JPH01292874A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH01292874A JPH01292874A JP12171388A JP12171388A JPH01292874A JP H01292874 A JPH01292874 A JP H01292874A JP 12171388 A JP12171388 A JP 12171388A JP 12171388 A JP12171388 A JP 12171388A JP H01292874 A JPH01292874 A JP H01292874A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、１．２〜１．６μｍ帯、あるいは０．６〜０
．７ μｍ帯で発振する量子井戸型の半導体レーザ素子
に係り、特に変調帯域が広く、又はしきい値の低い半導
体レーザ素子に関する。
．７ μｍ帯で発振する量子井戸型の半導体レーザ素子
に係り、特に変調帯域が広く、又はしきい値の低い半導
体レーザ素子に関する。
従来、特開昭６２−０２５４８４号公報に記載の如く。
ＧａＡ Ｑ Ａｓ／ ＧａＡｓ系の量子井戸型半導体レ
ーザにおいて、活性層あるいは活性層の両側のバリア層
、あるいはその双方に不純物をドープすると、変調帯域
が大幅に向上し、またはしきい電流値が低減することが
知られていた。ところが、この材料系では石英系ファイ
バの損失が小さい波長域の１．２〜１．６μｍ帯や可視
領域である０、６〜０．７μｍ帯における安定なレーザ
発振は難かしい。
ーザにおいて、活性層あるいは活性層の両側のバリア層
、あるいはその双方に不純物をドープすると、変調帯域
が大幅に向上し、またはしきい電流値が低減することが
知られていた。ところが、この材料系では石英系ファイ
バの損失が小さい波長域の１．２〜１．６μｍ帯や可視
領域である０、６〜０．７μｍ帯における安定なレーザ
発振は難かしい。
一方１．２〜１．６μｍ帯における量子井戸型半導体レ
ーザは、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系などにより、実現され
ており、例えば第１０回半導体レーザ国際会議予稿集（
１９８６年１０月）の４４頁から４５頁（１０ｔｈ、Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ Ｌａ５ｅｒＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）などにより論じ
られている。
ーザは、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系などにより、実現され
ており、例えば第１０回半導体レーザ国際会議予稿集（
１９８６年１０月）の４４頁から４５頁（１０ｔｈ、Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ Ｌａ５ｅｒＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）などにより論じ
られている。
しかし、上記従来技術は、光通信に最適な１．２〜１．
６μｍ帯の発振波長や可視光である０、６〜０．７μｍ
帯の発振波長を保つ量子井戸型半導体レーザにおいて変
調帯域の向上や、しきい電流値の低減がなされていなか
った。
６μｍ帯の発振波長や可視光である０、６〜０．７μｍ
帯の発振波長を保つ量子井戸型半導体レーザにおいて変
調帯域の向上や、しきい電流値の低減がなされていなか
った。
本発明の目的は、光通信用あるいは可視光用に変調帯域
の広い、あるいはしきい電流値の低い量子井戸型半導体
レーザを提供することにある。
の広い、あるいはしきい電流値の低い量子井戸型半導体
レーザを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、１ 、２〜１ 、６ ｐ ｍ帯や０．６〜
０．７μｍ帯でレーザ発振を生ずる材料により。
０．７μｍ帯でレーザ発振を生ずる材料により。
量子井戸構造を形成し、この活性層、あるいはその両側
のバリア層、あるいはその双方に不純物をドープするこ
とにより達成される。材料としては、１．２〜１．６μ
ｍ帯については活性層およびバリア層に各々ＩｎＧａＡ
ｓ 、 ＩｎＡ Ｑ Ａｓ 、あるいは、各々ＩｎＧａ
Ａｓ、 ＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓ、あるいは各々ＩｎＧａ
Ａ Ｑ Ａｓ 。
のバリア層、あるいはその双方に不純物をドープするこ
とにより達成される。材料としては、１．２〜１．６μ
ｍ帯については活性層およびバリア層に各々ＩｎＧａＡ
ｓ 、 ＩｎＡ Ｑ Ａｓ 、あるいは、各々ＩｎＧａ
Ａｓ、 ＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓ、あるいは各々ＩｎＧａ
Ａ Ｑ Ａｓ 。
ＩｎＡ Ｑ Ａｓが適している。または、活性層および
バリア層が双方共ＩｎＧａＡｓＰでも良い、一方０．６
〜０．７ μｍ帯については、活性層およびバリア層に
各々ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、あるいは、各々ＩｎＧａ
ＡｌＰ、Ｉ ｎＡｌＰ、あるいは各々ＩｎＧａＰ。
バリア層が双方共ＩｎＧａＡｓＰでも良い、一方０．６
〜０．７ μｍ帯については、活性層およびバリア層に
各々ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、あるいは、各々ＩｎＧａ
ＡｌＰ、Ｉ ｎＡｌＰ、あるいは各々ＩｎＧａＰ。
ＩｎＧａＡ Ｑ Ｐが適している。各々の層の組成は、
望ましい発振波長について、各層の厚みを考慮して決定
される。
望ましい発振波長について、各層の厚みを考慮して決定
される。
以上の材料により形成した量子井戸構造に対して、ｐ型
の不純物を注入されるキャリア密度以上の密度でドープ
すると、過剰の正孔が活性層内に生じ、微分利得が向上
し、変調帯域が拡大される。
の不純物を注入されるキャリア密度以上の密度でドープ
すると、過剰の正孔が活性層内に生じ、微分利得が向上
し、変調帯域が拡大される。
このため、半導体レーザの高速変調が可能となる。
一方ｎ型の不純物を注入されるキャリア密度以上の密度
でドープすると、過剰の電子が活性層内に生じ、誘導吸
収が低減されるので、しきい電流値が低減される。この
ため低電流動作が可能となる。
でドープすると、過剰の電子が活性層内に生じ、誘導吸
収が低減されるので、しきい電流値が低減される。この
ため低電流動作が可能となる。
以上のように、本発明によれば５発振波長１．２〜１．
６ および０．６〜０．７μｍにおいて、半導体レーザ
の大幅な性能向上が達成される０通常レーザ発振に必要
な注入キャリア密度は５Ｘ１０１７■−８〜２ Ｘ １
０１♂■−３なので、ドープする不純物の密度はＩ Ｘ
１０ Ｌ８ｔｘ−”以上が良く、望ましくは４ Ｘ
１０ ”ｃｓ−”以上が良い。
６ および０．６〜０．７μｍにおいて、半導体レーザ
の大幅な性能向上が達成される０通常レーザ発振に必要
な注入キャリア密度は５Ｘ１０１７■−８〜２ Ｘ １
０１♂■−３なので、ドープする不純物の密度はＩ Ｘ
１０ Ｌ８ｔｘ−”以上が良く、望ましくは４ Ｘ
１０ ”ｃｓ−”以上が良い。
また、１．２〜１．６μｍの長波長帯では、オージェ効
果や５価電子帯間吸収により、キャビティ内に多数のキ
ャリアを注入しないと発振しない。
果や５価電子帯間吸収により、キャビティ内に多数のキ
ャリアを注入しないと発振しない。
このため注入された電子がエネルギ的に拡がって、微分
利得が低下し易い、しかし、本発明の構成により、井戸
層内に多数の正孔が存在すると、わずかの電子によって
発振するで、井戸層内の電子のエネルギの拡がりを小さ
くすることができ、微分利得が大幅に向上する。この効
果は、０．８μｍ帯のＧａＡ Ｑ Ａｓ系より大きい、
そして、微分利得が大きくなると、緩和振動周波数が大
きくなり高速化がはかれる。
利得が低下し易い、しかし、本発明の構成により、井戸
層内に多数の正孔が存在すると、わずかの電子によって
発振するで、井戸層内の電子のエネルギの拡がりを小さ
くすることができ、微分利得が大幅に向上する。この効
果は、０．８μｍ帯のＧａＡ Ｑ Ａｓ系より大きい、
そして、微分利得が大きくなると、緩和振動周波数が大
きくなり高速化がはかれる。
また長波長帯では、端面破壊の光出力レベルがＧａＡ
Ｑ Ａｓ系に比べ１桁以上大きい、光出力が大きいと緩
和振動周波数が大きくなるので非常に高い緩和振動周波
数が得られる。
Ｑ Ａｓ系に比べ１桁以上大きい、光出力が大きいと緩
和振動周波数が大きくなるので非常に高い緩和振動周波
数が得られる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
ｎ型ＩｎＰ基板１（厚み１００μｍ）の上に分子線成長
法により、ｎ型ＩｎＡ Ｑ Ａｓクラッド層２（厚み３
μｍ、Ａｌ組成０．４５）を成長した後、アンドープＩ
ｎＧａＡｓ活性層３（厚み１００人、Ｇａ組成０．４５
）、ｐ型ＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓバリア層４（厚み１００
人、Ｇａ組成０．２０．Ａｌ組成０．２５゜Ｂｅドープ
）を交互に成長する。この後ｐ型ＩｎＡ Ｑ Ａｓクラ
ッド層５（厚み２μｍ、Ａｌ組成０．４５）、Ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓキャップ層６（厚み０．５μｍ、Ｇａ組成０．
４５）を成長する。次にｐ側電極７．ｎ側電極８を蒸着
により形成し、素子に切り離す。この素子において、バ
リア層４にドープした不純物密度を２Ｘ１０”°１−８
にしたところ、高速の変調限界を決めている緩和振動周
波数が、３０ＧＨ２Ｃ以上に達し、従来の不純物をドー
プしない量子井戸型レーザに比べ２倍以上の値が得られ
た。
法により、ｎ型ＩｎＡ Ｑ Ａｓクラッド層２（厚み３
μｍ、Ａｌ組成０．４５）を成長した後、アンドープＩ
ｎＧａＡｓ活性層３（厚み１００人、Ｇａ組成０．４５
）、ｐ型ＩｎＧａＡ Ｑ Ａｓバリア層４（厚み１００
人、Ｇａ組成０．２０．Ａｌ組成０．２５゜Ｂｅドープ
）を交互に成長する。この後ｐ型ＩｎＡ Ｑ Ａｓクラ
ッド層５（厚み２μｍ、Ａｌ組成０．４５）、Ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓキャップ層６（厚み０．５μｍ、Ｇａ組成０．
４５）を成長する。次にｐ側電極７．ｎ側電極８を蒸着
により形成し、素子に切り離す。この素子において、バ
リア層４にドープした不純物密度を２Ｘ１０”°１−８
にしたところ、高速の変調限界を決めている緩和振動周
波数が、３０ＧＨ２Ｃ以上に達し、従来の不純物をドー
プしない量子井戸型レーザに比べ２倍以上の値が得られ
た。
レーザ発振波長は１．５５μｍであった。
本発明の第２の実施例を第１図により説明するｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１（厚み１００μｍ）に上に有機金属気相成長法
により、ｎ型ＩｎＰクラッド層２（厚み３μｍ）を成長
した後、アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３（厚み１０
０人、Ｇａ組成０．３５．Ａｓ組成０．７９） 、Ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰバリア層４（厚み１００人、Ｇａ組成０
．２４．Ａｓ組成０．５５Ｍｇドープ）を交互に成長す
る。この後ｐ型ＩｎＰクラッド層５（厚み２μｍ）、ｐ
型ＩｎＧａＡｓキャップ層６（厚み０．５μｍ、Ｇａ組
成０．４５）を成長する。この後、ｐ側電極７．ｎ側電
極８を蒸着により形成し、素子に切り離す。この素子に
おいて、バリア層４にドープした不純物密度を２×１０
”ｃａ″″δにしたところ、第１の実施例と同様３０Ｇ
Ｈ２以上の緩和振動周波数が得られた。この素子のレー
ザ発振波長は、１．３５ μｍであった。
Ｐ基板１（厚み１００μｍ）に上に有機金属気相成長法
により、ｎ型ＩｎＰクラッド層２（厚み３μｍ）を成長
した後、アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３（厚み１０
０人、Ｇａ組成０．３５．Ａｓ組成０．７９） 、Ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰバリア層４（厚み１００人、Ｇａ組成０
．２４．Ａｓ組成０．５５Ｍｇドープ）を交互に成長す
る。この後ｐ型ＩｎＰクラッド層５（厚み２μｍ）、ｐ
型ＩｎＧａＡｓキャップ層６（厚み０．５μｍ、Ｇａ組
成０．４５）を成長する。この後、ｐ側電極７．ｎ側電
極８を蒸着により形成し、素子に切り離す。この素子に
おいて、バリア層４にドープした不純物密度を２×１０
”ｃａ″″δにしたところ、第１の実施例と同様３０Ｇ
Ｈ２以上の緩和振動周波数が得られた。この素子のレー
ザ発振波長は、１．３５ μｍであった。
本発明の第３の実施例を第２図を用いて説明する。第１
の実施例と同様な多層成長を行なった後。
の実施例と同様な多層成長を行なった後。
素子中央部分をメサ状に残し、化学食刻によって。
領域９を除去する。この後領域９を半絶縁性ＩｎＰ、あ
るいはポリイミド、あるいはプロトン、ボロンなどのイ
オン打込みにより絶縁化したＩｎＰにより埋込む、この
後、絶縁膜１０を被着し、ｐ側電極７．ｎ（［ＩＩ電極
８を蒸着し素子に切り離す、この素子では、領域９によ
り、メサ部分に光分布が閉込められ、しかも領域９の容
量が小さいので、高速変調の周波数限界が向上する。変
調強度が３ｄＢ低下するまでの周波数帯域として３５Ｇ
Ｈｚ以上の値が得られた。
るいはポリイミド、あるいはプロトン、ボロンなどのイ
オン打込みにより絶縁化したＩｎＰにより埋込む、この
後、絶縁膜１０を被着し、ｐ側電極７．ｎ（［ＩＩ電極
８を蒸着し素子に切り離す、この素子では、領域９によ
り、メサ部分に光分布が閉込められ、しかも領域９の容
量が小さいので、高速変調の周波数限界が向上する。変
調強度が３ｄＢ低下するまでの周波数帯域として３５Ｇ
Ｈｚ以上の値が得られた。
以上、ｐ型不純物をバリア層にドープした場合について
述べたが、活性層にドープしても、またはバリア層の一
部にドープしても同様の結果が得られた。また、以上の
説明ではドープする不純物をｐ型にして、高速変調限界
を調べたが、逆にドープする不純物をＴｅ、Ｓ’ｓ、Ｓ
ｉなどのｎ型にして、しきい電流密度を調べたところ、
１／２以下の低減がはかれた。
述べたが、活性層にドープしても、またはバリア層の一
部にドープしても同様の結果が得られた。また、以上の
説明ではドープする不純物をｐ型にして、高速変調限界
を調べたが、逆にドープする不純物をＴｅ、Ｓ’ｓ、Ｓ
ｉなどのｎ型にして、しきい電流密度を調べたところ、
１／２以下の低減がはかれた。
本発明の第４の実施例を第１図を用いて説明する。ｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ基板１（厚み１００μｍ）上に有機金属
気相成長法によりｎ型Ｉ ｎ Ａ Ｑ Ｐクラッド層２
（厚み３μｍ、Ａｌ組成０．５１）を成長し、次にアン
ドープＩｎＧａＰ （厚み５０人、Ｇａ組成０．５１）
活性層３、ｐ型ＩｎＧａＡ Ｑ Ｐ（厚み５０人。
Ｇ ａ Ａ ｓ基板１（厚み１００μｍ）上に有機金属
気相成長法によりｎ型Ｉ ｎ Ａ Ｑ Ｐクラッド層２
（厚み３μｍ、Ａｌ組成０．５１）を成長し、次にアン
ドープＩｎＧａＰ （厚み５０人、Ｇａ組成０．５１）
活性層３、ｐ型ＩｎＧａＡ Ｑ Ｐ（厚み５０人。
Ｇａ組成０．２０．Ａｌ組成Ｑ、３１．Ｓｅドープ）バ
リア層４を交互に成長する０次に、ｐ型ＩｎＡ ＣＬＰ
クラッド層５（厚み１μｍ、Ａｌ組成０．５１）、ｐ型
Ｇ ａ Ａ ｓキャップＷＩ（厚み２μｍ）を成長する
。この後、ｐ側電極７．ｎ＠電極８を蒸着し。
リア層４を交互に成長する０次に、ｐ型ＩｎＡ ＣＬＰ
クラッド層５（厚み１μｍ、Ａｌ組成０．５１）、ｐ型
Ｇ ａ Ａ ｓキャップＷＩ（厚み２μｍ）を成長する
。この後、ｐ側電極７．ｎ＠電極８を蒸着し。
素子に切離す。この素子の発振波長は０．６５μｍであ
った。バリア層シ９ドープしたＳｅの密度を４ Ｘ １
０ ”ａｎ−８にしたところ、しきい電流密度が２０
ＯＡ／ｃｄとなり、ドープしない場合に比べ。
った。バリア層シ９ドープしたＳｅの密度を４ Ｘ １
０ ”ａｎ−８にしたところ、しきい電流密度が２０
ＯＡ／ｃｄとなり、ドープしない場合に比べ。
１／２に低減した。さらに両側の反射面に反射率９５％
の高反射膜コートをしたところ、しきい電流密度はさら
に低減し９０Ａ／ｃｄとなった。
の高反射膜コートをしたところ、しきい電流密度はさら
に低減し９０Ａ／ｃｄとなった。
本発明によれば、量子井戸型レーザにおいて、レーザ発
振波長が１．２〜１．６μｍ帯、あるいは０．６〜０．
７μｍ帯で発振し、高速変調限界を高く、あるいはしき
い電流値を低くできる。高速変調限界については、従来
の量子井戸型レーザに比べ２倍以上、しきい電流値につ
いては１／２以下の値が得られる。
振波長が１．２〜１．６μｍ帯、あるいは０．６〜０．
７μｍ帯で発振し、高速変調限界を高く、あるいはしき
い電流値を低くできる。高速変調限界については、従来
の量子井戸型レーザに比べ２倍以上、しきい電流値につ
いては１／２以下の値が得られる。
第１図は本発明の一実施例の量子井戸型半導体レーザの
横断面図、第２図は本発明の第２実施例の埋込型半導体
レーザの横断面図である。
横断面図、第２図は本発明の第２実施例の埋込型半導体
レーザの横断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、活性層の厚さが結晶内自由電子の波束より小さく、
活性層または活性層の両側の半導体層あるいはそれらの
層の一部分、あるいはそれらの全ての層に活性層に注入
するキャリア密度より大きな密度の不純物をドープした
半導体レーザ素子において、活性層および活性層の両側
の半導体層が、ＩｎとＡｓを含み、Ｇａ、Ａｌのいずれ
かあるいは双方を含むことを特徴とする半導体レーザ素
子。 ２、特許請求範囲第１項に記載の半導体レーザ素子にお
いて、活性層または活性層の両側の半導体層がＩｎ、Ｇ
ａ、Ａｓ、Ｐの４元系よりなることを特徴とする半導体
レーザ素子。 ３、特許請求範囲第１項に記載の半導体レーザ素子にお
いて、活性層または活性層の両側の半導体層がＩｎとＰ
を含み、Ｇａ、Ａｌのいずれかあるいは双方を含むこと
を特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121713A JP2702964B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121713A JP2702964B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292874A true JPH01292874A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2702964B2 JP2702964B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=14818038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63121713A Expired - Lifetime JP2702964B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702964B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022545A1 (en) * | 1999-09-22 | 2001-03-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Luminous element and luminous element module |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094787A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6225484A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
| JPH01205586A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 量子井戸構造を有する半導体レーザ |
| JPH01241884A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多重量子井戸半導体レーザ |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63121713A patent/JP2702964B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094787A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6225484A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
| JPH01205586A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 量子井戸構造を有する半導体レーザ |
| JPH01241884A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多重量子井戸半導体レーザ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022545A1 (en) * | 1999-09-22 | 2001-03-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Luminous element and luminous element module |
| EP1146615A4 (en) * | 1999-09-22 | 2005-10-19 | Mitsubishi Chem Corp | LUMINOUS ELEMENT AND LUMINOUS ELEMENT MODULE |
| US7102174B2 (en) | 1999-09-22 | 2006-09-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and light emitting device module |
| US7164157B2 (en) | 1999-09-22 | 2007-01-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and light emitting device module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702964B2 (ja) | 1998-01-26 |
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