を有する配線板、金属芯と樹
脂系の絶縁層とセラミックス系絶縁層とを有する配線板
等、樹脂系絶縁層とセラミックス系絶縁層とを有してい
るので、発熱素子近辺のみを部分的に耐熱性及び熱伝導
性を向上することができ、スルーホールを樹脂系絶縁層
に設けることにより両面回路の形成や多層回路の形成が
容易であり、樹脂系絶縁層を併用していることにより銅
箔の選択エツチングやめっきによる回路形成ができるの
でフォトレジストの使用による微細回路の形成が容易で
ある。この他に、配線板を多数個取りの配置とした場合
に1枚の配線板を切り出すための裁断部にセラミックス
系絶縁層を形成しない設計とすることにより、セラミッ
クス配線板のみを切り出すときより容易に裁断できる。
れたセラミックス系絶縁層とを有する配線板、その配線
板の配線導体に金属ペーストを用いない配線板、このよ
うな配線板において金属芯を有する配線板、金属芯と樹
脂系の絶縁層とセラミックス系絶縁層とを有する配線板
等、樹脂系絶縁層とセラミックス系絶縁層とを有してい
るので、発熱素子近辺のみを部分的に耐熱性及び熱伝導
性を向上することができ、スルーホールを樹脂系絶縁層
に設けることにより両面回路の形成や多層回路の形成が
容易であり、樹脂系絶縁層を併用していることにより銅
箔の選択エツチングやめっきによる回路形成ができるの
でフォトレジストの使用による微細回路の形成が容易で
ある。この他に、配線板を多数個取りの配置とした場合
に1枚の配線板を切り出すための裁断部にセラミックス
系絶縁層を形成しない設計とすることにより、セラミッ
クス配線板のみを切り出すときより容易に裁断できる。
また、その回路形成において銅箔を選択エツチングする
ことにより可能であり、従来のセラミックス溶射金属ベ
ース配線板と比較して回路形成が容易であり、フォトレ
ジストの使用ができるので容易に微細回路を形成するこ
とができる。この場合、熱伝導性は樹脂層に熱伝導性フ
ィラーを入れることにより従来のセラミックス溶射金属
ベース配線板と同等程度にすることができる。
ことにより可能であり、従来のセラミックス溶射金属ベ
ース配線板と比較して回路形成が容易であり、フォトレ
ジストの使用ができるので容易に微細回路を形成するこ
とができる。この場合、熱伝導性は樹脂層に熱伝導性フ
ィラーを入れることにより従来のセラミックス溶射金属
ベース配線板と同等程度にすることができる。
実施例1
厚さ1■−のアルミニウムに約60μm程度アルミナl
を溶射し、銅箔にアルミナを分散させてエポキシ樹脂ワ
ニスを塗布し乾燥させた樹脂層塗布銅箔5を用意したも
のとともに両者をプレスにて加圧加熱し積層した。
を溶射し、銅箔にアルミナを分散させてエポキシ樹脂ワ
ニスを塗布し乾燥させた樹脂層塗布銅箔5を用意したも
のとともに両者をプレスにて加圧加熱し積層した。
この積層物の銅箔を選択的エツチングし、回路形成を行
い本発明の金属ベース配線板を得た。
い本発明の金属ベース配線板を得た。
実施例2
エポキシ樹脂含浸プリプレグの100μm厚のものを用
意し、50μmの厚さにアルミナを部分的に溶射した銅
箔とともに重ね厚さ21のアルミニウム板に重ね加圧加
熱し積層した。その積層体にフォトレジストを形成し、
選択的エツチング法により回路形成し配線板を得た。
意し、50μmの厚さにアルミナを部分的に溶射した銅
箔とともに重ね厚さ21のアルミニウム板に重ね加圧加
熱し積層した。その積層体にフォトレジストを形成し、
選択的エツチング法により回路形成し配線板を得た。
実施例3
エポキシ樹脂含浸ガラス布の両面に回路形成をした回路
板と、エポキシ樹脂含浸ガラス布プリプレグと、70μ
mの厚さにアルミナを銅箔に部分的に溶射した部分セラ
ミックス溶射銅箔と、銅箔とを重ねて加圧加熱し積層し
た。このものにスルーホールを開け、表面及びスルーホ
ール内に10μmの厚さの無電解銅めっきを行いフォト
レジストを形成して選択的エツチング法にて回路形成し
くテンティング法)配線板を得た。
板と、エポキシ樹脂含浸ガラス布プリプレグと、70μ
mの厚さにアルミナを銅箔に部分的に溶射した部分セラ
ミックス溶射銅箔と、銅箔とを重ねて加圧加熱し積層し
た。このものにスルーホールを開け、表面及びスルーホ
ール内に10μmの厚さの無電解銅めっきを行いフォト
レジストを形成して選択的エツチング法にて回路形成し
くテンティング法)配線板を得た。
(発明の効果)
以上に説明したように、本発明の樹脂系″ljA縁層に
部分的にセラミックス系絶縁層を形成する配線板は、 fil 大型の配線板も容易に製造できる。
部分的にセラミックス系絶縁層を形成する配線板は、 fil 大型の配線板も容易に製造できる。
(2)小型の配線板の場合は樹脂系の配線板と同様に多
数個取りを行い生産効率を向上することができる。
数個取りを行い生産効率を向上することができる。
(3) 発熱素子等の搭載のため耐熱性等が必要な場
合に同一配線板上に搭載できるため、スペースの節約が
でき軽薄短小化の要求を満たすことができる。
合に同一配線板上に搭載できるため、スペースの節約が
でき軽薄短小化の要求を満たすことができる。
(4)製造コストの高い厚膜法を用いずに金属箔エツチ
ングやめっき決算純金属を用いる方法で回路形成するた
めセラミックス配線板に比べ格段に安くでき、しかも多
層回路形成も容易な構造となっている。
ングやめっき決算純金属を用いる方法で回路形成するた
めセラミックス配線板に比べ格段に安くでき、しかも多
層回路形成も容易な構造となっている。
(5) 誘電率の高いセラミックス系絶縁層を部分的
にしか用いておらずほとんどの部分は誘電率の低い樹脂
系の絶縁層構造となっているため伝送特性にも優れてい
る。
にしか用いておらずほとんどの部分は誘電率の低い樹脂
系の絶縁層構造となっているため伝送特性にも優れてい
る。
(6) 耐熱性、放熱性等の特性を要求される部分的
にセラミックス系絶縁層を形成し、穴あけ裁断等の機械
加工が必要な場所には樹脂系絶縁層のみとすることによ
り熱特性にも機械加工にも優れた部分セラミックス金属
ベース配線板を作成できる。
にセラミックス系絶縁層を形成し、穴あけ裁断等の機械
加工が必要な場所には樹脂系絶縁層のみとすることによ
り熱特性にも機械加工にも優れた部分セラミックス金属
ベース配線板を作成できる。
第1図は本発明の一実施例を示す部分セラミックス配線
板の断面図、第1図は本発明の一実施例を示す部分セラ
ミンクス金属ベース配線板の断面図、第3図a −cは
本発明の一実施例の製造法を説明するための断面図であ
る。 符号の説明 1、樹脂系絶縁層 2、セラミックス系絶縁層 3、導体回路 4、金属板 5、セラミックス溶射銅箔 第 1 図 第2図 第3図4 第3図す 第3図C
板の断面図、第1図は本発明の一実施例を示す部分セラ
ミンクス金属ベース配線板の断面図、第3図a −cは
本発明の一実施例の製造法を説明するための断面図であ
る。 符号の説明 1、樹脂系絶縁層 2、セラミックス系絶縁層 3、導体回路 4、金属板 5、セラミックス溶射銅箔 第 1 図 第2図 第3図4 第3図す 第3図C
Claims (5)
- 1.樹脂系の絶縁層と、その表面の一部分に設けられた
セラミックス系絶縁層とを有する配線板。 - 2.配線導体に金属ペーストを用いない請求項1記載の
配線板。 - 3.金属芯を有する請求項1又は2記載の配線板。
- 4.金属芯と、樹脂系の絶縁層と、セラミックス系絶縁
層とを有する配線板。 - 5.以下の工程からなる請求項4記載の配線板の製造方
法。 a.金属芯となる金属板にセラミックスを溶射する工程
。 b.セラミックスを溶射した金属板と金属箔とを樹脂に
よって積層一体化する工程。 c.金属箔の不要な部分をエッチング除去する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12135988A JPH01290279A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12135988A JPH01290279A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290279A true JPH01290279A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14809305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12135988A Pending JPH01290279A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290279A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0462986A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 抵抗付き金属ベース配線板 |
| WO2008125010A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | Cosmos Vacuum Technology Corporation | A method of manufacturing the high heat conductive circuit substrate |
| WO2008125009A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | Cosmos Vacuum Technology Corporation | A high heat conductive circuit substrate |
| JP2010021434A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Denka Agsp Kk | 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP12135988A patent/JPH01290279A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0462986A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 抵抗付き金属ベース配線板 |
| WO2008125010A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | Cosmos Vacuum Technology Corporation | A method of manufacturing the high heat conductive circuit substrate |
| WO2008125009A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-23 | Cosmos Vacuum Technology Corporation | A high heat conductive circuit substrate |
| JP2010021434A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Denka Agsp Kk | 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法 |
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