JPH01291179A - 半導体デバイスの測定装置 - Google Patents
半導体デバイスの測定装置Info
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- JPH01291179A JPH01291179A JP63121321A JP12132188A JPH01291179A JP H01291179 A JPH01291179 A JP H01291179A JP 63121321 A JP63121321 A JP 63121321A JP 12132188 A JP12132188 A JP 12132188A JP H01291179 A JPH01291179 A JP H01291179A
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- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体デバイスの高周波領域での量産検査を行
う測定装置に関するものである。
う測定装置に関するものである。
従来の技術
従来、半導体デバイスの電気的特性の測定を行う場合、
第5図に示すような測定装置が使用されている。この測
定装置は、プリント基板21にIC用ソケット22を装
着するとともに、ソケット端子23とプリント基板21
の接地端子(または電源端子)との間に抵抗、コンデン
サなどの電子部品24が取付けられたものであり、半導
体デバイスとプリント基板との接触部間距離すなわち配
線距離(d+θ+f)が長い、ところで、導線およびプ
リント基板における信号の配線は、一般には単なる接続
線と考えられ、上記配線の出力端と入力端における電圧
、電流変化は同時的であると考えられがちである。しか
し、立ち上がり、立ち下がり時間が高速なスイッチング
素子などを用いる場合には、(たとえばプリント・パタ
ーンの波形伝搬遅延時間は303当たり1.8nsであ
り)もはや回路内の電流および電圧は同時的に変化して
いるとは言えなくなる。このようなパターンは線路にそ
って、抵抗、インダクタンス、容量などが分布している
分布定数回路として取り扱う必要がある。このため、周
波数が数百MH2を超える領域での半導体デバイスの特
性測定には無理があり、被測定半導体デバイスから周辺
部品までの配線距離を極力短くする必要がある。そして
、すでに配線距離を短くした測定装置として、第6図に
示すものがある。この測定装置は、半導体デバイス31
の端子であるリード32に接触するスプリング部33と
、これを収納するカップ部34とからなるソケット35
を、測定する半導体デバイス31の端子間ピッチでしか
も端子数と同一数をプリント基板36す半田付にて装着
したものである。この構成によると、上記第5図のもの
に比ベリード32より被測定回路基板面37および接続
電子部品38への直線距離は1/3以下に短くなり、周
波数領域IGHz以上での安定した特性測定が可能とな
る。
第5図に示すような測定装置が使用されている。この測
定装置は、プリント基板21にIC用ソケット22を装
着するとともに、ソケット端子23とプリント基板21
の接地端子(または電源端子)との間に抵抗、コンデン
サなどの電子部品24が取付けられたものであり、半導
体デバイスとプリント基板との接触部間距離すなわち配
線距離(d+θ+f)が長い、ところで、導線およびプ
リント基板における信号の配線は、一般には単なる接続
線と考えられ、上記配線の出力端と入力端における電圧
、電流変化は同時的であると考えられがちである。しか
し、立ち上がり、立ち下がり時間が高速なスイッチング
素子などを用いる場合には、(たとえばプリント・パタ
ーンの波形伝搬遅延時間は303当たり1.8nsであ
り)もはや回路内の電流および電圧は同時的に変化して
いるとは言えなくなる。このようなパターンは線路にそ
って、抵抗、インダクタンス、容量などが分布している
分布定数回路として取り扱う必要がある。このため、周
波数が数百MH2を超える領域での半導体デバイスの特
性測定には無理があり、被測定半導体デバイスから周辺
部品までの配線距離を極力短くする必要がある。そして
、すでに配線距離を短くした測定装置として、第6図に
示すものがある。この測定装置は、半導体デバイス31
の端子であるリード32に接触するスプリング部33と
、これを収納するカップ部34とからなるソケット35
を、測定する半導体デバイス31の端子間ピッチでしか
も端子数と同一数をプリント基板36す半田付にて装着
したものである。この構成によると、上記第5図のもの
に比ベリード32より被測定回路基板面37および接続
電子部品38への直線距離は1/3以下に短くなり、周
波数領域IGHz以上での安定した特性測定が可能とな
る。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記の構成によると、リード32の受口部は、
第5図におけるソケットに比べ被測定半導体デバイスの
差込み寸法に余裕がなく、第4図(a)に示すように、
基本寸法Aとリード先端寸法Bとに差があり、第4図(
b)に示すように、測定前にリードをフォーミング加工
する必要があるとともに、第5図におけるように、リー
ドの受口部が本格的スプリング構造でなく、測定回数も
数千回が寿命であり、適宜ソケットの取換えが必要にな
るという問題があった。
第5図におけるソケットに比べ被測定半導体デバイスの
差込み寸法に余裕がなく、第4図(a)に示すように、
基本寸法Aとリード先端寸法Bとに差があり、第4図(
b)に示すように、測定前にリードをフォーミング加工
する必要があるとともに、第5図におけるように、リー
ドの受口部が本格的スプリング構造でなく、測定回数も
数千回が寿命であり、適宜ソケットの取換えが必要にな
るという問題があった。
そこで1本発明は上記両従来例の長所を生かし、すなわ
ち配線距離を短くしかもソケット寿命の長い半導体デバ
イスを提供することを目的とする。
ち配線距離を短くしかもソケット寿命の長い半導体デバ
イスを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明の半導体デバイスは、
被測定半導体デバイスのリード挿入用のソケットの外周
に銅板を張付け、上記ソケットの受口部に電子部品の一
方の電極を接続するとともに、電子部品の他方の電極を
上記銅板に接続し、かつ上記銅板をソケット取付用基板
の接続端子に接続したものである。
被測定半導体デバイスのリード挿入用のソケットの外周
に銅板を張付け、上記ソケットの受口部に電子部品の一
方の電極を接続するとともに、電子部品の他方の電極を
上記銅板に接続し、かつ上記銅板をソケット取付用基板
の接続端子に接続したものである。
作用
上記構成によると、被測定半導体デバイスのリードから
電子部品を介してデバイスの取付基板への配線距離は銅
板までの距離と非常に短くなり。
電子部品を介してデバイスの取付基板への配線距離は銅
板までの距離と非常に短くなり。
高周波領域での電気特性の安定な測定、検査を行うこと
ができる。また、通常のリードの受口部をもったソケッ
トを使用することができるので、ソケットの寿命が長く
なり、メイテナンスが容易となる。
ができる。また、通常のリードの受口部をもったソケッ
トを使用することができるので、ソケットの寿命が長く
なり、メイテナンスが容易となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第1図〜第3図に基づき説明
する。
する。
第1図および第2図において、1は被測定半導体デバイ
ス(以下、単にデバイスという、)2をプリント基板3
に装着するためのIC用ソケットで、デバイス2のリー
ド4を挿入するための通常の受口部5がリード4の個数
だけ形成されるとともに、このソケット1の外周には銅
板6が張付けられている。また、受口部5の近傍の外周
には。
ス(以下、単にデバイスという、)2をプリント基板3
に装着するためのIC用ソケットで、デバイス2のリー
ド4を挿入するための通常の受口部5がリード4の個数
だけ形成されるとともに、このソケット1の外周には銅
板6が張付けられている。また、受口部5の近傍の外周
には。
電子部品であるチップコンデンサ(またはチップ抵抗な
ど)7が埋め込まれ、またこのチップコンデンサ7の一
方の電極7aが受口部Sに半田8により接続されるとと
もにチップコンデンサ7の他方の電極7bが上記銅板6
に半田8により接続されている。そして、さらに上記銅
板6は、ソケット1をプリント基板3に固定するビス9
を介して電気的にもプリント基板3の接地端子(電源端
子など)に接続されている。なお、上記ビス9は、ソケ
ット1とプリント基板3の固定に他の手段があれば必ず
しも必要でなく、別に配線手段を用いて銅板6とプリン
ト基板3とを接続してもよい。
ど)7が埋め込まれ、またこのチップコンデンサ7の一
方の電極7aが受口部Sに半田8により接続されるとと
もにチップコンデンサ7の他方の電極7bが上記銅板6
に半田8により接続されている。そして、さらに上記銅
板6は、ソケット1をプリント基板3に固定するビス9
を介して電気的にもプリント基板3の接地端子(電源端
子など)に接続されている。なお、上記ビス9は、ソケ
ット1とプリント基板3の固定に他の手段があれば必ず
しも必要でなく、別に配線手段を用いて銅板6とプリン
ト基板3とを接続してもよい。
また、10はチップコンデンサ7の保護膜で、絶縁樹脂
などが使用されている。
などが使用されている。
このような構成とすることにより、デバイス2のリード
4から電子部品(測定周辺回路部品)であるチップコン
デンサ7を介してプリント基板3の接地端子への配線距
離は銅板6までの距離(a+b+c)となり、従来例で
示した距離(d + e+f)の約173程度である。
4から電子部品(測定周辺回路部品)であるチップコン
デンサ7を介してプリント基板3の接地端子への配線距
離は銅板6までの距離(a+b+c)となり、従来例で
示した距離(d + e+f)の約173程度である。
また、ソケット1およびその受口部5は従来例の第5図
に示したものを使用できるため、デバイス2の挿入、取
出しが容易であり、測定検査効率が良い、また、ソケッ
ト1の寿命が長いため、ソケット1の取換えによる測定
検査装置のメインテナンスに手間がかからない。
に示したものを使用できるため、デバイス2の挿入、取
出しが容易であり、測定検査効率が良い、また、ソケッ
ト1の寿命が長いため、ソケット1の取換えによる測定
検査装置のメインテナンスに手間がかからない。
ここで、被測定半導体デバイスの一例を第3図に基づき
説明する。
説明する。
この第3図のものは、高速のプリスケーラ(分周器)で
あり、IGH2以上の高周波信号が入力される端子12
とその基準入力電圧端子13、接地端子となる端子15
.18はデバイス端子(リード)から測定周辺回路への
配線距離の短かさが必須条件となる。それは、導線およ
びプリント基板における信号の配線は、一般に単なる接
続線と考えられ、上記配線の出力端と入力端における電
圧、電流変化は同時的であると考えられがちである。し
かし、立ち上がり、立ち下がり時間が高速なスイッチン
グ素子などを用いる場合には、たとえばプリントパター
ンの波形伝搬遅延時間はもはや回路内の電流、および電
圧は同時的に変化しているとは言えなくなる。
あり、IGH2以上の高周波信号が入力される端子12
とその基準入力電圧端子13、接地端子となる端子15
.18はデバイス端子(リード)から測定周辺回路への
配線距離の短かさが必須条件となる。それは、導線およ
びプリント基板における信号の配線は、一般に単なる接
続線と考えられ、上記配線の出力端と入力端における電
圧、電流変化は同時的であると考えられがちである。し
かし、立ち上がり、立ち下がり時間が高速なスイッチン
グ素子などを用いる場合には、たとえばプリントパター
ンの波形伝搬遅延時間はもはや回路内の電流、および電
圧は同時的に変化しているとは言えなくなる。
このようにパターンは、線路にそって抵抗、インダクタ
ンス、容量などが分布している分布定数回路を形成して
いるからであり、回路図の外付部品定数などとは、実際
には等価でなくなっている。
ンス、容量などが分布している分布定数回路を形成して
いるからであり、回路図の外付部品定数などとは、実際
には等価でなくなっている。
ゆえに、上述した第2図のリードからの接続電子部品を
通してのプリント基板への配線直線距離(a+b+c)
のトータルが、第5図に示した従来例の(d+e+f)
より約173以下に短かくすることにより、上記問題点
は解決されることになる。
通してのプリント基板への配線直線距離(a+b+c)
のトータルが、第5図に示した従来例の(d+e+f)
より約173以下に短かくすることにより、上記問題点
は解決されることになる。
なお、第3図の接地端子15.18も同様の考え方で、
第2図に示すソケットの構造上、チップコンデンサ(チ
ップ抵抗など)7を半田8でショートしてソケット受口
部5と銅板6とを電気的に接続したものと考えればよい
。また、上記実施例における銅板6には、銅箔、帯状の
銅板なども含まれる。
第2図に示すソケットの構造上、チップコンデンサ(チ
ップ抵抗など)7を半田8でショートしてソケット受口
部5と銅板6とを電気的に接続したものと考えればよい
。また、上記実施例における銅板6には、銅箔、帯状の
銅板なども含まれる。
発明の効果
上記本発明の構成によると、被測定半導体デバイスのリ
ードから電子部品を介してデバイスの取付基板への配線
距離は銅板までの距離と非常に短くなり、高周波領域で
の電気特性の安定な測定、検査を行うことができ、しか
も通常のリードの受口部をもったソケットを使用するこ
とができるので、デバイスのソケットへの挿入、取出し
が容易になるとともに、ソケットの長寿命によるソケッ
ト交換サイクルの長期化により、メンテナンスが容易と
なる。
ードから電子部品を介してデバイスの取付基板への配線
距離は銅板までの距離と非常に短くなり、高周波領域で
の電気特性の安定な測定、検査を行うことができ、しか
も通常のリードの受口部をもったソケットを使用するこ
とができるので、デバイスのソケットへの挿入、取出し
が容易になるとともに、ソケットの長寿命によるソケッ
ト交換サイクルの長期化により、メンテナンスが容易と
なる。
第1図は本発明の一実施例における半導体デバイスの測
定装置の斜視図、第2図は同測定装置の断面図、第3図
は被測定半導体デバイスの回路機能を示すブロック図、
第4図(a) (b)は被測定半導体デバイスのリード
を示す概略側面図、第5図および第6図はそれぞれ従来
例の測定装置の断面図である。 1・・・ソケット、2・・・被測定用半導体デバイス。 3・・・プリント基板、4・・・リード、5・・・受口
部、6・・・銅板、7・・・チップコンデンサ。 代理人 森 本 義 弘 @ l 図 O f 、ソゲ・ソト 2優隙測定111キ導1冬テ′バイス 4−一・リード 5−受口部 651g1抜 7 子・ソフ0コンテ゛ンヴ 第2図 /′ 3−一−フ0す〉ト早4及 第3図 第4図 (dン
(bン第5図 第6図
定装置の斜視図、第2図は同測定装置の断面図、第3図
は被測定半導体デバイスの回路機能を示すブロック図、
第4図(a) (b)は被測定半導体デバイスのリード
を示す概略側面図、第5図および第6図はそれぞれ従来
例の測定装置の断面図である。 1・・・ソケット、2・・・被測定用半導体デバイス。 3・・・プリント基板、4・・・リード、5・・・受口
部、6・・・銅板、7・・・チップコンデンサ。 代理人 森 本 義 弘 @ l 図 O f 、ソゲ・ソト 2優隙測定111キ導1冬テ′バイス 4−一・リード 5−受口部 651g1抜 7 子・ソフ0コンテ゛ンヴ 第2図 /′ 3−一−フ0す〉ト早4及 第3図 第4図 (dン
(bン第5図 第6図
Claims (1)
- 1、被測定半導体デバイスのリード挿入用のソケットの
外周に銅板を張付け、上記ソケットの受口部に電子部品
の一方の電極を接続するとともに、電子部品の他方の電
極を上記銅板に接続し、かつ上記銅板をソケット取付用
基板の接続端子に接続した半導体デバイスの測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121321A JPH01291179A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体デバイスの測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121321A JPH01291179A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体デバイスの測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01291179A true JPH01291179A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14808357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63121321A Pending JPH01291179A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体デバイスの測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01291179A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4820682A (en) * | 1986-10-08 | 1989-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat sensitive recording materials |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113352A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Socket |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63121321A patent/JPH01291179A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113352A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Socket |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4820682A (en) * | 1986-10-08 | 1989-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat sensitive recording materials |
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