JPH01290558A - ジルコニア焼結体 - Google Patents

ジルコニア焼結体

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JPH01290558A
JPH01290558A JP63120316A JP12031688A JPH01290558A JP H01290558 A JPH01290558 A JP H01290558A JP 63120316 A JP63120316 A JP 63120316A JP 12031688 A JP12031688 A JP 12031688A JP H01290558 A JPH01290558 A JP H01290558A
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JP
Japan
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zirconia
sintered body
crystal
cubic
strength
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Application number
JP63120316A
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English (en)
Inventor
Akihiro Tokuda
章博 徳田
Koji Nakamura
耕治 中村
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、各種刃物、医療器材、食器具、摺動部材等
、使用中に蒸気や熱水、その他の中高温域の腐蝕環境に
晒されるような用途に適したジルコニア焼結体に関する
従来の技術 ジルコニア焼結体には、いろいろなものがおるが、いわ
ゆる高強度ジルコニア焼結体と呼ばれるものは、ジルコ
ニアの全部または一部を正方品とするために、Y2O3
等の安定化剤を添加している。
しかしながら、Y2O3を添加することによって得られ
る正方品は熱的安定性が低く、焼結体が大気中で200
〜500℃の温度に長時間晒されたり、高温の水中に長
時間おかれたとき、正方品が単斜晶に徐々に変態し、強
度が劣化してくる。
そこで、特開昭59 162173M発明や特開昭60
−108367号発明においては、安定化剤としてY2
O3に代えてCeO2を使用することを提案している。
これらの発明は、CeO2が正方晶の安定化に大きな効
果がおることに着目したものである。しかしながら、元
来、いわゆる高強度ジルコニア焼結体は、それに応力が
付加されたとき、その正方品が単斜晶に変態する、いわ
ゆる応力誘起変態を利用して強度を発坦させるものであ
り、したがって、CeO2による正方晶の過度の安定は
、応力誘起変態を起こりにくくするか、起こっても変態
の領域を狭くしてしまい、強度の発現機構を十分に作用
せしめなくなってしまうという問題がある。また、Ce
O2を用いて正方晶を安定化させてなるジルコニア焼結
体は、焼結時における粒成長が著しいために平均結晶粒
子径が相当大きくなってあり、これがまた、強度の発現
を阻害している。
そこで、たとえば特開昭60−137870号発明や、
特開昭60−141671号発明、特開昭62−153
163号発明においては、安定化剤としてY2O3とC
eO2とを併用している。
これらの発明は、いずれも、強度低下を引き起こさない
ようにCeO2の上限を規定している。しかしながら、
CeO2の添加量が規定範囲内であっても、焼結体の強
度は、適量のY2O3のみを添加したものよりも低い。
また、これらの焼結体には、微細な正方品マトリクス内
に粗大な立方晶粒が混在し、これが強度低下を促してい
る。結局、これらの焼結体は、いずれも、強度と熱的安
定性という2つの特性を同時に満足しているとはいい難
い。また、粗大な立方品粒が混在していると、加工時に
欠けや亀裂を発生しやすいという問題もある。
発明が解決しようとする課題 この発明の目的は、従来の焼結体の上述した問題点を解
決し、Y2O3のみを添加せしめてなる焼結体の高強度
という特長と、CeO2のみを添加せしめてなる焼結体
の優れた熱的安定性という特長とを兼ね備えているばか
りか、加工時にあける欠けや亀裂の発生をも防止するこ
とができるジルコニア焼結体を提供するにある。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するため、この発明においては、Y2O
3を2モル%以上、3.5モル%未満の範囲で含み、C
eO2を0.1モル%以上、0.5モル%未満の範囲で
含み、平均結晶粒子径が1μm以下でおり、ジルコニア
の結晶構造が主として正方品であり、単斜晶の結晶構造
をもつジルコニアが10体積%以下であり、立方晶の結
晶構造をもつジルコニアを含まないか、含んでいても5
体積%以下であり、しかも、その立方晶の結晶構造をも
つジルコニアの結晶粒子径が1μm以下であることを特
徴とするジルコニア焼結体が提供される。この発明にお
いては、単斜晶の結晶構造をもつジルコニアと立方晶の
結晶構造をもつジルコニアに関しては、それらが全く含
まれていない場合と、それぞれ上述した範囲の極く微量
ではおるが含まれている場合とがある。立方晶の結晶構
造をもつジルコニアに関しては、それが含まれている場
合、その立方晶の結晶粒子径が1μm以下であることが
必要でおる。
この発明をさらに詳細に説明するに、この発明がY2O
3を含有せしめているのは、上述したように、そうする
ことが正方品を析出させ、強度の発現には都合がよいか
らである。しかしながら、その旧が2モル%未満では、
正方品の量が少なくなるばかりか、単斜晶の四が増大し
すぎて高強度にはならない。また、3.5モル%以上に
なると、正方品マトリクス中に粗大な立方晶粒が大量に
混在するようになり、強度の大幅な低下や加工性の低下
を招くようになる。
また、この発明がCeO2を含有せしめているのは、正
方品を適度に安定させて熱的安定性を向上させ、正方晶
が単斜晶に徐々に変態することによる焼結体の強度低下
を防止するためである。また、焼結体がZro2−Y2
O3−Ce02の3成分系になることにより、正方晶の
領域が広がり、立方晶が混在することが少なくなって、
やはり強度低下の防止や、加工性の向上を達成できるか
らである。しかしながら、CeO2の量が0.1モル%
未満では、かかる効果が得られない。また、0.5モル
%以上になると、正方品の安定性が大きくなりすぎ、正
方品から単斜晶への応力誘起変態による強度発現機構が
十分に作用しなくなってしまう。
この発明が、焼結体の平均結晶粒子径を1μm以下とし
ているのは、平均結晶粒子径が1μmよりも大きくなる
と、正方品の安定性が過度に小さくなってしまうからで
ある。また、立方晶は、全く含まれていないか、含んで
いても5体積%以下に制限されるが、立方晶を含んでい
る場合、その結晶粒子径は、上述した粗大粒による不都
合を生じないよう、1μm以下でなければならない。こ
こで、平均結晶粒子径は、インターセプト法によって測
定する。この方法は、焼結体の面をエツチングし、その
エツチング面の顕微鏡写真上に任意の直線を引いてその
直線と粒界との交点を求め、粒界によって分割される直
線、の平均長さを平均結晶粒子径とする方法でおる。ま
た、立方晶の結晶粒子径は、焼結体の上記エツチング面
の顕微鏡写真から各立方晶粒子の同一方向にあける最大
長さを求め、その平均値として定義する。
この発明の焼結体は、ジルコニアの結晶構造が主として
正方品からなっている。すなわち、単斜晶や立方晶が存
在すると、結果的に、その分だけ、応力誘起変態による
強度発現作用をもつ正方晶の量が少なくなり、焼結体の
強度は低いものとなる。
また、単斜晶は、それが多いということは、その周囲ま
たは近傍に、正方晶から変態する際にマイクロクラック
を生じているということを意味しており、このマイクロ
クランクが核になって正方品が容易に単斜晶に変態する
ようになるので、10体積%以下に制限しなければなら
ない。ざらに、立方晶は、それが析出していると、立方
晶はY2O3やCeO2を過剰に含むため、その周囲の
正方晶マトリクス中のY2O3やCeO2の量が少なく
なり、正方品の安定性が過度に減少してしまう。また、
立方晶は、その量が多くなるほど結晶粒も大きくなり、
粗大粒となって強度低下を促し、また欠けや亀裂の原因
になる。それゆえ、この発明においては、立方晶を全く
含まないか、含んでいても5体積%以下に制限している
上記において、単斜晶の量は、焼結体を注意深く研磨し
た面をX線回折し、単斜晶、正方晶および立方晶の代表
的な回折ピークを積分して得た強度から、次式によって
求める。式において、Qmは単斜晶の量(体積%)であ
り、IrrN 11は単斜晶の111面の強度、Irr
N 1王は単斜晶の111面の強度、Itclllは正
方晶および立方晶の111面の強度である。
Cm= [(1ml 11 +1m111 )/(■t
C111+■m111 +Imt 1T)]x100 また、立方晶の量は、次のようにして求める。
すなわち、焼結体に1300’C130分の熱処理を加
え、ざらに160’Cの硫酸に1時間はど浸漬すること
によって上記研磨面をエツチングし、そのエツチング面
の任意の面を2000倍の顕微鏡で観察する。もし、立
方晶が存在していればその部分は優先的に腐蝕され、他
の結晶とは容易に区別できるので、立方品粒の面積とそ
の以外の部分の面積との比を求める。しかして、観察面
が任意の面であることと、立方晶粒に配向性がないこと
から、面積比をそのまま体積比とみなし、任意の3視野
について求めた平均値からから立方晶の量(体積%)を
算出する。なあ、単斜晶および立方晶の量が求まれば、
残余が正方品ということになる。
この発明の焼結体は、いろいろな方法によって製造する
ことができる。次に、その好適な例を説明する。
すなわち、まず、純度が99.9%以上でおる塩化ジル
コニウムの水溶液と、純度が99.5%以上でおる塩化
イツトリウムの水溶液と、純度が99.5%以上である
塩化セリウムの水溶液とを所定の割合で混合した後、周
知の共沈法、加水分解法、熱分解法、アルコキシド法、
ゾル・ゲル法、気相法等を用いて、所定の割合のY2O
3とCeO2とを含むジルコニア粉末を調製する。別の
方法として、硝酸ジルコニウムと、硝酸イツトリウムと
、硝酸セリウムとの水溶液を用いることもできるし、ジ
ルコニア粉末と、イツトリア粉末と、セリア粉末との混
合粉末を、いわゆる出発原料とすることもできる。
次に、上記粉末を800〜1000℃で仮焼し、粉砕す
る。必要に応じてかかる仮焼、粉砕を繰り返し行い、原
料粉末を得る。この原料粉末は、ジルコニア中にイツト
リアとセリアとが均一に混ざり合った固溶体を形成して
いる。
次に、上記原料粉末を、ラバープレス法、射出成形法、
金型成形法、押出成形法等の周知の成形法を用いて所望
の形状に成形し、成形体を得る。
次に、上記成形体を加熱炉に入れ、900 ’C程度ま
では50〜100’C/時の速度で、それ以上は30〜
50’C/時の速度で1200〜1550°Cまで昇温
し、その温度下に数時間保持した1変炉冷し、焼結する
。この焼結体は、かさ密度が理論密度の95%以上、好
ましくは97.5%以上でおるようなものでおるが、焼
結後、熱間静水圧加圧処理(HIP>を施してざらに高
密度化してもよい。
実施例 実施例 Y2O3とCeO2とが、表に示す組成になるように均
一に固溶している、平均粒子径が0.1μmのジルコニ
ア粉末を用意した。
すなわち、純度が99.9%で必るオキシ塩化ジルコニ
ウムの水溶液と、純度が99.9%である塩化イツトリ
ウムの水溶液と、純度が99.9%でおる塩化セリウム
の水溶液とを、焼結体におけるY2O3、CeO2とし
ての量が表に示す組成になるように混合し、その混合水
溶液を100°Cまで徐々に加熱し、その温度に150
時間保持して水を飛ばし、ざらに100℃/時の速度で
9oo’cまで昇温し、その温度に3時間保持して仮焼
粉末を得た1多、その仮焼粉末をウレタンを内張すした
ボールミルで粉砕し、平均粒子径が0.1μmである粉
末とした。
次に、上記各粉末を、それぞれ1トン/Cm2の圧力で
ラバープレス成形し、成形体を得た。
次に、上記各成形体を加熱炉に入れ、900’Cまでは
50’C/時の速度で、それ以上は30’C/時の速度
で1400’Cまで昇温し、その温度に2時間保持した
後炉冷し、焼結体を得た。ただし、N、11のものにつ
いては、加熱温度を1600’Cとした。
次に、上記各焼結体から、角棒状のテストピースを切り
出し、#400の砥石で研磨して、厚み3mm、幅4m
m、長さ3f3mmにそろえた。
次に、上記各テストピースを使用して、正方品、単斜晶
、立方晶の量と、平均結晶粒子径と、曲げ強さと、20
0’Cで3000時間加熱後にあける単斜晶の量および
曲げ強さとを測定した。なお、単斜晶の量は、テストピ
ースの表面をざらにダイヤモンドペーストで鏡面仕上げ
した後に測定した。
曲げ強さは、周知の3点曲げ試験法によった。測定結果
を数表に示す。表において、N、1〜4のものがこの発
明の焼結体である。
上表から、この発明の焼結体は、初期において高い曲げ
強さを有し、しかも、熱的安定性が高いために高温で長
時間保持した後の強度低下も大変少ないことがわかる。
第1図に、N、3の焼結体の走査型電子顕微鏡写真(倍
率: 5000倍)を示すが、立方品粒が存在しない、
微細な正方品の均一組織が得られていることがわかる。
これに対して、N、5のものは、Y2O3の量がこの発
明が規定する下限以下であるため、熱的安定性が低い。
また、N、6のものは、CeO2の量がこの発明が規定
する下限以下でおるため、粗大な立方品粒が混在し、ま
た熱的安定性が低い。この焼結体の走査型電子顕微鏡写
真(倍率:5000倍)を第2図に示すが、正方品マト
リクス内に粗大な立方晶粒(大きく見える結晶粒)が存
在している。さらに、N、7.8のものは、CeO2の
量が多すぎるため、N、9のものはY2O3の量が多す
ぎるため、N、10のものはY2O3の量が少なすぎ、
CeO2の宿が多すぎるため、いずれも初期の曲げ強さ
が低くなっている。ざらにまた、N、11のものは、Y
2O3ヤCe0zの量はこの発明の範囲内にあるが、焼
成温度を高くしたために平均結晶粒子径が1μmを越え
ており、また、単斜晶や、粗大な立方品粒も存在してい
て、いずれの特性も大変低くなっている。
発明の効果 この発明の焼結体は、Y2O3を2モル%以上、3.5
モル%未満の範囲で含み、CeO2を0゜1モル%以上
、0.5モル%未満の範囲で含み、平均結晶粒子径が1
μm以下であり、ジルコニアの結晶構造が主として正方
品であり、単斜晶の結晶構造をもつジルコニアが10体
積%以下であり、立方晶の結晶構造をもつジルコニアを
含まないか、含んでいても5体積%以下であり、しかも
、その立方晶の結晶構造をもつジルコニアの結晶粒子径
が1μm以下であるものであるから、実施例にも示した
ように、強度が大変高く、しかも熱的安定性が優れてい
る。また、立方晶の結晶構造をもつジルコニアを含まな
いか、含んでいてもその量が5体積%以下であり、しか
もその立方晶の結晶粒子径が1μm以下であるから、加
工時における欠けや亀裂の発生を防止することができる
ようになる。
この発明の焼結体は、上述したように機械的強度が高く
、熱的安定性に優れており、しかも欠けや亀裂の発生等
を防止できて精密加工が可能であることから、各種刃物
、医療器材、食器具、摺動部材等、使用中に蒸気や熱水
、その他の中高温域の腐蝕環境に晒されるようなものの
構成材料として大変好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例に係る焼結体の、第2図は比
較実施例に係る焼結体の、それぞれ結晶構造を示す走査
型電子顕微鏡写真(倍率:5000倍)である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  Y_2O_3を2モル%以上、3.5モル%未満の範
    囲で含み、CeO_2を0.1モル%以上、0.5モル
    %未満の範囲で含み、平均結晶粒子径が1μm以下であ
    り、ジルコニアの結晶構造が主として正方晶であり、単
    斜晶の結晶構造をもつジルコニアが10体積%以下であ
    り、立方晶の結晶構造をもつジルコニアを含まないか、
    含んでいても5体積%以下であり、しかも、その立方晶
    の結晶構造をもつジルコニアの結晶粒子径が1μm以下
    であることを特徴とするジルコニア焼結体。
JP63120316A 1988-05-16 1988-05-16 ジルコニア焼結体 Pending JPH01290558A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04104953A (ja) * 1990-08-23 1992-04-07 Nitsukatoo:Kk ジルコニア焼結体からなる粉末処理用部材
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